JPH01177707A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
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- JPH01177707A JPH01177707A JP63001761A JP176188A JPH01177707A JP H01177707 A JPH01177707 A JP H01177707A JP 63001761 A JP63001761 A JP 63001761A JP 176188 A JP176188 A JP 176188A JP H01177707 A JPH01177707 A JP H01177707A
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- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 4
- MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 1,2-Divinylbenzene Chemical group C=CC1=CC=CC=C1C=C MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229920006037 cross link polymer Polymers 0.000 abstract description 2
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 239000004088 foaming agent Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はテレビジ茸ン受像機、ビデオテープレコーダ等
の影像機器及び通信機器等の電子部品として使用される
弾性表面波装置に関するものである。
の影像機器及び通信機器等の電子部品として使用される
弾性表面波装置に関するものである。
（従来の技術）
弾性表面波（以下ＳＡＷと称す）素子は、ＬｉＮｂ０．
、ＬｉＴａ０．、ＳＴカット水晶、圧電セラミクス等の
圧電基板上に、櫛歯状のインタディジタルトランスデユ
ース電極（ＩＤＴ電極）やその低反射器、シールド電極
等の薄膜電極を形成し、ＩＤＴ電極に電界を印加するこ
とによって生ずるＳＡＷの伝搬を利用した電気機械振動
子の一種である。このＳＡＷ素子を単独の電子部品とし
て使用するには、ＳＡ？Ｆの伝搬面が保護され、且つＩ
ＤＴ電極を外部と接続可能にするための外部接続端子を
備えた機構に実装する必要がある。
、ＬｉＴａ０．、ＳＴカット水晶、圧電セラミクス等の
圧電基板上に、櫛歯状のインタディジタルトランスデユ
ース電極（ＩＤＴ電極）やその低反射器、シールド電極
等の薄膜電極を形成し、ＩＤＴ電極に電界を印加するこ
とによって生ずるＳＡＷの伝搬を利用した電気機械振動
子の一種である。このＳＡＷ素子を単独の電子部品とし
て使用するには、ＳＡ？Ｆの伝搬面が保護され、且つＩ
ＤＴ電極を外部と接続可能にするための外部接続端子を
備えた機構に実装する必要がある。
Ｓ人Ｗ素子チップを実装するには、ＳＡＷ素子の伝条路
表面にゴミその他の物質が付着しないように封止するた
めの封止手段が必要である。
表面にゴミその他の物質が付着しないように封止するた
めの封止手段が必要である。
従来に於けるその手法は、外部接続端子を突設したベー
ス上にＳＡＷチップを固着し、ＳＡＷ素子の各電極と外
部接続端子とをワイヤーで接続し、適宜なカンでペース
上部を被冠してなるものや、ＳＡＷ素子チップ部分のみ
をカンで被冠し、全体を＊ｍでモールドしたものが一般
的である。またその他の封止手段としては、ベース上に
固着した５Ａ１Ｆ素子チツプの表面に揮発性低融点物質
を塗布し、全体をモールド体でモールドした後、所定温
度まで加熱して前記揮発性低融点物質を揮発せしめてＳ
ＡＷ素子チップの伝搬路表面の空間を得る手段（特開昭
５５−１３５４１０号公報）、前記揮発性低融点物質の
代わりに発泡剤を用いる手段（特開昭６０−５３０５８
０号公報）、更に表面に凹部を設けると共に、凹部から
外表面にリード部を付設した凹部ベースを形成し、凹部
ペースの凹部にＳＡＷ素子チップの伝搬面が面するよう
にＳＡＷ素子チップを凹部ペースに固着してなる手段（
特開昭６１−１５２１１２号公報）や、ＳＡＷ素子チッ
プ自体を蓋状端面がリード部としている容器内に封入し
ている手段（特開昭６１−７８２１９号、同６１−１５
７０１８号公報）等が知られている。
ス上にＳＡＷチップを固着し、ＳＡＷ素子の各電極と外
部接続端子とをワイヤーで接続し、適宜なカンでペース
上部を被冠してなるものや、ＳＡＷ素子チップ部分のみ
をカンで被冠し、全体を＊ｍでモールドしたものが一般
的である。またその他の封止手段としては、ベース上に
固着した５Ａ１Ｆ素子チツプの表面に揮発性低融点物質
を塗布し、全体をモールド体でモールドした後、所定温
度まで加熱して前記揮発性低融点物質を揮発せしめてＳ
ＡＷ素子チップの伝搬路表面の空間を得る手段（特開昭
５５−１３５４１０号公報）、前記揮発性低融点物質の
代わりに発泡剤を用いる手段（特開昭６０−５３０５８
０号公報）、更に表面に凹部を設けると共に、凹部から
外表面にリード部を付設した凹部ベースを形成し、凹部
ペースの凹部にＳＡＷ素子チップの伝搬面が面するよう
にＳＡＷ素子チップを凹部ペースに固着してなる手段（
特開昭６１−１５２１１２号公報）や、ＳＡＷ素子チッ
プ自体を蓋状端面がリード部としている容器内に封入し
ている手段（特開昭６１−７８２１９号、同６１−１５
７０１８号公報）等が知られている。
（発明が解決しようとする問題点）
電子部品はその搭載する機器を小型化するためこれ等の
部品をチップ化することが要望されており、ＳＡ！装置
も例外ではない。そこでＳＡＷ装置に於てはＳＡＷ素子
の伝搬路の上方を空間としてＳＡＷの伝搬の妨げとなら
ないようにしなければならず、前述した種々の封止手段
が提案さ４れている。しかし前記の各手段は各々問題点
を有しており、小型化のための最適手段とは云い難い。
部品をチップ化することが要望されており、ＳＡ！装置
も例外ではない。そこでＳＡＷ装置に於てはＳＡＷ素子
の伝搬路の上方を空間としてＳＡＷの伝搬の妨げとなら
ないようにしなければならず、前述した種々の封止手段
が提案さ４れている。しかし前記の各手段は各々問題点
を有しており、小型化のための最適手段とは云い難い。
即ちＳ人Ｗ素子チップをベースに固着し、ベースと共に
カンに封入する手段は小型化について何等の問題解決と
となっていない。また樹脂モールド手段の内Ｓ入Ｗ素子
チップ部のみをカンで被冠する手段は、モールドの際カ
ンが動かないような方法を採用しなければならないし、
揮発性物質や発泡物質を採用する手段も、その製造工程
が煩雑である。更に容器に封入する手段も、容器を別形
成しなければならない手間や、容器内に封入する際の電
極部と蓋体のリードとの接続の煩雑さがある。次に凹部
ベースを使用する手段は、凹部ペースに直接ＳＡｗ素子
チップを接着剤等を用いて固着する場合は、小型化及び
その製造の容易さについては前述した各手段に比して優
れているがＳＡＷ素子チップと凹部ベースとの熱膨張率
の相違によって熱を受けた際の特性の変化、及び外部電
場の影響を受けないようにするためのシールド等に問題
がある。
カンに封入する手段は小型化について何等の問題解決と
となっていない。また樹脂モールド手段の内Ｓ入Ｗ素子
チップ部のみをカンで被冠する手段は、モールドの際カ
ンが動かないような方法を採用しなければならないし、
揮発性物質や発泡物質を採用する手段も、その製造工程
が煩雑である。更に容器に封入する手段も、容器を別形
成しなければならない手間や、容器内に封入する際の電
極部と蓋体のリードとの接続の煩雑さがある。次に凹部
ベースを使用する手段は、凹部ペースに直接ＳＡｗ素子
チップを接着剤等を用いて固着する場合は、小型化及び
その製造の容易さについては前述した各手段に比して優
れているがＳＡＷ素子チップと凹部ベースとの熱膨張率
の相違によって熱を受けた際の特性の変化、及び外部電
場の影響を受けないようにするためのシールド等に問題
がある。
（問題点を解決するための手段）
本発明はより簡単な手段でＳＡＷ装置の小型化を可能と
したものである。即ち本発明に係るＳＡＷ装置は、圧電
基板上に所定の電極パターンを形成した弾性表面波素子
チップの少なくとも伝搬面の上方に封止板を配置して、
前記伝搬面に伝搬振動を許容する空間を有せしめて封止
してなることを特徴とするものである。
したものである。即ち本発明に係るＳＡＷ装置は、圧電
基板上に所定の電極パターンを形成した弾性表面波素子
チップの少なくとも伝搬面の上方に封止板を配置して、
前記伝搬面に伝搬振動を許容する空間を有せしめて封止
してなることを特徴とするものである。
従ってＳＡＷ素子チップを特にベース等に固着してＳＡ
Ｗ装置とする必要がな（、ＳＡＷ素子チップ自体を二枚
張り合わせｔこような外観を呈し、非常に小型化したも
のであり、そのまま回路基板に装着することができる。
Ｗ装置とする必要がな（、ＳＡＷ素子チップ自体を二枚
張り合わせｔこような外観を呈し、非常に小型化したも
のであり、そのまま回路基板に装着することができる。
また樹脂等でモールドして単一部品として使用しても良
い。
い。
また圧電基板と同程度の熱膨張率を有する封止板を用い
ると、外部の熱による特性の変化が生じない利点を有す
る。
ると、外部の熱による特性の変化が生じない利点を有す
る。
更に封止面に導電性薄膜を形成した封止板を採用すると
共に、導電性薄膜をアースしておくと、小型化と共にノ
イズ対策としてシールド能力に優れたＳＡＷ装置を得る
ことがでさるものである。
共に、導電性薄膜をアースしておくと、小型化と共にノ
イズ対策としてシールド能力に優れたＳＡＷ装置を得る
ことがでさるものである。
（実施例）
次に本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図、第２図は第一実施例を示すもので、第１図は分
解斜視図、第２図（イ）は断面図、同図（１＝）は一部
截断した平面図である。
解斜視図、第２図（イ）は断面図、同図（１＝）は一部
截断した平面図である。
ＳＡＷ素子チップは従来と同様に圧電基板１にＩＤＴ電
極等の電極部２及びリード部３等の所望の電極パターン
を形成し、別に前記圧電基板と同一の材質のもので前記
リード部３を除いた部分を覆う大きさの封止板４を形成
し、５〜３０μｍの大きさのスペーサー５ （ジビニル
ベンゼン系架橋重合体）を混入した接着剤６ （エポキ
シ系ｍ脂）で、電極部２を囲繞するように圧電基板１に
塗布し、前記封止板４を圧電基板１に重ね合わせ電極部
２を封止する。而かして前記Ｓ人Ｗ素子チップの電極部
２が封止板４で封止することによって回路基板等への使
用が可能となった非常に小型化されたＳＡＷ装置を得る
ことができたものである。
極等の電極部２及びリード部３等の所望の電極パターン
を形成し、別に前記圧電基板と同一の材質のもので前記
リード部３を除いた部分を覆う大きさの封止板４を形成
し、５〜３０μｍの大きさのスペーサー５ （ジビニル
ベンゼン系架橋重合体）を混入した接着剤６ （エポキ
シ系ｍ脂）で、電極部２を囲繞するように圧電基板１に
塗布し、前記封止板４を圧電基板１に重ね合わせ電極部
２を封止する。而かして前記Ｓ人Ｗ素子チップの電極部
２が封止板４で封止することによって回路基板等への使
用が可能となった非常に小型化されたＳＡＷ装置を得る
ことができたものである。
実際例を示すとすると圧電基板１及び封止板４の厚さは
０．５Ｍ以下であるから、全体としては１ｍｍ以下の厚
さとなるものである。而かも前記ＳＡＷ装置は、圧電基
板１と一体化せしめた封止板４を圧電基板１と同一材質
のものとしたものであるから、製造工程中や、回路等の
実装時に生ずる温度条件の変化の際に、封止板との熱膨
張率の相違による歪みが生じないのでその特性が変化せ
ずに、品質に対する高い信頼性を有しているものである
。
０．５Ｍ以下であるから、全体としては１ｍｍ以下の厚
さとなるものである。而かも前記ＳＡＷ装置は、圧電基
板１と一体化せしめた封止板４を圧電基板１と同一材質
のものとしたものであるから、製造工程中や、回路等の
実装時に生ずる温度条件の変化の際に、封止板との熱膨
張率の相違による歪みが生じないのでその特性が変化せ
ずに、品質に対する高い信頼性を有しているものである
。
次に第３図に示した第二実施例について説明する。
第二実施例のＳ人Ｗ装置は、Ｓ人Ｗ素子チップが第一実
施例と同様のものであるが、前記封止板４に代えて表面
に蒸着、印刷、スパッタリング等に導電性薄膜７を形成
した封止板４′を採用したもので、圧電基板１のリード
部３にグランド電極リード部３′を設け、封止板４′で
電極部２を封止すると共に、導電性薄膜７とグランド電
極リード部３′とをＡｊワイヤー８等で接続し、接続部
分をモールド材９でモールドしてなるものである。従っ
てＳＡＷ装置の小型化と共に、外部ノイズに対するシー
ルド性能を高めたものである。尚封止板４の材質を圧電
基板１と同一のものではなく、熱膨張率が同程度のもの
を使用しても良い。
施例と同様のものであるが、前記封止板４に代えて表面
に蒸着、印刷、スパッタリング等に導電性薄膜７を形成
した封止板４′を採用したもので、圧電基板１のリード
部３にグランド電極リード部３′を設け、封止板４′で
電極部２を封止すると共に、導電性薄膜７とグランド電
極リード部３′とをＡｊワイヤー８等で接続し、接続部
分をモールド材９でモールドしてなるものである。従っ
てＳＡＷ装置の小型化と共に、外部ノイズに対するシー
ルド性能を高めたものである。尚封止板４の材質を圧電
基板１と同一のものではなく、熱膨張率が同程度のもの
を使用しても良い。
また第４図には本発明の第三実施例を示したもので、圧
電基板１のリード部３にグランド電極リード部３′を形
成し、封止板４の裏面即ち圧電基板１の対向面に導電性
薄膜７′を形成すると共に、前記グランド電極リード部
３′との対向面以外の部分の導電性薄膜７′の表面を絶
縁性薄膜１０で被覆し、銀ペースト１１を用いて導電性
薄膜７′とグランド電極リード部３′との電気的接続を
行って電極・部２の封止をなすもので、導電性薄膜を露
出させないことで、回路への搭載時に他の配線との接触
によるＳ人Ｗ装置の特性の変化が生じる危険を除くこと
ができるものである。
電基板１のリード部３にグランド電極リード部３′を形
成し、封止板４の裏面即ち圧電基板１の対向面に導電性
薄膜７′を形成すると共に、前記グランド電極リード部
３′との対向面以外の部分の導電性薄膜７′の表面を絶
縁性薄膜１０で被覆し、銀ペースト１１を用いて導電性
薄膜７′とグランド電極リード部３′との電気的接続を
行って電極・部２の封止をなすもので、導電性薄膜を露
出させないことで、回路への搭載時に他の配線との接触
によるＳ人Ｗ装置の特性の変化が生じる危険を除くこと
ができるものである。
以上のＳＡＷ装置は外観が恰も圧電基板を二枚張り合わ
せた形状で非常に小型化されたもので、回路への実装は
第５図（イ）に示すようにリード部３にリード１ＪＩａ
を接続し、リード線ａ以外は採譜樹脂すで被覆した単一
部品としも良く、或いは同図（υ）に示すように、本発
明に係るＳＡＷ装置を他の抵抗器、トランジスタ等と同
様に回路基板Ｃに搭載し、適当の配線接続を施して使用
しても良く、この場合はＳＡＷ装置を態々保護すること
なく他の電子部品と同様にモールドｄが可能となるもの
である。
せた形状で非常に小型化されたもので、回路への実装は
第５図（イ）に示すようにリード部３にリード１ＪＩａ
を接続し、リード線ａ以外は採譜樹脂すで被覆した単一
部品としも良く、或いは同図（υ）に示すように、本発
明に係るＳＡＷ装置を他の抵抗器、トランジスタ等と同
様に回路基板Ｃに搭載し、適当の配線接続を施して使用
しても良く、この場合はＳＡＷ装置を態々保護すること
なく他の電子部品と同様にモールドｄが可能となるもの
である。
尚、本発明は前述した実施例に限定されるものではなく
、例えば接着剤の材質、接着剤の塗布、形態等は全く任
意にできろものであり、更にはその回路等への実装手段
も全く任意に行うことができるものである。
、例えば接着剤の材質、接着剤の塗布、形態等は全く任
意にできろものであり、更にはその回路等への実装手段
も全く任意に行うことができるものである。
（発明の効果）
本発明は以上のように、圧電基板に所定の電極パターン
を形成してＳＡＷ素子チップの上面を、適宜な空間を有
せしめて、封止板で封止したもので、非常に小型化され
たＳＡＷ装置を得ることができたものである。また封止
板の熱膨張率を圧電基板のそれて諮問−とすることで、
熱的歪みによる特性の変化が防止された、小型のＳＡ！
装置を得ることができたものであり、更に封止板に導電
性薄膜を付設することで、外部ノイズに対するシールド
性能が優れた小型のＳＡＷ装置を得ることができたもの
である。
を形成してＳＡＷ素子チップの上面を、適宜な空間を有
せしめて、封止板で封止したもので、非常に小型化され
たＳＡＷ装置を得ることができたものである。また封止
板の熱膨張率を圧電基板のそれて諮問−とすることで、
熱的歪みによる特性の変化が防止された、小型のＳＡ！
装置を得ることができたものであり、更に封止板に導電
性薄膜を付設することで、外部ノイズに対するシールド
性能が優れた小型のＳＡＷ装置を得ることができたもの
である。
第１図及び第２図は第一実施例を示し、第１図は分解斜
視図、第２図（イ）は断面図、同図（ロ）は一部截断し
た平面図、第３図は第二実施例を示し、（イ）は断面図
、同図（ロ）は平面図、第４図は第三実施例を示し、（
イ）は断面図、（ロ）は平面図、第５図（イ）（ロ）は
回路基板等への実装例を示すものである。 １は圧電基板 ２は電極部 ３．３′はリード部 ４．４′、４＃は封止板 ５はスペーサ ６は接着剤 ７．７′は導電性薄膜 ８はＡｊワイヤー ９はモールド剤 １０は絶縁性薄膜 １１は銀ペースト 特許出願人 日本精機株式会社
視図、第２図（イ）は断面図、同図（ロ）は一部截断し
た平面図、第３図は第二実施例を示し、（イ）は断面図
、同図（ロ）は平面図、第４図は第三実施例を示し、（
イ）は断面図、（ロ）は平面図、第５図（イ）（ロ）は
回路基板等への実装例を示すものである。 １は圧電基板 ２は電極部 ３．３′はリード部 ４．４′、４＃は封止板 ５はスペーサ ６は接着剤 ７．７′は導電性薄膜 ８はＡｊワイヤー ９はモールド剤 １０は絶縁性薄膜 １１は銀ペースト 特許出願人 日本精機株式会社
Claims (4)
- （１）圧電基板上に所定の電極パターンを形成した弾性
表面波素子チップの少なくとも伝搬面の上方に封止板を
配置して、前記伝搬面の伝搬振動を許容する空間を有せ
しめて封止してなることを特徴とする弾性表面波装置。 - （２）特許請求の範囲第１項記載の弾性表面波装置にお
いて、圧電基板と同程度の熱膨張率を有する封止板を用
いたことを特徴とする弾性表面波装置。 - （３）特許請求の範囲第１項又は第２項記載の弾性表面
波装置において、封止板の封止面に導電性薄膜を形成す
ると共に、導電性薄膜をアースしてなることを特徴とす
る弾性表面波装置。 - （４）スペーサーを混在せしめた接着剤で圧電基板と封
止板とを接着して圧電基板の伝搬面を封止してなること
を特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３項記載の弾
性表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63001761A JPH01177707A (ja) | 1988-01-07 | 1988-01-07 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63001761A JPH01177707A (ja) | 1988-01-07 | 1988-01-07 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01177707A true JPH01177707A (ja) | 1989-07-14 |
Family
ID=11510564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63001761A Pending JPH01177707A (ja) | 1988-01-07 | 1988-01-07 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01177707A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0448349A2 (en) * | 1990-03-19 | 1991-09-25 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Laminate type piezoelectric actuator element |
| US5233221A (en) * | 1990-10-24 | 1993-08-03 | International Business Machines Corporation | Electronic substrate multiple location conductor attachment technology |
| US5453652A (en) * | 1992-12-17 | 1995-09-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave device with interdigital transducers formed on a holding substrate thereof and a method of producing the same |
| WO2002081070A1 (de) * | 2001-04-09 | 2002-10-17 | Advalytix Ag | Mischvorrichtung und mischverfahren für die durchmischung kleiner flüssigkeitsmengen |
| WO2003018181A1 (de) * | 2001-08-31 | 2003-03-06 | Advalytix Ag | Bewegungselement für kleine flüssigkeitsmengen |
-
1988
- 1988-01-07 JP JP63001761A patent/JPH01177707A/ja active Pending
Cited By (6)
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