JPH01173746A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH01173746A JPH01173746A JP62333438A JP33343887A JPH01173746A JP H01173746 A JPH01173746 A JP H01173746A JP 62333438 A JP62333438 A JP 62333438A JP 33343887 A JP33343887 A JP 33343887A JP H01173746 A JPH01173746 A JP H01173746A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- H01L2924/01079—Gold [Au]
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置の製造方法に関し、特に内部電極
と外部リードと（！−金属細線を用いて接続する工程に
おける製造装置上の改良に関するものである。
と外部リードと（！−金属細線を用いて接続する工程に
おける製造装置上の改良に関するものである。
第２図は従来の上記工程における半導体装置の製造方法
と示す平面図であり、半導体チップ・６）を搭載した金
属フレーム２１の外部リードｉ３１、及びダイパラＦと
フレーム枠の接続リード４１を、フレーム押ｊｌｌ＋で
押し付は金属フレーム１２）を固定する。第３図は上記
製造方法の餠面図であり、外部リード１３１、及びダイ
パラＦとフレーム枠の接続リード（４１を、ヒートブロ
ック（６１とフレーム押えＩＩ＋にてはさみ込み、固定
する。
と示す平面図であり、半導体チップ・６）を搭載した金
属フレーム２１の外部リードｉ３１、及びダイパラＦと
フレーム枠の接続リード４１を、フレーム押ｊｌｌ＋で
押し付は金属フレーム１２）を固定する。第３図は上記
製造方法の餠面図であり、外部リード１３１、及びダイ
パラＦとフレーム枠の接続リード（４１を、ヒートブロ
ック（６１とフレーム押えＩＩ＋にてはさみ込み、固定
する。
次に従来の製造方法について説明する。半導体チップ６
１の内部電極と外部リード（３１とゲ金寓細蝋を用いて
接続する工程では、接続方法として熱圧着あるいは鞠音
波併用熱圧着方式？用いるが、金属細線を接続する祿、
被接続面（ボンディング面）が台座のヒートブロック（
６）より浮いた状態であると、圧接する荷重や超音波振
動が十分伝わらず、あるいは、ボンディング面の温度が
１分でないために接合に十分な合金形成が得られず、接
合部が剥れるという間苗点があった。また金ボールボン
デインングにおいては外部リード（３）のポンディング
面の高さが上下にばらつくことにより金ボール底生時、
電気トーチと金線との距離が不安定となり、スパーク不
発、すなわち金ボールの不生成が発生するという間顧が
あった。従って従来の製造装置では、フレームリードを
ヒートブロック１６１ トフレーム押えＩｌｌではさみ
、固定してｈた。
１の内部電極と外部リード（３１とゲ金寓細蝋を用いて
接続する工程では、接続方法として熱圧着あるいは鞠音
波併用熱圧着方式？用いるが、金属細線を接続する祿、
被接続面（ボンディング面）が台座のヒートブロック（
６）より浮いた状態であると、圧接する荷重や超音波振
動が十分伝わらず、あるいは、ボンディング面の温度が
１分でないために接合に十分な合金形成が得られず、接
合部が剥れるという間苗点があった。また金ボールボン
デインングにおいては外部リード（３）のポンディング
面の高さが上下にばらつくことにより金ボール底生時、
電気トーチと金線との距離が不安定となり、スパーク不
発、すなわち金ボールの不生成が発生するという間顧が
あった。従って従来の製造装置では、フレームリードを
ヒートブロック１６１ トフレーム押えＩｌｌではさみ
、固定してｈた。
１次、ヒートブロック（６）とフレーム押えＩｌｌの材
質は、一般ＶＣ硬い材料、例えば５ｕ１３４２０を使用
していた。
質は、一般ＶＣ硬い材料、例えば５ｕ１３４２０を使用
していた。
従来の製造方法のフレーム押えとヒートブロックに、一
般ｒ（Ｓｕｅなどの硬い材料であるため、フレーム押え
とヒートブロックの相対位置が平行でない場合、７レー
ム押えとヒートブロックでフレームリードをはさんだ際
、フレームリートトフレーム押え、あるいはヒートブロ
ックとの間に間隙が生じ、フレームリードがヒートブロ
ックから浮いた状態となり、ポンディング不良、すなわ
ち、上記の接合部の剥れや金ポールの不生成という開路
があった。
般ｒ（Ｓｕｅなどの硬い材料であるため、フレーム押え
とヒートブロックの相対位置が平行でない場合、７レー
ム押えとヒートブロックでフレームリードをはさんだ際
、フレームリートトフレーム押え、あるいはヒートブロ
ックとの間に間隙が生じ、フレームリードがヒートブロ
ックから浮いた状態となり、ポンディング不良、すなわ
ち、上記の接合部の剥れや金ポールの不生成という開路
があった。
この発明は、上記の問題点を解消するためになされたも
ので、金ｗ４４４Ｂ線と表面電極あるいは外部リードと
の接続に際して、この接続器での接続不良を防止すると
ともに、金ポールボンディングの場合、會ボールの不生
成を防止すること？目的とする。
ので、金ｗ４４４Ｂ線と表面電極あるいは外部リードと
の接続に際して、この接続器での接続不良を防止すると
ともに、金ポールボンディングの場合、會ボールの不生
成を防止すること？目的とする。
この発明にかかわる製造方法は、フレーム押えのフレー
ムリード押え部分を、硬度の小さい材料とすることによ
り、フレームリードのヒートブロック上での浮きを無く
したものである。
ムリード押え部分を、硬度の小さい材料とすることによ
り、フレームリードのヒートブロック上での浮きを無く
したものである。
この発明では、半導体チップの表面電極あるいけ外部リ
ードと金属細線とを接続する際、フレームリードをヒー
トブロックに密着させているので、フレームリードの浮
きにより発生するボンデイング不良が防止できる。
ードと金属細線とを接続する際、フレームリードをヒー
トブロックに密着させているので、フレームリードの浮
きにより発生するボンデイング不良が防止できる。
４１図は、この発明による半導体装置の製造方法の一実
施Ｆ！ＡＩを示す断面図であり、硬度の小さい材料を用
いたフレーム押えＩｌｌで、外部り一部３１をヒートブ
ロック１Ｂ）に押え付け、外部り一ト−３１がヒートブ
ロック１６）に密着している状態である。ここで硬度の
小さい材料とけ、耐熱性を考えて、例えばポリイミド樹
脂やシリコン樹脂を使用する。
施Ｆ！ＡＩを示す断面図であり、硬度の小さい材料を用
いたフレーム押えＩｌｌで、外部り一部３１をヒートブ
ロック１Ｂ）に押え付け、外部り一ト−３１がヒートブ
ロック１６）に密着している状態である。ここで硬度の
小さい材料とけ、耐熱性を考えて、例えばポリイミド樹
脂やシリコン樹脂を使用する。
上記のような半導体装置の製造方法によれば金属フレー
ム１２）とヒートブロック＋６１とを密着させているの
で、金属細線を半導体チップ１５）の表面電極あるいは
外部リード１３＋に接続する際、圧接する荷重や超音波
振動が十分に伝わり、また ・ボンディング面の温度が
十分昇温しているため、接合に十分な合金形成が安定し
て得られ、接合部が剥れる現象が防止できる。また、金
ポールボンディングにおいては、外部リード１３）のボ
ンディング面の高さが上下にばらつかないので舎ボール
生成時、電気トーチと金線との距離が安定して、スパー
ク不発、すなわち金ボール不生成の発生を防止できる。
ム１２）とヒートブロック＋６１とを密着させているの
で、金属細線を半導体チップ１５）の表面電極あるいは
外部リード１３＋に接続する際、圧接する荷重や超音波
振動が十分に伝わり、また ・ボンディング面の温度が
十分昇温しているため、接合に十分な合金形成が安定し
て得られ、接合部が剥れる現象が防止できる。また、金
ポールボンディングにおいては、外部リード１３）のボ
ンディング面の高さが上下にばらつかないので舎ボール
生成時、電気トーチと金線との距離が安定して、スパー
ク不発、すなわち金ボール不生成の発生を防止できる。
この発明は１以上の説明のようにフレームリードとヒー
トブロックとを密着させたので、ボンディング面に対す
る圧接の荷重や超音波振動、及びボンディング面の温度
などポンディング条件のばらつきがなく、金属細線とポ
ンディング而との接合部での剥れケ防止する効果がある
。また、フレームリードのボンディング面の高さのばら
つきが無いため金ボールポンディングにおいては、電気
トーチと金線の距離が安定し、安定した金ポール生成が
できる効果がある。
トブロックとを密着させたので、ボンディング面に対す
る圧接の荷重や超音波振動、及びボンディング面の温度
などポンディング条件のばらつきがなく、金属細線とポ
ンディング而との接合部での剥れケ防止する効果がある
。また、フレームリードのボンディング面の高さのばら
つきが無いため金ボールポンディングにおいては、電気
トーチと金線の距離が安定し、安定した金ポール生成が
できる効果がある。
第１図はこの発明による半導体装置の製造方法の一実施
例を示す断面図、ａ４２図はこの発明、及び従来の製造
方法を示す平面図、第８図は従来の半導体装置の製造方
法ケ示す断面図である。 図において、１１１ｉフレーム押え、（２１け金属フレ
ーム、＋３１Ｈ外部リード、１４１ｉダイパツドとフレ
ーム枠の接研リード、・６）は半導体チップ、（６１は
ヒートブロックである。 なお、図中、同一符号は、同−又は相当部分を示す。
例を示す断面図、ａ４２図はこの発明、及び従来の製造
方法を示す平面図、第８図は従来の半導体装置の製造方
法ケ示す断面図である。 図において、１１１ｉフレーム押え、（２１け金属フレ
ーム、＋３１Ｈ外部リード、１４１ｉダイパツドとフレ
ーム枠の接研リード、・６）は半導体チップ、（６１は
ヒートブロックである。 なお、図中、同一符号は、同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 金属フレーム上に搭載された半導体チップの表面電極
と、外部リードとを金属細線を用いて接続する工程にお
いて、フレームリードを固定する治具、（以下、フレー
ム押えという）の上記フレームリードとの接触面を、硬
度の小さい材料とすることにより、上記フレームリード
とその台座となるヒートブロック、及び上記フレーム押
えとの密着性を高めたことを特徴とする半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62333438A JPH01173746A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62333438A JPH01173746A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01173746A true JPH01173746A (ja) | 1989-07-10 |
Family
ID=18266106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62333438A Pending JPH01173746A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01173746A (ja) |
-
1987
- 1987-12-28 JP JP62333438A patent/JPH01173746A/ja active Pending
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