JPH01173620A - シリコン材料の成形方法 - Google Patents
シリコン材料の成形方法Info
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- JPH01173620A JPH01173620A JP28481588A JP28481588A JPH01173620A JP H01173620 A JPH01173620 A JP H01173620A JP 28481588 A JP28481588 A JP 28481588A JP 28481588 A JP28481588 A JP 28481588A JP H01173620 A JPH01173620 A JP H01173620A
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- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 238000000465 moulding Methods 0.000 title claims description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 56
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 33
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 15
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 4
- 239000003921 oil Substances 0.000 claims description 3
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 41
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010437 gem Substances 0.000 description 2
- 229910001751 gemstone Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 1
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
Classifications
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
-
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- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/04—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B3/00—Simple or compound lenses
- G02B3/02—Simple or compound lenses with non-spherical faces
- G02B3/08—Simple or compound lenses with non-spherical faces with discontinuous faces, e.g. Fresnel lens
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置または光学ｌａｅ等を製造するため
の材料を成形する方法に間するものである。
の材料を成形する方法に間するものである。
シリコン半導体ウェハー中の逆導電形の隣接する層によ
り設けられた１つまたは複数のｐ−ｎ接合を切削するこ
とによりシリコン半導体ウェハーを成形することは良く
知られている。とくに、もりとも必ずしもそうではない
が、ダイオード、トランジスタおよびサイリスタのよう
な高電圧シリコン電力装置の素子特性の最適な挙動と一
貫した挙動の少くとも一方を達成するために、その成形
はウェハーの周縁部を面取りするために行われる。
り設けられた１つまたは複数のｐ−ｎ接合を切削するこ
とによりシリコン半導体ウェハーを成形することは良く
知られている。とくに、もりとも必ずしもそうではない
が、ダイオード、トランジスタおよびサイリスタのよう
な高電圧シリコン電力装置の素子特性の最適な挙動と一
貫した挙動の少くとも一方を達成するために、その成形
はウェハーの周縁部を面取りするために行われる。
赤外線レンズの製作にもシリコン材料は用いられる。そ
の目的のために、材料は所定の幾何学的な形状に正確に
成形する必要がある。
の目的のために、材料は所定の幾何学的な形状に正確に
成形する必要がある。
そのような成形を行うために化学エツチング、研削、ラ
ッピング、のこ引き（ダイヤモンドホイール、スラリー
を供給されるワイヤおよび往復する刃を用いて）、砂吹
き付は等の各種の技術が従来用いられていた。それらの
技術にはいくつかの欠点がある。すなわち、達成できる
輪郭は最も望ましいものではない。一貫性を達成するた
めにその技術は十分に制御できるものではない。その技
術はあまり正確でない。成形されたウェハー中に残留損
傷が残される。または不当にコストが高い。
ッピング、のこ引き（ダイヤモンドホイール、スラリー
を供給されるワイヤおよび往復する刃を用いて）、砂吹
き付は等の各種の技術が従来用いられていた。それらの
技術にはいくつかの欠点がある。すなわち、達成できる
輪郭は最も望ましいものではない。一貫性を達成するた
めにその技術は十分に制御できるものではない。その技
術はあまり正確でない。成形されたウェハー中に残留損
傷が残される。または不当にコストが高い。
シリコンはとくにもろい物質である。実際に、ダイヤモ
ンドチップ付きの工具が、応力除去の前にウェハー表面
に切れ目をつけるために用いられるだけであるのはその
特性のためである。したがって、従来、ダイヤモンドチ
ップ付きの工具を用いてウェハーを成形することは実際
的でないと考えられているが、驚りべきことに、求めら
れている形を成形するためにシリコン半導体ウェハーか
ら材料を切削するためにダイヤモンドチップ付きの工具
を使用できることがいまは認められている。
ンドチップ付きの工具が、応力除去の前にウェハー表面
に切れ目をつけるために用いられるだけであるのはその
特性のためである。したがって、従来、ダイヤモンドチ
ップ付きの工具を用いてウェハーを成形することは実際
的でないと考えられているが、驚りべきことに、求めら
れている形を成形するためにシリコン半導体ウェハーか
ら材料を切削するためにダイヤモンドチップ付きの工具
を使用できることがいまは認められている。
したがって、この発見により、従来達成できなかった、
または一貫性の許容できない欠落のためにのみ得ること
ができなかった、最も望ましい輪郭を得るためにシリコ
ン材料を成形できる。
または一貫性の許容できない欠落のためにのみ得ること
ができなかった、最も望ましい輪郭を得るためにシリコ
ン材料を成形できる。
〔課題を解決するための手段および作用〕したがって、
本発明は、シリコン材料の平らな面を支持体の上に置く
工程と、そのようにして置いた材料を、平らな面を通る
軸を中心として回転させる工程と、材料にダイヤモンド
チップ切削工具を当てる工程と、工具が材料内に送りこ
まれて材料からシリコンを切削するように工具と材料を
相対的に移動させる工程とを備えることを特徴とするシ
リコン材料の成形方法を提供するものである。
本発明は、シリコン材料の平らな面を支持体の上に置く
工程と、そのようにして置いた材料を、平らな面を通る
軸を中心として回転させる工程と、材料にダイヤモンド
チップ切削工具を当てる工程と、工具が材料内に送りこ
まれて材料からシリコンを切削するように工具と材料を
相対的に移動させる工程とを備えることを特徴とするシ
リコン材料の成形方法を提供するものである。
材料はウェハーとすることができ、このウェハーはつｌ
バーの両側の平らな面に平行に延びる逆導電形の複数の
層を有し、工具をウェハー内に送りこんで、逆Ａｆｆｉ
形の層の間に設けられているｐ−ｎ接合の少くとも一方
を切削する。この場合には、支持体はモリブデン円板と
することができる。
バーの両側の平らな面に平行に延びる逆導電形の複数の
層を有し、工具をウェハー内に送りこんで、逆Ａｆｆｉ
形の層の間に設けられているｐ−ｎ接合の少くとも一方
を切削する。この場合には、支持体はモリブデン円板と
することができる。
つｌバーを支持体へはんだづけして取付けることができ
る。この場合には、はんだはアルミニウム／シリコンは
んだとすることができる。回転軸はウェハーの平らな面
を垂直に通って延びることが好ましい。
る。この場合には、はんだはアルミニウム／シリコンは
んだとすることができる。回転軸はウェハーの平らな面
を垂直に通って延びることが好ましい。
材料は両面の平らな面を有し、それらの平らな面のうち
の一方で材料を支持体に取付け、材料の他方の平らな面
から材料中に送りこんで、内部に成形された溝を形成し
て、同心状のいくつかのそれらの溝の１つを完成した材
料中に構成してフレネルレンズを形成する。
の一方で材料を支持体に取付け、材料の他方の平らな面
から材料中に送りこんで、内部に成形された溝を形成し
て、同心状のいくつかのそれらの溝の１つを完成した材
料中に構成してフレネルレンズを形成する。
材料に対して相対的に動かすのは工具とすることができ
る。
る。
工具のチップのダイヤモンドは宝石板の品質または高級
な工業用品質のものとすることが好ましい。工具は−７
１／２度より小さい負のすくい角を有することができ、
−５度が好ましい。間隙は＋１０より狭く、＋７度が好
ましい。
な工業用品質のものとすることが好ましい。工具は−７
１／２度より小さい負のすくい角を有することができ、
−５度が好ましい。間隙は＋１０より狭く、＋７度が好
ましい。
工具のダイヤモンドチップを工具で製作するウェハー内
の切削の求められる形に成形することができる。この場
合には、工具をウェハーの平らな面に垂直な方向でウェ
ハーの内部に送りこむことができ、円錐形である成形さ
れたウェハーに工具は周面を成形でき、支持体に隣接す
るウェハーの平らな面におけるそれの直径は、ウェハー
の反対側の平らな面の直径より大きい。
の切削の求められる形に成形することができる。この場
合には、工具をウェハーの平らな面に垂直な方向でウェ
ハーの内部に送りこむことができ、円錐形である成形さ
れたウェハーに工具は周面を成形でき、支持体に隣接す
るウェハーの平らな面におけるそれの直径は、ウェハー
の反対側の平らな面の直径より大きい。
あるいは、ウェハーと支持体の回転軸に対して傾いた方
向で工具をウェハー内に送りこむことができる。この場
合には、円錐形である成形されたウェハーに工具は周面
を成形でき、支持体に隣接するウェハーの平らな面にお
けるそれの直径は、ウェハーの反対側の平らな面の直径
より小さい。
向で工具をウェハー内に送りこむことができる。この場
合には、円錐形である成形されたウェハーに工具は周面
を成形でき、支持体に隣接するウェハーの平らな面にお
けるそれの直径は、ウェハーの反対側の平らな面の直径
より小さい。
工具に水溶性油溶液冷却剤を供給することが好ましい。
支持体は材料の成形中に所定位置に置かれ、その後で除
去される一時的な支持体とすることができる。
去される一時的な支持体とすることができる。
本発明は、本発明の方法で成形された逆４電形の複数の
隅を有するシリコン半導体ウェハーも提供するものであ
る。
隅を有するシリコン半導体ウェハーも提供するものであ
る。
以下、図面を参照して本発明を詳しく説明する。
通常のように（および、とくに第２図と第３図に示すよ
うに）、シリコン半導体ウェハー１にｎ形およびｎ形の
種々の＠２が設けられる。それらの層の間にρ−ｎ接合
３が形成される。ウェハー１の一方の主面（平らな面４
）がモリブデン円板５で構成された支持体の主面の上に
置かれ、アルミニウム／シリコンはんだ層６により支持
体のその主面へ固定される。ウェハー１の他方の主而（
平らな面７）の上にアルミニウム接点８が設けられる。
うに）、シリコン半導体ウェハー１にｎ形およびｎ形の
種々の＠２が設けられる。それらの層の間にρ−ｎ接合
３が形成される。ウェハー１の一方の主面（平らな面４
）がモリブデン円板５で構成された支持体の主面の上に
置かれ、アルミニウム／シリコンはんだ層６により支持
体のその主面へ固定される。ウェハー１の他方の主而（
平らな面７）の上にアルミニウム接点８が設けられる。
このようにして構成されたサンドインチ構造９は通常の
半導体サンドインチ構造である。
半導体サンドインチ構造である。
このサンドイッチ構造９は鐘形の作業ホルダー１０（第
１図）に取付けられる。この時には、サンドインチ構造
９をそれのモリブデン面５を上にして真空台１１の上に
買かれる。それから鐘形ホルダー１０を、第１図に示す
ようにサンドインチ構造９を囲んでいる真空台１１の上
に置く。次に、サンドインチ構造９とホルダー１０が真
空台１１に吸いつけられるように真空台１１を排気する
。
１図）に取付けられる。この時には、サンドインチ構造
９をそれのモリブデン面５を上にして真空台１１の上に
買かれる。それから鐘形ホルダー１０を、第１図に示す
ようにサンドインチ構造９を囲んでいる真空台１１の上
に置く。次に、サンドインチ構造９とホルダー１０が真
空台１１に吸いつけられるように真空台１１を排気する
。
次に、ホルダー１０のステム１４に設けられている穴１
３を通じて高温のワックス１２を注入する。
３を通じて高温のワックス１２を注入する。
そのワックスを冷却してワックスが固まると、サンドイ
ンチ構造９は、それとホルダー１０との軸１６に対して
サンドインチ構造９の面１５が垂直になった状態で、ホ
ルダー１０の中に固定される。
ンチ構造９は、それとホルダー１０との軸１６に対して
サンドインチ構造９の面１５が垂直になった状態で、ホ
ルダー１０の中に固定される。
このようにして組立てられたサンドイッチ構造９とホル
ダー１０を、それの軸１６を旋！（図示せず）の軸に一
致させて、旋盤に取付ける。第２図と第３図８では、図
示を明確にするためにホルダー１０は示していない。
ダー１０を、それの軸１６を旋！（図示せず）の軸に一
致させて、旋盤に取付ける。第２図と第３図８では、図
示を明確にするためにホルダー１０は示していない。
旋盤にはダイヤモンドチップ付きのバイト２０ガ設けら
れる。そのダイヤモンドは宝石級、または少くとも高級
工業用品質のものである。その工具は通常の旋盤用バイ
トホルダーに取付けられる。
れる。そのダイヤモンドは宝石級、または少くとも高級
工業用品質のものである。その工具は通常の旋盤用バイ
トホルダーに取付けられる。
そのバイトホルダーによりバイト２０はウェハー１の平
らな面７に当てられ、その後でウェハー１に対して移動
かさせられてバイト２０をウェハー１の中に送りこむ。
らな面７に当てられ、その後でウェハー１に対して移動
かさせられてバイト２０をウェハー１の中に送りこむ。
ダイヤモンドチップ付きバイトのすくい角は一５度であ
り、すき開角度は＋７度である。スピンドルの回転速度
が５２００〜５６００ ｒ、ｐ、ｎであるとバイトの送
り速度は２００〜５００μ／分である。すなわち、約３
５〜９５ｒａｔｇ／切削である。切削チップの温度上昇
を抑えてバイトの寿命を延ばすために、バイトに、シリ
コン材料の機械加工のための研削流体として通常用いら
れるような水溶性油溶液が供給される。バイトの送り速
度が高くなった場合のようにバイトが過熱するとバイト
の寿命が短くなる。
り、すき開角度は＋７度である。スピンドルの回転速度
が５２００〜５６００ ｒ、ｐ、ｎであるとバイトの送
り速度は２００〜５００μ／分である。すなわち、約３
５〜９５ｒａｔｇ／切削である。切削チップの温度上昇
を抑えてバイトの寿命を延ばすために、バイトに、シリ
コン材料の機械加工のための研削流体として通常用いら
れるような水溶性油溶液が供給される。バイトの送り速
度が高くなった場合のようにバイトが過熱するとバイト
の寿命が短くなる。
第２図に示す実施例においては、バイト２０のダイヤモ
ンドチップの形は、軸１６と平行にバイトがウェハー１
中に送りこまれると、そのチップと同じ形の溝２１が形
成されるようなもの、である。
ンドチップの形は、軸１６と平行にバイトがウェハー１
中に送りこまれると、そのチップと同じ形の溝２１が形
成されるようなもの、である。
この実施例においては、成形されたウェハーに円錐形の
周縁部２２が形成される。その周縁部の面４に近接する
部分の直径は面９に近接する部分の直径より長い。
周縁部２２が形成される。その周縁部の面４に近接する
部分の直径は面９に近接する部分の直径より長い。
第３図に示す実施例においては、バイト２０のダイヤモ
ンドチップの形は求められている溝２３の形とは異なる
。満２３の形はバイト２０の適切な向きの動きにより決
定される。この場合には、周縁部２４を形成するために
バイトは取扱われる。
ンドチップの形は求められている溝２３の形とは異なる
。満２３の形はバイト２０の適切な向きの動きにより決
定される。この場合には、周縁部２４を形成するために
バイトは取扱われる。
周縁部２４は第２図に示す実施例における周縁部と同様
に円錐形であるが、この場合には長径はウェハー１の面
７に近い。
に円錐形であるが、この場合には長径はウェハー１の面
７に近い。
ウェハー１の成形により形成された円錐形の周縁部の形
の上記２つの例から、バイト２０のデツプの形を適当に
定め、バイト２０を適切に操作することによって、周縁
部２３／２４を求められる任意の形に切削できることが
わかる。
の上記２つの例から、バイト２０のデツプの形を適当に
定め、バイト２０を適切に操作することによって、周縁
部２３／２４を求められる任意の形に切削できることが
わかる。
また、上記の実施例はウェハー１の周縁部２３／２４の
形成についてのものであるが、本発明の同じ技術をウェ
ハー１の他の任意の部分の切削するために使用できるこ
とは明らかである。
形成についてのものであるが、本発明の同じ技術をウェ
ハー１の他の任意の部分の切削するために使用できるこ
とは明らかである。
ウェハー１の成形が終った後で、組立体をたとえば一２
０℃まで凍結し、穴１３の中にプランジｒ１０を挿入し
てホルダー１０を割ることにより、サンドインチ構造を
ホルダー１０から除去できる。
０℃まで凍結し、穴１３の中にプランジｒ１０を挿入し
てホルダー１０を割ることにより、サンドインチ構造を
ホルダー１０から除去できる。
この成形過程においては、バイト２０とウェハー１を冷
却してバイト２０の切削効率を高くするために、バイト
２０に適当な潤滑剤を供給できる。
却してバイト２０の切削効率を高くするために、バイト
２０に適当な潤滑剤を供給できる。
上記の実施例においてはウェハーは半導体ウェハーであ
る。しかし、本発明は他の半導体材料を成形するために
も応用できる。
る。しかし、本発明は他の半導体材料を成形するために
も応用できる。
たとえば、シリコン材料から赤外線レンズが製作される
。本発明により、シリコン材料のスライスの一方の平ら
な面を一時的な支持体の上に取付け、それからそのスラ
イスを旋盤で回転させながら、スライスの半径方向に隔
てられている位置においてダイヤモンドチップ付きのバ
イトを逐次シリコン材料中に送りこんで、スライスの平
らな面に一連の同心溝を切削する。この場合には、フレ
ネルレンズを形成するために適当な形にバイトのチップ
を形成する。
。本発明により、シリコン材料のスライスの一方の平ら
な面を一時的な支持体の上に取付け、それからそのスラ
イスを旋盤で回転させながら、スライスの半径方向に隔
てられている位置においてダイヤモンドチップ付きのバ
イトを逐次シリコン材料中に送りこんで、スライスの平
らな面に一連の同心溝を切削する。この場合には、フレ
ネルレンズを形成するために適当な形にバイトのチップ
を形成する。
成形されたチップの代りに、チップを単にとがらせ、旋
盤で材料を成形することにより、所要の切削横断面形状
を得るためにバイトの動きを制御できる。
盤で材料を成形することにより、所要の切削横断面形状
を得るためにバイトの動きを制御できる。
第１図は成形さ机るようにされた半導体ウェハーを取付
ける手段の横断面図、第２図は１つの種類の工具により
成形されているウェハーの拡大図、第３図は別の種類の
工程で成形されているウェハーの第２図と同じ尺度によ
る拡大図である。 １・・・シリコン半導体ウェハー、 ２・・・半導体層、３・・・ｐ−ｎ接合、４．７・・・
平らな面、５・・・モリブデン円板、６・・・アルミニ
ウム／シリコンはんだづけ層、８・・・アルミニウム接
点、１０・・・ホルダー、１１・・・真空台、２０・・
・工具、２３・・・溝。
ける手段の横断面図、第２図は１つの種類の工具により
成形されているウェハーの拡大図、第３図は別の種類の
工程で成形されているウェハーの第２図と同じ尺度によ
る拡大図である。 １・・・シリコン半導体ウェハー、 ２・・・半導体層、３・・・ｐ−ｎ接合、４．７・・・
平らな面、５・・・モリブデン円板、６・・・アルミニ
ウム／シリコンはんだづけ層、８・・・アルミニウム接
点、１０・・・ホルダー、１１・・・真空台、２０・・
・工具、２３・・・溝。
Claims (20)
- （１）シリコン材料の平らな面を支持体の上に取付ける
工程と、 そのようにして取付けた材料を、平らな面を通る軸を中
心として回転させる工程と、 材料にダイヤモンドチップ切削工具を当てる工程と、 工具が材料内に送りこまれて材料からシリコンを切削す
るように工具と材料を相対的に移動させる工程と を備えることを特徴とするシリコン材料の成形方法。 - （２）材料はウェハーであり、このウェハーはウェハー
の両側の平らな面に平行に延びる逆導電形の複数の層を
有し、工具をウェハー内に送りこんで、逆導電形の層の
間に設けられているｐ−ｎ接合の少くとも一方を切削す
ることを特徴とする請求項（１）記載のシリコン材料を
形成する方法。 - （３）支持体はモリブデン円板であることを特徴とする
請求項（２）記載のシリコン材料の成形方法。 - （４）ウェハーを支持体へはんだづけして取付けること
を特徴とする請求項（２）又は（３）に記載のシリコン
材料の成形方法。 - （５）はんだはアルミニウム／シリコンはんだであるこ
とを特徴とする請求項（４）記載のシリコン材料の成形
方法。 - （６）回転軸はウェハーの平らな面を垂直に通って延び
ることを特徴とする請求項（２）乃至（５）のうちのい
ずれかに記載のシリコン材料の成形方法。 - （７）材料は両面の平らな面を有し、それらの平らな面
のうちの一方で材料を支持体に取付け、材料の他方の平
らな面から材料中に送りこんで、内部に成形された溝を
形成して、同心状のいくつかのそれらの溝の１つを完成
した材料中に構成してフレネルレンズを形成することを
特徴とする請求項（１）記載のシリコン材料の成形方法
。 - （８）材料に対して相対的に動かすのは工具であること
を特徴とする請求項（１）乃至（７）のうちいずれかに
記載のシリコン材料の成形方法。 - （９）工具のチップのダイヤモンドは宝石級の品質また
は高級な工業用品質のものであることを特徴とする請求
項（１）乃至（８）のうちのいずれかに記載のシリコン
材料の成形方法。 - （１０）工具は−７（１／２）度より小さい負のすくい
角を有することを特徴とする請求項（１）乃至（９）の
うちのいずれかに記載のシリコン材料の成形方法。 - （１１）工具は−５度の負のすくい角を有することを特
徴とする請求項（１０）記載のシリコン材料の成形方法
。 - （１２）工具は１０度より狭い間隙を有することを特徴
とする請求項（１）乃至（１１）のうちのいずれかに記
載のシリコン材料の成形方法。 - （１３）工具は＋７度の間隙を有することを特徴とする
請求項（１２）記載のシリコン材料の成形方法。 - （１４）工具のダイヤモンドチップを工具で製作するウ
ェハー内の切削の求められる形に成形することを特徴と
する請求項（１）乃至（１３）のうちのいずれかに記載
のシリコン材料の成形方法。 - （１５）工具をウェハーの平らな面に垂直な方向でウェ
ハーの内部に送りこむことを特徴とする請求項（１４）
記載のシリコン材料の成形方法。 - （１６）工具をウェハーの平らな面に垂直な方向でウェ
ハーの内部に送りこみ、ウェハーの周面を、支持体に隣
接する平らな面における直径かつ反対側の平らな面の直
径より大きくなるように成形することを特徴とする請求
項（２）乃至（６）のうちのいずれかに記載のシリコン
材料の成形方法。 - （１７）ウェハーと支持体の回転軸に対して傾いた方向
で工具をウェハー内に送りこむことを特徴とする請求項
（２）乃至（６）のうちのいずれかに記載のシリコン材
料の成形方法。 - （１８）前記工具により、ウェハーの周面を、支持体に
隣接する平らな面における直径が、反対側の平らな面の
直径より小さくなるように成形することを特徴とする請
求項（１７）記載のシリコン材料の成形方法。 - （１９）工具に水溶性油溶液冷却剤を供給することを特
徴とする請求項（１）乃至（１８）のうちのいずれかに
記載のシリコン材料の成形方法。 - （２０）支持体は材料の成形中に所定位置に置かれ、そ
の後で除去される一時的な支持体であることを特徴とす
る請求項（１）乃至（１９）のうちのいずれかに記載の
シリコン材料の成形方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB8728879 | 1987-12-10 | ||
| GB878728879A GB8728879D0 (en) | 1987-12-10 | 1987-12-10 | Shaping silicon semiconductor wafers |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01173620A true JPH01173620A (ja) | 1989-07-10 |
Family
ID=10628300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28481588A Pending JPH01173620A (ja) | 1987-12-10 | 1988-11-10 | シリコン材料の成形方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0320090A3 (ja) |
| JP (1) | JPH01173620A (ja) |
| GB (2) | GB8728879D0 (ja) |
| IN (1) | IN175302B (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7674689B2 (en) * | 2007-09-20 | 2010-03-09 | Infineon Technologies Ag | Method of making an integrated circuit including singulating a semiconductor wafer |
| JP6696263B2 (ja) * | 2015-09-29 | 2020-05-20 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 脆性材料基板のスクライブ方法及びスクライブヘッドユニット |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4517769A (en) * | 1981-05-20 | 1985-05-21 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for forming oblique groove in semiconductor device |
| JPS60157257A (ja) * | 1984-01-25 | 1985-08-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子の端面傾斜付加工方法 |
-
1987
- 1987-12-10 GB GB878728879A patent/GB8728879D0/en active Pending
-
1988
- 1988-09-09 GB GB8821124A patent/GB2213637B/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-09-09 EP EP88308371A patent/EP0320090A3/en not_active Withdrawn
- 1988-11-10 JP JP28481588A patent/JPH01173620A/ja active Pending
- 1988-12-12 IN IN1085DE1988 patent/IN175302B/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2213637A (en) | 1989-08-16 |
| GB8821124D0 (en) | 1988-10-12 |
| GB2213637B (en) | 1990-12-19 |
| GB8728879D0 (en) | 1988-01-27 |
| EP0320090A3 (en) | 1990-01-31 |
| IN175302B (ja) | 1995-06-10 |
| EP0320090A2 (en) | 1989-06-14 |
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