JPH01171285A - 密着型イメージセンサー - Google Patents
密着型イメージセンサーInfo
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- JPH01171285A JPH01171285A JP62329226A JP32922687A JPH01171285A JP H01171285 A JPH01171285 A JP H01171285A JP 62329226 A JP62329226 A JP 62329226A JP 32922687 A JP32922687 A JP 32922687A JP H01171285 A JPH01171285 A JP H01171285A
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 75
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 3
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017875 a-SiN Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は密着型イメージセンサ−に関するものであり、
ファクシミリ用原稿に対し、１：１で対応させた光電変
換素子列に、下方から光を照射し、原稿に入射し、原稿
から反射した光を読み取る光センサーに応用される。
ファクシミリ用原稿に対し、１：１で対応させた光電変
換素子列に、下方から光を照射し、原稿に入射し、原稿
から反射した光を読み取る光センサーに応用される。
従来の特開昭５８−１２７４６３号に開示されているよ
うな密着型イメージセンサ−においては、採光窓を有す
る遮光層は単層であり、採光窓には光電変換素子に接す
る透明電極が延びてきて覆っている。従ってこの透明電
極の屈折率が、その上部に位置する透明保護層の屈折率
より大きい場合には、ある角度から入射した光はその境
界で全反射し、迷光となってしまう、このような迷光は
透明電極内を通り、光電変換素子に入射し、誤動作の原
因となることがあった。
うな密着型イメージセンサ−においては、採光窓を有す
る遮光層は単層であり、採光窓には光電変換素子に接す
る透明電極が延びてきて覆っている。従ってこの透明電
極の屈折率が、その上部に位置する透明保護層の屈折率
より大きい場合には、ある角度から入射した光はその境
界で全反射し、迷光となってしまう、このような迷光は
透明電極内を通り、光電変換素子に入射し、誤動作の原
因となることがあった。
また、特開昭５９−４８９５４号に開示されているよう
な密着型イメージセンサ−においては、遮光層が電気的
良導体で出来ており、この上に透明絶縁層があり、その
透明絶縁層上に下部金属電極がある。しかしながら、こ
の良導体遮光層は下部電極に対して透明絶縁層を介して
電位的に浮いている状態にある。従って、下部電極と遮
光層との間に電位差が出来ると、透明絶縁層を介して遮
光層に電荷が誘起され、浮遊容量が発生する。この浮遊
容量はセンサーの光応答速度に影響し、センサーの光応
答速度を遅くしてしまい、センサー感度を悪化させる欠
点があった。
な密着型イメージセンサ−においては、遮光層が電気的
良導体で出来ており、この上に透明絶縁層があり、その
透明絶縁層上に下部金属電極がある。しかしながら、こ
の良導体遮光層は下部電極に対して透明絶縁層を介して
電位的に浮いている状態にある。従って、下部電極と遮
光層との間に電位差が出来ると、透明絶縁層を介して遮
光層に電荷が誘起され、浮遊容量が発生する。この浮遊
容量はセンサーの光応答速度に影響し、センサーの光応
答速度を遅くしてしまい、センサー感度を悪化させる欠
点があった。
本発明は、迷光による誤動作を防止し、且つ良好なセン
サー感度を有するようにして、従来の欠点を克服した密
着型イメージセンサ−を提供することを目的とする。
サー感度を有するようにして、従来の欠点を克服した密
着型イメージセンサ−を提供することを目的とする。
本発明者等は前記目的を達成するために鋭意研究した結
果、光学的に透明な基板上に採光窓を有する遮光層及び
下部電極と上部電極とで挟まれた光電変換活性層を備え
ている密着型イメージセンサ−において、前記遮光層が
多層構造となっており、その少なくとも一層が光透過率
が１％以下の電気的良導体層であって、その一部が前記
下部電極と電気的に短絡しており、前記短絡部以外が不
良導体層で被覆されている多層構造となっていることを
特徴とする密着型イメージセンサ−を提供することによ
って前記目的が達成できることを見出した。
果、光学的に透明な基板上に採光窓を有する遮光層及び
下部電極と上部電極とで挟まれた光電変換活性層を備え
ている密着型イメージセンサ−において、前記遮光層が
多層構造となっており、その少なくとも一層が光透過率
が１％以下の電気的良導体層であって、その一部が前記
下部電極と電気的に短絡しており、前記短絡部以外が不
良導体層で被覆されている多層構造となっていることを
特徴とする密着型イメージセンサ−を提供することによ
って前記目的が達成できることを見出した。
本発明における多層構造の遮光層は、その一部が入射光
に対して反射防止機能を有することが好ましい。
に対して反射防止機能を有することが好ましい。
以下、本発明を添付図面に従ってさらに詳しく説明する
。
。
第１図（ａ）は本発明のセンサー列の一部を平面的に見
た図であり、第１図（ｂ）はこの第１図（ａ）のＡ−Ａ
’線に沿って切断した断面を示すものである。
た図であり、第１図（ｂ）はこの第１図（ａ）のＡ−Ａ
’線に沿って切断した断面を示すものである。
本発明の密着型イメージセンサ−の構成は、パイレック
スガラスや石英等の透明基板１上に、Ｃｒ、 Ｍｏ、
Ｔｉ等の単体金属あるいは合金による良導体遮光層２′
を形成し、その一部に採光用窓１１を設ける。この良導
体遮光層２′の上部に、ａ−５ｉＯＮ、 ａ−３ｉＯ，
、ａ−５ｉＮ等の透明絶縁層２“を単層あるいは多層構
造で形成し、この透明絶縁層２＃に良導遮光層２′と下
部金属電極４とのコンタクト部１２を作る。このように
本発明の特徴は遮光層２が良導体遮光層２′と透明絶縁
Ｎ２’との多層構造となっていることである。この透明
絶縁Ｍ２＃上に、 Ａｌ１． Ｃｒ、 Ｎｏ、 Ｔｉ、
Ｎｉ等の単体金属あるいは合金による下部金属電極４
を作る。
スガラスや石英等の透明基板１上に、Ｃｒ、 Ｍｏ、
Ｔｉ等の単体金属あるいは合金による良導体遮光層２′
を形成し、その一部に採光用窓１１を設ける。この良導
体遮光層２′の上部に、ａ−５ｉＯＮ、 ａ−３ｉＯ，
、ａ−５ｉＮ等の透明絶縁層２“を単層あるいは多層構
造で形成し、この透明絶縁層２＃に良導遮光層２′と下
部金属電極４とのコンタクト部１２を作る。このように
本発明の特徴は遮光層２が良導体遮光層２′と透明絶縁
Ｎ２’との多層構造となっていることである。この透明
絶縁Ｍ２＃上に、 Ａｌ１． Ｃｒ、 Ｎｏ、 Ｔｉ、
Ｎｉ等の単体金属あるいは合金による下部金属電極４
を作る。
この下部電極上４にＳｉ２等の光電変換活性層５を採光
窓１１の近くに形成し、光電変換活性層５の上にＩＴＯ
等の透明電極７を作る。この透明電極７の部分を除いた
他の全体にａ−５ｉＯＮ、 ａ−５ｉＯ，。
窓１１の近くに形成し、光電変換活性層５の上にＩＴＯ
等の透明電極７を作る。この透明電極７の部分を除いた
他の全体にａ−５ｉＯＮ、 ａ−５ｉＯ，。
ａ−３ｉＮ等の透明な電極間絶縁層６を形成し、この電
極間絶縁層６上に、透明電極７と一部が電気的に接する
ように、ＡＱ、 Ｃｒ、 Ｍｏ、 Ｔｉ、 Ｎｉ等の単
体金属あるいは合金による上部電極８を形成する。そし
て全体を覆うように、ａ−５ｘＯＮ ＋ａ−９ｉＯ，，
ａ−５ｉＮ等あるいは透明な有機樹脂等の透明保護層９
を形成し、その上に薄膜ガラス１０およびａ−５ｉ、Ｎ
４．Ｃ−ＢＮ、 Ｂ−Ｃ−Ｎ−Ｈ等の耐摩耗層１５を設
ける。以上が本発明によるセンサーの構成である。１３
は光源からの光で、この光が採光窓１１を通り、Ｍ稿１
４に入射する。原稿の濃淡に対応した反射光が透明電極
７を通り、光電変換活性層５に入射し、光電変換が起こ
り、密着型イメージセンサ−として働く。
極間絶縁層６上に、透明電極７と一部が電気的に接する
ように、ＡＱ、 Ｃｒ、 Ｍｏ、 Ｔｉ、 Ｎｉ等の単
体金属あるいは合金による上部電極８を形成する。そし
て全体を覆うように、ａ−５ｘＯＮ ＋ａ−９ｉＯ，，
ａ−５ｉＮ等あるいは透明な有機樹脂等の透明保護層９
を形成し、その上に薄膜ガラス１０およびａ−５ｉ、Ｎ
４．Ｃ−ＢＮ、 Ｂ−Ｃ−Ｎ−Ｈ等の耐摩耗層１５を設
ける。以上が本発明によるセンサーの構成である。１３
は光源からの光で、この光が採光窓１１を通り、Ｍ稿１
４に入射する。原稿の濃淡に対応した反射光が透明電極
７を通り、光電変換活性層５に入射し、光電変換が起こ
り、密着型イメージセンサ−として働く。
本発明では、センサー構造上、良導体遮光層２′と透明
絶縁層２“とが全体としての遮光層２となる。また構造
上、透明絶縁層２“と光電変換活性層５とが、直接に境
界をなしていない。
絶縁層２“とが全体としての遮光層２となる。また構造
上、透明絶縁層２“と光電変換活性層５とが、直接に境
界をなしていない。
したがって、透明絶縁層２″を単層とし、電極間絶縁層
６より屈折率の小さい材料を使うことで、透明絶縁層２
＃と電極間絶縁層６との境界で、全反射を起こさなくす
ることができる。逆に屈折率の大きい材料を使う場合に
は、透明絶縁層２＃と電極間絶縁層６との境界で、ある
程度以上の角度で入射する光の全反射が起こるが、構造
上光電変換活性層へ余分な光が漏れることなく、また斜
めからの余分な光をカットすることができる利点がある
。また透明保護層９を多層にすることでも、同様の効果
を期することができる。したがって迷光による誤動作は
起こらないことになる。
６より屈折率の小さい材料を使うことで、透明絶縁層２
＃と電極間絶縁層６との境界で、全反射を起こさなくす
ることができる。逆に屈折率の大きい材料を使う場合に
は、透明絶縁層２＃と電極間絶縁層６との境界で、ある
程度以上の角度で入射する光の全反射が起こるが、構造
上光電変換活性層へ余分な光が漏れることなく、また斜
めからの余分な光をカットすることができる利点がある
。また透明保護層９を多層にすることでも、同様の効果
を期することができる。したがって迷光による誤動作は
起こらないことになる。
また、良導体遮光層２′と下部電極４とをコンタクト部
により電気的に短絡して遮光Ｍ２’と下部電極４との電
気抵抗を小さくしているため、下部電極に電流が流れて
いても下部電極４と良導体遮光層２′との間に電位差は
生じない。
により電気的に短絡して遮光Ｍ２’と下部電極４との電
気抵抗を小さくしているため、下部電極に電流が流れて
いても下部電極４と良導体遮光層２′との間に電位差は
生じない。
したがって下部電極４と良導体遮光膜２′との間に浮遊
容量は発生せず、光応答の遅れは無くなることになり、
センサー感度を上げることが出来る。
容量は発生せず、光応答の遅れは無くなることになり、
センサー感度を上げることが出来る。
以下、本発明を下記の実施例によってさらに具体的に説
明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
実施例１
良導体遮光層２′をＣｒ、透明絶縁体２“をａ−５ｉｏ
４、下部電極４をＣｒとしてセンサーを作成する。Ｃｒ
は低抵抗で、可視光に対する光透過率を１％以下に抑え
ることができるため、良導体遮光層及び下部電極として
使用できる。ａ−３ｉＯ□は比抵抗が高く、また可視光
に対する光透過率が９５％以上で、Ｐ−ＣＶＤ法によっ
て容易に形成できる。
４、下部電極４をＣｒとしてセンサーを作成する。Ｃｒ
は低抵抗で、可視光に対する光透過率を１％以下に抑え
ることができるため、良導体遮光層及び下部電極として
使用できる。ａ−３ｉＯ□は比抵抗が高く、また可視光
に対する光透過率が９５％以上で、Ｐ−ＣＶＤ法によっ
て容易に形成できる。
良導体遮光層Ｃｒは真空蒸着法によって形成する。５
Ｘ １０−＠Ｔｏｒｒ以上の高真空で、基板温度８０℃
、タングステンボートの電流が２００人で二Ｃｒペレッ
トを昇華させ、１〜２人／Ｓで、１５００人蒸着ｍ６゜
透明絶縁層６は５ｉＯＮをＰ−ＣＶＤ法により蒸着する
。基板温度を２４０℃とし、ガス流量はＳｉＨ，／Ｃｏ
、／Ｎ、を１２／３００／３００ｓｅｃｍの割合で圧力
を１ｔｏｒｒ＋ ＲＦパワー３００ｗ、蒸着速度約３．
８人／Ｓで、２μｍ蒸着する。下部電極Ｃｒは真空蒸着
法で良導体遮光層と同様の条件で１５００人蒸着ｍ６．
光電変換活性層５はａ−５ｉＨをＰ−ＣＶＤ法により蒸
着する。基板温度は２４０℃、ガス流量は５ｉＨＪＨ，
を３０／１２０ｓｅｃｍの割合で、圧力１ｔｏｒｒ、
ＲＦパワー６０Ｗ、蒸着速度は４．６人／Ｓで、１．７
５μｍ蒸着する。透明電極７はＩＴＯをスパッタ法によ
る蒸着する。基板温度は２５０℃、ガスはＡｒＡｒ４５
ｓｃ、 ０□０．３ｓｃｃｍとし、ＲＦパワー４００Ｉ
Ｊ、蒸着速度は約０．３１人／Ｓで、７５０人蒸人蒸る
。電極間絶縁層６はａ−３ｉＯＮ膜をＰ−ＣＶＯにより
透明絶縁層と同様の条件で４０００人蒸着ｍ６゜上部電
極８としてのＣｒは真空蒸着法で良導体遮光層と同様の
条件で１０００人蒸着ｍ６゜透明保護層９はａ−５ｉＯ
ＮをＰ−ＣＶＤ法により透明絶縁層と同様に条件で１μ
ｍ蒸着する。この上に耐摩耗Ｊ’ｌ１５を備えた薄膜ガ
ラス１０を接着し、センサーを作る。途中、採光窓１１
や、良導体遮光層２′の形状形成及びその他の層の形状
形成はフォトリソグラフィーを用いる。
Ｘ １０−＠Ｔｏｒｒ以上の高真空で、基板温度８０℃
、タングステンボートの電流が２００人で二Ｃｒペレッ
トを昇華させ、１〜２人／Ｓで、１５００人蒸着ｍ６゜
透明絶縁層６は５ｉＯＮをＰ−ＣＶＤ法により蒸着する
。基板温度を２４０℃とし、ガス流量はＳｉＨ，／Ｃｏ
、／Ｎ、を１２／３００／３００ｓｅｃｍの割合で圧力
を１ｔｏｒｒ＋ ＲＦパワー３００ｗ、蒸着速度約３．
８人／Ｓで、２μｍ蒸着する。下部電極Ｃｒは真空蒸着
法で良導体遮光層と同様の条件で１５００人蒸着ｍ６．
光電変換活性層５はａ−５ｉＨをＰ−ＣＶＤ法により蒸
着する。基板温度は２４０℃、ガス流量は５ｉＨＪＨ，
を３０／１２０ｓｅｃｍの割合で、圧力１ｔｏｒｒ、
ＲＦパワー６０Ｗ、蒸着速度は４．６人／Ｓで、１．７
５μｍ蒸着する。透明電極７はＩＴＯをスパッタ法によ
る蒸着する。基板温度は２５０℃、ガスはＡｒＡｒ４５
ｓｃ、 ０□０．３ｓｃｃｍとし、ＲＦパワー４００Ｉ
Ｊ、蒸着速度は約０．３１人／Ｓで、７５０人蒸人蒸る
。電極間絶縁層６はａ−３ｉＯＮ膜をＰ−ＣＶＯにより
透明絶縁層と同様の条件で４０００人蒸着ｍ６゜上部電
極８としてのＣｒは真空蒸着法で良導体遮光層と同様の
条件で１０００人蒸着ｍ６゜透明保護層９はａ−５ｉＯ
ＮをＰ−ＣＶＤ法により透明絶縁層と同様に条件で１μ
ｍ蒸着する。この上に耐摩耗Ｊ’ｌ１５を備えた薄膜ガ
ラス１０を接着し、センサーを作る。途中、採光窓１１
や、良導体遮光層２′の形状形成及びその他の層の形状
形成はフォトリソグラフィーを用いる。
実施例２
下部電極４をＡＱ／Ｃｒの２層構造にした以外は、実施
例１と同様の条件でセンサーを作る。ＡＱはＣｒに比べ
抵抗が小さく、全体として抵抗を小さくできる。Ａｎ／
Ｃｒは真空蒸着法により蒸着する。
例１と同様の条件でセンサーを作る。ＡＱはＣｒに比べ
抵抗が小さく、全体として抵抗を小さくできる。Ａｎ／
Ｃｒは真空蒸着法により蒸着する。
まず、Ｃｒを実施例１と同様の条件で１０００人蒸着ｍ
６続いてＡＱを５ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ以上の高真空
で室温でタングステンボートに２０ＯＡの電流でＡＱを
蒸着する。蒸着速度は５０〜１００人／Ｓで１μｍ付け
る。
６続いてＡＱを５ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ以上の高真空
で室温でタングステンボートに２０ＯＡの電流でＡＱを
蒸着する。蒸着速度は５０〜１００人／Ｓで１μｍ付け
る。
実施例３
透明絶縁層２′としてａ−ＳｉＮを使用した以外は実施
例１と同様の条件でセンサーを作る。
例１と同様の条件でセンサーを作る。
ａ−５ｉＮは低抵抗で可視光に対する光透過率が高く、
また屈折率を大きくすることができる。
また屈折率を大きくすることができる。
ａ−５ｉＮ膜はＰ−ＣＶＤ法により、基板温度を２５０
℃、ガス流量は５ｉＨＪＮ、を１２／３００ｓｅｃｍの
割合で、圧力１．０ｔｏｒｒ、 ＲＦパワー３００υで
蒸着し、膜厚は１．７５μｍである。
℃、ガス流量は５ｉＨＪＮ、を１２／３００ｓｅｃｍの
割合で、圧力１．０ｔｏｒｒ、 ＲＦパワー３００υで
蒸着し、膜厚は１．７５μｍである。
実施例４
良導体遮光層２′としてＭｏを使用した以外は、実施例
１と同様の条件でセンサーを作る。ＭＯは高剛性で、高
融点を有し、低抵抗であり、良導体遮光層として使用可
能である。Ｍｏは高融点（２６１０℃）であるため、電
子ビーム蒸着法によって２０００人付けた。
１と同様の条件でセンサーを作る。ＭＯは高剛性で、高
融点を有し、低抵抗であり、良導体遮光層として使用可
能である。Ｍｏは高融点（２６１０℃）であるため、電
子ビーム蒸着法によって２０００人付けた。
実施例５
下部電極４としてＮｉＣｒを使用した以外は、実施例１
と同様の条件でセンサーを作る。ＮｉＣｒは蒸着速度を
大きくすることができる＊ ＮｘＣｒは真空蒸着法によ
る蒸着する。５ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ以上の高真空で
、基板温度８０”Ｃで、タングステンボートに２０ＯＡ
の電流でＮｉＣｒペレットを昇華させ、１５００人付け
る。
と同様の条件でセンサーを作る。ＮｉＣｒは蒸着速度を
大きくすることができる＊ ＮｘＣｒは真空蒸着法によ
る蒸着する。５ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ以上の高真空で
、基板温度８０”Ｃで、タングステンボートに２０ＯＡ
の電流でＮｉＣｒペレットを昇華させ、１５００人付け
る。
実施例１〜５で製造した本発明のイメージセンサ−につ
いてその特性を下記のように評価した。
いてその特性を下記のように評価した。
良導体遮光Ｍ２’にＣｒを使用することより可視光に対
する光透過率が１％以下、比抵抗が１７Ω・ｍにでき、
Ｎｏを使用することにより可視光に対する光透過率が１
％以下、比抵抗が５．６Ω・ｍである膜が得られた。透
明絶縁層２＃にａ−５ｉＯ□を用いることで可視光に対
する光透過率９５％以上、比抵抗約１０１４Ω・ｍ、屈
折率１．４５の膜が得られ、ａ−３ｉＮを用いることで
可視光に対する光透過率９５％以上、比抵抗約１０１４
Ω・ｍ、屈折率１．７の膜が得られた。下部電極４にＣ
ｒを用いることで比抵抗を１７Ω・ｍ、 ＡＱ／Ｃｒを
用いることで比抵抗を３Ω・ｍ、 ＣｒＮｉを用いるこ
とで比抵抗が９０〜１１０Ω・ｍである膜が得られた。
する光透過率が１％以下、比抵抗が１７Ω・ｍにでき、
Ｎｏを使用することにより可視光に対する光透過率が１
％以下、比抵抗が５．６Ω・ｍである膜が得られた。透
明絶縁層２＃にａ−５ｉＯ□を用いることで可視光に対
する光透過率９５％以上、比抵抗約１０１４Ω・ｍ、屈
折率１．４５の膜が得られ、ａ−３ｉＮを用いることで
可視光に対する光透過率９５％以上、比抵抗約１０１４
Ω・ｍ、屈折率１．７の膜が得られた。下部電極４にＣ
ｒを用いることで比抵抗を１７Ω・ｍ、 ＡＱ／Ｃｒを
用いることで比抵抗を３Ω・ｍ、 ＣｒＮｉを用いるこ
とで比抵抗が９０〜１１０Ω・ｍである膜が得られた。
実施例１〜５で得られたセンサーの特性を、センサー感
度、迷光、ＭＴＦに関して表にまとめたものを下記の表
１に示す。この結果から、遮光層２を多層構造にし、少
なくとも一層を電気的に良導電体である遮光層を用いる
ことにより、良いセンサー特性を得ることができた。セ
ンサー感度については、電気的に良導体である遮光層２
′と下部電極４とを電気的に短絡することによって向上
させることができた。迷光に関しては、透明絶縁層２＃
を１層としたが、光透過率の高い材料を使用することで
反射光を少なくし、光の損失を小さくでき、透明絶縁層
２＃に屈折率の大きい材料を使用することで、斜めから
入射する余分な光に対し、透明絶縁層２＃と電極間絶縁
層６との境界で全反射を起こすことで、不要な光をカッ
トすることができ、迷光を抑えることができた。また透
明保護層を２層以上とすれば、さらに迷光を抑えること
ができる。迷光を抑えることができたことで、ＭＴＦも
センサー感度も改良することができ、良い結果が得られ
た。
度、迷光、ＭＴＦに関して表にまとめたものを下記の表
１に示す。この結果から、遮光層２を多層構造にし、少
なくとも一層を電気的に良導電体である遮光層を用いる
ことにより、良いセンサー特性を得ることができた。セ
ンサー感度については、電気的に良導体である遮光層２
′と下部電極４とを電気的に短絡することによって向上
させることができた。迷光に関しては、透明絶縁層２＃
を１層としたが、光透過率の高い材料を使用することで
反射光を少なくし、光の損失を小さくでき、透明絶縁層
２＃に屈折率の大きい材料を使用することで、斜めから
入射する余分な光に対し、透明絶縁層２＃と電極間絶縁
層６との境界で全反射を起こすことで、不要な光をカッ
トすることができ、迷光を抑えることができた。また透
明保護層を２層以上とすれば、さらに迷光を抑えること
ができる。迷光を抑えることができたことで、ＭＴＦも
センサー感度も改良することができ、良い結果が得られ
た。
（以下余白）
表１ 実施例１〜５のセンサーのセンサー特性〔効
果〕 以上述べたように、本発明の密着型イメージセンサ−は
、遮光層が多層構造となっていることによって迷光が抑
制されてＭＴＦ特性が向上しており、遮光層と下部電極
との間の抵抗が低減された構造となっていることによっ
て感度が向上している。
果〕 以上述べたように、本発明の密着型イメージセンサ−は
、遮光層が多層構造となっていることによって迷光が抑
制されてＭＴＦ特性が向上しており、遮光層と下部電極
との間の抵抗が低減された構造となっていることによっ
て感度が向上している。
第１図（ａ）は本発明のセンサー列の一部を平面的に見
た説明図であり、第１図（ｂ）は第１図（、）のＡ−Ａ
’線に沿って切断した断面を示す説明図である。 １・・・基板 ２・・・遮光層２′・・・良
導体遮光層 ２＃・・・透明絶縁層４・・・下部電極
５・・・光電変換活性層６・・・電極間絶縁層
７・・・透明電極８・・・上部電極 ９・・
・透明保護層１０・・・薄膜ガラス １１・・・採
光窓１２・・・良導体遮光層２′と下部電極４とのコン
タクト部１３・・・光 １４・・・原稿１
５・・・耐摩耗層 特許出願人 株式会社リコー外２名 ６− 鋪不め山宛 手続補正書 昭和６３年２月４−日 昭和６２年特許願第３２９２２６号 ２、発明の名称 密着型イメージセンサ− ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 （６７４）株式会社リ コー （外２名）代表者 浜
１） 広 ４、代理人 東京都千代田区麹町４丁目５番地（〒１０２）明細書第
９頁第３行の「同様に」を「同様の」と訂正する。 以上
た説明図であり、第１図（ｂ）は第１図（、）のＡ−Ａ
’線に沿って切断した断面を示す説明図である。 １・・・基板 ２・・・遮光層２′・・・良
導体遮光層 ２＃・・・透明絶縁層４・・・下部電極
５・・・光電変換活性層６・・・電極間絶縁層
７・・・透明電極８・・・上部電極 ９・・
・透明保護層１０・・・薄膜ガラス １１・・・採
光窓１２・・・良導体遮光層２′と下部電極４とのコン
タクト部１３・・・光 １４・・・原稿１
５・・・耐摩耗層 特許出願人 株式会社リコー外２名 ６− 鋪不め山宛 手続補正書 昭和６３年２月４−日 昭和６２年特許願第３２９２２６号 ２、発明の名称 密着型イメージセンサ− ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 （６７４）株式会社リ コー （外２名）代表者 浜
１） 広 ４、代理人 東京都千代田区麹町４丁目５番地（〒１０２）明細書第
９頁第３行の「同様に」を「同様の」と訂正する。 以上
Claims (1)
- １、光学的に透明な基板上に採光窓を有する遮光層及び
下部電極と上部電極とで挟まれた光電変換活性層を備え
ている密着型イメージセンサーにおいて、前記遮光層が
多層構造となっており、その少なくとも一層が光透過率
が１％以下の電気的良導体層であって、その一部が前記
下部電極と電気的に短絡しており、前記短絡部以外は不
良導体層が被覆されている多層構造となっていることを
特徴とする密着型イメージセンサー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62329226A JPH01171285A (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 密着型イメージセンサー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62329226A JPH01171285A (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 密着型イメージセンサー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01171285A true JPH01171285A (ja) | 1989-07-06 |
Family
ID=18219059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62329226A Pending JPH01171285A (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 密着型イメージセンサー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01171285A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02159763A (ja) * | 1988-12-14 | 1990-06-19 | Oki Electric Ind Co Ltd | 受光素子 |
-
1987
- 1987-12-25 JP JP62329226A patent/JPH01171285A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02159763A (ja) * | 1988-12-14 | 1990-06-19 | Oki Electric Ind Co Ltd | 受光素子 |
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