JPH01172858A - 接触帯電装置 - Google Patents
接触帯電装置Info
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- JPH01172858A JPH01172858A JP33115087A JP33115087A JPH01172858A JP H01172858 A JPH01172858 A JP H01172858A JP 33115087 A JP33115087 A JP 33115087A JP 33115087 A JP33115087 A JP 33115087A JP H01172858 A JPH01172858 A JP H01172858A
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Landscapes
- Electrostatic Charge, Transfer And Separation In Electrography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ、発明の目的
〔産業上の利用分野〕
本発明は接触帯電装置に関する。更に詳しくは、外部よ
り電圧を印加した帯電部材(導電性部材)を感光体等の
被帯電体に当接させて帯電(除電を含む)を行う装置の
改善に関する。
り電圧を印加した帯電部材(導電性部材)を感光体等の
被帯電体に当接させて帯電(除電を含む)を行う装置の
改善に関する。
以下、便宜上電子写真複写装置における感光体の帯電処
理を例にして説明する。
理を例にして説明する。
電子写真複写装置は周知のように感光体面を所定の電位
に均一帯電処理する工程を含んでいる。
に均一帯電処理する工程を含んでいる。
その帯電処理手段としては現在実用化されている電子写
真装置の殆ど全てがワイヤ電極とシールド電極を主構成
部材とするコロナ放電器を利用している。しかし該コロ
ナ放電器を用いた帯電処理系においては以下のような問
題点を有している。
真装置の殆ど全てがワイヤ電極とシールド電極を主構成
部材とするコロナ放電器を利用している。しかし該コロ
ナ放電器を用いた帯電処理系においては以下のような問
題点を有している。
1)高電圧印加
感光体上に500〜700vの表面電位を得るために4
〜8KVといった高電圧をワイヤに印加する必要性があ
り、−π極及び本体へのリークを防1トすべくワイヤか
ら電極の距離を大きく維持する等のために放電器自体が
大型化L、又高絶縁被覆ケーブルの使用が不可欠である
。
〜8KVといった高電圧をワイヤに印加する必要性があ
り、−π極及び本体へのリークを防1トすべくワイヤか
ら電極の距離を大きく維持する等のために放電器自体が
大型化L、又高絶縁被覆ケーブルの使用が不可欠である
。
2)帯電効率が低い
ワイヤからの放電電流の大半はシールド電極へ流れ、被
帯電体たる感光体側へ流れるコロナ電流は総放電電流の
数パーセントにすぎない。
帯電体たる感光体側へ流れるコロナ電流は総放電電流の
数パーセントにすぎない。
3)コロナ放電生成物の発生
コロナ放電によってオゾン等の発生があり、装置構成部
品の酸化、感光体表面のオゾン劣化による画像ボケ(特
にこの現象は高湿環境下において著しい)が生じ易く、
またオゾンの人体への影響を考慮してオゾン吸収・分解
フィルタ及びフィルタへの気流発生手段であるファンが
必要である。
品の酸化、感光体表面のオゾン劣化による画像ボケ(特
にこの現象は高湿環境下において著しい)が生じ易く、
またオゾンの人体への影響を考慮してオゾン吸収・分解
フィルタ及びフィルタへの気流発生手段であるファンが
必要である。
4)ワイヤ汚れ
放電効率をあげるために曲率の大きい放電ワイヤ(−船
釣には80x〜100 ILの直径のものが用いられる
)が使用されるが、ワイヤ表面に形成される高電界によ
って装置内の微小な塵埃を集塵してワイヤ表面が汚れる
。ワイヤ汚れは放電にムラを生じ易く、それが画像ムラ
となってあられれる。
釣には80x〜100 ILの直径のものが用いられる
)が使用されるが、ワイヤ表面に形成される高電界によ
って装置内の微小な塵埃を集塵してワイヤ表面が汚れる
。ワイヤ汚れは放電にムラを生じ易く、それが画像ムラ
となってあられれる。
従ってかなり頻繁にワイヤや放電器内を清掃処理する必
要がある。
要がある。
そこで最近では上記のような問題点の多いコロナ放電器
を利用しないで、接触帯電手段を利用することが検討さ
れている。
を利用しないで、接触帯電手段を利用することが検討さ
れている。
具体的には被帯電体たる感光体表面に、1〜2KV程度
の直流電圧を外部より印加した導電性弾性ローラ等の帯
電部材(導電性部材)を接触させることにより感光体表
面に電荷を直接注入して感光体表面を所定の電位に帯電
させるものである。
の直流電圧を外部より印加した導電性弾性ローラ等の帯
電部材(導電性部材)を接触させることにより感光体表
面に電荷を直接注入して感光体表面を所定の電位に帯電
させるものである。
しかしながら、上記の接触帯電装置においては、従来の
コロナ放電器に比較して印加電圧が約IKV〜2KVと
いう低電圧で感光体上に所望の電位(約500v〜10
00v )を得ることができる反面、帯電部材が感光体
表面に接触しているために、感光体に打痕あるいは金属
粉等の異物が混入して感光体の背面電極に通ずる導電路
が形成されると、帯電部材から過剰な電流が流れ、帯電
部材に印加された電圧が降下するという問題点があった
。
コロナ放電器に比較して印加電圧が約IKV〜2KVと
いう低電圧で感光体上に所望の電位(約500v〜10
00v )を得ることができる反面、帯電部材が感光体
表面に接触しているために、感光体に打痕あるいは金属
粉等の異物が混入して感光体の背面電極に通ずる導電路
が形成されると、帯電部材から過剰な電流が流れ、帯電
部材に印加された電圧が降下するという問題点があった
。
上記の感光体へのリーク電流による帯電部材の電圧降下
は、帯電部材の感光体長手方向接触領域全域にわたって
、帯電不良を生じ正規現像では白帯、反転現像では黒帯
が画像上に現われ、著しく画像品位を低下させる。さら
に、感光体背面電極への過剰電流は、電子写真複写装置
の電気制御系統の誤動作や破損を生じさせる等のおそれ
があった。
は、帯電部材の感光体長手方向接触領域全域にわたって
、帯電不良を生じ正規現像では白帯、反転現像では黒帯
が画像上に現われ、著しく画像品位を低下させる。さら
に、感光体背面電極への過剰電流は、電子写真複写装置
の電気制御系統の誤動作や破損を生じさせる等のおそれ
があった。
本発明は、上述の点に鑑みてなされたものであり、接触
帯電装置における上記の感光体等の被帯電体表面の損傷
による帯電不良を解決するとともに、均一な帯電性能を
有する新規な接触帯電?を置を提供することを目的とす
るものである。
帯電装置における上記の感光体等の被帯電体表面の損傷
による帯電不良を解決するとともに、均一な帯電性能を
有する新規な接触帯電?を置を提供することを目的とす
るものである。
口1発明の構成
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、外部より交番電圧成分を含む脈流電圧を印加
した導電性基体上に、少なくとも二層からなる抵抗層を
設けた帯電部材を、被帯電体に接触させて帯電させる接
触帯電装置において、被帯電体と接触する抵抗層の体積
抵抗率をR2、厚さを旦2としたとき、その21R2文
。
した導電性基体上に、少なくとも二層からなる抵抗層を
設けた帯電部材を、被帯電体に接触させて帯電させる接
触帯電装置において、被帯電体と接触する抵抗層の体積
抵抗率をR2、厚さを旦2としたとき、その21R2文
。
が、
R212>8.4X102 (0cm2)を満たL、か
つ被帯電体と接触する抵抗層の抵抗をR2、静電容量を
02、比誘電率をε2、真空中の誘電率をε0、被帯電
体と接触する抵抗層の周長をL、被帯電体との接触ニッ
プ輻をd、周面上の速さをVpとしたとき、 の関係を満たすことを特徴とする。
つ被帯電体と接触する抵抗層の抵抗をR2、静電容量を
02、比誘電率をε2、真空中の誘電率をε0、被帯電
体と接触する抵抗層の周長をL、被帯電体との接触ニッ
プ輻をd、周面上の速さをVpとしたとき、 の関係を満たすことを特徴とする。
上記のように帯電部材の抵抗層を二層以上の構成とL、
被帯電体と接触する抵抗層を薄く且つ高抵抗のものとし
たことにより、帯電部材自身にコンデンサとしての機能
をもたせることができる。
被帯電体と接触する抵抗層を薄く且つ高抵抗のものとし
たことにより、帯電部材自身にコンデンサとしての機能
をもたせることができる。
それによって帯電部材に印加している直流電圧に交流電
圧を重畳させてもコンデンサのように交流電流を通すこ
とができるので、帯電部材と被帯電体との間の放電・逆
放電がスムーズに行われ、被帯電体をむらなく均一に帯
電することが可能となる。また被帯電体と接触iる抵抗
層が高抵抗であるため、傷ついた被帯電体に接触させて
も電圧降下による帯電不良を防ぐことができる。
圧を重畳させてもコンデンサのように交流電流を通すこ
とができるので、帯電部材と被帯電体との間の放電・逆
放電がスムーズに行われ、被帯電体をむらなく均一に帯
電することが可能となる。また被帯電体と接触iる抵抗
層が高抵抗であるため、傷ついた被帯電体に接触させて
も電圧降下による帯電不良を防ぐことができる。
以下、本発明を図に基づいて具体的に詳述する。第1図
は本発明の一実施例を示す接触帯電装置の概略構成図で
ある。
は本発明の一実施例を示す接触帯電装置の概略構成図で
ある。
図に於て、lは被帯電体としての電子写真感光ドラムの
一部であり、ドラム基体1aの外周面に感光体層1b(
有機半導体・アモルファスシリコン・セレン等の光導電
性半導体材料層)を形成してなるもので、矢示a方向に
所定の速度で面移動駆動される。
一部であり、ドラム基体1aの外周面に感光体層1b(
有機半導体・アモルファスシリコン・セレン等の光導電
性半導体材料層)を形成してなるもので、矢示a方向に
所定の速度で面移動駆動される。
2はL記感光ドラム1面に所定圧力をもって接触させた
帯電部材(導電性部材)としての帯電ローラであり、感
光ドラムlの回転に伴ない矢示方向に従動回転する。5
はこの帯電ローラに電圧を印加する電源である。
帯電部材(導電性部材)としての帯電ローラであり、感
光ドラムlの回転に伴ない矢示方向に従動回転する。5
はこの帯電ローラに電圧を印加する電源である。
帯電ローラ2は具体的には導電性基体としての金属芯線
2aの周面に、カーボンを分散したウレタンゴム等より
なる内部抵抗層(以下、内層という)2bと、その周面
にNBR、クロロプレン等の弾性ゴム層もしくはナイロ
ン、再生セルロース、アクリル等の樹脂層を被覆してな
る外部抵抗層(以下、最外層という)2cとを設けた二
層被覆構成としたものである。ただし二層以上設けるこ
ともある。また帯電部材としては抵抗層を二層以上有す
るものであれば、図示例のようなローラ状のものに限ら
ず、ベルト状のもの、或は板状のブレード等であっても
よい。
2aの周面に、カーボンを分散したウレタンゴム等より
なる内部抵抗層(以下、内層という)2bと、その周面
にNBR、クロロプレン等の弾性ゴム層もしくはナイロ
ン、再生セルロース、アクリル等の樹脂層を被覆してな
る外部抵抗層(以下、最外層という)2cとを設けた二
層被覆構成としたものである。ただし二層以上設けるこ
ともある。また帯電部材としては抵抗層を二層以上有す
るものであれば、図示例のようなローラ状のものに限ら
ず、ベルト状のもの、或は板状のブレード等であっても
よい。
上記帯電ローラ2に、第2図のような直流電圧V oc
にピーク間電圧VPpを有する交流電圧vAcを重畳し
た脈流電圧(V oc + V tsc )を印加する
ことにより、感光ドラム1に斑点状の帯電ムラのない均
一な帯電がなされる。
にピーク間電圧VPpを有する交流電圧vAcを重畳し
た脈流電圧(V oc + V tsc )を印加する
ことにより、感光ドラム1に斑点状の帯電ムラのない均
一な帯電がなされる。
第3図は、その様子を概念的に示した帯電ローラ2と感
光ドラム1の長手方向の断面図であり、同図ら)は電圧
として が印加されているときの状態を表わす。
光ドラム1の長手方向の断面図であり、同図ら)は電圧
として が印加されているときの状態を表わす。
(iF電ローラ2の最外層2cの体積抵抗率ρ2が内層
2bよりかなり大きくしかも最外層2cが薄い場合多数
のマイナス電荷がその境界付近に存在L、感光ドラムl
の基板la上にも多数のプラス電荷がそれに引かれて現
われる。そしてこれらの電荷から発生する電界により、
その電界をくずさない程度の7.)のマイナス電荷が帯
電ローラ2の最外層2Cを抜け、感光ドラムlの感光層
lb上に放電される。
2bよりかなり大きくしかも最外層2cが薄い場合多数
のマイナス電荷がその境界付近に存在L、感光ドラムl
の基板la上にも多数のプラス電荷がそれに引かれて現
われる。そしてこれらの電荷から発生する電界により、
その電界をくずさない程度の7.)のマイナス電荷が帯
電ローラ2の最外層2Cを抜け、感光ドラムlの感光層
lb上に放電される。
ただしこの最外層2cの体積抵抗率ρ2は帯電に必要な
電荷量だけを一度に通すような値であって、もし感光ド
ラムlの感光層tbに穴があき基板tag接したときに
、電源の容量をオーバするような多量の電荷を一度に通
せるような値はど小さいものではない。
電荷量だけを一度に通すような値であって、もし感光ド
ラムlの感光層tbに穴があき基板tag接したときに
、電源の容量をオーバするような多量の電荷を一度に通
せるような値はど小さいものではない。
第3図(b)は゛電圧として
が印加されているときの状態を表わす。
帯電ローラ2の最外層2Cと内層2bの境界付近のマイ
ナス電荷はほぼ感光ドラム基板tb上に向い、感光ドラ
ム基板lb上のプラス電荷はほぼそれと逆の動きをする
。すると感光層lb上で過剰に付着していたマイナス電
荷が、帯電ローラ2上に逆放電される。
ナス電荷はほぼ感光ドラム基板tb上に向い、感光ドラ
ム基板lb上のプラス電荷はほぼそれと逆の動きをする
。すると感光層lb上で過剰に付着していたマイナス電
荷が、帯電ローラ2上に逆放電される。
以上のように第3図に)のような感光ドラムlへの放電
と第3図(b)のような逆放電が繰り返しおこなわれ感
光ドラムlが均一に帯電されていく。
と第3図(b)のような逆放電が繰り返しおこなわれ感
光ドラムlが均一に帯電されていく。
これに対して例えば第4図のように金属芯線3a(4a
)に単一の抵抗層3b(4b)を設けた単層構成の帯電
ローラ3(4)の場合、の電圧印加時の電荷の動きは概
念的に第4図甑)拳(b)となる。
)に単一の抵抗層3b(4b)を設けた単層構成の帯電
ローラ3(4)の場合、の電圧印加時の電荷の動きは概
念的に第4図甑)拳(b)となる。
即ち、同図ら)は抵抗層3bの体積抵抗率ρ3が約10
4Ωcm以下であり、マイナス電荷がすぐに表面に現わ
れ、感光ドラム1との空間ギャップ内に電場を作りこの
電場によりマイナス電荷はみずから感光ドラム1上へと
放電していく、シかL、第4図(b)のように帯電ロー
ラ4の金属芯線4aから単一の抵抗層4bの感光ドラム
lに接する表面までの抵抗が、前記のような最外層2C
が高抵抗の帯電ローラ2の金属芯線2aから最外層2C
の感光ドラムlに接する表面までの抵抗と等しくなるよ
うな、体積抵抗率ρ4 (α10’Ωcm)の物質を抵
抗層4bに選んでしまうと、マイナス電荷が帯電ローラ
4の表面に現われにくく感光ドラムlとの空間ギャップ
内に弱い電場しか作れないため、マイナス電荷は感光ド
ラムlへ放電しにくい、要するに抵抗が高くなると交流
電圧の周波数に対して、?11層のfiF電ローラ4の
表面上へのマイナス電荷伝達スピードが追い付かなくな
り、帯電ローラと感光ドラムの空間ギャップでのVPP
が減衰してしまい、帯電しない。
4Ωcm以下であり、マイナス電荷がすぐに表面に現わ
れ、感光ドラム1との空間ギャップ内に電場を作りこの
電場によりマイナス電荷はみずから感光ドラム1上へと
放電していく、シかL、第4図(b)のように帯電ロー
ラ4の金属芯線4aから単一の抵抗層4bの感光ドラム
lに接する表面までの抵抗が、前記のような最外層2C
が高抵抗の帯電ローラ2の金属芯線2aから最外層2C
の感光ドラムlに接する表面までの抵抗と等しくなるよ
うな、体積抵抗率ρ4 (α10’Ωcm)の物質を抵
抗層4bに選んでしまうと、マイナス電荷が帯電ローラ
4の表面に現われにくく感光ドラムlとの空間ギャップ
内に弱い電場しか作れないため、マイナス電荷は感光ド
ラムlへ放電しにくい、要するに抵抗が高くなると交流
電圧の周波数に対して、?11層のfiF電ローラ4の
表面上へのマイナス電荷伝達スピードが追い付かなくな
り、帯電ローラと感光ドラムの空間ギャップでのVPP
が減衰してしまい、帯電しない。
このように全体の抵抗が等しくても最外層2Cが高抵抗
で薄い二層構成の方が、単層のものより、直流電圧と交
流電圧を型外させた場合、帯電特性がよい、これは帯電
ローラ2の最外層2Cがマイナス電荷を蓄える量による
から、感光ドラムが大きいほどよい、ただしε0は真空
の誘電率である。
で薄い二層構成の方が、単層のものより、直流電圧と交
流電圧を型外させた場合、帯電特性がよい、これは帯電
ローラ2の最外層2Cがマイナス電荷を蓄える量による
から、感光ドラムが大きいほどよい、ただしε0は真空
の誘電率である。
前記第1図の実施例において12腸層φの帯電ローラ2
に内層(導電性弾性体fi)2bとして導電性ゴム、最
外層2Cとして比誘電率ε2=3、厚さ立、 = 3
00gのナイロン層を用い、30騰鳳φの感光ドラム1
に感光層tbとして比誘電率ε1=3、厚さl、=19
JLの有機光導電性半導体を用い、電源5トLテVoc
=−750(V) 、 Vpp=1500(V) 、
f = 1000 (Hz)を用いたところ、感光ド
ラムlは700(V)程度に帯電した。
に内層(導電性弾性体fi)2bとして導電性ゴム、最
外層2Cとして比誘電率ε2=3、厚さ立、 = 3
00gのナイロン層を用い、30騰鳳φの感光ドラム1
に感光層tbとして比誘電率ε1=3、厚さl、=19
JLの有機光導電性半導体を用い、電源5トLテVoc
=−750(V) 、 Vpp=1500(V) 、
f = 1000 (Hz)を用いたところ、感光ド
ラムlは700(V)程度に帯電した。
次に最外層2cc7)L!i[さ12t 200g、
100fiL、!=して上記と同様の実験を行ったとこ
ろ感光ドラムlの帯電状態は、均一性が増しますます良
好なものとなった。
100fiL、!=して上記と同様の実験を行ったとこ
ろ感光ドラムlの帯電状態は、均一性が増しますます良
好なものとなった。
それ故、良好な帯電状態を得るための条件としては帯電
ローラ2の最外層2Cが内層2bと感光ドラムlとの接
触面積Sとで構成する容量が太きいほどよ〈、また上記
の実施例においては抵抗層2cの比誘電率ε2=3、厚
さ又2=300(糾〕で帯電したことから1 、、、、、、、(1) となることが必要である。
ローラ2の最外層2Cが内層2bと感光ドラムlとの接
触面積Sとで構成する容量が太きいほどよ〈、また上記
の実施例においては抵抗層2cの比誘電率ε2=3、厚
さ又2=300(糾〕で帯電したことから1 、、、、、、、(1) となることが必要である。
さらに最外層2Cが帯電ローラ2中でコンデンサとして
働くためには内層2bの体積抵抗率が最外層2Cの体積
抵抗率に対して隘以下となることが必要である。
働くためには内層2bの体積抵抗率が最外層2Cの体積
抵抗率に対して隘以下となることが必要である。
次に帯電が可能な最外層2cの体積抵抗率ρ2及び厚さ
!L2の関係を求める。
!L2の関係を求める。
a)感光ドラムを帯電させるのに必要なρ2交2の関係
前記第1図の帯電装置の構成は、等価回路としておきか
えると第5図のようになる。2層構成のス12電ローラ
2は内fi2’bの抵抗が外部の薄い最外層2Cに比べ
十分低く、最外層2cが感光ドラムlとニップ幅dを有
するためコンデンサC2を形成するが、同時に漏れ電波
が流れるので抵抗R2との並列回路となる。同様に感光
ドラム1はコンデンサC1と抵抗R1との並列回路とな
る。
えると第5図のようになる。2層構成のス12電ローラ
2は内fi2’bの抵抗が外部の薄い最外層2Cに比べ
十分低く、最外層2cが感光ドラムlとニップ幅dを有
するためコンデンサC2を形成するが、同時に漏れ電波
が流れるので抵抗R2との並列回路となる。同様に感光
ドラム1はコンデンサC1と抵抗R1との並列回路とな
る。
帯電ローラ2に直流電圧Vocを印加して感光ドラム1
に接触帯電を行わせ、帯電ローラ通過後の帯電された感
光ドラムlの表面電位Vと帯電ローラ2に対する印加直
流電圧Vocとの関係は、第6図(a)のようになる、
印加直流電圧Vocに対して帯電は閾値を有L、約−5
130Vから帯電が開始L、その帯電開始電圧をVTH
とする。実験例ではVPP≧2 V TM
、、、、、、、−C2)の関係をみたす脈流電圧(
V oc + V AC)を印加L、振動電界により、
感光ドラムl上でVocに帯電されていない部分は帯電
ローラ2からの放電を受け、Vocに近づき、−力感光
ドラム1上でVoc以上に帯電されている部分は、帯電
ローラ2への逆放電を与え、V ocに近づくため、−
様に感光ドラム表面をVocに帯電できる。
に接触帯電を行わせ、帯電ローラ通過後の帯電された感
光ドラムlの表面電位Vと帯電ローラ2に対する印加直
流電圧Vocとの関係は、第6図(a)のようになる、
印加直流電圧Vocに対して帯電は閾値を有L、約−5
130Vから帯電が開始L、その帯電開始電圧をVTH
とする。実験例ではVPP≧2 V TM
、、、、、、、−C2)の関係をみたす脈流電圧(
V oc + V AC)を印加L、振動電界により、
感光ドラムl上でVocに帯電されていない部分は帯電
ローラ2からの放電を受け、Vocに近づき、−力感光
ドラム1上でVoc以上に帯電されている部分は、帯電
ローラ2への逆放電を与え、V ocに近づくため、−
様に感光ドラム表面をVocに帯電できる。
gSG図(b)(tVpp= 1500 (V) 、
f = 1000 (H2〕を交流電圧として直流電
圧Vocに重畳したときの直流電圧Vocと感光体表面
電位を示したものである。VPPは放電、逆放電を順次
繰り返して帯電を促進させ感光ドラムを一様にVocに
帯電させる働きがあり、第5図ではスイッチSWをオン
にした状態が、こツブ部付近での放電開始領域において
VPPが印加されていることに相当する。
f = 1000 (H2〕を交流電圧として直流電
圧Vocに重畳したときの直流電圧Vocと感光体表面
電位を示したものである。VPPは放電、逆放電を順次
繰り返して帯電を促進させ感光ドラムを一様にVocに
帯電させる働きがあり、第5図ではスイッチSWをオン
にした状態が、こツブ部付近での放電開始領域において
VPPが印加されていることに相当する。
さて帯電ローラLのある一部分に着目L、その部分が回
転により感光ドラムとのニップ部付近に差し掛り、放電
が始まった時の時刻を1=0とL、この部分が感光ドラ
ムとのニップ部付近から敲れ放電が終了したときの時刻
をtlとすると、この間スイッチSwはオンしているこ
とに相当する。
転により感光ドラムとのニップ部付近に差し掛り、放電
が始まった時の時刻を1=0とL、この部分が感光ドラ
ムとのニップ部付近から敲れ放電が終了したときの時刻
をtlとすると、この間スイッチSwはオンしているこ
とに相当する。
ここで感光ドラム基板1aと感光ドラムの平均表面電位
をvl、感光ドラム基板1aと帯電ローラ2の最外層2
Cの平均表面電位(直流電圧成分)をv2とすると、帯
電ローラの表面の電位の直流成分V?は、m7図(転)
のように変化する。
をvl、感光ドラム基板1aと帯電ローラ2の最外層2
Cの平均表面電位(直流電圧成分)をv2とすると、帯
電ローラの表面の電位の直流成分V?は、m7図(転)
のように変化する。
感光ドラムlの表面電位vIは、0<1<11のニップ
部内においては第6図(b)の関係より帯電ローラ2の
表面電位v2と等しい。
部内においては第6図(b)の関係より帯電ローラ2の
表面電位v2と等しい。
帯電ローラ2が一周してまたニップ部付近で放電が開始
する時刻をt2とすると、1.≦t≦t2においては帯
電ローラ2がニップ部付近を離れ感光ドラム1との放電
が行われていないのでスイッチSwはオフとなる。この
とき、C2に充電された電荷q2がR2を流れ放電し減
衰する。すなわちチャージアップした帯電ローラ2が漏
れ電流により残電荷が除かれていくことに相当する。
する時刻をt2とすると、1.≦t≦t2においては帯
電ローラ2がニップ部付近を離れ感光ドラム1との放電
が行われていないのでスイッチSwはオフとなる。この
とき、C2に充電された電荷q2がR2を流れ放電し減
衰する。すなわちチャージアップした帯電ローラ2が漏
れ電流により残電荷が除かれていくことに相当する。
帯電ローラ2がこツブ部を、出た時刻1.でローラ表面
上に残った電荷をq2とすると、帯電除かれるので、E
=Vocに近づいていく、シかL、第7図(b)のよう
に帯電ローラが一回転して再びニップ部に突入する前に
帯電ローラの表面電位v2が電源の直流成分Vocにま
でもどれない系では2回目、3回目の回転をかさねるた
びに残電荷が帯電ローラ2上に蓄積していき、だんだん
と感光ドラムlの表面電位VIが低下していく、要する
に時定数C2R2が小さいほど帯電特性はよい。
上に残った電荷をq2とすると、帯電除かれるので、E
=Vocに近づいていく、シかL、第7図(b)のよう
に帯電ローラが一回転して再びニップ部に突入する前に
帯電ローラの表面電位v2が電源の直流成分Vocにま
でもどれない系では2回目、3回目の回転をかさねるた
びに残電荷が帯電ローラ2上に蓄積していき、だんだん
と感光ドラムlの表面電位VIが低下していく、要する
に時定数C2R2が小さいほど帯電特性はよい。
実施例ではφ12肩園の帯電ローラを用いているので1
例えばA4サイズの紙を 200枚程度連続でコピーす
ると帯電ローラは約1800@回転する。一般に上記の
ような接触帯電器を用いるような電子写真装置は、せい
ぜいコピーしても紙カセットにはいる200枚以下であ
るから帯電ローラが約1800回回転しても、反転現象
において帯電ローラの電位■2が現像バイアス電位Vを
下まわらなければ。
例えばA4サイズの紙を 200枚程度連続でコピーす
ると帯電ローラは約1800@回転する。一般に上記の
ような接触帯電器を用いるような電子写真装置は、せい
ぜいコピーしても紙カセットにはいる200枚以下であ
るから帯電ローラが約1800回回転しても、反転現象
において帯電ローラの電位■2が現像バイアス電位Vを
下まわらなければ。
画像がかぶらず差しつかえない。
よって1800回転目の帯電ローラの電位v2がv 2
> v 、、、、、、、、、、(3)を満
たせば、この帯電ローラは帯電器として使用できる。実
施例では V= 500(V):現像バイアス電位= 4.54
X 1(1−2(s ) 12=帯電ローラの回転周期 C,= 3.lX10″to(F) :ニップ部で形成される感光ドラムの容量R1= 4
.0X1012(Ω〕 :ニツプ部で形成される感光ドラムの抵抗E= 75
0(V):電源の直流成分この条件で200枚目の画像
はかぶらなかった。
> v 、、、、、、、、、、(3)を満
たせば、この帯電ローラは帯電器として使用できる。実
施例では V= 500(V):現像バイアス電位= 4.54
X 1(1−2(s ) 12=帯電ローラの回転周期 C,= 3.lX10″to(F) :ニップ部で形成される感光ドラムの容量R1= 4
.0X1012(Ω〕 :ニツプ部で形成される感光ドラムの抵抗E= 75
0(V):電源の直流成分この条件で200枚目の画像
はかぶらなかった。
上記(4)式においてe −’−0,018であるから
t2t、=4R2C2を満たせば残電荷の98.2%は
除かれ、帯電ローラ2は1800回回転するまで感光ド
ラムの表面電位V、を現像バイアス電圧Vに対しv 、
> v 、、、、、、、(5)に保
つことがこの実施例では明らかになっている。ただし電
源としてVPP≧2VTHを重畳しであるので帯電ロー
ラ2がニップ部をはなれ放電を完了した時の感光ドラム
の表面電位■1は第6図(b)に示すように帯電ローラ
2の表面電位v2と等しい。
t2t、=4R2C2を満たせば残電荷の98.2%は
除かれ、帯電ローラ2は1800回回転するまで感光ド
ラムの表面電位V、を現像バイアス電圧Vに対しv 、
> v 、、、、、、、(5)に保
つことがこの実施例では明らかになっている。ただし電
源としてVPP≧2VTHを重畳しであるので帯電ロー
ラ2がニップ部をはなれ放電を完了した時の感光ドラム
の表面電位■1は第6図(b)に示すように帯電ローラ
2の表面電位v2と等しい。
ゆえに感光ドラムlを帯電するためには4R2C2<
(t2 −t 鳳 ) 、、、
、、(8)を満たすような抵抗R2であれば帯電する。
(t2 −t 鳳 ) 、、、
、、(8)を満たすような抵抗R2であれば帯電する。
ただL、帯電ローラ2の容D C2は前にも述べたよう
に交流電圧■にを通し放電をうながす必要があるため大
きい方がよい。
に交流電圧■にを通し放電をうながす必要があるため大
きい方がよい。
帯電ローラ2と感光ドラム1の接触面積をS、。
帯電ローラ2の最外層2Cの厚みをfL2.体積抵抗率
をR2、比誘電率をε2.真空の誘電率を(0とすると
。
をR2、比誘電率をε2.真空の誘電率を(0とすると
。
であるから上記(7)式より
=ρ2ε2(。< o、C18(s ) 6.、(9)
を満たせば帯電可能である。
を満たせば帯電可能である。
たとえば最外層2Cにクロロプレンを用いた場合はεΣ
7であるから、 ε 。 = 8.85X 10−14 (F /
cm)となり、実際に200枚目の画像までかぶらなか
つた。
7であるから、 ε 。 = 8.85X 10−14 (F /
cm)となり、実際に200枚目の画像までかぶらなか
つた。
帯電するために必要な帯電ローラの時定数の関係式(6
)は一般に帯電ローラの一周分の長さをL、帯電ローラ
と感光ドラムとのニップ輻をd、帯電ローラの周面上の
速さをVpとすると、となる、ただし (9)式よりR
2C2=ρ2ε2ε0である。
)は一般に帯電ローラの一周分の長さをL、帯電ローラ
と感光ドラムとのニップ輻をd、帯電ローラの周面上の
速さをVpとすると、となる、ただし (9)式よりR
2C2=ρ2ε2ε0である。
b)傷ついた感光ドラムで帯電不良を防ぐのに必要なR
2と文2の関係 コロナ帯電器では異物などによる感光ドラム上の傷が1
a+mX l am四方の面積以下のものは、反転現
像で同じ程度の大きさの黒ポチにしかならず、さほど問
題にならない。しかし接触帯電においては、その感光ド
ラム上の傷から電源容量を上回る多:晶の゛電流が流れ
て電圧が降下L、感光ドラムの軸方向全長にわたって帯
電不良となり、黒すじとなってしまう。
2と文2の関係 コロナ帯電器では異物などによる感光ドラム上の傷が1
a+mX l am四方の面積以下のものは、反転現
像で同じ程度の大きさの黒ポチにしかならず、さほど問
題にならない。しかし接触帯電においては、その感光ド
ラム上の傷から電源容量を上回る多:晶の゛電流が流れ
て電圧が降下L、感光ドラムの軸方向全長にわたって帯
電不良となり、黒すじとなってしまう。
そこで抵抗値をいろいろと変化させた帯電ローラで1
mmX l ■程度の傷をつけた感光ドラムを帯電させ
、画像上意オビの出ないものを捜した。
mmX l ■程度の傷をつけた感光ドラムを帯電させ
、画像上意オビの出ないものを捜した。
第9図は各種の二層の帯電ローラの電流に対する電圧特
性を示したグラフであり一1第8図はその測定方法を示
す説明図である。
性を示したグラフであり一1第8図はその測定方法を示
す説明図である。
第8図において帯電ローラ2の表面に先端が1armX
l ta−四方の面積の金属棒8を軽く接触させ、直
流電源9の電圧を徐々に高くしていき、電流計6及び電
圧計7で測定された値を各帯電ローラ毎に記入したのが
第9図である。第9図において実線は黒すじの出なかっ
た帯電ローラ、破線は黒すじの出た帯電ローラを示す、
これより次のようなことがわかった。
l ta−四方の面積の金属棒8を軽く接触させ、直
流電源9の電圧を徐々に高くしていき、電流計6及び電
圧計7で測定された値を各帯電ローラ毎に記入したのが
第9図である。第9図において実線は黒すじの出なかっ
た帯電ローラ、破線は黒すじの出た帯電ローラを示す、
これより次のようなことがわかった。
下の所まで電圧の達しないもの、又は絶縁耐圧がE =
919(V )以下の層を外層に被覆した二層のロー
ラは黒すじが出る。
919(V )以下の層を外層に被覆した二層のロー
ラは黒すじが出る。
パメ 電圧が1= 919(V )に達しても、その
電圧における電流が電源の容量Pを超えるようなとき。
電圧における電流が電源の容量Pを超えるようなとき。
たとえば帯電ローラの電源はlQ、OW程度であるから
実効電流Iは、 となり、10.9(mA)以上電流が流れてしまう、こ
の時の抵抗RPは である。ただし電流はほとんど1 mtX 1 m厘四
方のピンホールの面積Spを通過する。よって、S p
= 0.1 (CIl) X O,1(cm)=
1.OX 10−210−2( から 92文2 =RPSP≧8.4X 102(Ωcm*c
m)、、、、、(14) を満たすものであればよい。
実効電流Iは、 となり、10.9(mA)以上電流が流れてしまう、こ
の時の抵抗RPは である。ただし電流はほとんど1 mtX 1 m厘四
方のピンホールの面積Spを通過する。よって、S p
= 0.1 (CIl) X O,1(cm)=
1.OX 10−210−2( から 92文2 =RPSP≧8.4X 102(Ωcm*c
m)、、、、、(14) を満たすものであればよい。
たとえば交2 =100 (JA) =1.OX 1O
−2(c■〕の外層2Cを被覆したものであれば、 p2> 8.4X104 (00m) 、、、
、、、(15)のものを選べば帯電不良はおこらないこ
とがわかった。
−2(c■〕の外層2Cを被覆したものであれば、 p2> 8.4X104 (00m) 、、、
、、、(15)のものを選べば帯電不良はおこらないこ
とがわかった。
以上より二層からなる帯電ローラ2の体積抵抗率ρ2の
実用範囲は前記(lO)式と(15)式よりa、ax
to’ C0cm) < 132 < 8.7X 1
0” (00m)、、、、、(1G) である。
実用範囲は前記(lO)式と(15)式よりa、ax
to’ C0cm) < 132 < 8.7X 1
0” (00m)、、、、、(1G) である。
第1O図は本発明の他の実施例を示す接触帯電装;ηの
概略構成図である0本実施例の接触帯電部材11は、金
属芯線11aに導電性ゴム層11bを被覆した導電性ロ
ーラと、導電性シート11C」二に抵抗層lidを被覆
した帯電ベルトとにより構成されている。連続して感光
ドラム1を帯電するのに必要な抵抗層11dの時定数範
囲は前記(11)式より、 であるから、帯電ベルト−周分の長さしが、帯電ローラ
2の一周分の長さに比べてかなり長くなるので、より大
きな体積抵抗率ρ2でも満足する。
概略構成図である0本実施例の接触帯電部材11は、金
属芯線11aに導電性ゴム層11bを被覆した導電性ロ
ーラと、導電性シート11C」二に抵抗層lidを被覆
した帯電ベルトとにより構成されている。連続して感光
ドラム1を帯電するのに必要な抵抗層11dの時定数範
囲は前記(11)式より、 であるから、帯電ベルト−周分の長さしが、帯電ローラ
2の一周分の長さに比べてかなり長くなるので、より大
きな体積抵抗率ρ2でも満足する。
ただしVpは帯電ベルトの周面上の速さ、dは感光ドラ
ムlとのニップ幅である。ゆえに上記の構成によれば、
前記の帯電ローラ2よりも大きな体積抵抗率ρ2が選べ
、感光ドラムl上に少々太きな傷があっても、帯電ベル
トとのリークによる給電部5の電圧降下を防止できる。
ムlとのニップ幅である。ゆえに上記の構成によれば、
前記の帯電ローラ2よりも大きな体積抵抗率ρ2が選べ
、感光ドラムl上に少々太きな傷があっても、帯電ベル
トとのリークによる給電部5の電圧降下を防止できる。
なお、上記の各実施例では被帯電体としてOPC感光体
を使用したが、これに限るものではなく、a−Si感光
体、Se感光体あるいは各種の誘電体であってもよい、
また給電部5の直流電圧極性は負極であったが正極でも
上記と同様の効果が得られる。
を使用したが、これに限るものではなく、a−Si感光
体、Se感光体あるいは各種の誘電体であってもよい、
また給電部5の直流電圧極性は負極であったが正極でも
上記と同様の効果が得られる。
ハ1発明の詳細
な説明したように本発明によれば被帯電体と接触する帯
電部材の最外層の抵抗層として厚みが薄く、誘電率の大
きい物質を用いることにより、交流電流が多く流れ、帯
電部材と被帯電体との間に交互電界が生じて被帯電体を
均一に帯電できる。
電部材の最外層の抵抗層として厚みが薄く、誘電率の大
きい物質を用いることにより、交流電流が多く流れ、帯
電部材と被帯電体との間に交互電界が生じて被帯電体を
均一に帯電できる。
また帯電部材の体積抵抗率ρ2を8.4X 104〔0
0m) 〜6.7X 10” (Ωcffi〕の範囲
内にすれば、たとえ被帯電体にピンホール等が生じても
その部分において帯電部材とのリークによる給電部の’
C圧降下が防止され、帯電部材と被帯電体とが接触して
いる領域全長にわたって帯電不良が生ずるのを防ぐこと
ができる。しかも帯電部材が被帯電体を帯電した後、再
び被帯電体を帯電させるまでの間に、帯電部材の表面に
蓄積した電荷が減衰するので、帯電部材の平均電位が給
電部の平均電位と量子に保たれ、被帯電体表面の電位も
同等に保つことができる。
0m) 〜6.7X 10” (Ωcffi〕の範囲
内にすれば、たとえ被帯電体にピンホール等が生じても
その部分において帯電部材とのリークによる給電部の’
C圧降下が防止され、帯電部材と被帯電体とが接触して
いる領域全長にわたって帯電不良が生ずるのを防ぐこと
ができる。しかも帯電部材が被帯電体を帯電した後、再
び被帯電体を帯電させるまでの間に、帯電部材の表面に
蓄積した電荷が減衰するので、帯電部材の平均電位が給
電部の平均電位と量子に保たれ、被帯電体表面の電位も
同等に保つことができる。
第1図は本発明の一実施例を示す接触帯電装置の概略構
成図、第2図は帯電部材への印加電圧の波形図、第3図
(a)・(b)は帯電状態における電荷の動きを示す説
明図、第4図(a)・(b)は単層の帯電部材を用いた
ときの同上図、第5図は第1図の接触帯電装置の等価回
路図、第6図(a)・(b)は印加゛電圧と帯電電位と
の関係を示すグラフ、第7図(a)−(b)はぜ1″1
電部材のモ均電位の変化を示すグラフ、第8図は各種帯
電部材の電流と電圧との関係を測定する方法を示す説明
図、第9図はその測定結果を示すグラフ、第10図は本
発明の他の実施例を示す接触帯電装置の概略構成図であ
る。 1は被帯電体(感光ドラム)、2は帯電部材(帯電ロー
ラ)、2aは導電性基体(金属芯線)、2bφ2Cは抵
抗層、5は電源。
成図、第2図は帯電部材への印加電圧の波形図、第3図
(a)・(b)は帯電状態における電荷の動きを示す説
明図、第4図(a)・(b)は単層の帯電部材を用いた
ときの同上図、第5図は第1図の接触帯電装置の等価回
路図、第6図(a)・(b)は印加゛電圧と帯電電位と
の関係を示すグラフ、第7図(a)−(b)はぜ1″1
電部材のモ均電位の変化を示すグラフ、第8図は各種帯
電部材の電流と電圧との関係を測定する方法を示す説明
図、第9図はその測定結果を示すグラフ、第10図は本
発明の他の実施例を示す接触帯電装置の概略構成図であ
る。 1は被帯電体(感光ドラム)、2は帯電部材(帯電ロー
ラ)、2aは導電性基体(金属芯線)、2bφ2Cは抵
抗層、5は電源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、外部より交番電圧成分を含む脈流電圧を印加した導
電性基体上に、少なくとも二層からなる抵抗層を設けた
帯電部材を、被帯電体に接触させて帯電させる接触帯電
装置において、 被帯電体と接触する抵抗層の体積抵抗率を ρ_2、厚さをl_2としたとき、その積ρ_2l_2
が、 ρ_2l_2>8.4×10^2〔Ωcm^2〕を満た
し、 かつ被帯電体と接触する抵抗層の抵抗をR_2、静電容
量をC_2、比誘電率をε_2、真空中の誘電率をε_
0、被帯電体と接触する抵抗層の周長をL、被帯電体と
の接触ニップ幅をd、周面上の速さをVpとしたとき、 R_2C_2=ρ_2ε_2ε_0<(L−d)/4V
p〔s〕の関係を満たすことを特徴とする接触帯電装置
。 2、前記接触帯電装置において直流電圧を外部より印加
し被帯電体が帯電を開始する直流電圧の2倍以上のピー
ク間電圧を前記交番電圧の成分とすることを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載の接触帯電装置。 3、前記被帯電体と接触する抵抗層の体積抵抗率ρ_2
が、 8.4×10^4〜6.7×10^1^1〔Ωcm〕の
範囲内にあることを特徴とする特許請求の範囲第1項ま
たは第2項記載の接触帯電装置。 4、前記被帯電体と接触する抵抗層の比誘電率ε_2と
厚さl_2が、 ε_2/l_2>1.0×10^2〔1/cm〕を満た
すことを特徴とする特許請求の範囲第1項または第2項
記載の接触帯電装置。 5、前記被帯電体と接触する抵抗層と前記導電性基体と
の間にある抵抗層の体積抵抗率が、前記被帯電体と接触
する抵抗層の体積抵抗率の1/10以下であることを特
徴とする特許請求の範囲第1項または第2項記載の接触
帯電装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33115087A JPH01172858A (ja) | 1987-12-26 | 1987-12-26 | 接触帯電装置 |
EP88308464A EP0308185B1 (en) | 1987-09-14 | 1988-09-13 | A charging device |
DE3885830T DE3885830T2 (de) | 1987-09-14 | 1988-09-13 | Aufladevorrichtung. |
US07/753,027 US5126913A (en) | 1987-09-14 | 1991-08-29 | Charging device with contactable charging means and an image forming apparatus having the charging means and a detachable process unit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33115087A JPH01172858A (ja) | 1987-12-26 | 1987-12-26 | 接触帯電装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01172858A true JPH01172858A (ja) | 1989-07-07 |
Family
ID=18240429
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33115087A Pending JPH01172858A (ja) | 1987-09-14 | 1987-12-26 | 接触帯電装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01172858A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0228669A (ja) * | 1988-04-07 | 1990-01-30 | Yuniko Kk | 放電装置 |
US5017965A (en) * | 1989-07-05 | 1991-05-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Charging member and electrophotographic apparatus using the same |
US5140371A (en) * | 1989-12-25 | 1992-08-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Contact charging member, contact charging method making use of it, and apparatus making use of it |
KR100467189B1 (ko) * | 2001-06-21 | 2005-01-24 | 캐논 가부시끼가이샤 | 전자사진 장치 및 프로세스 카트리지 |
-
1987
- 1987-12-26 JP JP33115087A patent/JPH01172858A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0228669A (ja) * | 1988-04-07 | 1990-01-30 | Yuniko Kk | 放電装置 |
US5017965A (en) * | 1989-07-05 | 1991-05-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Charging member and electrophotographic apparatus using the same |
US5140371A (en) * | 1989-12-25 | 1992-08-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Contact charging member, contact charging method making use of it, and apparatus making use of it |
KR100467189B1 (ko) * | 2001-06-21 | 2005-01-24 | 캐논 가부시끼가이샤 | 전자사진 장치 및 프로세스 카트리지 |
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