JPH01159942A - Ｘ線発生装置 - Google Patents
Ｘ線発生装置Info
- Publication number
- JPH01159942A JPH01159942A JP31620687A JP31620687A JPH01159942A JP H01159942 A JPH01159942 A JP H01159942A JP 31620687 A JP31620687 A JP 31620687A JP 31620687 A JP31620687 A JP 31620687A JP H01159942 A JPH01159942 A JP H01159942A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carbon
- copper
- thermal expansion
- coefficient
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 34
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 4
- 239000002826 coolant Substances 0.000 abstract description 3
- 230000035613 defoliation Effects 0.000 abstract 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000005260 alpha ray Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- X-Ray Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＸ線発生装置に係り、特に生体関連物質のｘ、
ｉ＊ａ察に好適なＸ線発生装置に関する。
ｉ＊ａ察に好適なＸ線発生装置に関する。
従来の生体ｔｉ＆？’Ａ用Ｘ線発生装置は、［固体物理
。
。
Ｖｏ １．．２０．Ｎαｌ １，１９８５ 第２１頁
から第２６頁ｊに記載のように、銅の冷却体に炭素膜を
直接蒸着したターゲットを使用していた。
から第２６頁ｊに記載のように、銅の冷却体に炭素膜を
直接蒸着したターゲットを使用していた。
上記従来技術では、炭素と銅とが金属的及び化学的結合
をせず、更に両者間の熱膨張率の差が大きいため、銅製
の冷却体に炭素膜を強固に接合することは難しく、装置
の耐久性が乏しいという問題があった。
をせず、更に両者間の熱膨張率の差が大きいため、銅製
の冷却体に炭素膜を強固に接合することは難しく、装置
の耐久性が乏しいという問題があった。
本発明は上記従来技術の問題点を解決し、長寿命かつ安
定なターゲット構造を有するＸ線発生装置を提供するこ
とを目的としてなされたものである。
定なターゲット構造を有するＸ線発生装置を提供するこ
とを目的としてなされたものである。
上記目的は、炭素膜と銅製冷却体との間に炭素と銅の中
間の熱膨張率を有し、かつ炭素と銅に対して金属的また
は化学的に親和力の大きい中間層を介して接合すること
により達成される。すなわち、中間層には銅に対して固
溶または金属間化合物を形成し、更に炭素とも反応して
容易に炭化物を形成するＴＩ、Ｚｒ、ＭＯｌ Ｗ＋ Ｖ
ＨＣｒ等をｔ９） 用いることが望ましい。
間の熱膨張率を有し、かつ炭素と銅に対して金属的また
は化学的に親和力の大きい中間層を介して接合すること
により達成される。すなわち、中間層には銅に対して固
溶または金属間化合物を形成し、更に炭素とも反応して
容易に炭化物を形成するＴＩ、Ｚｒ、ＭＯｌ Ｗ＋ Ｖ
ＨＣｒ等をｔ９） 用いることが望ましい。
炭素と銅は直接的には金属的にも化学的にも結合せず、
銅冷却体に蒸着法等により炭素膜を形成した場合でも容
易に剥離が生ずる。
銅冷却体に蒸着法等により炭素膜を形成した場合でも容
易に剥離が生ずる。
このため、炭素と銅のいずれにも親和力が強くまた、熱
膨張率が両者のほぼ中間の値を有する中間層を介して炭
素と銅とを接合することが望ましい。
膨張率が両者のほぼ中間の値を有する中間層を介して炭
素と銅とを接合することが望ましい。
炭素の熱膨張率は０．６〜５．３ ＋ １． Ｏ’／℃
であるに対し、調熱膨張率は１７ Ｘ ］、 ］Ｏ−６
／Ｃと大きいため、両者を直接接合した場合は大きな熱
歪みが生じ炭素膜は銅から容易に剥離する。
であるに対し、調熱膨張率は１７ Ｘ ］、 ］Ｏ−６
／Ｃと大きいため、両者を直接接合した場合は大きな熱
歪みが生じ炭素膜は銅から容易に剥離する。
一方、Ｔｉ 、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｃｒ等の金属の熱
膨張率は４．５〜９×」Ｏ−６の間で炭素と銅のほぼ中
間にあり、これを介して接合することにより両者の熱歪
みが極めて小さくなる。
膨張率は４．５〜９×」Ｏ−６の間で炭素と銅のほぼ中
間にあり、これを介して接合することにより両者の熱歪
みが極めて小さくなる。
更にＴｊ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｗ＋ Ｖ、Ｃｒ等の金属は炭素
と反応して容易に炭化物を形成するため、中間層として
使うことにより強固な接合が望まれる。
と反応して容易に炭化物を形成するため、中間層として
使うことにより強固な接合が望まれる。
一方、Ｔｊ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｃｒ等の金属は、銅
に対しても固溶または金属間化合物を形成する元素であ
り、銅との親和力は強い。
に対しても固溶または金属間化合物を形成する元素であ
り、銅との親和力は強い。
このように、炭素と銅に対して親和力が強く両者の中間
の熱膨張率を有するＴ ｊ、 、 Ｍ ｏ 、 Ｚ ｒ
。
の熱膨張率を有するＴ ｊ、 、 Ｍ ｏ 、 Ｚ ｒ
。
Ｖ、Ｃｒ等の金属を中間に介して接合することで炭素と
銅の結合力を強固にすることができ、しかも熱膨張率の
違いによる応力の発生を防げるので銅冷却体からの炭素
膜のは＜ ｘｉの防）」−が可能である。このようにし
てＸ線発生装置の耐久性を高めることが可能となる。
銅の結合力を強固にすることができ、しかも熱膨張率の
違いによる応力の発生を防げるので銅冷却体からの炭素
膜のは＜ ｘｉの防）」−が可能である。このようにし
てＸ線発生装置の耐久性を高めることが可能となる。
以下、本発明の実施例を第１図により説明する。
Ｘ線発生装置のターゲットは銅パイプ１．Ｔｊから成る
中間層２．炭素膜３により構成されている。
中間層２．炭素膜３により構成されている。
銅パイプ１は外径１．２． ｍｎ＋ 、内径］、 Ｏｍ
ｍのもので、パイプ内には冷却材が環流される。Ｔｊか
ら成る中間層２は、１ 、２ Ｘ １． Ｏ−”Ｔｏｒ
ｒの真空下で電子ビーム蒸着法により形成した。この中
間層２の厚さは約２０００人である。炭素膜３は］、３
Ｘ１０ ’Ｔｏｒｒの真空下で電子ビーム蒸着法により
形成した。炭素の厚さは約０．８μｍである。
ｍのもので、パイプ内には冷却材が環流される。Ｔｊか
ら成る中間層２は、１ 、２ Ｘ １． Ｏ−”Ｔｏｒ
ｒの真空下で電子ビーム蒸着法により形成した。この中
間層２の厚さは約２０００人である。炭素膜３は］、３
Ｘ１０ ’Ｔｏｒｒの真空下で電子ビーム蒸着法により
形成した。炭素の厚さは約０．８μｍである。
このようにして作製したターゲットの炭素表面に電子線
を照射して、Ｘ線発生装置の耐久性を調べた。この時の
真空度は１．８ Ｘ １０−８Ｔｏｒｒ、電流は３０ｍ
Ａ、加速電圧は４０ｋＶである。電子線を連続７０時間
照射後、大気中に取り出して炭素表面を観察した。炭素
表面には、はく離、凹凸などの異常は見られず、初期の
状態を保持していた。
を照射して、Ｘ線発生装置の耐久性を調べた。この時の
真空度は１．８ Ｘ １０−８Ｔｏｒｒ、電流は３０ｍ
Ａ、加速電圧は４０ｋＶである。電子線を連続７０時間
照射後、大気中に取り出して炭素表面を観察した。炭素
表面には、はく離、凹凸などの異常は見られず、初期の
状態を保持していた。
本実施例によれば、耐久性に優れたＸ線発生装置を作製
できるという効果がある。
できるという効果がある。
本発明によれば、７０ｈ以上の連続運転が可能な炭素に
α線源が可能になるので、炭素を主成分とする生体関連
物質等のより精密な構造解析が行なえるようになる。
α線源が可能になるので、炭素を主成分とする生体関連
物質等のより精密な構造解析が行なえるようになる。
第１図は本発明の一実施例のＸ線発生装置のりｒζ）
−ゲット部の縦断面図である。
１・・銅パイプ、２・Ｔｊから成る中間層、３−・炭素
膜。
膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ｘ線発生源が炭素膜からなるＸ線発生装置において
、前記炭素膜は銅製の冷却体に炭素と銅の中間の熱膨張
率を有し、かつ炭素と銅のいずれにも親和力の強い中間
層を介して接合されていることを特徴とするＸ線発生装
置。 ２、上記中間層は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｃｒの
元素のうちいずれか１つあるいは複数の元素から成るこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のＸ線発生装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31620687A JPH01159942A (ja) | 1987-12-16 | 1987-12-16 | Ｘ線発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31620687A JPH01159942A (ja) | 1987-12-16 | 1987-12-16 | Ｘ線発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01159942A true JPH01159942A (ja) | 1989-06-22 |
Family
ID=18074481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31620687A Pending JPH01159942A (ja) | 1987-12-16 | 1987-12-16 | Ｘ線発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01159942A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5247177A (en) * | 1990-04-09 | 1993-09-21 | The State Of Israel, Atomic Energy Commission, Soreq Nuclear Research Center | Detection of nitrogenous material |
| WO2016167311A1 (ja) * | 2015-04-15 | 2016-10-20 | 株式会社カネカ | イオンビーム用の荷電変換膜 |
| US10332648B2 (en) | 2015-04-15 | 2019-06-25 | Kaneka Corporation | Charge stripping film for charge stripping device of ion beam |
-
1987
- 1987-12-16 JP JP31620687A patent/JPH01159942A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5247177A (en) * | 1990-04-09 | 1993-09-21 | The State Of Israel, Atomic Energy Commission, Soreq Nuclear Research Center | Detection of nitrogenous material |
| WO2016167311A1 (ja) * | 2015-04-15 | 2016-10-20 | 株式会社カネカ | イオンビーム用の荷電変換膜 |
| CN109874344A (zh) * | 2015-04-15 | 2019-06-11 | 株式会社钟化 | 离子束用的电荷转换膜 |
| US10332648B2 (en) | 2015-04-15 | 2019-06-25 | Kaneka Corporation | Charge stripping film for charge stripping device of ion beam |
| CN109874344B (zh) * | 2015-04-15 | 2023-03-28 | 株式会社钟化 | 离子束用的电荷转换膜 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0097944B1 (en) | Method for directly bonding ceramic and metal members and laminated body of the same | |
| JPS5846059B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US4431709A (en) | Beryllium to metal seals and method of producing the same | |
| US3253331A (en) | Glass-metallizing technique | |
| JPH01159942A (ja) | Ｘ線発生装置 | |
| JPH052100A (ja) | 電子ビーム照射装置および電子ビーム透過膜の製造方法 | |
| JPH0229634B2 (ja) | ||
| JPH11285859A (ja) | ベリリウムと銅合金のｈｉｐ接合体の製造方法およびｈｉｐ接合体 | |
| JPS59225893A (ja) | Ｔｉ又はＴｉ合金とＡｌ又はＡｌ合金との接合方法 | |
| JPS56142633A (en) | Forming method for back electrode of semiconductor wafer | |
| JPS6033269A (ja) | 金属とセラミツクの接合方法 | |
| US3265473A (en) | Metalized ceramic members | |
| JP3629578B2 (ja) | Ｔｉ系材料とＣｕ系の接合方法 | |
| KR0136954B1 (ko) | 이종금속 및 이종소재의 브레이징 접합방법 | |
| JPS5957972A (ja) | 拡散接合方法 | |
| JPS61248340A (ja) | 空密熱圧封止の形成方法 | |
| JPH0211753A (ja) | ＴｉＡｌ系複合部材及びその製造方法 | |
| Morozumi et al. | Joining of Silicon Nitride With Metal Foils | |
| Behner | Reoxidation of silicon substrates during the sputter deposition of oxidic thin films | |
| JPH0776140B2 (ja) | 酸化ジルコニウム系セラミックと金属の接合方法 | |
| JP2642235B2 (ja) | 接合強度の高いチタンクラッド鋼の製造方法 | |
| JP2841262B2 (ja) | はんだ接合方法 | |
| JPH06183851A (ja) | セラミックスのろう付け前処理方法 | |
| JPH02196072A (ja) | 窒化ケイ素系セラミックの接合方法 | |
| JPH04304369A (ja) | クロム−珪素酸化物系ターゲット材 |