JPH01176246A - ガラス基体表面に酸化錫薄膜を形成する方法 - Google Patents
ガラス基体表面に酸化錫薄膜を形成する方法Info
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- JPH01176246A JPH01176246A JP33275687A JP33275687A JPH01176246A JP H01176246 A JPH01176246 A JP H01176246A JP 33275687 A JP33275687 A JP 33275687A JP 33275687 A JP33275687 A JP 33275687A JP H01176246 A JPH01176246 A JP H01176246A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
- C03C17/245—Oxides by deposition from the vapour phase
- C03C17/2453—Coating containing SnO2
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はガラス基体表面に酸化錫薄膜を形成する方法に
係り、特にＣＶＤ法によるガラス基体表面への酸化錫薄
膜形成技術の改良に関する。
係り、特にＣＶＤ法によるガラス基体表面への酸化錫薄
膜形成技術の改良に関する。
［従来の技術］
ＣＶＤ法により表面を酸化錫の薄膜で被覆したガラス基
板は、太陽電池用の透明電極窓材料や、ＬＣＤ、ＰＤＰ
、ＥＬＤ等のデイスプレィパネルの透明電極等に広く使
用されている。
板は、太陽電池用の透明電極窓材料や、ＬＣＤ、ＰＤＰ
、ＥＬＤ等のデイスプレィパネルの透明電極等に広く使
用されている。
近年、デバイスの機能（性能）向上にともない、このよ
うな透明電極に対しては ■ 低抵抗であること。
うな透明電極に対しては ■ 低抵抗であること。
■ 被覆膜が部分的に抜ける、いわゆるピンホール欠点
が無いこと。
が無いこと。
等が望まれている。被膜の電気抵抗を低くするためには
、従来より、被膜の厚さを厚くしたり、被膜の形成時の
反応温度を高くして、被膜の電気抵抗を低くする方法が
採られてきた。
、従来より、被膜の厚さを厚くしたり、被膜の形成時の
反応温度を高くして、被膜の電気抵抗を低くする方法が
採られてきた。
即ち、ガラス基板表面にＣＶＤ法により酸化錫の薄膜を
形成するにあたり、使用する原料の量を増やして所定時
間に形成される膜厚を厚くしたり、原料ガスと基体との
反応時間を長くとって、被膜の厚さを厚くしていた。ま
た、反応温度を高くして反応速度を速め被膜の厚さを厚
くするとともに固有抵抗値の低い被膜を形成していた。
形成するにあたり、使用する原料の量を増やして所定時
間に形成される膜厚を厚くしたり、原料ガスと基体との
反応時間を長くとって、被膜の厚さを厚くしていた。ま
た、反応温度を高くして反応速度を速め被膜の厚さを厚
くするとともに固有抵抗値の低い被膜を形成していた。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、被膜の電気抵抗を低くする目的でとられ
てきた上記手段では、下記の理由からピンホール欠点等
の多発を引き起こすという問題点があった。
てきた上記手段では、下記の理由からピンホール欠点等
の多発を引き起こすという問題点があった。
■ 原料を多量に使用するため、ガラス基板表面以外の
装置内部にもこれが急速に堆積し、この堆積物がある時
点から基板上に落下し、その部分に被膜が形成されなく
なる。
装置内部にもこれが急速に堆積し、この堆積物がある時
点から基板上に落下し、その部分に被膜が形成されなく
なる。
■ 反応時間（炉の中の滞在時間）が長くなるため、基
板上に異物が落下してその部分に成膜しなくなる確率が
大きくなる。
板上に異物が落下してその部分に成膜しなくなる確率が
大きくなる。
■ 反応温度が高いと、原料ガスが気相で反応し、粉末
となって基板表面に落下し、ピンホール欠点となり易い
。
となって基板表面に落下し、ピンホール欠点となり易い
。
このような理由から、従来においては、ガラス基板表面
に酸化錫薄膜の被膜を形成した際に、被膜中に、被膜が
形成されないか、もしくは著しく薄くなって、電気伝導
性が無いか、あるいは著しく悪い部分（いわゆるピンホ
ール欠点）が多く発生していた。しかして、このような
ピンホール欠点のある被膜を有するガラス基板を電極と
して用いたデバイスは、その機能が著しく低く、実用上
不利であった。
に酸化錫薄膜の被膜を形成した際に、被膜中に、被膜が
形成されないか、もしくは著しく薄くなって、電気伝導
性が無いか、あるいは著しく悪い部分（いわゆるピンホ
ール欠点）が多く発生していた。しかして、このような
ピンホール欠点のある被膜を有するガラス基板を電極と
して用いたデバイスは、その機能が著しく低く、実用上
不利であった。
即ち、例えば、酸化錫薄膜形成ガラス基体の透明電極を
、ＰＤＰ （プラズマデイスプレィパネル）等のデバイ
スに用いる場合、透明電極には、線状のパターン加工が
施されることが多いが、被膜のピンホール欠点は、この
線状の電極パターンの断線（電導性が無い）や、線状被
膜の電導性を著しく損う原因となるため、高性能のデバ
イスが得られない。
、ＰＤＰ （プラズマデイスプレィパネル）等のデバイ
スに用いる場合、透明電極には、線状のパターン加工が
施されることが多いが、被膜のピンホール欠点は、この
線状の電極パターンの断線（電導性が無い）や、線状被
膜の電導性を著しく損う原因となるため、高性能のデバ
イスが得られない。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、ガラス基体表面にＣＶＤ法により酸化錫薄膜
を形成するにあたり、複数回（以下、Ｎ回ということが
ある。）の膜形成工程を設けると共に、少なくとも１回
の基体表面の洗浄工程を該膜形成工程間に設けることを
特徴とするガラス基体表面に酸化錫薄膜を形成する方法
である。
を形成するにあたり、複数回（以下、Ｎ回ということが
ある。）の膜形成工程を設けると共に、少なくとも１回
の基体表面の洗浄工程を該膜形成工程間に設けることを
特徴とするガラス基体表面に酸化錫薄膜を形成する方法
である。
［作 用］
本発明の方法に従りて、複数の薄膜形成工程の間に少な
くとも１回の基体表面の洗浄工程を設けることにより、
この、洗浄工程前の薄膜形成工程で発生したピンホール
欠点部分にも、洗浄工程後の薄膜形成工程で被膜が形成
されるため、ピンホール欠点は解消され、被膜の電気特
性が確保される。洗浄工程の前後の薄膜形成工程で、全
く同じ部分にピンホール欠点が発生する確率は殆どゼロ
に等しい。
くとも１回の基体表面の洗浄工程を設けることにより、
この、洗浄工程前の薄膜形成工程で発生したピンホール
欠点部分にも、洗浄工程後の薄膜形成工程で被膜が形成
されるため、ピンホール欠点は解消され、被膜の電気特
性が確保される。洗浄工程の前後の薄膜形成工程で、全
く同じ部分にピンホール欠点が発生する確率は殆どゼロ
に等しい。
また、本発明の方法に従って、Ｎ回の薄膜形成工程を設
けて行なう場合、各薄膜形成工程では所望の被膜の膜厚
の約１７Ｎを形成することになるが、各工程の原料の使
用量は１／Ｎに満たない量で充分であるため、総原料使
用量は従来法に比し、少ない量で足りることとなる。
けて行なう場合、各薄膜形成工程では所望の被膜の膜厚
の約１７Ｎを形成することになるが、各工程の原料の使
用量は１／Ｎに満たない量で充分であるため、総原料使
用量は従来法に比し、少ない量で足りることとなる。
即ち、ＣＶＤ法により薄膜を形成するに当り、原料の使
用量と形成される被膜の膜厚との関係は、通常、第３図
に示す通りである。例えば、所望膜厚”ｒｏの被膜を従
来法により１回の薄膜形成工程で形成しようとする場合
には、原料使用量Ｑｏを要する。これに対し、本発明の
方法に従フて、薄膜工程数Ｎ−２にて膜厚Ｔｏの被膜の
形成する場合には、Ｔ □ ／ ２の被膜を形成する。
用量と形成される被膜の膜厚との関係は、通常、第３図
に示す通りである。例えば、所望膜厚”ｒｏの被膜を従
来法により１回の薄膜形成工程で形成しようとする場合
には、原料使用量Ｑｏを要する。これに対し、本発明の
方法に従フて、薄膜工程数Ｎ−２にて膜厚Ｔｏの被膜の
形成する場合には、Ｔ □ ／ ２の被膜を形成する。
に要する原料使用量Ｑ＋の２倍を要することとなるが、
この９重は明らかに従来法の原料使用量Ｑｏの１／２量
より少ないため ２Ｑ、ｒ＜Ｑ。
この９重は明らかに従来法の原料使用量Ｑｏの１／２量
より少ないため ２Ｑ、ｒ＜Ｑ。
となり、従来法に比し、少ない原料使用量にて被膜を形
成することができることとなる。
成することができることとなる。
しかして、このように原料の使用量が減ることによって
も、ピンホール欠点発生の確率は著しく小さくなる。
も、ピンホール欠点発生の確率は著しく小さくなる。
同様のことが薄膜形成の反応速度についても言うことが
でき、同じ膜厚で同じ電気特性を有する被膜を形成する
ために、本発明の方法に従りてＮ段の薄膜形成工程を経
る場合においては、各々の薄膜形成工程において従来の
１回の薄膜形成を経る場合に比し、Ｎ倍以上のライン速
度を採用することができるため、生産効率が向上する。
でき、同じ膜厚で同じ電気特性を有する被膜を形成する
ために、本発明の方法に従りてＮ段の薄膜形成工程を経
る場合においては、各々の薄膜形成工程において従来の
１回の薄膜形成を経る場合に比し、Ｎ倍以上のライン速
度を採用することができるため、生産効率が向上する。
Ｎ回の薄膜形成工程を有する本発明の方法では、Ｎ−２
、即ち２段の薄膜形成工程を設けこの薄膜形成工程間に
洗浄工程を設ける方法が望ましい。
、即ち２段の薄膜形成工程を設けこの薄膜形成工程間に
洗浄工程を設ける方法が望ましい。
本発明において、ＣＶＤ法による被膜形成は従末法と同
様に行なうことができ、例えば原料ガスとして錫原料蒸
気とキャリアーガス、酸化剤（０２）、ドーパント（Ｆ
含有ガス）とを流し、反応帯域を４００〜６００℃程度
に加熱すれば良い。もちろん、原料ガスは上記以外のも
のとしても良く、次のものが例示される。錫原料として
はＣ４Ｈｓ ５ｎＣＪ！３．５ｎＣｆ４゜（Ｃ）（ｓ
）２５ｎＣｆ２．（ＣＨ３）４ Ｓｎ。
様に行なうことができ、例えば原料ガスとして錫原料蒸
気とキャリアーガス、酸化剤（０２）、ドーパント（Ｆ
含有ガス）とを流し、反応帯域を４００〜６００℃程度
に加熱すれば良い。もちろん、原料ガスは上記以外のも
のとしても良く、次のものが例示される。錫原料として
はＣ４Ｈｓ ５ｎＣＪ！３．５ｎＣｆ４゜（Ｃ）（ｓ
）２５ｎＣｆ２．（ＣＨ３）４ Ｓｎ。
（Ｃ４Ｈ９）４Ｓｎ等、また、キャリアーガスとしては
Ｎ２．Ａｒ等が例示される。薄膜形成工程の間に設ける
基体表面の洗浄工程における洗浄方法は、特に限定され
ず、後述の実施例で採用した超音波洗浄、ディスクブラ
シ洗浄の他、高速のエアーを吹き当て異物を排除する方
式等を採用することができる。
Ｎ２．Ａｒ等が例示される。薄膜形成工程の間に設ける
基体表面の洗浄工程における洗浄方法は、特に限定され
ず、後述の実施例で採用した超音波洗浄、ディスクブラ
シ洗浄の他、高速のエアーを吹き当て異物を排除する方
式等を採用することができる。
これら薄膜形成工程と洗浄゛工程を行うための装置は、
これらを直列的に配置することが望ましい。
これらを直列的に配置することが望ましい。
［実施例］
以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが
、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限
定されるものではない。
、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限
定されるものではない。
実施例１
第１図に示す装置を用い、膜厚９０００Ａ。
シート抵抗３．８Ω／ ｃ ｔｒｌの酸化錫被膜を形成
した。
した。
まず、ガラス基体１はＣＶＤ装置２の入口３よりコンベ
アベルト４に乗せて、トンネル炉状の加熱炉５に送り、
所定の温度に加熱した。被膜は膜形成部６で形成された
。なお、炉内にはＮ２をキャリアーガスとし、原料ガス
としてＣ４Ｈ＊５ｎＣ１３を供給した。ガラス基体の搬
送速度は７０ｃｍ／分であった。次いで、被膜を形成し
たガラス基体を徐冷炉７を通して冷却した後、更にリタ
ーンコンベア８で搬送し、製品取上げ口９でカセット１
０に半製品として採板した。
アベルト４に乗せて、トンネル炉状の加熱炉５に送り、
所定の温度に加熱した。被膜は膜形成部６で形成された
。なお、炉内にはＮ２をキャリアーガスとし、原料ガス
としてＣ４Ｈ＊５ｎＣ１３を供給した。ガラス基体の搬
送速度は７０ｃｍ／分であった。次いで、被膜を形成し
たガラス基体を徐冷炉７を通して冷却した後、更にリタ
ーンコンベア８で搬送し、製品取上げ口９でカセット１
０に半製品として採板した。
（なお、Ａはクリーンルームとされている区域である。
）
次に、半製品は、コンベア１１で超音波洗浄機１２に送
り、洗浄した。この時、被膜上に付着している異物は取
り除かれた。洗浄した半製品は、−時保管棚１３に保管
した。半製品の被膜の厚さは約４５０ＯＡであり、シー
ト抵抗は９Ω／Ｃゴであった。
り、洗浄した。この時、被膜上に付着している異物は取
り除かれた。洗浄した半製品は、−時保管棚１３に保管
した。半製品の被膜の厚さは約４５０ＯＡであり、シー
ト抵抗は９Ω／Ｃゴであった。
次に、この半製品を再び入口３よりＣＶＤ装置２に送り
加熱後・、膜形成部６において再び被膜を形成した。２
回目の処理で形成された被膜の厚さは約４・５００Ａで
あり、合計９０００Ａの厚さを有する製品となり、□シ
ート抵抗は３．８Ω／ ｃ ｍ’であった。更に、徐冷
炉７を経てリターンコンベア８により搬送し、コンベア
１１の途中で製品として採板した。
加熱後・、膜形成部６において再び被膜を形成した。２
回目の処理で形成された被膜の厚さは約４・５００Ａで
あり、合計９０００Ａの厚さを有する製品となり、□シ
ート抵抗は３．８Ω／ ｃ ｍ’であった。更に、徐冷
炉７を経てリターンコンベア８により搬送し、コンベア
１１の途中で製品として採板した。
得られた製品を検査したところ、製品の被膜に、被膜の
形成されていない部分は全（無く、また、部分的に薄く
なった部分もなく、充分な電導性を有していることが確
認された。
形成されていない部分は全（無く、また、部分的に薄く
なった部分もなく、充分な電導性を有していることが確
認された。
なお、本実施例で用いたＣＶＤ装置にて同様の被膜を従
来の１回のＣＶＤ処理により形成する場合のガラス基体
の搬送速度は３０ｃｍ／分であり、本発明による２段処
理では７０ｃｍ／分で搬送できることから、２回のＣｖ
Ｄ！Ａ理を行なっても、生産効率はむしろ向上すること
が明らかである。
来の１回のＣＶＤ処理により形成する場合のガラス基体
の搬送速度は３０ｃｍ／分であり、本発明による２段処
理では７０ｃｍ／分で搬送できることから、２回のＣｖ
Ｄ！Ａ理を行なっても、生産効率はむしろ向上すること
が明らかである。
実施例２
第２図に示す装置を用い、膜厚４５００Ａ。
シート抵抗９Ω／ ｃ ｒｄの酸化錫被膜を形成した。
まず、ガラス基体２１はＣＶＤ装置２２の入口２３より
コンベアベルト２４に乗せて、トンネル炉状の加熱炉２
５に送り、所定の温度に加熱した。被膜は膜形成部２６
で形成された。形成された被膜の厚さは約２３０ＯＡで
あり、シート抵抗は２０Ω／ ｃ ｔｒｌであった。
コンベアベルト２４に乗せて、トンネル炉状の加熱炉２
５に送り、所定の温度に加熱した。被膜は膜形成部２６
で形成された。形成された被膜の厚さは約２３０ＯＡで
あり、シート抵抗は２０Ω／ ｃ ｔｒｌであった。
次いで、被膜を形成したガラス基体を徐冷炉２７を通し
て冷却した後、ディスク洗浄機２８を通して、表面を洗
浄し、異物を取り除いた。洗浄品は製品取上口２９より
半製品として採板し、−時保管棚３０に保管した。次い
で半製品は再度ディスク洗浄機３１で洗浄した後、再び
ＣＶＤ装置人口２３に運び、ＣＶＤ装置２２に入れて、
被膜を形成した。２回目の処理で形成された被膜の厚さ
は約２２０ＯＡであり、合計４５００Ａの厚さの被膜を
有する製品となり、そのシート抵抗は９Ω／ ｃ ｒｄ
であった。被膜形成後、徐冷炉２７で冷却し、洗浄機２
８で洗浄した後、取上口２９より製品として取り上げた
。
て冷却した後、ディスク洗浄機２８を通して、表面を洗
浄し、異物を取り除いた。洗浄品は製品取上口２９より
半製品として採板し、−時保管棚３０に保管した。次い
で半製品は再度ディスク洗浄機３１で洗浄した後、再び
ＣＶＤ装置人口２３に運び、ＣＶＤ装置２２に入れて、
被膜を形成した。２回目の処理で形成された被膜の厚さ
は約２２０ＯＡであり、合計４５００Ａの厚さの被膜を
有する製品となり、そのシート抵抗は９Ω／ ｃ ｒｄ
であった。被膜形成後、徐冷炉２７で冷却し、洗浄機２
８で洗浄した後、取上口２９より製品として取り上げた
。
得られた製品を検査した結果、形成された被膜には、膜
の形成されていない部分は全く無く、又、部分的に被膜
の厚さの薄い部分もなく、充分な電導性を有しているこ
とが確認された。
の形成されていない部分は全く無く、又、部分的に被膜
の厚さの薄い部分もなく、充分な電導性を有しているこ
とが確認された。
［発明の効果］
以上詳述した通り、本発明のガラス基体表面に酸化錫薄
膜を形成する方法は、 ■ ピンホール欠点、即ち被膜の形成されていない部分
や、被膜の厚さの著しく薄い部分が殆どない製品が得ら
れる。
膜を形成する方法は、 ■ ピンホール欠点、即ち被膜の形成されていない部分
や、被膜の厚さの著しく薄い部分が殆どない製品が得ら
れる。
■ このため、得られた製品は著しく優れた電気抵抗特
性を有するものとなる。
性を有するものとなる。
■ 従来法に比し少ない原料使用量で膜形成を行なうこ
とができる。
とができる。
■ 従来法に比し、単位時間当りの生産量が向上する。
等の利点を有する。従って、本発明の方法によれば、各
種透明電極として有用な酸化錫薄膜形成ガラス基体を、
低コストで効率的に製造することができる。
種透明電極として有用な酸化錫薄膜形成ガラス基体を、
低コストで効率的に製造することができる。
第１図は実施例１において採用した薄膜形成装置を示す
概略的な構成図、第２図は実施例２において採用した薄
膜形成装置の概略的な構成図、第３図は被膜の膜厚と原
料使用量との関係を示すグラフである。 １．２１・・・ガラス基体、 ２．２２−ＣＶＤ装置、 ５．２５・・・加熱炉、 ６．２６・・・膜形成部、 ７．２７・・・徐冷炉、 １２・・・超音波洗浄機、 ２８．３１・・・ディスク洗浄機。 代理人 弁理士 重 野 剛
概略的な構成図、第２図は実施例２において採用した薄
膜形成装置の概略的な構成図、第３図は被膜の膜厚と原
料使用量との関係を示すグラフである。 １．２１・・・ガラス基体、 ２．２２−ＣＶＤ装置、 ５．２５・・・加熱炉、 ６．２６・・・膜形成部、 ７．２７・・・徐冷炉、 １２・・・超音波洗浄機、 ２８．３１・・・ディスク洗浄機。 代理人 弁理士 重 野 剛
Claims (1)
- （１）ガラス基体表面にＣＶＤ法により酸化錫薄膜を形
成するにあたり、少なくとも２回の膜形成工程を設ける
と共に、少なくとも１回の基体表面の洗浄工程を該膜形
成工程間に設けることを特徴とするガラス基体表面に酸
化錫薄膜を形成する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33275687A JP2508779B2 (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | ガラス基体表面に酸化錫薄膜を形成する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33275687A JP2508779B2 (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | ガラス基体表面に酸化錫薄膜を形成する方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01176246A true JPH01176246A (ja) | 1989-07-12 |
| JP2508779B2 JP2508779B2 (ja) | 1996-06-19 |
Family
ID=18258496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33275687A Expired - Lifetime JP2508779B2 (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | ガラス基体表面に酸化錫薄膜を形成する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2508779B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1987
- 1987-12-28 JP JP33275687A patent/JP2508779B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JP2508779B2 (ja) | 1996-06-19 |
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