JPH01165532A

JPH01165532A - インダンの製造方法

Info

Publication number: JPH01165532A
Application number: JP62324711A
Authority: JP
Inventors: Toshihide Suzuki; 利英鈴木; Tokio Iizuka; 飯塚　時男; Takuji Haraoka; 原岡　卓司
Original assignee: Kawasaki Steel Corp
Current assignee: JFE Steel Corp
Priority date: 1987-12-22
Filing date: 1987-12-22
Publication date: 1989-06-29
Anticipated expiration: 2010-10-18
Also published as: JPH0796505B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〈産業上の利用分野〉本発明は、医薬、農薬などの原料として重要な化合物で
あるインダンの製造方法に関し、特にインデンを含む留
分から高純度のインダンを製造する方法に関する。

〈従来の技術とその問題点〉インダンは、一般にインデンの接触還元によって得られ
るが、インデンを含むコールタール留分から蒸留、ある
いは蒸留および晶析によって高純度のインデンを得るこ
とが困難であるため、高純度のインダンを得ることが困
難であった。

すなわち、インデンを含むコールタール留分中には、イ
ンダンおよび不純物として主としてベンゾニトリルが、
その他クマロン、アニリン、フェノール等が含まれてお
り、これらのうちアユ。リンおよびフェノールはアルカ
リ又は酸で洗浄することによって除去されるが、ベンゾ
ニトリルは中性であるためアルカリ又は酸で洗浄しても
除去できず、第３物質を加え共沸蒸留して精製する方法
もあるが、インデンの純度を９０重量％以上に高めるこ
とが困難であるため高純度のインダンが得られなかった
のである。

なお、液体クロマトグラフィを用いてベンゾニトリルを
除く方法があるが、工業的には実施困難な方法である。

さらに、インデンを含むコールタール留分を接触還元し
たものを精製してインダンの純度を高くすることも困難
であった。

一般に試薬として市販されているインデンは、高純度の
ものが要求されるが、例えば第１表に示すようにその純
度は９０．９重量％（和光純薬（株）製）に止まり、こ
れを接触還元して得たと考えられる市販のインダン試薬
（和光純薬（株）製）のインダンの純度は９２．７重量
％で２．８ＴＬＥｋ％のベンゾニトリルを含んでいる。

第　　１　　表〈発明の目的〉本発明は、従来技術におけるこれらの問題点を解決し、
インデンを含むコールタール留分を接触還元してインデ
ンを水添してインダンとすると同時に不純物として含ま
れているベンゾニトリルを水添したのち、酸洗すること
によってインダンの純度を大幅に向上したインダンを筒
便に製造する方法を提供することを目的とする。

〈発明の構成〉すなわち、本発明によれば、インデンを含むコールター
ル留分を、前記インデンがインダンに、不純物として含
むベンゾニトリルがそのベンジルアミン類になるよう接
触還元したのち、酸洗浄して前記ベンジルアミン類を除
去することを特徴とするインダンの製造方法が提供され
る。

以下に本発明の詳細な説明する。

本発明で用いるインデンを含むコールタール留分け、脱
酸、脱塩基したコールタール油を蒸留、あるいは蒸留お
よび晶析などによってインデンを濃縮したものを用いる
ことができる。

この留分にはインダンおよびベンゾニトリルが多く含ま
れてもかまわないが、それ以外の成分は少い方が好まし
い。　蒸留は常圧、減圧のいずれで行ってもよく、エチ
レングリコールなどの第３物質を加えた抽出蒸留や共沸
蒸留でもよい。

また、脱酸、脱塩基は蒸留前でなく蒸留後に行ってもよ
い。

本発明で用いる触媒は、通常の接触還元用の触媒、例え
ばニッケル／けいそう土またはこれに銅、クロムおよび
モリブデン、前記各金属の酸化物、アルカリおよびアル
カリ土類金属の中の１種または２ｆ！Ｉｉ以上を加えた
触媒、銅−クロム酸化物またはこれにアルカリ金属およ
びアルカリ土類金属の中の１種または２種以上を加えた
触媒、あるいはルテニウム、ロジウム、パラジウムまた
は白金を活性炭またはアルミナなどに担持させた触媒を
用いることができる。　原料である前記インデンリッチ
留分に対する触媒比は０．０１〜１０重二％好重量くは
０．５〜５重量％である。　これより少ないと反応速度
が低下し、多いと過剰水添されることがある。

本発明における接触還元の反応条件は、インデンに対し
てはインダンを生成するがパーヒドロインデンまでは水
添されず、ベンゾニトリルに対してはベンジルアミン、
ジベンジルアミンあるいはトリベンジルアミンまで水添
されるように選定することが必要である。

すなわち、接触還元の反応温度は９０〜２００℃好まし
くは９０〜１５０℃であり、かつ水素圧力は常圧〜２０
０　Ｋｇ／ｃｍ２好ましくは１０〜５０　Ｋｇ／ｃｍ２
である。　この理由は９０℃未満の温度で、かつ常圧の
水素圧力ではベンゾニトリルの水添が完全でなく、２０
０℃超で、かつ２００にｇ／ｃｎ＋２超の温度および水
素圧力ではパーヒドロインデンが生成するためである。

溶媒は特に必要としないが、炭化水素類やアルコール、
エステル等を溶媒として用いてもよい。

接触還元用の装置としては、オートクレーブなどを用い
た回分式でも流通式でもよい。

インデンリッチ留分を接触還元して得られた水添油は、
酸水溶液と混合することにより水添油中のベンジルアミ
ン、ジベンジルアミンおよびトリベンジルアミンなどの
塩基性成分が水層に抽出され分離される。ｌ！２水溶液
としては、通常の酸抽出に用いられる酸、例えば、硫酸
、塩酸、硝酸などを用いることかでき、その濃度は数〜
数十重量％、好ましくは１０〜２５ｆｆｉ量％である。

　水層に抽出されて分離されたベンジルアミン、ジベン
ジルアミンおよびトリベンジルアミンなどは、アンモニ
ア水などを加え反応させることにより油層として回収で
きる。

酸で洗浄したあとの水添油には、全くベンジルアミンも
ジベンジルアミンもトリベジルアミンも存在せず、これ
らが除去された分だけインダンの純度が向上する。　イ
ンダンの純度は、インデンリッチ留分中のインダンおよ
びベンゾニトリル以外の不純物の量によって制約される
が、これらの不純物は通常インダンやベンゾニトリルに
比べて少量であるため、本発明により９５〜９９１ｉ量
％純度のインダンを工業的に得ることが可能となる。

〈実施例〉以下に、本発明を実施例に基づき具体的に説明する。

（実施例１）脱酸、脱塩基したコールタールナフサ油を蒸留および晶
析して得たインデン９０．２１量％、インダン４．４ｍ
景％、ベンゾニトリル３．５重量％、その他１．９重量
％からなるインデンリッチ留分１５０ｇとニッケル／け
いそう土触媒１．５ｇを内容積４００ｎ＋Ｊ２の誘導回
転撹拌式オートクレーブに入れ、気相を窒素でパージし
たのち、１２０℃の温度および水素圧力３０　Ｋｇ／ｃ
ｍ２で２時間反応させた。　得られた水添油の組成は、
インダン９４．６重量％、ベンジルアミン、ジベンジル
アミンおよびトリベジルアミンの合計が３．４［ｆｉ％
、その他が２．０ｍｆｆ１％であった。　この水添油を
２５ｆｉ量％硫酸溶液５０ｍＡで処理し水層を分離した
油層には、９８，２重量％のインダンが含まれていた。

　水添後および酸洗後の各組成は第２表の通りであった
。

また、前記水層をアンモニア水で処理し、ベンジルアミ
ン、ジベンジルアミンおよびトリベンジルアミンあわせ
て５．３ｇが得られた。

（実施例２）脱酸、脱塩基したコールタールナフサ油を蒸留して得た
インデン８０．２１ｉｆｉ％、インダン９、　５１１ｉ
ｆｉ％、ベンゾニトリル６．９！！！量％からなるイン
デンリッチ留分１５０ｇとニッケル／けいそう土触媒１
．５ｇを用いた以外は実施例１と同様の操作で水添およ
び酸洗を行った。

酸洗後の各組成は第２表の通りであった。

（実施例３〜８）実施例１と同じインデンリッチ留分を用い、第３表に示
す触媒および反応条件を用いた以外は、実施例１と同様
の操作で水添および酸洗を行った。　＃洗後のインダン
純度は第３表の通りであった。　なお、各実施例の触媒
量はいずれも用いたインデンリッチ留分に対して１重量
％とじた。

（比較例１）実施例１と同じインデンリッチ留分１５０ｇとニッケル
／けいそう土触媒１．５ｇを用い、８０℃の温度および
水素圧力１０　Ｋｇ７ｃｍ”とした以外は実施例１と同
様の操作で水添および酸洗を行った。　水添後および酸
洗後の各組成は第２表の通りであった。

第２表および第３表から明らかなように、本発明の実施
例ではいずれも高純度のインダンが得られており、実施
例２のようにインデンが８０重量％のインデンリッチ留
分からも高純度のインダンが得られた。

〈発明の効果〉本発明によれば、インデンを含むコールタール留分を接
触還元し、てインデンを水添してインダンとすると同時
に不純物のベンゾニトリルを水添したのち、酸洗すると
いう簡便な操作によって高純度のインダンを製造するこ
とができる。

特許出願人川崎製鉄株式会社（− ｌ・・− 代　　理　　人　　弁理士　　渡　　辺　　望　　稔゛
パ：゛２、ゾ同　　　　　弁理士　　石　　井　　陽　
　−１′・′１パゾ。

・）、。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）インデンを含むコールタール留分を、前記インデ
ンがインダンに、不純物として含むベンゾニトリルがそ
のベンジルアミン類になるよう接触還元したのち、酸洗
浄して前記ベンジルアミン類を除去することを特徴とす
るインダンの製造方法。
（２）接触還元用触媒がニッケル／けいそう土またはこ
れに銅、クロムおよびモリブデン、前記各金属の酸化物
、アルカリおよびアルカリ土類金属の中の１種または２
種以上を加えた触媒、銅−クロム酸化物またはこれにア
ルカリ金属およびアルカリ土類金属の中の１種または２
種以上を加えた触媒、あるいはルテニウム、ロジウム、
パラジウムまたは白金を活性炭またはアルミナに担持さ
せた触媒である特許請求の範囲第１項記載の製造方法。
（３）接触還元反応の温度が９０〜２００℃で、かつ水
素圧力が常圧〜２００Ｋｇ／ｃｍ＾２である特許請求の
範囲第１項または第２項記載の製造方法。