JPH01166323A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH01166323A JPH01166323A JP62324621A JP32462187A JPH01166323A JP H01166323 A JPH01166323 A JP H01166323A JP 62324621 A JP62324621 A JP 62324621A JP 32462187 A JP32462187 A JP 32462187A JP H01166323 A JPH01166323 A JP H01166323A
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- JP
- Japan
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- film
- fine particles
- magnetic recording
- hard
- recording medium
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度磁気記録再生に適する強磁性金属薄膜を
磁気記録層とする磁気記録媒体に関する。
磁気記録層とする磁気記録媒体に関する。
従来の技術
従来より磁気記録層として広く用いられている塗布型の
磁性層は、今後共々短波長化する磁気記録において十分
なC/Nt−確保することがむずかしくなってきており
、代ってGo −Or 、 Go−Ni−0等の強磁性
金属薄膜を磁気記録層とする磁気記録媒体の実用化が期
待されている〔アイイーイーイー トランザクションズ
オン マグネティクス(lXIC:E TRANSA
CTIONS ON MAGNKTIC5)Vog。
磁性層は、今後共々短波長化する磁気記録において十分
なC/Nt−確保することがむずかしくなってきており
、代ってGo −Or 、 Go−Ni−0等の強磁性
金属薄膜を磁気記録層とする磁気記録媒体の実用化が期
待されている〔アイイーイーイー トランザクションズ
オン マグネティクス(lXIC:E TRANSA
CTIONS ON MAGNKTIC5)Vog。
MAG −21、No−3,1217〜1220(19
85))。
85))。
かかる構成の磁気記録媒体の実用化には、磁気ヘッドと
の高速摺接運動に於ける耐久性の確保が不可欠で、その
点からの改善提案が増えてきている〔例えば、特開昭5
3−88704号公報、同69−121631号公報、
同59−171026号公報、同62−197917号
公報〕。中でも、磁気記録層に微細な凹凸を形成する方
法は、磁気記録層の耐久性向上効果が大きく注目されて
いる〔アイイーイーイー トランザクションズ オンマ
グネティクス(IEIEICTRANSACTIONS
ONMムGNETIC3) VOloMAG−21N
o、5 1524〜1526(198B))。
の高速摺接運動に於ける耐久性の確保が不可欠で、その
点からの改善提案が増えてきている〔例えば、特開昭5
3−88704号公報、同69−121631号公報、
同59−171026号公報、同62−197917号
公報〕。中でも、磁気記録層に微細な凹凸を形成する方
法は、磁気記録層の耐久性向上効果が大きく注目されて
いる〔アイイーイーイー トランザクションズ オンマ
グネティクス(IEIEICTRANSACTIONS
ONMムGNETIC3) VOloMAG−21N
o、5 1524〜1526(198B))。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、高分子フィルム上に、五1205 ’s
io cao 、ポリエチレ湧等の微粒子を塗布固定
I した、微粒子塗布層を配した上に電子ビーム蒸着法、ス
パッタリング法等で強磁性金属薄膜を配し。
io cao 、ポリエチレ湧等の微粒子を塗布固定
I した、微粒子塗布層を配した上に電子ビーム蒸着法、ス
パッタリング法等で強磁性金属薄膜を配し。
保護潤滑層を配した磁気記録媒体は、記録波長が0.6
μm以下になると、C/Nが不十分で改善が望まれてい
た。
μm以下になると、C/Nが不十分で改善が望まれてい
た。
本発明は上記した事情に鑑みなされたもので短Ω
波長でC/Hの良好な磁気記録媒体全提供するものであ
る。
る。
問題点を解決するための手段
上記した問題点を解決するために、本発明の磁気記録媒
体は、平滑な高分子フィルム上に強磁性金属薄膜を配し
た上に、微粒子を含む、硬質膜を配したものである。
体は、平滑な高分子フィルム上に強磁性金属薄膜を配し
た上に、微粒子を含む、硬質膜を配したものである。
作用
本発明の磁気記録媒体は上記した構成により、母性ノイ
ズが改善されることでC/Nとしての改善が短波長域で
顕著な効果をもたらし、耐久性は、微粒子を含む硬質膜
に工9確保できることになり、耐久性とCAを高水準で
バランスさせることができる。
ズが改善されることでC/Nとしての改善が短波長域で
顕著な効果をもたらし、耐久性は、微粒子を含む硬質膜
に工9確保できることになり、耐久性とCAを高水準で
バランスさせることができる。
実施例
以下、図面を参照しながら本発明の一実施例について詳
しく説明する。図は本発明の一実施例の磁気記録媒体の
拡大断面図である。図で■は、厚み4μmから20μm
、平均粗さが10人から60人、最大粗さ100Å以下
の平滑な高分子フィルムで、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルイミド
、ポリエーテルサルフォノ。ポリイミド等から成るもの
で、■は、Co −Ni 、 Go−Fe 、 Co−
0r 。
しく説明する。図は本発明の一実施例の磁気記録媒体の
拡大断面図である。図で■は、厚み4μmから20μm
、平均粗さが10人から60人、最大粗さ100Å以下
の平滑な高分子フィルムで、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルイミド
、ポリエーテルサルフォノ。ポリイミド等から成るもの
で、■は、Co −Ni 、 Go−Fe 、 Co−
0r 。
Go −Bi 、 Go −Ti 、 Go −W 、
Go−Mo 、 G。
Go−Mo 、 G。
−Si 、 Co −5m 、 Go −’i 、 G
o −0、Go −Ni−O、Go −Car−Wb
、 Go−Or−Ru等の強磁性金属薄膜で、電子ビー
ム蒸着法、高周波スパッタリング法、イオンブレーティ
ング法等により形成されるもので、■は、ム120.
、 Bi□O,、CaO。
o −0、Go −Ni−O、Go −Car−Wb
、 Go−Or−Ru等の強磁性金属薄膜で、電子ビー
ム蒸着法、高周波スパッタリング法、イオンブレーティ
ング法等により形成されるもので、■は、ム120.
、 Bi□O,、CaO。
(aC;OEu O、HfO2,5in2.5b20.
、 Tie□。
、 Tie□。
3 参 25
WO,等の直径20人から100人の微粒子を配しその
上にBN膜、ダイアモンド硬質炭素膜等の、硬質膜全6
0人から15050人配成る微粒子含有硬質膜で、■は
脂肪酸、パーフルオロポリエーテル、パーフルオロスル
ホン酸、パーフルオロカルボ/酸等の潤滑層で、30人
から100人の範囲が好ましい。以下、更に具体的に、
本発明の実施例について比較例との対比で詳しく説明す
る。
上にBN膜、ダイアモンド硬質炭素膜等の、硬質膜全6
0人から15050人配成る微粒子含有硬質膜で、■は
脂肪酸、パーフルオロポリエーテル、パーフルオロスル
ホン酸、パーフルオロカルボ/酸等の潤滑層で、30人
から100人の範囲が好ましい。以下、更に具体的に、
本発明の実施例について比較例との対比で詳しく説明す
る。
厚み10μmで、平均表面粗さ30人、最大粗さ60人
のポリエチレンテレフタレートフィルム上に、高周波ス
パッタリング法で、Go −Or (Or20.2 w
t% )垂直磁化膜’io、17μm配しその上に、直
径5o人の5102微粒子を平均33ケ/(μm)2配
し、更にその上に、グラファイトをターゲットにし人r
+ H2= 0.02 (Torr)人r:H2=
1:3゜13.5 a (Ml(z ) 1.o 6(
KW)(7)高周波スパッタリング法でダイアモンド状
硬質炭素膜を70人配し、その上に、パーフルオロポリ
エーテルとしてモンテフルオス社製の“フォンフリンZ
−26”i約40人配し、8ミリ幅の磁気テープとして
準備した。一方比較例は、同じフィルム上に直径50人
のSiO□微粒子を平均33ケ/(μIn)2配しその
上に同じ条件でGo−Or膜、硬質炭素膜、パーフルオ
ロポリエーテル膜を配し、8ミリテープとして準備した
。両者を改造した8ミリビデオによりギャップ長0.1
3μmのアモルファス合金を用いたメタルインギャップ
型の磁気ヘッドにより、ビット長o、22μmの矩形波
信号を記録し、帯域9(Ml−1z)のOAとスチル特
性を比較した。その結果、C/Nは実施例の方が比較例
工v2.9 (dB )良好で、スチル特性は出力が初
期値に対して3(dB )低下するまでの時間は、実施
例が36分、比較例が42分で、比較例でC/Ni改善
するために硬質炭素膜全30人にし、パーフルオロポリ
エーテルを約2o入にしたものは、C//Nが1(dB
)改善されたものの、スチル特性が7分と低下してしま
ったことからみても1本実施例の耐久性とG/Hのバラ
ンスが高い水準にあることがわかる。
のポリエチレンテレフタレートフィルム上に、高周波ス
パッタリング法で、Go −Or (Or20.2 w
t% )垂直磁化膜’io、17μm配しその上に、直
径5o人の5102微粒子を平均33ケ/(μm)2配
し、更にその上に、グラファイトをターゲットにし人r
+ H2= 0.02 (Torr)人r:H2=
1:3゜13.5 a (Ml(z ) 1.o 6(
KW)(7)高周波スパッタリング法でダイアモンド状
硬質炭素膜を70人配し、その上に、パーフルオロポリ
エーテルとしてモンテフルオス社製の“フォンフリンZ
−26”i約40人配し、8ミリ幅の磁気テープとして
準備した。一方比較例は、同じフィルム上に直径50人
のSiO□微粒子を平均33ケ/(μIn)2配しその
上に同じ条件でGo−Or膜、硬質炭素膜、パーフルオ
ロポリエーテル膜を配し、8ミリテープとして準備した
。両者を改造した8ミリビデオによりギャップ長0.1
3μmのアモルファス合金を用いたメタルインギャップ
型の磁気ヘッドにより、ビット長o、22μmの矩形波
信号を記録し、帯域9(Ml−1z)のOAとスチル特
性を比較した。その結果、C/Nは実施例の方が比較例
工v2.9 (dB )良好で、スチル特性は出力が初
期値に対して3(dB )低下するまでの時間は、実施
例が36分、比較例が42分で、比較例でC/Ni改善
するために硬質炭素膜全30人にし、パーフルオロポリ
エーテルを約2o入にしたものは、C//Nが1(dB
)改善されたものの、スチル特性が7分と低下してしま
ったことからみても1本実施例の耐久性とG/Hのバラ
ンスが高い水準にあることがわかる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、C/Nと耐久性の優れた
磁気記録媒体が得られるといったすぐれた効果がある。
磁気記録媒体が得られるといったすぐれた効果がある。
図1ハ本発明の一実施例の磁気記録媒体の拡大断面図で
ある。 1・・・・・・平滑な高分子フィルム、2・・・・・・
強磁性金属薄膜、3・・・・・・微粒子含有硬質薄膜、
4・・・・・・潤滑層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名/−
−−平滑な高分子フィルム Z−5鬼t!全属薄膜 3− 衣I泣子含肩石更貢薄万莢 4− ラ関滑層
ある。 1・・・・・・平滑な高分子フィルム、2・・・・・・
強磁性金属薄膜、3・・・・・・微粒子含有硬質薄膜、
4・・・・・・潤滑層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名/−
−−平滑な高分子フィルム Z−5鬼t!全属薄膜 3− 衣I泣子含肩石更貢薄万莢 4− ラ関滑層
Claims (1)
- 平滑な高分子フィルム上に強磁性金属薄膜を配した上に
、微粒子を含む、硬質膜を配したことを特徴とする磁気
記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62324621A JPH01166323A (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62324621A JPH01166323A (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01166323A true JPH01166323A (ja) | 1989-06-30 |
Family
ID=18167861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62324621A Pending JPH01166323A (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01166323A (ja) |
-
1987
- 1987-12-22 JP JP62324621A patent/JPH01166323A/ja active Pending
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