JPH01172720A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
- Publication number
- JPH01172720A JPH01172720A JP33194587A JP33194587A JPH01172720A JP H01172720 A JPH01172720 A JP H01172720A JP 33194587 A JP33194587 A JP 33194587A JP 33194587 A JP33194587 A JP 33194587A JP H01172720 A JPH01172720 A JP H01172720A
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- JP
- Japan
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- pressure
- cap
- sensitive diaphragm
- stem
- intake
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は自動車などの内燃機関の吸入空気圧や大気圧ま
たはエキゾースト圧などを検出するのに用いる半導体圧
力センサに関する。
たはエキゾースト圧などを検出するのに用いる半導体圧
力センサに関する。
従来の技術
近年、自動車などの排気ガス規制の強化に伴い、自動車
用エンジンなどにおいては、その運転状態のいかんを問
わず常に最良の燃焼状態が得られるように制御してやる
必要がある。そこで、この−環として圧力変換器を用い
、エンジンの吸気圧力を検出して電気信号に変換し、こ
の信号で燃料の供給量を電子的に制御したり、点火時期
を制御してエンジンの燃焼状態を最適な状態に維持する
方法や、大気圧の変化を検知して高度補正を行なう方法
などが採用されるようになってきた。
用エンジンなどにおいては、その運転状態のいかんを問
わず常に最良の燃焼状態が得られるように制御してやる
必要がある。そこで、この−環として圧力変換器を用い
、エンジンの吸気圧力を検出して電気信号に変換し、こ
の信号で燃料の供給量を電子的に制御したり、点火時期
を制御してエンジンの燃焼状態を最適な状態に維持する
方法や、大気圧の変化を検知して高度補正を行なう方法
などが採用されるようになってきた。
ところで、このような自動車用として使用される圧力変
換器は耐熱性、耐震性などに優れたものが要求され、こ
れに応するものとして半導体歪ゲージ形の圧力センサが
広く採用されるようになってきた。これに伴い種々改良
された圧力センサが提案されている。
換器は耐熱性、耐震性などに優れたものが要求され、こ
れに応するものとして半導体歪ゲージ形の圧力センサが
広く採用されるようになってきた。これに伴い種々改良
された圧力センサが提案されている。
以下、従来の圧力センサのチップ構成の一例を図面を用
いて説明する。
いて説明する。
第5図は従来の半導体圧力センサの概略構成図である。
第5図において101はステム、102は台座で接合剤
103を用いてステム101上に固定している。104
はダイヤフラム106を有したシリコンダイヤフラムチ
ップで、ダイヤプラム106に圧力検出用ホイーストン
ブリノジ抵抗を設けて台座102上に取り付けている。
103を用いてステム101上に固定している。104
はダイヤフラム106を有したシリコンダイヤフラムチ
ップで、ダイヤプラム106に圧力検出用ホイーストン
ブリノジ抵抗を設けて台座102上に取り付けている。
105はステム101からの熱応力を緩和するため台座
102に設けた切り欠き溝である。107は台座102
を貫通して設けたリードピンで、台座102との隙間は
ガラス115でハーメチック封止状態にしている。10
8はシリコンダイヤフラムチップ104のブリッジ電極
とリードピン107とを接続した導電性のワイヤである
。109はステム101上に取り付けたシリコンダイヤ
フラムチップ104と台座102とを外側から覆って真
空チャンバー113を形成するキャップで、封止穴11
1を上部に設けている。114はステム101および台
座102内を通ってシリコンダイヤフラムチップ104
の下面に流体を導く圧力導入用のパイプで、ステム10
1の下面にロウ付けなどの手段で固定している。また台
座102はシリコンダイヤフラムチップ104と近似す
る熱膨張係数を有した材質で形成し、切り欠き溝105
とともにステム101からの熱応力を緩和している。
102に設けた切り欠き溝である。107は台座102
を貫通して設けたリードピンで、台座102との隙間は
ガラス115でハーメチック封止状態にしている。10
8はシリコンダイヤフラムチップ104のブリッジ電極
とリードピン107とを接続した導電性のワイヤである
。109はステム101上に取り付けたシリコンダイヤ
フラムチップ104と台座102とを外側から覆って真
空チャンバー113を形成するキャップで、封止穴11
1を上部に設けている。114はステム101および台
座102内を通ってシリコンダイヤフラムチップ104
の下面に流体を導く圧力導入用のパイプで、ステム10
1の下面にロウ付けなどの手段で固定している。また台
座102はシリコンダイヤフラムチップ104と近似す
る熱膨張係数を有した材質で形成し、切り欠き溝105
とともにステム101からの熱応力を緩和している。
そして上記従来の半導体圧力センナは組み立てる場合、
ステム101にキャップ109を取り付ける前に、まず
ステム、101側に台座102、シリコンダイヤフラム
チップ104、取付用リードピン107、ワイヤ108
および圧力導入パイプ114などを取り付けておく。次
に封止穴111を封止していない状態でキャップ109
をステム101に取り付け、圧接または溶接などの手段
でステム101の外周部110に封着接合する。この接
合後、真空中においてキャップ109内の空気を抜くと
同時に封止穴111をハンダ112で密閉封着する。す
るとキャップ109内に真空チャンバー113が形成さ
れて組み立てられる。
ステム101にキャップ109を取り付ける前に、まず
ステム、101側に台座102、シリコンダイヤフラム
チップ104、取付用リードピン107、ワイヤ108
および圧力導入パイプ114などを取り付けておく。次
に封止穴111を封止していない状態でキャップ109
をステム101に取り付け、圧接または溶接などの手段
でステム101の外周部110に封着接合する。この接
合後、真空中においてキャップ109内の空気を抜くと
同時に封止穴111をハンダ112で密閉封着する。す
るとキャップ109内に真空チャンバー113が形成さ
れて組み立てられる。
したがって、この半導体圧力センサではシリコンダイヤ
フラムチップ104のダイヤフラム106を真空チャン
バー113の中に収納しているので、この真空圧を基準
圧として圧力導入パイプ114から導入する流体を絶対
圧で測定できる。
フラムチップ104のダイヤフラム106を真空チャン
バー113の中に収納しているので、この真空圧を基準
圧として圧力導入パイプ114から導入する流体を絶対
圧で測定できる。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら上記従来の半導体圧力センサを用いた圧力
変換器では、ステム101や、台座102とステム10
1間の接合剤103からシリコンダイヤフラムチップ1
04に及ぼす熱応力の影響が大きく、この熱応力がシリ
コンダイヤフラムチップ104に歪みを与える。このた
めダイヤフラム106に形成したホイーストンブリッジ
抵抗の値が温度によってばらつき、これに伴い圧力検出
特性も大きくばらつく欠点があった。この問題は主にシ
リコンダイヤフラムチップ104、ステム101、台座
102および接合剤103の熱膨張係数の違いに起因す
るものである。
変換器では、ステム101や、台座102とステム10
1間の接合剤103からシリコンダイヤフラムチップ1
04に及ぼす熱応力の影響が大きく、この熱応力がシリ
コンダイヤフラムチップ104に歪みを与える。このた
めダイヤフラム106に形成したホイーストンブリッジ
抵抗の値が温度によってばらつき、これに伴い圧力検出
特性も大きくばらつく欠点があった。この問題は主にシ
リコンダイヤフラムチップ104、ステム101、台座
102および接合剤103の熱膨張係数の違いに起因す
るものである。
このため従来の半導体圧力センサの構造では、上述した
ように台座102にシリコンダイヤフラムチップ104
とできるだけ近似する熱膨張係数を有した材質を用いる
とともに、ステム101からの熱応力を緩和する目的で
台座102の厚みを高くしたり、あるいは台座102に
切り欠き溝105を設げるなどの手段を症している。こ
の結果、台座102の加工性が悪く、また接合する箇所
が多くなるため作業性も悪くコスト高になるばかりか信
頼性も低下していた。
ように台座102にシリコンダイヤフラムチップ104
とできるだけ近似する熱膨張係数を有した材質を用いる
とともに、ステム101からの熱応力を緩和する目的で
台座102の厚みを高くしたり、あるいは台座102に
切り欠き溝105を設げるなどの手段を症している。こ
の結果、台座102の加工性が悪く、また接合する箇所
が多くなるため作業性も悪くコスト高になるばかりか信
頼性も低下していた。
またキャップ109で真空チャンバー113を形成する
作業が難しく、さらにキャップ109が不透明材で形成
されているので組立後に真空チャンバー113の内部を
目視点検することができなかった。
作業が難しく、さらにキャップ109が不透明材で形成
されているので組立後に真空チャンバー113の内部を
目視点検することができなかった。
本発明はこのような従来の問題を解決するものであり、
圧力検出特性を改善するとともに構造を単純化して信頼
性の向上と品質の安定化およびコスト低減を図ることの
できる半導体圧力センサを提供することを目的とするも
のである。
圧力検出特性を改善するとともに構造を単純化して信頼
性の向上と品質の安定化およびコスト低減を図ることの
できる半導体圧力センサを提供することを目的とするも
のである。
問題点を解決するだめの手段
本発明は上記目的を達成するために、変形を検出して電
気信号を出力する手段を有する感圧ダイヤフラム面を設
けた半導体単結晶感圧ダイヤフラムチップと、透視ガラ
ス材で形成されて前記感圧ダイヤフラム面上に真空チャ
ンバーを形成したキャップとを備えた構成にしたもので
ある。
気信号を出力する手段を有する感圧ダイヤフラム面を設
けた半導体単結晶感圧ダイヤフラムチップと、透視ガラ
ス材で形成されて前記感圧ダイヤフラム面上に真空チャ
ンバーを形成したキャップとを備えた構成にしたもので
ある。
作用
したがって本発明によれば、キャップの材質をガラスに
しているので、キャンプをガラスハンダする際の信頼性
が向上する。またキャップで真空チャンバーを形成する
際に、真空中でキャップをガラスハンダして真空チャン
バーを形成する方法と、予めキャップに真空引き部を形
成しておきガラスハンダ封着後に真空引きをして熱封着
をする方法などを採用することができる。また透視ガラ
スでキャンプを形成しているので、キャップ内部の目視
点検が可能になる。
しているので、キャンプをガラスハンダする際の信頼性
が向上する。またキャップで真空チャンバーを形成する
際に、真空中でキャップをガラスハンダして真空チャン
バーを形成する方法と、予めキャップに真空引き部を形
成しておきガラスハンダ封着後に真空引きをして熱封着
をする方法などを採用することができる。また透視ガラ
スでキャンプを形成しているので、キャップ内部の目視
点検が可能になる。
実施例
第1図乃至第2図は本発明の一実施例の構成を示すもの
である。第1図乃至第2図において、1は中央部分に貫
通穴2を設けたステムで、貫通穴2を囲んだ周囲に合計
4個のリードピン取付穴3を設けてガラスまたはシリコ
ン材などで一体成形されている。4は中央に圧力導入孔
5を設けた圧力導入パイプで、貫通穴2に圧力導入孔5
を対応させてステム1にロウ付は接合している。6は取
付穴3に取り付けているリードピンで、一端ガステム1
の上面から突出し他端が下面から突出した状態で4個の
取付穴3に個々に配置し、さらに封着ガラス7でハーメ
チック封着されている。8はステム1と近似する熱膨張
係数を有した材質で形成している台座で、貫通穴2に対
応した貫通穴9を有し、また貫通穴2と貫通穴9とを対
応させた状態でステム1上に接合剤10を用いて封着さ
れている。11は中央に圧力検出用ホイーストンブリッ
ジ抵抗を形成してなる感圧ダイヤフラム面12を有した
半導体単結晶感圧ダイヤフラムチップである。この感圧
ダイヤフラムチップ11はステム1および台座8と近似
する熱膨張係数を有したガラスまたはシリコンなどで形
成されており、感圧ダイヤフラム面12を貫通穴9に対
応させた状態で台座8上に封着接合されている。13は
感圧ダイヤフラム面12上に形成した圧力検出用ホイー
ストンブリッジ抵抗とリードピン6とを電気接合した金
線などのワイヤーである。14は透視ガラス材で形成し
たキャップで、ステム1の外用部分に形成している環状
溝15内に端部を入れた後、ガラスハンダによって環状
溝15内で封着接合されている。そしてキャップ14を
取り付ける場合、圧力導入パイプ4、台座8、感圧ダイ
ヤフラムチップ11、ワイヤ13、リードピン6などを
ステム1に取り付けた後、このステム1とキャップ14
を真空中に配置させ、この真空中においてガラスハンダ
している。したがってステム1の上面にキャップ14で
真空チャンバー16が形成され、この真空チャンバー1
6で圧力測定時の基準圧を作る。そして、この基準圧が
0であることから圧力を絶対圧で測定することができる
尖りにしている。
である。第1図乃至第2図において、1は中央部分に貫
通穴2を設けたステムで、貫通穴2を囲んだ周囲に合計
4個のリードピン取付穴3を設けてガラスまたはシリコ
ン材などで一体成形されている。4は中央に圧力導入孔
5を設けた圧力導入パイプで、貫通穴2に圧力導入孔5
を対応させてステム1にロウ付は接合している。6は取
付穴3に取り付けているリードピンで、一端ガステム1
の上面から突出し他端が下面から突出した状態で4個の
取付穴3に個々に配置し、さらに封着ガラス7でハーメ
チック封着されている。8はステム1と近似する熱膨張
係数を有した材質で形成している台座で、貫通穴2に対
応した貫通穴9を有し、また貫通穴2と貫通穴9とを対
応させた状態でステム1上に接合剤10を用いて封着さ
れている。11は中央に圧力検出用ホイーストンブリッ
ジ抵抗を形成してなる感圧ダイヤフラム面12を有した
半導体単結晶感圧ダイヤフラムチップである。この感圧
ダイヤフラムチップ11はステム1および台座8と近似
する熱膨張係数を有したガラスまたはシリコンなどで形
成されており、感圧ダイヤフラム面12を貫通穴9に対
応させた状態で台座8上に封着接合されている。13は
感圧ダイヤフラム面12上に形成した圧力検出用ホイー
ストンブリッジ抵抗とリードピン6とを電気接合した金
線などのワイヤーである。14は透視ガラス材で形成し
たキャップで、ステム1の外用部分に形成している環状
溝15内に端部を入れた後、ガラスハンダによって環状
溝15内で封着接合されている。そしてキャップ14を
取り付ける場合、圧力導入パイプ4、台座8、感圧ダイ
ヤフラムチップ11、ワイヤ13、リードピン6などを
ステム1に取り付けた後、このステム1とキャップ14
を真空中に配置させ、この真空中においてガラスハンダ
している。したがってステム1の上面にキャップ14で
真空チャンバー16が形成され、この真空チャンバー1
6で圧力測定時の基準圧を作る。そして、この基準圧が
0であることから圧力を絶対圧で測定することができる
尖りにしている。
次に上記実施例の測定方法と動作について説明する。
上記実施例において、例えば内燃機関の吸入空気圧を測
定する場合は圧力導入パイプ4の他端を吸気マニホール
ドの吸気孔に接続する。すると、この接続で感圧ダイヤ
フラムチップ11の感圧ダイヤフラム面12にマニホー
ルド吸気孔からの流体が圧力導入パイプ4内を通って導
入され、これにより感圧ダイヤフラム面12に歪を与え
る。そして歪が感圧ダイヤフラム面12上に形成した圧
力検出用ホイーストンブリッジ抵抗系の抵抗値を変化さ
せ、この信号がリードプン6を通して外部に取り出され
る。すなわち、この抵、抗値を知ることにより吸気マニ
ホールド内の絶対圧を知ることができる。
定する場合は圧力導入パイプ4の他端を吸気マニホール
ドの吸気孔に接続する。すると、この接続で感圧ダイヤ
フラムチップ11の感圧ダイヤフラム面12にマニホー
ルド吸気孔からの流体が圧力導入パイプ4内を通って導
入され、これにより感圧ダイヤフラム面12に歪を与え
る。そして歪が感圧ダイヤフラム面12上に形成した圧
力検出用ホイーストンブリッジ抵抗系の抵抗値を変化さ
せ、この信号がリードプン6を通して外部に取り出され
る。すなわち、この抵、抗値を知ることにより吸気マニ
ホールド内の絶対圧を知ることができる。
したがって、この構造ではキャップ14を透視ガラスで
形成しているので組立完成後もキャップ14内に配置さ
れたワイヤ13の接続状態や、感圧ダイヤフラムチップ
11、台座8の封着接合状態などを外から目視すること
ができる。この結果、組立完成後であっても内部点検を
目視で行なうことができるので、品質が向上し、また信
頼性も得られる。さらにキャップをガラス材で形成して
いるので、ガラスハンダによる封着ができ真空チャンバ
ー16の形成が容易になる。
形成しているので組立完成後もキャップ14内に配置さ
れたワイヤ13の接続状態や、感圧ダイヤフラムチップ
11、台座8の封着接合状態などを外から目視すること
ができる。この結果、組立完成後であっても内部点検を
目視で行なうことができるので、品質が向上し、また信
頼性も得られる。さらにキャップをガラス材で形成して
いるので、ガラスハンダによる封着ができ真空チャンバ
ー16の形成が容易になる。
次に第3図乃至第4図は本発明の他の実施例の構成を示
すものである。第3図乃至第4図において第1図乃至第
2図と同一符号を付したものは第1図乃至第2図と同一
のものを示している。そして、この実施例ではキャップ
14の頂部に真空引き部17を続け、この真空引き部1
7でキャップ14内の空気を抜いた後真空引き部17を
熱封着させて真空チャンバー16を形成するように構成
したもので、その他の構造および測定方法は第1図乃至
第2図に示した実施例と同じである。
すものである。第3図乃至第4図において第1図乃至第
2図と同一符号を付したものは第1図乃至第2図と同一
のものを示している。そして、この実施例ではキャップ
14の頂部に真空引き部17を続け、この真空引き部1
7でキャップ14内の空気を抜いた後真空引き部17を
熱封着させて真空チャンバー16を形成するように構成
したもので、その他の構造および測定方法は第1図乃至
第2図に示した実施例と同じである。
発明の効果
本発明は上記実施例により明らかのように、キャップの
材質をガラスにしている。ので、キャップをガラスハン
ダで封着する作業が簡単になり、かつ真空度が向上して
センサとしての安定した出力特性が得られる。この透視
ガラス材でキャップを形成しているので、キャップの取
り付は後でもキャップ内部を目視することができ、点検
が容易になる。この結果、信頼性の向上と品質の安定化
およびコスト低減を図ることができる。
材質をガラスにしている。ので、キャップをガラスハン
ダで封着する作業が簡単になり、かつ真空度が向上して
センサとしての安定した出力特性が得られる。この透視
ガラス材でキャップを形成しているので、キャップの取
り付は後でもキャップ内部を目視することができ、点検
が容易になる。この結果、信頼性の向上と品質の安定化
およびコスト低減を図ることができる。
第1図は本発明の一実施例に係る半導体圧力センサの上
面図、第2図は第1図のA−A線に沿う断面図、第3図
は本発明の他の実施例に係る半導体圧力センサの上面図
、第4図は第3図のB−B線に溢う断面図、第5図は従
来の半導体圧力センサの一例を示した断面図である。 ■・・・ステム、4・・・圧力導入パイプ、6・・・リ
ードピン、訃・・台座、11・・・感圧ダイヤフラムチ
ップ、12・・・感圧ダイヤフラム面、13・・・ワイ
ヤ、14・・・キャップ、16・・・真空チャンバー、
17・・・真空引き部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名:
; 111 !ij! 一捗−<IQ:lミミう=ミ f 〜) \ \5 彎) \ 第3図 第4図 17−真室!1さ部第5図
面図、第2図は第1図のA−A線に沿う断面図、第3図
は本発明の他の実施例に係る半導体圧力センサの上面図
、第4図は第3図のB−B線に溢う断面図、第5図は従
来の半導体圧力センサの一例を示した断面図である。 ■・・・ステム、4・・・圧力導入パイプ、6・・・リ
ードピン、訃・・台座、11・・・感圧ダイヤフラムチ
ップ、12・・・感圧ダイヤフラム面、13・・・ワイ
ヤ、14・・・キャップ、16・・・真空チャンバー、
17・・・真空引き部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名:
; 111 !ij! 一捗−<IQ:lミミう=ミ f 〜) \ \5 彎) \ 第3図 第4図 17−真室!1さ部第5図
Claims (1)
- 変形を検出して電気信号を出力する手段を有する感圧ダ
イヤフラム面を設けた半導体単結晶感圧ダイヤフラムチ
ップと、透視ガラス材で形成されて前記感圧ダイアフラ
ム面上に真空チャンバーを形成したキャップとを備える
構成にした半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33194587A JPH01172720A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33194587A JPH01172720A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01172720A true JPH01172720A (ja) | 1989-07-07 |
Family
ID=18249401
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33194587A Pending JPH01172720A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01172720A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998005934A1 (de) * | 1996-08-06 | 1998-02-12 | Siemens Aktiengesellschaft | Elektronisches sensor-bauelement |
-
1987
- 1987-12-28 JP JP33194587A patent/JPH01172720A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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