JPH01173504A - セラミック多層回路基板 - Google Patents
セラミック多層回路基板Info
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- JPH01173504A JPH01173504A JP33225587A JP33225587A JPH01173504A JP H01173504 A JPH01173504 A JP H01173504A JP 33225587 A JP33225587 A JP 33225587A JP 33225587 A JP33225587 A JP 33225587A JP H01173504 A JPH01173504 A JP H01173504A
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Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
イ1発明の目的
産 土の1
本発明はセラミック多層回路基板、特に低温焼成可能な
セラミックの多層配線基板に関する。
セラミックの多層配線基板に関する。
11乱11
従来、一般的にはW又はMOを導体とするアルミナ系の
高温焼成多層基板では、アルミナの誘電率高く、導通抵
抗も高いため、信号伝播遅延時間も長くなりコンピュタ
−等の高速化、高性能化の障害となっている。
高温焼成多層基板では、アルミナの誘電率高く、導通抵
抗も高いため、信号伝播遅延時間も長くなりコンピュタ
−等の高速化、高性能化の障害となっている。
このため、高温焼成多層基板に代わるものとして低融点
ガラスにアルミナを添加したセラミック、結晶化ガラス
セラミック等を基板材料として、Ag、Cu、 Ag−
Pd等の抵抗金属を導体とし、これ等を多層に積層した
低温焼成セラミック多層基板の開発が進められている。
ガラスにアルミナを添加したセラミック、結晶化ガラス
セラミック等を基板材料として、Ag、Cu、 Ag−
Pd等の抵抗金属を導体とし、これ等を多層に積層した
低温焼成セラミック多層基板の開発が進められている。
■が ゛し うと る日
800〜1000℃で焼成可能な低温焼成基板に、Ag
−Pd系導体を表面用導体として同時焼成法により形成
させる場合、その導体の特性として重要な要因は■半田
に良く濡れる事■接着強度が強い事の2点である。しか
し、低温焼成基板上へ従来の混成集積回路(HIC)用
Ag、 Pdペーストを用いたメタライズ法では、ペー
スト中の強度向上用として添加しているガラスフリット
成分が多く、半田に濡れない欠点が出る。又このフリッ
ト成分を除くと接着強度が劣化する0本発明者等は特願
昭61−138715に示されるように、導体の周辺を
絶縁性セラミックで被覆する方法を提案している。しか
し導体のファインライン化、高密度化ができにくくなる
欠点を有していた。
−Pd系導体を表面用導体として同時焼成法により形成
させる場合、その導体の特性として重要な要因は■半田
に良く濡れる事■接着強度が強い事の2点である。しか
し、低温焼成基板上へ従来の混成集積回路(HIC)用
Ag、 Pdペーストを用いたメタライズ法では、ペー
スト中の強度向上用として添加しているガラスフリット
成分が多く、半田に濡れない欠点が出る。又このフリッ
ト成分を除くと接着強度が劣化する0本発明者等は特願
昭61−138715に示されるように、導体の周辺を
絶縁性セラミックで被覆する方法を提案している。しか
し導体のファインライン化、高密度化ができにくくなる
欠点を有していた。
口 を ゛ るための
本発明は、800〜1000℃で焼成可能な低温焼成セ
ラミック多層回路基板において、グリーンシート上にA
gとPdの合計を100重量部とし、Agニア0〜95
重量部、Pd:5〜30重量部にCr O,01〜8.
0重量部及びTiO2とRhをそれぞれ下記式の範囲内
のX、Yの各重1部 −0,5X+1.0≧Y ≧ −0,1X十0.01.
X≧0 、 Y ≧0(但し、XはTiO2重量部
、YはRh重量部を表す)の各粉末と有機ビヒクル成分
よりなる導体ペーストを被覆し、焼成してなることを特
徴とするセラミック多層回路基板である。
ラミック多層回路基板において、グリーンシート上にA
gとPdの合計を100重量部とし、Agニア0〜95
重量部、Pd:5〜30重量部にCr O,01〜8.
0重量部及びTiO2とRhをそれぞれ下記式の範囲内
のX、Yの各重1部 −0,5X+1.0≧Y ≧ −0,1X十0.01.
X≧0 、 Y ≧0(但し、XはTiO2重量部
、YはRh重量部を表す)の各粉末と有機ビヒクル成分
よりなる導体ペーストを被覆し、焼成してなることを特
徴とするセラミック多層回路基板である。
具体的には酸化チタンならば0.1〜2.0重量部、ロ
ジウムならば0.O1〜1.0重量部を結んだ線内(第
1図の斜線部分)の重量部にCrを帆01重量部以上8
重量部以下加えた粉末を有機ビヒクル中に分散混合させ
作成したペーストを被覆し、必要に応じて所定枚数積層
し同時焼成を行って作製されることを特徴としているセ
ラミック多層回路基板である。
ジウムならば0.O1〜1.0重量部を結んだ線内(第
1図の斜線部分)の重量部にCrを帆01重量部以上8
重量部以下加えた粉末を有機ビヒクル中に分散混合させ
作成したペーストを被覆し、必要に応じて所定枚数積層
し同時焼成を行って作製されることを特徴としているセ
ラミック多層回路基板である。
本発明に用いる低温焼成セラミックとはStO□−B2
0.系からPbO−3iPbO−3i02−AI20系
ガラス、CaO−5iO□−Al2O,−8203系ガ
ラス等にAl2O3,5i02等の膏剤成分を加えたガ
ラス−セラミック複合系やMg0−A1□03−8i0
2系結晶化ガラスなどである。
0.系からPbO−3iPbO−3i02−AI20系
ガラス、CaO−5iO□−Al2O,−8203系ガ
ラス等にAl2O3,5i02等の膏剤成分を加えたガ
ラス−セラミック複合系やMg0−A1□03−8i0
2系結晶化ガラスなどである。
又、前記のセラミック粉末をグリーンシートとする方法
は、前記粉末と有機バインダーは、例えばボリビ4−ル
ブチラール、メタクリル酸エステル樹脂等と、可塑剤は
、例えばジブチルフタレート等と、又溶剤は、例えばエ
チルアルコール、プロピルアルコール、トルエン等とを
ボールミル内で混合しスラリーとしドクターブレード法
にてグリーンシートとする方法が利用できる。
は、前記粉末と有機バインダーは、例えばボリビ4−ル
ブチラール、メタクリル酸エステル樹脂等と、可塑剤は
、例えばジブチルフタレート等と、又溶剤は、例えばエ
チルアルコール、プロピルアルコール、トルエン等とを
ボールミル内で混合しスラリーとしドクターブレード法
にてグリーンシートとする方法が利用できる。
又、AgとPdの粒子径は共に平均粒子径0.01〜1
0μm程度のものが利用できる。Tie、成分としては
平均粒子径0.1〜10μm酸化チタン粉の外、焼成す
ることによってTiO□となるチタンレジネート、チタ
ンアルコキシド等の有機チタン化合物及び金属チタンで
もよい、ロジウム成分は、ロジウム粉の外、酸化ロジウ
ム、ロジウムレジネート等の有機ロジウム化合物等も使
用できる。クロム成分は同じく金属クロム粉、酸化クロ
ム粉、クロムレジネート等の有機クロム化合物が使用可
能である。
0μm程度のものが利用できる。Tie、成分としては
平均粒子径0.1〜10μm酸化チタン粉の外、焼成す
ることによってTiO□となるチタンレジネート、チタ
ンアルコキシド等の有機チタン化合物及び金属チタンで
もよい、ロジウム成分は、ロジウム粉の外、酸化ロジウ
ム、ロジウムレジネート等の有機ロジウム化合物等も使
用できる。クロム成分は同じく金属クロム粉、酸化クロ
ム粉、クロムレジネート等の有機クロム化合物が使用可
能である。
Agは導通成分の主体をなすものであり、低導通抵抗を
有している。 PdはAgのエレクトロマイグレーショ
ンを抑える目的に5重量部以上用いられる。
有している。 PdはAgのエレクトロマイグレーショ
ンを抑える目的に5重量部以上用いられる。
しかし導通抵抗が高い為30重量部以下が好ましい添加
量範囲である。TiO□及びRhは接着強度の改善に用
いられ、使用量が少ないとその効果が小さい。
量範囲である。TiO□及びRhは接着強度の改善に用
いられ、使用量が少ないとその効果が小さい。
一方その量が多い場合、半田濡れ性が劣化する。
その範囲は第1図斜線の範囲内である。 Crは半田濡
れ性の改良に用いられるがその効果が表れるのは0.0
1〜8重量部の範囲である。
れ性の改良に用いられるがその効果が表れるのは0.0
1〜8重量部の範囲である。
導電ペーストは上記の粉末を有機ビヒクルと共に3本ロ
ールでよく混合して作製される。有機ビヒクルはエチル
セルローズやアクリル樹脂をテレピネオール、ブチルカ
ルピトールアセテート、ブチルカルピトール等の溶剤で
溶解させた溶液が用いられる。
ールでよく混合して作製される。有機ビヒクルはエチル
セルローズやアクリル樹脂をテレピネオール、ブチルカ
ルピトールアセテート、ブチルカルピトール等の溶剤で
溶解させた溶液が用いられる。
こうして得られたペーストは、セラミックグリーンシー
ト上にスクリーン印刷され、必要により積層され次いで
800〜1000℃に焼成される。この場合必要に応じ
RuO2ペースト等による抵抗回路やBaT L03ペ
ースト等によるコンデンサー回路を同時に形成しても良
い。
ト上にスクリーン印刷され、必要により積層され次いで
800〜1000℃に焼成される。この場合必要に応じ
RuO2ペースト等による抵抗回路やBaT L03ペ
ースト等によるコンデンサー回路を同時に形成しても良
い。
良1」
低温焼成セラミック基板は第1表に示した組成のガラス
と平均粒径0.6μ重のアルミナ粉を混合した組成を用
いた。
と平均粒径0.6μ重のアルミナ粉を混合した組成を用
いた。
セラミックグリーンシートは上記粉末と重量比でアクリ
ル樹脂10%、トルエン30x、イソプロピ第1表 (
単位は重量%) ルアルコール10%及びジブチルフタレート5%をボー
ルミルで混合しドクターブレード法にて膜厚0.4Hの
グリーンシートを作製した0次いで粒径0.1μlのA
g粉、0.8μ園のPd粉、0.1μ■のT10□粉、
0.01μnのRh粉、2μmのCr粉を用いて第2表
に示した割合でエチルセルローズをテレピネオールに溶
解したビヒクル中に3本ロールにて混合しペースト化し
た0次いでグリーンシート上に導体ペーストをスクリー
ン印刷法で印刷し、さらにグリーンシート2枚を重ね合
わせ加熱圧着した後、900℃で焼成した。
ル樹脂10%、トルエン30x、イソプロピ第1表 (
単位は重量%) ルアルコール10%及びジブチルフタレート5%をボー
ルミルで混合しドクターブレード法にて膜厚0.4Hの
グリーンシートを作製した0次いで粒径0.1μlのA
g粉、0.8μ園のPd粉、0.1μ■のT10□粉、
0.01μnのRh粉、2μmのCr粉を用いて第2表
に示した割合でエチルセルローズをテレピネオールに溶
解したビヒクル中に3本ロールにて混合しペースト化し
た0次いでグリーンシート上に導体ペーストをスクリー
ン印刷法で印刷し、さらにグリーンシート2枚を重ね合
わせ加熱圧着した後、900℃で焼成した。
焼成した基板はロジン入りフラックス中に浸漬し、23
0°Cで2%入り5n−Pb共晶半田に浸漬し、半田濡
れ性を評価した。90%以上半田で濡れている場合は優
とし、それ以下を劣とした。
0°Cで2%入り5n−Pb共晶半田に浸漬し、半田濡
れ性を評価した。90%以上半田で濡れている場合は優
とし、それ以下を劣とした。
接着強度は、2H口のパッド上に0.6mmφのSnめ
っき軟銅線を半田付けし150℃の恒温槽中に第2表 (注)$及び井について 実施例のテストNL2.5はテープ2の組成で、その外
はテープ1の組成 実施例テストNa7のRhの0.1はRhレジネートを
使用しな。
っき軟銅線を半田付けし150℃の恒温槽中に第2表 (注)$及び井について 実施例のテストNL2.5はテープ2の組成で、その外
はテープ1の組成 実施例テストNa7のRhの0.1はRhレジネートを
使用しな。
48時間放置後ビール法で測定した。その結果を第2表
に示す。
に示す。
実施例1〜13は優れた半田濡れ性で接着強度2.3k
g以上で強い値を示した。比較例1はTiO2やRhが
含有されていないため接着強度は弱く、又Crが含まれ
ていないため半田濡れ性が悪い、比較例2.3はTiO
2とRhが過剰に含有されている例で、共に半田濡れ性
が悪いことが示されている。比較例4はCr成分が過剰
な場合で半田濡れ性が悪くなっている。
g以上で強い値を示した。比較例1はTiO2やRhが
含有されていないため接着強度は弱く、又Crが含まれ
ていないため半田濡れ性が悪い、比較例2.3はTiO
2とRhが過剰に含有されている例で、共に半田濡れ性
が悪いことが示されている。比較例4はCr成分が過剰
な場合で半田濡れ性が悪くなっている。
ハ0発明の効果
本発明によれば接着強度が強くかつ半田濡れ性に優れ、
さらに高密度ファインパターン化が可能な低温焼成セラ
ミック多層基板を得ることができる。
さらに高密度ファインパターン化が可能な低温焼成セラ
ミック多層基板を得ることができる。
第1図は本発明のRhとTiO□の特許請求の範囲を図
示したもので、斜線が該当する。
示したもので、斜線が該当する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 800〜1000℃で焼成可能な低温焼成セラミック多
層回路基板において、グリーンシート上に、AgとPd
の合計を100重量部とし、Ag70〜95重量部、P
d5〜30重量部にCr0.01〜8.0重量部、及び
TiO_2とRhがそれぞれ下記式の範囲内のX,Yの
各重量部 −0.5X+1.0≧Y≧−0.1X+0.01、X≧
0、Y≧0(但し、XはTiO_2重量部、YはRh重
量部を表す)の各粉末と有機ビヒクル成分よりなる導体
ペーストを被覆し焼成してなることを特徴とするセラミ
ック多層回路基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33225587A JPH01173504A (ja) | 1987-12-27 | 1987-12-27 | セラミック多層回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33225587A JPH01173504A (ja) | 1987-12-27 | 1987-12-27 | セラミック多層回路基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01173504A true JPH01173504A (ja) | 1989-07-10 |
JPH0477403B2 JPH0477403B2 (ja) | 1992-12-08 |
Family
ID=18252905
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33225587A Granted JPH01173504A (ja) | 1987-12-27 | 1987-12-27 | セラミック多層回路基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01173504A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07176209A (ja) * | 1993-10-29 | 1995-07-14 | Nec Corp | 導電性ペースト並びに積層セラミックコンデンサ及びそ の製造方法 |
-
1987
- 1987-12-27 JP JP33225587A patent/JPH01173504A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07176209A (ja) * | 1993-10-29 | 1995-07-14 | Nec Corp | 導電性ペースト並びに積層セラミックコンデンサ及びそ の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0477403B2 (ja) | 1992-12-08 |
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