JPH01172373A - インドリンの製造法 - Google Patents

インドリンの製造法

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JPH01172373A
JPH01172373A JP62329368A JP32936887A JPH01172373A JP H01172373 A JPH01172373 A JP H01172373A JP 62329368 A JP62329368 A JP 62329368A JP 32936887 A JP32936887 A JP 32936887A JP H01172373 A JPH01172373 A JP H01172373A
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JP
Japan
Prior art keywords
indole
catalyst
indoline
reaction
nickel catalyst
Prior art date
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Pending
Application number
JP62329368A
Other languages
English (en)
Inventor
Shoji Takeya
竹谷 彰二
Takenori Nakamura
猛紀 中村
Tomonao Mizoi
溝井 与直
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Air Water Inc
Original Assignee
Sumikin Chemical Co Ltd
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Publication date
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    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/584Recycling of catalysts

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  • Indole Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、インドールを所定のニッケル触媒の存在下
、接触水素化して高収率でインドリンを製造する方法に
関する。
[従来の技術] インドリンは、医薬品等の合成原料や農薬の中間化合物
として有用である。
インドリンを製造する方法としては、2(2゜−アミノ
フェニル)エタノールの閉環脱水を150〜550°C
で非晶質珪酸アルミニウムの存在下で行なう方法(特開
昭62−114959号公報)、ベンゼンと2−アミノ
エチルアルコールとを触媒の存在下に、気相反応させる
方法(特公昭61−50943号公報)等により合成す
る方法の他に、インドールを接触還元する方法が一般に
知られている。
従来のインドールまたはインドール誘導体を接触還元し
てインドリンを製造する方法としては、インドールまた
はインドール誘導体を亜鉛アマルガムで還元する方法(
特公昭44−32781号公報)、ピリジン系溶媒中に
てインドール誘導体に水素化硼素ナトリウムと金属塩化
物を作用させる方法(特開昭53−112871号公報
)、インドールまたはインドール誘導体を酸の存在下、
ラネーニッケル触媒により接触還元を行わせる方法(特
開昭59−65072号公報)等多くの提案が行われて
いる。
しかしながら、特公昭44−32781号公報の方法は
、亜鉛アマルガムの製造ならびにその後処理に問題があ
る。特開昭53−112871号公報の方法は、インド
ール誘導体に対して、水素化硼素ナトリウムおよび金属
塩化物を、例えば2〜10および1〜10倍モルと多量
に使用すると共に、反応後目的生成物の分離に水を添加
するため、失活して再使用ができず、工業的に有利な方
法ではない。また、特開昭59−65072号公報の方
法は、酸を使用するため、反応終了後触媒を除去したの
ち、中和操作が必要であり、操作が複雑になる。
還元触媒を用いてインドールに水素添加する接触水素化
法では、白金、パラジウムまたはルテニウム等の貴金属
触媒を使用する場合、高温高圧を必要とし、本発明者ら
が実験した結果によれば、核水素化の進行と共にピロー
ル核の開裂も起こり、○−メチルアニリンが生成してイ
ンドリンの生成率は満足すべきものではなかった。
また、接触還元触媒として、−船釣に広く採用されてい
るラネーニッケル触媒を使用し、インドールを水素化し
てインドリンを合成する場合、原料インドール中に含有
される不純物(明確ではないが、硫黄化合物系の物質で
あろうと考えられる)の触媒毒作用によって、触媒活性
が低下し、循環使用が困難であるという欠点があった。
[解決しようとする問題点] この発明は、前記欠点を解消し、安価でしかも触媒活性
の低下がほとんどなく、取り扱い易い特定のニッケル触
媒を循環使用し、比較的短時間でインドールを接触還元
し、インドリンを高収率で製造する方法を提供するもの
である。
[問題点を解決するための手段] 本発明者等は、前記欠点を解消し、インドールを接触還
元して安価に、かつ効率よくインドリンを製造する方法
について、鋭意試験研究の結果、無溶媒あるいは溶媒の
存在下、接触還元触媒として、乾式還元した硅藻土を担
体とするニッケル触媒を使用し、特定条件下でインドー
ルを水素化すれば、ピロール核への水素添加活性が高く
、しかもピロール核開裂が抑制されて高収率でインドリ
ンが生成すると共に、インドールに含有される不純物(
主に硫黄化合物と考えられる)の被毒が抑制され、触媒
活性が発現する温度でのシンタリングによる触媒劣化が
発生し難く、触媒の反復使用が十分可能であることを究
明し、この発明に想到したのである。
すなわち、この発明は、インドールを、乾式還元した硅
藻土を担体とする二・ンケル触媒の存在下、反応温度1
20〜180℃、水素圧力20 kg/ cm2・G以
上で水素化することを特徴とするインド1ノンの製造法
である。
この発明において、原料として使用されるインドールと
しては、合成インドールある%1はコールタールまたは
石炭液化油から分離回収されたコールタール系のインド
ールである。
使用する硅藻土を担体とする二・ンケル触媒としては、
乾式還元後冷却して水素をCO2ガスに置換したのち、
空気を徐々に加え、ゆっくり表面をわずかに酸化して安
定化させたものを使用する。
この硅藻土を担体とする二・ンケル触媒は、金属ニッケ
ルの表面を酸fヒ被膜でカバーした形態であるため、触
媒毒、特に有機硫黄化合物に対して耐毒性が大きく、触
媒活性も高く、反復使用しても劣化が起こり難い。この
硅藻土を担体とする二・ンゲル触媒の使用量は、本発明
者等の行った実験結果によれば(後述の実施例2、第2
図参照)、原料として使用するインドールに対して、1
〜20重量%、好ましくは2〜10重量%である。硅藻
土を担体とするニッケル触媒の使用量が、1重量%より
少ないと効率的に水素化反応を進行させることは難しく
、また、20重量%より多くなっても反応速度向上の効
果が見られず、触媒使用量が多くなって製造コストが高
くなり、経済的に不利となるばかりでなく、攪拌状態に
悪影響を及ぼす。
水素化反応の反応条件は、反応温度が120〜180℃
、好ましくは140〜160℃で、水素圧力は20 k
g/ Cl112−G以上、好ましくは40 kg/c
m2・G以上である。水素圧力の上限は、特に限定され
ないが、経済性を勘案して決定すべきである。
これは、反応温度が120℃より低くなると、水素化反
応は殆ど進行せず、一方180℃より高くなるとピロー
ル核の開裂が激しく起こってO−メチルアニリンが多く
副生じ、目的とするインドリンの生成率が低下する。水
素圧力は、20kg/Cm2・Gより低いと反応速度が
遅くなり過ぎるので、反応時間が長くなり、生産性が悪
くなる。
反応時間は、原則として水素の吸収が終了するまで行な
われるが、前記乾式還元ニッケル触媒を使用すれば、ビ
ロール核の水素化反応は反応温度によって若干具なるも
のの、短時間で平衡状態に達し、例Jば、120〜18
0℃の温度範囲では1〜2時間程度である。したがって
、1時間以上反応させれば十分である。
なお、水素化反応は、大過剰の水素ガス存在下に、バッ
チ式あるいは流通式で行なうことができるが、使用する
触媒の形状が粉末状であることがら、バッチ式が好まし
い。
水素化反応は、インドールと触媒を攪拌混合した状態で
行なわれるが、適当な溶媒を用い、インドールを希釈溶
解した状態で行なうこともできる。
この場合には、触媒活性の低下が殆どなく、しがち、反
応混合物と触媒の分離操作が容易となる利点がある。使
用する溶媒としては、種々のものが使用できるが、例え
ば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、メチルシクロヘキ
サンなど、沸点50〜150℃の脂肪族系または脂環族
炭化水素を用いるのが好ましい。溶媒の使用量は、原料
インドールに対して、1〜6重量倍、好ましくは2〜4
重量倍が適当である。
なお、水素化反応終了後、触媒をデカンテーションある
いは濾過等の手段によって分離したのち、反応混合物か
ら蒸留によりインドリンを高収率で取得でき、また、未
反応のインドールも回収できる。一方、分離された触媒
および回収されたインドールは、次回の反応に循環使用
することができるので有利である。
[実施例] 実施例1 インドール25gと硅藻土を担体とするニッケル触媒(
日揮化学■製、商品名N−103、[ニッケル49〜5
2%、硅藻土27〜29%、黒鉛4〜5%])1.25
gおよびヘキサン118gをオートクレーブに仕込み、
反応温度140℃、水素圧力50 kg/ cm2・G
の条件下、反応時間を0.5〜5時間に変化せしめて水
素化反応せしめた。各反応混合物を濾別し、ヘキサンを
除去したのち、ガスクロマトグラフィーを用いて各生成
物の組成を分析し、反応時間とインドリン生成率との関
係を求めた。その結果を第1図に示す。
実施例2 インドール25gと実施例1で使用したと同じニッケル
触媒0.25〜5.0g<対インドール1〜20重量%
)およびヘキサン118gをオートクレーブに仕込み、
反応温度140℃、水素圧力50 kg/ cm2・G
の条件で、1時間水素化反応せしめた。そして反応混合
物を実施例1と同様に処理し、触媒添加量とインドリン
生成率との関係を求めた。その結果を第2図に示す。
実施例3 インドール25gと実施例1で使用したと同じニッケル
触媒1.25gおよびヘキサン118gをオートクレー
ブに仕込み、ついで水素を20kg/cm2・Gまで仕
込んだのち、120℃に昇温しで2時間水素化反応せし
めた。反応中は水素の圧力を20kg/cm2・G一定
に保持した。反応終了後生成物を実施例1と同様に処理
した結果、生成物は、インドリン84.9%、インドー
ル12,6%、0−メチルアニリン2.5%であった。
実施例4 実施例3と同様に、インドール、ニッケル触媒およびヘ
キサンをオートクレーブに仕込み、反応温度160℃、
水素圧力50 kg/ cm2・Gで1時間反応させた
。反応混合物を実施例3と同様に処理した結果、生成物
は、インドリン83.5%、インドール12.4%、0
−メチルアニリン4.1%であった。
実施例5 溶媒のヘキサンをメチルシクロヘキサンに替えた以外は
、実施例3と同様に仕込み、反応温度140℃、水素圧
力60kg/cm2・Gで1時間反応せしめた。反応混
合液を実施例3と同様に処理した結果、生成物は、イン
ドリン86.8%、インドール7.9%、0−メチルア
ニリン5.3%であった。
実施例6 インドール75gと前述のニッケル触媒3.75gをオ
ートクレーブに仕込み、反応温度120℃、水素圧力6
0 kg/ cm2・Gの条件で3時間水素化反応せし
めた。反応混合物を実施例3と同様に処理した結果、生
成物は、インドリン77.1%、インドール19.9%
、O−メチルアニリン3゜0%であった。
実施例フ インドール34gと耐硫黄性ニッケル触媒(日揮化学株
製、N−113、[ニッケル44〜48%、Cr2〜3
%、Cu2〜3%、硅藻土25〜27%、黒鉛4〜5%
] )1.7gおよびヘキサン118gをオートクレー
ブに仕込み、反応温度150℃、水素圧力50kg/c
m2・Gの反応条件で1時間水素化反応せしめた。反応
終了後、反応混合物を実施例3と同様に処理した結果、
生成物は、インドリン82.9%、インドール13.6
%、O−メチルアニリン3.5%であった。
実施例8 実施例3と同様に、インドール、ニッケル触媒およびヘ
キサンをオートクレーブに仕込み、反応温度100℃、
水素圧力60 kg/ cm2−Gで6時間水素化反応
せしめた。反応終了後、反応混合物を実施例3と同様に
処理した結果、生成物は、インドール99.6%、その
他0.4%で、殆ど水素化反応が起こっていなかった。
実施例9 実施例3と同様に、インドール、ニッケル触媒およびヘ
キサンをオートクレーブに仕込み、反応温度200℃、
水素圧力50kg/cm”Gの条件下、1時間反応せし
めた0反応終了後、反応混合物を実施例3と同様に処理
した結果、生成物は、インドリン30゜1%、インドー
ル27.3%、0−メチルアニリン42.6%で、イン
ドリンの分解生成物が多く副生じていた。
実施例10 インドール75gと実施例1のニッケル触媒3.75g
およびヘキサン118gをオートクレーブに仕込み、反
応温度140℃、水素圧力100kg/cn+2・Gの
条件下で1時間水素化反応せしめた。
反応終了後、反応混合物を実施例3と同様に処理した結
果、生成物は、インドリン86.0%、インドール5,
3%、0−メチルアニリン8.7%であった。
また、生成物を理論段数20段のヘリパック充填式蒸留
装置に仕込み、圧力100mmHg、還流比10で蒸留
し、留出温度154〜155℃の留分65.5gを得た
。この留分のガスクロマトグラフィーによる組成分析は
、インドリン99.3%、インドール0.3%、その他
0.4%であった。また、原料インドールからのインド
リン収率は85.3モル%であった。
実施例11 インドール25gと実施例1のニッケル触媒1゜25g
およびヘキサン118gをオートクレーブに仕込み、反
応温度140℃、水素圧力50kg/cm2・Gの条件
下で1時間水素化反応せしめた。
反応終了後、反応混合液から濾過によって触媒を分離し
た。そして該触媒、インドール25gおよびヘキサン1
18gをオートクレーブに仕込み、同一条件で水素化反
応を繰り返し行った。
触媒の循環使用を7回行い、各々の反応混合物を実施例
3と同様に処理し、触媒の循環回数とインドリン収率と
の関係を求めた。その結果を第3図に示す。
第3図に示すとおり触媒を循環使用しても、インドリン
の収率が殆ど低下しない。これはこの触媒が循環使用で
きることを示すものである。
比較例1 インドール34g、メタノール100g、および20%
NaOH水溶液90gを15°C以下に保持し、ラネー
ニッケル(和光純薬味製)12gを1時間で添加したの
ち、90℃にて攪拌下15時間熟成後、濾過、水洗し、
メタノールで置換した展開ラネーニッケル触媒8gをオ
ートクレーブに仕込み、反応温度60℃、水素圧力20
 kg/ cm2・Gの条件下、6時間水素化反応せし
めた。
この反応混合物から濾過により触媒を分離し、分離した
ラネーニッケル触媒にインドール34gとメタノール1
00gをオートクレーブに佳込み、同−条件で水素化反
応を繰り返し行った。
触媒の循環使用は合計4回行い、各々の反応混合物をガ
スクロマトグラフィーで分析し、触媒の循環回数とイン
ドリン収率との関係を求めた。その結果を第4図に示す
。第4図に示すとおり、ラネーニッケル触媒の場合は、
インドリン収率が順次低下しており、循環使用できない
ことが判明した。
比較例2 インドール34g、5%パラジウム活性炭触媒く日本エ
ンゲルハルト社製)1、Ogおよびヘキサン118gを
オートクレーブに仕込み、反応温度150°C5水素圧
力5Qkg/cm2・Gの条件下、1時間水素化反応せ
しめた。
この反応混合物から触媒を濾過により除去したのち、ガ
スクロマトグラフィーで分析したところ、インドリン2
6.1%、インドール45.7%、Q−メチルアニリン
28.2%であった。
比較例3 触媒を5%ルテニウム活性炭(日本エンゲルAルト社製
)に替えた以外は、比較例2と同一条件で水素化反応せ
しめた。
この反応混合物から触媒を濾過により除去したのち、ガ
スクロマトグラフィーで分析したところ、インドリン4
1.5%、インドール28.6%、O−メチルアニリン
29.9%であった。
比較例4 触媒を5%白金活性炭(日本エンゲルハルト社製に替え
た以外は、比較例2と同一条件で水素化反応せしめた。
この反応混合物から触媒を濾過により除去したのち、ガ
スクロマトグラフィーで分析したところ、インドール9
9.8%、その他0.2%で、水素化反応は進行しなか
った。
参考例1 特開昭59−65072号公報に記載の発明方法に準じ
、インドール46.8g、メタノール100gおよび比
較例1と同一の方法で展開したラネーニッケル触媒を金
属でLog、さらに硫酸19.6gをオートクレーブに
仕込み、反応温度60℃、水素圧力10 kg/ cm
2・Gの条件下、2時間水素化反応せしめた。
反応終了後、反応混合物から濾過によって触媒を除去し
たのち、ガスクロマトグラフィーで分析したところ、イ
ンドリン13.1%、インドール86.9%であった。
参考例2 硫酸に替えて50%燐酸26.0gを用b)た以外は、
参考例1と同一条件で水素化反応せしめた。
得られた反応混合物を参考例1と同様に分析したところ
、インドリン61.5%、インドール38.5%であっ
た。
[発明の効果] 以上のとおりこの発明方法によれば、インドールを接触
還元してインドリンを製造するに際し、安価で、しかも
触媒活性の低下がほとんどなく、取り扱い容易な乾式還
元した硅藻土を担体とするニラゲル触媒を使用し、特定
の反応条件下で水素化反応せしめることによって、比較
的短時間でインドールを接触還元でき、しかも、インド
リンを高収率で製造できると共に、触媒が長期循環使用
できる等多くの利点を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の実施例1における反応時間とインド
リン生成率との関係をしめす線図、第2図は実施例2に
おける触媒添加量とインドリン生成率との関係を示す線
図、第3図は実施例11における乾式還元ニッケル触媒
循環回数とインドリン収率との関係を示す線図、第4図
は比較例1におけるラネーニッケル触媒循環回数とイン
ドリン生成率との関係を示す線図である。 特許出願人  住金化工株式会社 米7人りハ賽齋処 〉・X’t−>ハギ4!I−6

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. インドールを、乾式還元した硅藻土を担体とするニッケ
    ル触媒の存在下、反応温度120〜180℃、水素圧力
    20kg/cm^2・G以上で水素化することを特徴と
    するインドリンの製造法。
JP62329368A 1987-12-25 1987-12-25 インドリンの製造法 Pending JPH01172373A (ja)

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