JPH01179743A - ＣｄＳ焼結膜の製造方法 - Google Patents
ＣｄＳ焼結膜の製造方法Info
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- JPH01179743A JPH01179743A JP63002897A JP289788A JPH01179743A JP H01179743 A JPH01179743 A JP H01179743A JP 63002897 A JP63002897 A JP 63002897A JP 289788 A JP289788 A JP 289788A JP H01179743 A JPH01179743 A JP H01179743A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/543—Solar cells from Group II-VI materials
Landscapes
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はＣｄＳ膜を用いた太陽電池、フォトセンサー等
の光起電力素子に適した、大面積の硫化カドミウム（Ｃ
ｄＳ ）焼結膜の製造方法に関するものである。
の光起電力素子に適した、大面積の硫化カドミウム（Ｃ
ｄＳ ）焼結膜の製造方法に関するものである。
従来の技術
量産性に優れたスクリーン印刷、焼結という方法でつく
られたＣＣ１５焼結膜／ＣｄＴｅ焼結膜太陽電池（以下
焼結膜形ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池という）では、１０
（７）角のガラス基板の上につくられたものにおいて光
電変換効率１０％程度のものが得られている（電子材料
１９８３年６月号Ｐ、１０８）。この太陽電池の主役の
一つを演じるＣｄＳ焼結膜は、いわゆるフラックス法で
焼結させる。すなわち、ＣｄＳ粉末に、一定量の塩化カ
ドミウム粉末を加え、ペーストをつくり、基板に塗布し
、その基板を緻密なアルミナを材質とする焼成ボードに
収め、同じ材質の有孔蓋をかぶせて焼結炉内で連続移動
焼成して３ページ 作成する。
られたＣＣ１５焼結膜／ＣｄＴｅ焼結膜太陽電池（以下
焼結膜形ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池という）では、１０
（７）角のガラス基板の上につくられたものにおいて光
電変換効率１０％程度のものが得られている（電子材料
１９８３年６月号Ｐ、１０８）。この太陽電池の主役の
一つを演じるＣｄＳ焼結膜は、いわゆるフラックス法で
焼結させる。すなわち、ＣｄＳ粉末に、一定量の塩化カ
ドミウム粉末を加え、ペーストをつくり、基板に塗布し
、その基板を緻密なアルミナを材質とする焼成ボードに
収め、同じ材質の有孔蓋をかぶせて焼結炉内で連続移動
焼成して３ページ 作成する。
この際、塩化カドミウムはステンレスとして動きＣｄＳ
の焼結に役立つ。焼成中まず塩化カドミウムが溶け（融
点５６８°Ｃ）、この中へＣｄＳ粉が溶ここで融剤とし
て働いた塩化カドミウムが多量にＣｄＳ焼結膜中に残る
と太陽電池の性能は悪くなる。
の焼結に役立つ。焼成中まず塩化カドミウムが溶け（融
点５６８°Ｃ）、この中へＣｄＳ粉が溶ここで融剤とし
て働いた塩化カドミウムが多量にＣｄＳ焼結膜中に残る
と太陽電池の性能は悪くなる。
また、著大の面積が太きすぎたり、焼成容器の材質が気
孔率の大きいものであったりすると、ＣｄＳの焼結がす
すまないうちに塩化カドミウムがでていってしまい、や
はり太陽電池の性能は悪くなる。
孔率の大きいものであったりすると、ＣｄＳの焼結がす
すまないうちに塩化カドミウムがでていってしまい、や
はり太陽電池の性能は悪くなる。
ＣｄＳ焼結膜をＣｄＳ ／ＣｄＴｅ太陽電池のＣｄＳ膜
として利用する場合、（１）低抵抗化、（２）ガラス／
ＣｄＳ界面の反射を減少させるためのガラスとの密着
性改善、そして（ｓ） ＣｄＳ ／ＣｄＴｅヘテロ接合
界面の連続性向上するためのＣｄＳ表面の粒界減少等の
検討課題がある。
として利用する場合、（１）低抵抗化、（２）ガラス／
ＣｄＳ界面の反射を減少させるためのガラスとの密着
性改善、そして（ｓ） ＣｄＳ ／ＣｄＴｅヘテロ接合
界面の連続性向上するためのＣｄＳ表面の粒界減少等の
検討課題がある。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記の構成では、低抵抗化のために結晶粒
径を増大させるべくＣｄＣｅ２を多量に加えると焼成時
のＣｄＣｅ２液相量が増加し、ＣｄＳ結晶成長の自由度
が増し、結晶粒子径そのものは増大するが、粒子間が不
連続になる。第３図にＣｄＳ焼結膜上にＣｄＴｅ焼結膜
を形成した太陽電池の断面結晶構造の写真を示す。写真
からＣｄＳ粒子間に空洞があることがわかり、ガラス／
ＣｄＳ界面に特に空洞が多くこの空洞部分の反射率、す
なわち空気／／ｃｄＳ界面の反射率は両者の屈折率から
約１８．５％程度あり、同膜中で最大である。第４図に
ＣｄＳ膜中にＺｎＳをＣｄＳ膜に対して１０ｍｏ１％添
加した時の（Ｃｄ、Ｚｎ）Ｓ焼結膜を用いた場合の断面
結晶構造の写真を示す。ＺｎＳ無添加のものと比較し、
ＣｄＳ膜が平板状に形成され、ガラス／ （ｃｄ、 Ｚ
ｎ） Ｓ界面の空洞が大幅に減少するとともに、（Ｃｏ
ｄ、Ｚｎ）Ｓ表面もなめらかになりＣｄＳ ／ ＣｄＴ
ｅ接合も良好になった。すなわち（Ｃｄ、Ｚｎ）Ｓ膜に
よって光の反射損を減少し、接合部分のリーク電流を大
幅に減少することができた。しかしながら、第６図に５
べ−７ 示す様にＺｎＳ添加によって（Ｃｄ、Ｚｎ）Ｓ膜の固有
抵抗が大幅に増加し、照射光エネルギー密度の大きい屋
外では、太陽電池特性の向上は見られなかった。
径を増大させるべくＣｄＣｅ２を多量に加えると焼成時
のＣｄＣｅ２液相量が増加し、ＣｄＳ結晶成長の自由度
が増し、結晶粒子径そのものは増大するが、粒子間が不
連続になる。第３図にＣｄＳ焼結膜上にＣｄＴｅ焼結膜
を形成した太陽電池の断面結晶構造の写真を示す。写真
からＣｄＳ粒子間に空洞があることがわかり、ガラス／
ＣｄＳ界面に特に空洞が多くこの空洞部分の反射率、す
なわち空気／／ｃｄＳ界面の反射率は両者の屈折率から
約１８．５％程度あり、同膜中で最大である。第４図に
ＣｄＳ膜中にＺｎＳをＣｄＳ膜に対して１０ｍｏ１％添
加した時の（Ｃｄ、Ｚｎ）Ｓ焼結膜を用いた場合の断面
結晶構造の写真を示す。ＺｎＳ無添加のものと比較し、
ＣｄＳ膜が平板状に形成され、ガラス／ （ｃｄ、 Ｚ
ｎ） Ｓ界面の空洞が大幅に減少するとともに、（Ｃｏ
ｄ、Ｚｎ）Ｓ表面もなめらかになりＣｄＳ ／ ＣｄＴ
ｅ接合も良好になった。すなわち（Ｃｄ、Ｚｎ）Ｓ膜に
よって光の反射損を減少し、接合部分のリーク電流を大
幅に減少することができた。しかしながら、第６図に５
べ−７ 示す様にＺｎＳ添加によって（Ｃｄ、Ｚｎ）Ｓ膜の固有
抵抗が大幅に増加し、照射光エネルギー密度の大きい屋
外では、太陽電池特性の向上は見られなかった。
本発明は」１記問題点に鑑み、低抵抗でなおかつ、ガラ
ス／ ＣｄＳ界面の反射損も少なく、ＣｄＳ表面に粒界
の少ない太陽電池用ＣｄＳ焼結膜を提供するものである
。
ス／ ＣｄＳ界面の反射損も少なく、ＣｄＳ表面に粒界
の少ない太陽電池用ＣｄＳ焼結膜を提供するものである
。
課題を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明のＣｄＳ焼結膜の製
造方法は、ガラス基板との密着層がよいかもしくは低抵
抗のｎ型半導体層としての第１の層と、粒界の少ない高
抵抗ｎ型半導体層としての第２の層とからなるＣｄＳ焼
結膜を形成するものである。
造方法は、ガラス基板との密着層がよいかもしくは低抵
抗のｎ型半導体層としての第１の層と、粒界の少ない高
抵抗ｎ型半導体層としての第２の層とからなるＣｄＳ焼
結膜を形成するものである。
作用
本発明は上記した構成によって第１の層で低抵抗層を形
成し、第２層で高抵抗層を利用し粒界を減少させること
によって、あい反する現象を解決することとなる。
成し、第２層で高抵抗層を利用し粒界を減少させること
によって、あい反する現象を解決することとなる。
６ヘー／
実施例
以下本発明の一実施例におけるＣｄＳ焼結膜の製造方法
について図面を参照しながら説明する。第１図は、本発
明の第１の実施例におけるＣｄＳ焼結膜の断面図を示す
ものである。ＣｄＳ粉末１００ｇに対し、このＣｄＳに
対して融剤として働く塩化カドミウム１ｏｙ、ガラスの
融剤として働（ＢａＯを５ｐ、ＣｄＳ膜抵抗を減少させ
るためＩｎＳを６ｇそれぞれ加え、粘度調節のために有
機結合剤を適当量入れ第１のＣｄＳペーストをつくる。
について図面を参照しながら説明する。第１図は、本発
明の第１の実施例におけるＣｄＳ焼結膜の断面図を示す
ものである。ＣｄＳ粉末１００ｇに対し、このＣｄＳに
対して融剤として働く塩化カドミウム１ｏｙ、ガラスの
融剤として働（ＢａＯを５ｐ、ＣｄＳ膜抵抗を減少させ
るためＩｎＳを６ｇそれぞれ加え、粘度調節のために有
機結合剤を適当量入れ第１のＣｄＳペーストをつくる。
このペーストをポリエステ／Ｖ８０メツシュのスクリー
ンを用いてガラス基板１上に印刷し、乾燥した後ベルト
焼成炉で７００°Ｃで約６０分間焼成し第１のＣｄＳ膜
２を形成する。次にＣｄＳ粉末１ｏｏｆｌに対してＺｎ
Ｓ ７．５ ｆ／ 、 Ｃｄ０ｇ２２０ ｆ加え、粘度
調節のための有機結合剤を適当量入れ第２のＣｄＳペー
ストヲつくル。このペーストをステンレス４００メツシ
ユのスクリーンを用いて第１のＣｄＳ膜２上に印刷し、
乾燥した後ベルト焼成炉で６９０°Ｃで約６０分間焼成
し、第２のＣｄＳ膜３を形成する。第７ベーノ １表に、第１．第２のＣｄＳ膜２，３及びこれらを組合
せた複合膜の膜厚を膜抵抗及び光を４の方向から入射さ
せた際の反射率を示す。第１の膜については、Ｂ２０
、 ＩｎＳの無添加膜も作製し、その効果を調べた。
ンを用いてガラス基板１上に印刷し、乾燥した後ベルト
焼成炉で７００°Ｃで約６０分間焼成し第１のＣｄＳ膜
２を形成する。次にＣｄＳ粉末１ｏｏｆｌに対してＺｎ
Ｓ ７．５ ｆ／ 、 Ｃｄ０ｇ２２０ ｆ加え、粘度
調節のための有機結合剤を適当量入れ第２のＣｄＳペー
ストヲつくル。このペーストをステンレス４００メツシ
ユのスクリーンを用いて第１のＣｄＳ膜２上に印刷し、
乾燥した後ベルト焼成炉で６９０°Ｃで約６０分間焼成
し、第２のＣｄＳ膜３を形成する。第７ベーノ １表に、第１．第２のＣｄＳ膜２，３及びこれらを組合
せた複合膜の膜厚を膜抵抗及び光を４の方向から入射さ
せた際の反射率を示す。第１の膜については、Ｂ２０
、 ＩｎＳの無添加膜も作製し、その効果を調べた。
（以下余 白）
９ ベージ
単膜のみで比較するとＢ２０の添加によって反射率が減
少し、ＩｎＳ添加によって膜抵抗が減少していることが
わかる。Ｂ２０添加の有、無を膜断面の結晶構造写真で
比較すると、Ｂ２０添加によってガラスとＣｄＳとの密
着性が改善されていることがわかった。ＩｎＳの添加効
果は結晶構造写真ではわからなかったが、ＣｄＳ結晶中
にＩｎがドープされることによって低抵抗化が進んだも
のと考えられる。
少し、ＩｎＳ添加によって膜抵抗が減少していることが
わかる。Ｂ２０添加の有、無を膜断面の結晶構造写真で
比較すると、Ｂ２０添加によってガラスとＣｄＳとの密
着性が改善されていることがわかった。ＩｎＳの添加効
果は結晶構造写真ではわからなかったが、ＣｄＳ結晶中
にＩｎがドープされることによって低抵抗化が進んだも
のと考えられる。
複合膜にしても膜抵抗は、第１の膜の低抵抗膜の値を示
し、反射率もほとんど増加しなかった。扁４の膜が従来
の製法で形成された膜であり、第１の膜にＩｎＳ、Ｂ２
０を添加し、第２の膜にＺｎＳを添加することによって
従来よりも低抵抗で、反射率の低いＣｄＳ焼結膜を形成
することができる。第２の膜にＺｎＳを添加する効果は
、Ｃ（ｉＳ単膜ではあられれず、Ｃｄ Ｔｅ膜とへテロ
接合を形成するときに効果があられれる。
し、反射率もほとんど増加しなかった。扁４の膜が従来
の製法で形成された膜であり、第１の膜にＩｎＳ、Ｂ２
０を添加し、第２の膜にＺｎＳを添加することによって
従来よりも低抵抗で、反射率の低いＣｄＳ焼結膜を形成
することができる。第２の膜にＺｎＳを添加する効果は
、Ｃ（ｉＳ単膜ではあられれず、Ｃｄ Ｔｅ膜とへテロ
接合を形成するときに効果があられれる。
以下本発明の第２の実施例について、第１の実施例で作
製したＣｄＳ’焼結膜上にＣｄＴｅ焼結膜を形成した例
について説明する。
製したＣｄＳ’焼結膜上にＣｄＴｅ焼結膜を形成した例
について説明する。
１０、−７
第２図は本発明の第２の実施例を示す焼結形ＣｄＳ／Ｃ
ｄＴｅ太陽電池の断面図である。第１の実施例で形成し
たＣｄＳ焼結膜３上にＣｄ、Ｔｅの粉末またはカドミウ
ムとテルルの混合粉末１００ｇに対し、融剤として働く
塩化カドミウム０．６ｆ／加え、粘度調節のために有機
結合剤を適当量入れＣｄＴｅペーストをつくり、スクリ
ーン印刷し乾燥した後有孔蓋付きアルミナボートに入れ
ベルト焼成炉で６２０′Ｃの温度により焼成する。この
ようにしてつくったＣｄＴｅ焼結膜５上にカーボンペー
ストをスクリーン印刷し、乾燥後４００°Ｃで３０分間
不活性ガス中で熱処理し、カーボン電極６を形成する。
ｄＴｅ太陽電池の断面図である。第１の実施例で形成し
たＣｄＳ焼結膜３上にＣｄ、Ｔｅの粉末またはカドミウ
ムとテルルの混合粉末１００ｇに対し、融剤として働く
塩化カドミウム０．６ｆ／加え、粘度調節のために有機
結合剤を適当量入れＣｄＴｅペーストをつくり、スクリ
ーン印刷し乾燥した後有孔蓋付きアルミナボートに入れ
ベルト焼成炉で６２０′Ｃの温度により焼成する。この
ようにしてつくったＣｄＴｅ焼結膜５上にカーボンペー
ストをスクリーン印刷し、乾燥後４００°Ｃで３０分間
不活性ガス中で熱処理し、カーボン電極６を形成する。
カーボンペースト中には微量のアクセプタ不純物が含有
されており熱処理中にこの不純物がＣｄＴｅ中に拡散し
てｐ型のＣｄＴｅができ、ｎ型の ＣｄＳとの間にｐ−
ｎ接合が形成される。最後にＣｄＳ側に銀−インジウム
電極７を、またカーボン電極の上に銀補助電極８をそれ
ぞれスクリーン印刷してＣｄＳ ／ Ｃｄ Ｔｅ太陽電
池を形成した。第２表に、第１の実施例で用いた８種類
のＣｄＳ膜上にそれぞれ１１ べ−７ 上記の工程で太陽電池を形成した場合の特性比較値を従
来の方法、す々わち篤４を基準にして示す。
されており熱処理中にこの不純物がＣｄＴｅ中に拡散し
てｐ型のＣｄＴｅができ、ｎ型の ＣｄＳとの間にｐ−
ｎ接合が形成される。最後にＣｄＳ側に銀−インジウム
電極７を、またカーボン電極の上に銀補助電極８をそれ
ぞれスクリーン印刷してＣｄＳ ／ Ｃｄ Ｔｅ太陽電
池を形成した。第２表に、第１の実施例で用いた８種類
のＣｄＳ膜上にそれぞれ１１ べ−７ 上記の工程で太陽電池を形成した場合の特性比較値を従
来の方法、す々わち篤４を基準にして示す。
（以 下 余 白）
１３ぺ−７
特性測定のための入射光はＡ Ｍ １．５１ ｏｏｍＷ
／Ｃｙｌを用いた。第２表よりあきらかな様に篤Ａ −
ＥまでのＣｄＳに単膜を用いたセルでは、従来の方法磨
りに比較して特性向上は見られないどころかＺｎＳ添加
をのぞいて開放電圧（Ｖｏｃ ）が大幅に低下した。こ
れは、ＣｄＴｅと接合を形成すべきＣｄＳの表面状態Ｖ
こよるものと考えられる。ＺｎＳ添加した膜は膜抵抗の
増大により変換効率が大幅に低下した。
／Ｃｙｌを用いた。第２表よりあきらかな様に篤Ａ −
ＥまでのＣｄＳに単膜を用いたセルでは、従来の方法磨
りに比較して特性向上は見られないどころかＺｎＳ添加
をのぞいて開放電圧（Ｖｏｃ ）が大幅に低下した。こ
れは、ＣｄＴｅと接合を形成すべきＣｄＳの表面状態Ｖ
こよるものと考えられる。ＺｎＳ添加した膜は膜抵抗の
増大により変換効率が大幅に低下した。
ところが、上記単膜とＺｎＳ添加膜とを組合せるとｖＯ
Ｃが大幅に改善され、短絡電流Ｉｓｃも、反射率減少分
に近い値分だけ向上した。もっとも高い変換効率を示し
たのは、第１の膜にＢ２０ 、 ＩｎＳ両者を添加した
ものであった。
Ｃが大幅に改善され、短絡電流Ｉｓｃも、反射率減少分
に近い値分だけ向上した。もっとも高い変換効率を示し
たのは、第１の膜にＢ２０ 、 ＩｎＳ両者を添加した
ものであった。
なお第１の実施例においてＢ２０． ＩｎＳを添加した
が、それぞれＢ２Ｏ５，Ｉｎ ＧＱ３であってもよい。
が、それぞれＢ２Ｏ５，Ｉｎ ＧＱ３であってもよい。
発明の効果
以上のように本発明のＣｄＳ焼結膜は、ガラス基板との
密着性もしくは低抵抗ｎ型半導体層としての第１の層と
、粒界の少ない高抵抗のｎ型半導体層としての第２層と
からなることにより、ガラス／１４ペーノ ＣｄＳ界面の光反射率の低い低抵抗で、なおかつ接合を
形成すべき表面はリーク電流の減少を可能にし、高効率
太陽電池に応用することができる。
密着性もしくは低抵抗ｎ型半導体層としての第１の層と
、粒界の少ない高抵抗のｎ型半導体層としての第２層と
からなることにより、ガラス／１４ペーノ ＣｄＳ界面の光反射率の低い低抵抗で、なおかつ接合を
形成すべき表面はリーク電流の減少を可能にし、高効率
太陽電池に応用することができる。
第１図は本発明の第１の実施例におけるＣｄＳ焼結膜の
断面図、第２図は第１図のＣｄＳ焼結膜を用いた第２の
実施例における焼結形ＣｄＳ／ＣｄＴａ太陽電池の断面
図、第３図は従来の焼結形ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池の
断面における結晶構造を示す写真、第４図はＣｄＳ膜中
にＺｎＳを添加した場合の（Ｃｄ、Ｚｎ）Ｓ／ＣｄＴｅ
太陽電池の断面の結晶構造を示す写真、第５図はＺｎＳ
の添加量を変化させた際のＣｄＣｅ２濃度と抵抗率との
関係を示す図である。 １ ・・・ガラス基板、２・・・・・第１のＣｄＳ膜、
３・第２のＣｄＳ膜、４ ・・反射率測定時の光入射方
向、５ ・ ＣｄＴｅ焼結膜、６ カーボン電極、７
− Ａ７ Ｉｎ電極、８− Ａ１電極、９・・・入射光
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１−
ガラヌ某扶 ２−才１のＣｄＳ膜 ３−茅２のＣｄＳ膜 第３図 第４図
断面図、第２図は第１図のＣｄＳ焼結膜を用いた第２の
実施例における焼結形ＣｄＳ／ＣｄＴａ太陽電池の断面
図、第３図は従来の焼結形ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池の
断面における結晶構造を示す写真、第４図はＣｄＳ膜中
にＺｎＳを添加した場合の（Ｃｄ、Ｚｎ）Ｓ／ＣｄＴｅ
太陽電池の断面の結晶構造を示す写真、第５図はＺｎＳ
の添加量を変化させた際のＣｄＣｅ２濃度と抵抗率との
関係を示す図である。 １ ・・・ガラス基板、２・・・・・第１のＣｄＳ膜、
３・第２のＣｄＳ膜、４ ・・反射率測定時の光入射方
向、５ ・ ＣｄＴｅ焼結膜、６ カーボン電極、７
− Ａ７ Ｉｎ電極、８− Ａ１電極、９・・・入射光
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１−
ガラヌ某扶 ２−才１のＣｄＳ膜 ３−茅２のＣｄＳ膜 第３図 第４図
Claims (3)
- （１）ガラス基板上に、ＣｄＳ粉末およびそれを含むｎ
型半導体を塗布焼結した第１の膜と、この第１の膜の一
部を露出させ、その他の膜上に、ＣｄＳ粉末に対してＺ
ｎＳ粉末を５〜１０重量％、ＣｄＣｌ＿２粉末を１０〜
３０重量％添加したペーストを塗布焼結して第２のＣｄ
Ｓ焼結膜を形成することを特徴とするＣｄＳ焼結膜の製
造方法。 - （２）第１のＣｄＳ焼結膜が、ＣｄＳおよびそれを含む
粉末に、ＢａＯもしくはＢ＿２Ｏ＿３を添加したペース
トをガラス基板上に塗布焼成したものである特許請求の
範囲第１項記載のＣｄＳ焼結膜の製造方法。 - （３）第１のＣｄＳ焼結膜が、ＣｄＳおよびそれを含む
粉末に、ＩｎＣｌ＿３、ＩｎＳ、もしくはＩｎ化合物を
添加したペーストをガラス基板上に塗布したものである
特許請求の範囲第１項記載のＣｄＳ焼結膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63002897A JPH01179743A (ja) | 1988-01-08 | 1988-01-08 | ＣｄＳ焼結膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63002897A JPH01179743A (ja) | 1988-01-08 | 1988-01-08 | ＣｄＳ焼結膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01179743A true JPH01179743A (ja) | 1989-07-17 |
Family
ID=11542145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63002897A Pending JPH01179743A (ja) | 1988-01-08 | 1988-01-08 | ＣｄＳ焼結膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01179743A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012533178A (ja) * | 2009-07-10 | 2012-12-20 | ファースト ソーラー インコーポレイテッド | 亜鉛を含む光電変換装置 |
-
1988
- 1988-01-08 JP JP63002897A patent/JPH01179743A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012533178A (ja) * | 2009-07-10 | 2012-12-20 | ファースト ソーラー インコーポレイテッド | 亜鉛を含む光電変換装置 |
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