JPH0115219Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0115219Y2 JPH0115219Y2 JP18847981U JP18847981U JPH0115219Y2 JP H0115219 Y2 JPH0115219 Y2 JP H0115219Y2 JP 18847981 U JP18847981 U JP 18847981U JP 18847981 U JP18847981 U JP 18847981U JP H0115219 Y2 JPH0115219 Y2 JP H0115219Y2
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- JP
- Japan
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- terminal
- input terminal
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- negative feedback
- positive
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- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 101000684181 Homo sapiens Selenoprotein P Proteins 0.000 description 1
- 102100023843 Selenoprotein P Human genes 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229940119265 sepp Drugs 0.000 description 1
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は増幅器により、特にその電源リツプル
抑圧比の改善に関するものである。
抑圧比の改善に関するものである。
通常のステレオ装置等は商用交流を整流して正
負２種の直流電圧を得て増幅器の電圧源としてい
るが整流の際に生ずるリツプルが電源に重畳す
る。このリツプル成分が電力増幅器等のバイアス
回路を通して、その出力に生じるときわめて耳ざ
わりな音となる。
負２種の直流電圧を得て増幅器の電圧源としてい
るが整流の際に生ずるリツプルが電源に重畳す
る。このリツプル成分が電力増幅器等のバイアス
回路を通して、その出力に生じるときわめて耳ざ
わりな音となる。
通常ステレオ等の電力増幅用半導体集積回路で
はこの種のリツプル成分を出力に生じないようバ
イアス回路を定電圧化したり定電流化してリツプ
ル分の除去を行なつている。しかし、半導体集積
回路はその製法上に起因した寄生の容量によりリ
ツプル抑圧比が悪化することがある。
はこの種のリツプル成分を出力に生じないようバ
イアス回路を定電圧化したり定電流化してリツプ
ル分の除去を行なつている。しかし、半導体集積
回路はその製法上に起因した寄生の容量によりリ
ツプル抑圧比が悪化することがある。
本考案の目的は、これらの寄生の容量によつて
生ずるハム抑圧比の悪化を改善する電力増幅器を
実現することにある。
生ずるハム抑圧比の悪化を改善する電力増幅器を
実現することにある。
本考案によれば、Ｐ型サブストレートと増幅器
の入力端子間に生ずる寄生の容量とほぼ等価な容
量を正の電源と前記入力端子間に外部より接続し
た増幅器を得る。
の入力端子間に生ずる寄生の容量とほぼ等価な容
量を正の電源と前記入力端子間に外部より接続し
た増幅器を得る。
以下図面に従つて説明する。
第１図は本考案を具体的に実施した回路の１実
施例である。
施例である。
図においてＳは信号源で音量調節用VRを介し
て電力増幅器の入力端子ａに接続された差動増幅
器を構成するトランジスタQ2，Q3により増幅さ
れ、２段目の位相反転増幅用トランジスタQ4に
より反転増幅されてエミツタ接地増幅器を構成す
るトランジスタQ5によつてさらに増幅される。
トランジスタQ6，Q7，Q8，Q9によつて構成され
る出力段はＢ級SEPP出力回路を構成しトランジ
スタQ5により伝達された信号を出力端子ｅより
取り出しスピーカーSPを駆動して音声に変換す
る。端子ｂは負帰還端子で出力端子ｅより抵抗
R7，R6コンデンサC3によつて構成される負帰還
回路によつて負帰還がかけられ利得の安定化と歪
の改善が図られている。
て電力増幅器の入力端子ａに接続された差動増幅
器を構成するトランジスタQ2，Q3により増幅さ
れ、２段目の位相反転増幅用トランジスタQ4に
より反転増幅されてエミツタ接地増幅器を構成す
るトランジスタQ5によつてさらに増幅される。
トランジスタQ6，Q7，Q8，Q9によつて構成され
る出力段はＢ級SEPP出力回路を構成しトランジ
スタQ5により伝達された信号を出力端子ｅより
取り出しスピーカーSPを駆動して音声に変換す
る。端子ｂは負帰還端子で出力端子ｅより抵抗
R7，R6コンデンサC3によつて構成される負帰還
回路によつて負帰還がかけられ利得の安定化と歪
の改善が図られている。
第１図の回路の点線内の素子が同一Ｐ型基板上
に集積回路化された場合、各素子間の絶縁の為Ｐ
型の領域で各素子を分離しＰ型の領域は最低電位
すなわち負の電源端子ｄに接続される。この為Ｐ
型の絶縁領域と入力端子ａの間の寄生容量を介し
て負の電源に重畳しているリツプルが入力端子ａ
にあらわれてリツプル抑圧比を悪化させ、特に入
力インピーダンスの高い時その影響は著しい。
に集積回路化された場合、各素子間の絶縁の為Ｐ
型の領域で各素子を分離しＰ型の領域は最低電位
すなわち負の電源端子ｄに接続される。この為Ｐ
型の絶縁領域と入力端子ａの間の寄生容量を介し
て負の電源に重畳しているリツプルが入力端子ａ
にあらわれてリツプル抑圧比を悪化させ、特に入
力インピーダンスの高い時その影響は著しい。
第２図は第１図の半導体集積回路のチツプを上
からみた図でｇはボンデイング用アルミニウムパ
ツドR1は静電破壊対策用の抵抗、ｈはＰ型絶縁
領域、ｉ及びｊはｎ型領域である。
からみた図でｇはボンデイング用アルミニウムパ
ツドR1は静電破壊対策用の抵抗、ｈはＰ型絶縁
領域、ｉ及びｊはｎ型領域である。
ボンデイングアルミニウムパツドｇは直下の絶
縁用酸化膜とｎ型領域をはさんでＰ型サブストレ
ート間に寄生容量を持つ。又、抵抗R1はｎ型領
域にバイアスを与えており、ｎ型領域ｊとＰ型サ
ブストレートの間の寄生の容量が存在する。その
他例えば第１図において端子ｄと端子ａが隣接す
ればパツケージの隣接端子間に生ずる寄生容量が
挿入されることになる。
縁用酸化膜とｎ型領域をはさんでＰ型サブストレ
ート間に寄生容量を持つ。又、抵抗R1はｎ型領
域にバイアスを与えており、ｎ型領域ｊとＰ型サ
ブストレートの間の寄生の容量が存在する。その
他例えば第１図において端子ｄと端子ａが隣接す
ればパツケージの隣接端子間に生ずる寄生容量が
挿入されることになる。
以上のべたように半導体集積回路では様々な形
で寄生容量が入力端子ａとＰ型サブストレート間
に生じ、その寄生容量によつて負の電源のリツプ
ルが入力端子ａに伝達される。本考案は負の電源
に重畳するリツプルと正の電源に重畳するリツプ
ルが逆位相でほぼ等しいレベルであることに着目
し正の電源端子ｆと入力端子ａの間に上記寄生容
量にほぼ等しいコンデンサC1を挿入して打消し
たものである。通常このコンデンサC1の容量値
はきわめて小さく数PFの小容量である。
で寄生容量が入力端子ａとＰ型サブストレート間
に生じ、その寄生容量によつて負の電源のリツプ
ルが入力端子ａに伝達される。本考案は負の電源
に重畳するリツプルと正の電源に重畳するリツプ
ルが逆位相でほぼ等しいレベルであることに着目
し正の電源端子ｆと入力端子ａの間に上記寄生容
量にほぼ等しいコンデンサC1を挿入して打消し
たものである。通常このコンデンサC1の容量値
はきわめて小さく数PFの小容量である。
又、正負両電源のリツプル・レベルが等しくな
い場合には、上記コンデンサC1の容量を適切に
並べばよい。
い場合には、上記コンデンサC1の容量を適切に
並べばよい。
又、実施例では集積回路の外部にコンデンサ
C1を付加したが集積回路の内部に取り入れても
よい。
C1を付加したが集積回路の内部に取り入れても
よい。
以上本考案によれば寄生の容量によつて悪化す
るリツプル抑圧比の改善を容易に実現できる。
るリツプル抑圧比の改善を容易に実現できる。
第１図は本考案の回路を具体的に実施した一実
施例の回路図である。第２図は第１図の半導体集
積化した場合のチツプの１部を図示した平面図で
ある。 図において、R1，R2…R8は抵抗、C1，C2，
C3，C4はコンデンサ、Q1，Q2…Q9はトランジス
タ、SPはスピーカー、D1，D2…D5はダイオー
ド、I1，I2は定電流源、Ｓは信号源、ａは入力端
子、ｂは負帰還端子、ｃはGND端子、ｄは負の
電源端子、ｅは出力端子、ｆは正の電源端子。
施例の回路図である。第２図は第１図の半導体集
積化した場合のチツプの１部を図示した平面図で
ある。 図において、R1，R2…R8は抵抗、C1，C2，
C3，C4はコンデンサ、Q1，Q2…Q9はトランジス
タ、SPはスピーカー、D1，D2…D5はダイオー
ド、I1，I2は定電流源、Ｓは信号源、ａは入力端
子、ｂは負帰還端子、ｃはGND端子、ｄは負の
電源端子、ｅは出力端子、ｆは正の電源端子。
Claims (1)
- 入力端子と負帰還端子と出力端子とを備え、正
の電源端子と負の電源端子にそれぞれ加えられた
正負両電源によつて増幅動作をなす半導体基板上
に集積回路化された増幅器と、前記出力端子と前
記負帰還端子とを接続する負帰還回路手段と、前
記入力端子と前記正の電源端子間に接続した前記
入力端子と前記半導体基板間に寄生的に生ずる容
量とほぼ等しい容量をもつ容量性素子とを有する
事を特徴とする増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18847981U JPS5893011U (ja) | 1981-12-17 | 1981-12-17 | 増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18847981U JPS5893011U (ja) | 1981-12-17 | 1981-12-17 | 増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5893011U JPS5893011U (ja) | 1983-06-23 |
| JPH0115219Y2 true JPH0115219Y2 (ja) | 1989-05-08 |
Family
ID=29992083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18847981U Granted JPS5893011U (ja) | 1981-12-17 | 1981-12-17 | 増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5893011U (ja) |
-
1981
- 1981-12-17 JP JP18847981U patent/JPS5893011U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5893011U (ja) | 1983-06-23 |
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