JPH01140693A - セラミック基板 - Google Patents
セラミック基板Info
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- JPH01140693A JPH01140693A JP29832387A JP29832387A JPH01140693A JP H01140693 A JPH01140693 A JP H01140693A JP 29832387 A JP29832387 A JP 29832387A JP 29832387 A JP29832387 A JP 29832387A JP H01140693 A JPH01140693 A JP H01140693A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔（既 要〕
半導体ＩＣチップ等を搭載するセラミック基板に関し、
特性と生産性の向上を目的とし、
ＩＣチップを搭載して半導体デバイスを構成するセラミ
ック基板において、粉体状の窒化アルミニウムを焼結し
て形成した窒化アルミニウム焼結板の表面全面もしくは
表面の一部に、酸化アルミニウム被膜を形成して構成す
る。
ック基板において、粉体状の窒化アルミニウムを焼結し
て形成した窒化アルミニウム焼結板の表面全面もしくは
表面の一部に、酸化アルミニウム被膜を形成して構成す
る。
本発明は半可体ＩＣチ・ツブ等を搭載する耐熱性絶縁基
板に係り、特に特性と生産性の向上を図ったセラミック
基板に関する。
板に係り、特に特性と生産性の向上を図ったセラミック
基板に関する。
一般に、ＩＣチップ等をリードを備えた耐熱性絶縁基板
上に裁置した移譲リードとワイヤボンディング接続して
ＩＣパッケージを形成する場合、上記耐熱性絶縁基板に
は、価格的に安くまた安定したパターン形成が可能なこ
とから、通常酸化アルミニウム（Ａ１２０３）の粉末を
焼結して形成した二酸化アルミニウムセラミック基板（
以下略してアルミナ基板とする）を用いている。
上に裁置した移譲リードとワイヤボンディング接続して
ＩＣパッケージを形成する場合、上記耐熱性絶縁基板に
は、価格的に安くまた安定したパターン形成が可能なこ
とから、通常酸化アルミニウム（Ａ１２０３）の粉末を
焼結して形成した二酸化アルミニウムセラミック基板（
以下略してアルミナ基板とする）を用いている。
しかしＩＣチ・７プサイズの拡大や集積度のアンプにｌ
’ｌ’う電流パワーの増大や温度上昇が、従来のアルミ
ナ基板の持つ熱伝導特性や熱膨張特性では対処しきれず
、必要以上の温度上昇やＩＣチ・ノブの剥離等ＩＣ特性
の劣化を招くことからその解決が望まれている。
’ｌ’う電流パワーの増大や温度上昇が、従来のアルミ
ナ基板の持つ熱伝導特性や熱膨張特性では対処しきれず
、必要以上の温度上昇やＩＣチ・ノブの剥離等ＩＣ特性
の劣化を招くことからその解決が望まれている。
第４図は、従来のＩＣチップ搭載用のセラミックｑｌＦ
ｘの例を示す図であり、第５図はＩＣチップパッケージ
部分の構成例を示す断面図である。
ｘの例を示す図であり、第５図はＩＣチップパッケージ
部分の構成例を示す断面図である。
第４図で、粉末状の酸化アルミニウム（Ａ ／ ２０３
）を焼結して形成したアルミナ基板１には、電楕パター
ンを被着形成するパターン面１ａと搭載ＩＣのチップ搭
載面１ｂとを形成して完成させている。
）を焼結して形成したアルミナ基板１には、電楕パター
ンを被着形成するパターン面１ａと搭載ＩＣのチップ搭
載面１ｂとを形成して完成させている。
第５図は従来のセラミック基板を使用した場合のＩＣチ
ップパッケージとしての構成を示したものである。
ップパッケージとしての構成を示したものである。
図でアルミナ基板１のパターン面ｌａ上には搭載するＩ
Ｃチップの電極対応位置に通常のバクーン印刷技術を用
いて電極パターン２ａをそれぞれ被着形成しており、該
電極パターン２ａの端部にはり一ド２を電気的導通を保
って接合している。
Ｃチップの電極対応位置に通常のバクーン印刷技術を用
いて電極パターン２ａをそれぞれ被着形成しており、該
電極パターン２ａの端部にはり一ド２を電気的導通を保
って接合している。
一方シリコン（Ｓｉ）基板表面に電極が形成されている
ＩＣチップ３は、上記セラミック基板１のチ・７プ措載
面１ｂ上に金・錫（Ａｕ−Ｓｎ）共晶体等によって接着
固定している。
ＩＣチップ３は、上記セラミック基板１のチ・７プ措載
面１ｂ上に金・錫（Ａｕ−Ｓｎ）共晶体等によって接着
固定している。
ここでＩＣチップ３上の各電極とセラミック基板上の各
電極パター・ン２ａをワイヤ４によってボンディング接
続してリード２とＩＣチップ３の電気的４通を確保し、
ＩＣチップパッケージを構成している。
電極パター・ン２ａをワイヤ４によってボンディング接
続してリード２とＩＣチップ３の電気的４通を確保し、
ＩＣチップパッケージを構成している。
尚ＩＣデバイスとして完成させるには、上記ＩＣチップ
パッケージのパターン面ｌａ上に更に封止材を備えたキ
ャンプを載置し、加熱封着する工程が必要である。
パッケージのパターン面ｌａ上に更に封止材を備えたキ
ャンプを載置し、加熱封着する工程が必要である。
かくの如く構成したＩＣチップパッケージにリード２か
ら電気的パワーを印加すると、必然的に該ＩＣチップ３
が発熱し、またその熱によってＩＣチップ３およびアル
ミナ基板ｌがそれぞれの有する熱膨張係数に従って膨張
する。
ら電気的パワーを印加すると、必然的に該ＩＣチップ３
が発熱し、またその熱によってＩＣチップ３およびアル
ミナ基板ｌがそれぞれの有する熱膨張係数に従って膨張
する。
この際、ＩＣデバイスとしては上述の如く封止ｔ４を備
えたキャンプによって密閉状態にあるためＩＣチップを
接着固定するセラミック基板は熱転λ７性をよくして熱
を放散させる必要があると共に、熱膨張係数の差による
ＩＣチ・ノブ３のチ・ノブ搭載す 面１伜からの剥離を防止するためにセラミック基板の熱
膨張係数をシリコン基板に近づけることが望ましく、従
来は価格的に安いことと種々のＸターンが表面に形成し
易いことに加えて熱転４性がよく熱膨張係数もシリコン
に近い上記アルミナ基板１を使用している。
えたキャンプによって密閉状態にあるためＩＣチップを
接着固定するセラミック基板は熱転λ７性をよくして熱
を放散させる必要があると共に、熱膨張係数の差による
ＩＣチ・ノブ３のチ・ノブ搭載す 面１伜からの剥離を防止するためにセラミック基板の熱
膨張係数をシリコン基板に近づけることが望ましく、従
来は価格的に安いことと種々のＸターンが表面に形成し
易いことに加えて熱転４性がよく熱膨張係数もシリコン
に近い上記アルミナ基板１を使用している。
しかし、ＩＣチップサイズの拡大とノ々ターン集債度の
向上がＩＣチップの発熱量の増大を促し結果的にＩＣチ
ップ３の熱膨張量の増大を肩すことから、従来のアルミ
ナ基板では発生熱の放散が不充分であると共にシリコン
基板との熱膨張係数の差によるチップ搭載面１ｂでの剥
離が起こり易（なってきている。
向上がＩＣチップの発熱量の増大を促し結果的にＩＣチ
ップ３の熱膨張量の増大を肩すことから、従来のアルミ
ナ基板では発生熱の放散が不充分であると共にシリコン
基板との熱膨張係数の差によるチップ搭載面１ｂでの剥
離が起こり易（なってきている。
アルミナ基板に従来よりチ・ツブサイズが大きく且つ集
積度の高いＩＣチ・ノブを搭載した場合には、３９ Ｉ
Ｃチップからの発熱が充分に放散されないことから更
に温度上昇を招いてＩＣとしての特性のシ、化を宋ずと
云う問題があると共に、ＩＣチ・ノブのシリコン基板と
アルミナ基板との熱膨張係数の差によって両者の安定し
た接着固定が阻害されると云う問題があった。
積度の高いＩＣチ・ノブを搭載した場合には、３９ Ｉ
Ｃチップからの発熱が充分に放散されないことから更
に温度上昇を招いてＩＣとしての特性のシ、化を宋ずと
云う問題があると共に、ＩＣチ・ノブのシリコン基板と
アルミナ基板との熱膨張係数の差によって両者の安定し
た接着固定が阻害されると云う問題があった。
上記問題点は、ＩＣチップを搭載して半導体デバイスを
構成するセラミック基板において、↓５）棒状の窒化ア
ルミニウムを焼結して形成した窒化アルミニウム焼結板
の表面全面もしくは表面の−・部に、酸化アルミニウム
被膜を形成してなるセラミック基キ反によって解決され
る。
構成するセラミック基板において、↓５）棒状の窒化ア
ルミニウムを焼結して形成した窒化アルミニウム焼結板
の表面全面もしくは表面の−・部に、酸化アルミニウム
被膜を形成してなるセラミック基キ反によって解決され
る。
従来よりチップサイズが大きく且つ集、積度の高いＩＣ
チ・ノブでも安定して１５載できるセラミック基板の条
件としては、 熱転扉室が従来のアルミナ基板より大きく且つ熱膨張係
数をシリコン基板にできるだけ近づけることが必要であ
ると共に、電極パターンが容易に形成できることである
。
チ・ノブでも安定して１５載できるセラミック基板の条
件としては、 熱転扉室が従来のアルミナ基板より大きく且つ熱膨張係
数をシリコン基板にできるだけ近づけることが必要であ
ると共に、電極パターンが容易に形成できることである
。
本発明になるセラミック基板では、窒化アルミニウム（
Ａ／Ｎ）の粉末を焼結して形成した窒化アルミセラミッ
ク基板の表面全面もしくはその一部に酸化アルミニウム
（Ａ／２０３）の被膜を被着形成している。
Ａ／Ｎ）の粉末を焼結して形成した窒化アルミセラミッ
ク基板の表面全面もしくはその一部に酸化アルミニウム
（Ａ／２０３）の被膜を被着形成している。
すなわち、窒化アルミニウム（Ａ ／ Ｎ）の粉末を焼
結して形成したセラミンク基板では、熱伝導率は約２６
０Ｗａｔｔ／ｆ’ｌ Ｈ”Ｃであり、アルミナ基板の２
０Ｗａｔｔハ・℃に比較して約１３倍である。また熱膨
張係数はアルミナ基板の’７Ｉ’ＰＭ／”ｃに対して４
ＰＰＭ／’ｃであり、シリコンの３ＰＰＭ／’ｃに近い
。
結して形成したセラミンク基板では、熱伝導率は約２６
０Ｗａｔｔ／ｆ’ｌ Ｈ”Ｃであり、アルミナ基板の２
０Ｗａｔｔハ・℃に比較して約１３倍である。また熱膨
張係数はアルミナ基板の’７Ｉ’ＰＭ／”ｃに対して４
ＰＰＭ／’ｃであり、シリコンの３ＰＰＭ／’ｃに近い
。
従って放熱効果が大きいと共に熱膨張率の差が小さいた
めに剥離が起こり難く、結果的にチップサイズの拡大と
集積度の向上に伴うＩＣチップの発熱量の増大にも充分
対処することができる。
めに剥離が起こり難く、結果的にチップサイズの拡大と
集積度の向上に伴うＩＣチップの発熱量の増大にも充分
対処することができる。
しかし上記の窒化アーレミセラミック基板には、アルミ
ナ基板に比べて例えば耐水性、耐湿性に劣りまた水酸化
ナトリウムの如き水酸化物に特に弱いと云う耐薬品性上
の弱点があるため、基板上の電極パターン形成に難点が
ある。
ナ基板に比べて例えば耐水性、耐湿性に劣りまた水酸化
ナトリウムの如き水酸化物に特に弱いと云う耐薬品性上
の弱点があるため、基板上の電極パターン形成に難点が
ある。
従って本発明では、該窒化アルミセラミック基板の表面
全面もしくは電極パターン形成部分に酸化アルミニウム
（Ａ１２０３）の被膜を被着形成することによって該窒
化アルミセラミック基板上の少なくとも所要領域の耐水
性、耐湿性および耐薬品性を従来のアルミナ基板と同等
にしている。
全面もしくは電極パターン形成部分に酸化アルミニウム
（Ａ１２０３）の被膜を被着形成することによって該窒
化アルミセラミック基板上の少なくとも所要領域の耐水
性、耐湿性および耐薬品性を従来のアルミナ基板と同等
にしている。
第１図は本発明になるセラミック基板の実施例を示す図
であり、第２図はＩＣチップパッケージの構成例を示す
図である。また第３図は他の実施例を示す図である。
であり、第２図はＩＣチップパッケージの構成例を示す
図である。また第３図は他の実施例を示す図である。
第１図で、（八）は窒化アルミニウム（Ａ ／ Ｎ）の
粉末を焼結した状態での窒化アルミニウム焼結板ｌＯ°
を示し、第５図同様にＩＣチップを収容するに足る大き
さを備えている。
粉末を焼結した状態での窒化アルミニウム焼結板ｌＯ°
を示し、第５図同様にＩＣチップを収容するに足る大き
さを備えている。
こごで、３亥焼キ占（反１０’をＨ２＋Ｈ２＋Ｈ２０の
雰囲気に設定されている恒温槽中で約１１００℃２時間
ｆ７度酸化させて、表面全面に１７ざ５０μｍ程度の酸
化アルミニウム（Ａ／２０３）被膜１０″を形成し、電
極パターンを被着形成するパターン面１０ａとＩＣチッ
プを搭載するチップ搭載面１０ｂを備えた図（Ｂ）に示
す如ぎ窒化アルミセラミック基板１０を完成している。
雰囲気に設定されている恒温槽中で約１１００℃２時間
ｆ７度酸化させて、表面全面に１７ざ５０μｍ程度の酸
化アルミニウム（Ａ／２０３）被膜１０″を形成し、電
極パターンを被着形成するパターン面１０ａとＩＣチッ
プを搭載するチップ搭載面１０ｂを備えた図（Ｂ）に示
す如ぎ窒化アルミセラミック基板１０を完成している。
この場合、上記酸化アルミニウム（Ａ ／ ２０３ ）
の被膜１０゛′の厚さが薄いと不完全な被覆となって電
極パターン形成が困難になり、また厚すぎると熱膨張率
の違いから窒化アルミニウム焼結板１０′との間でミス
マソヂが発生する恐れが生ずるが、実験的に５０μｍ程
度が最良であることを確認している。
の被膜１０゛′の厚さが薄いと不完全な被覆となって電
極パターン形成が困難になり、また厚すぎると熱膨張率
の違いから窒化アルミニウム焼結板１０′との間でミス
マソヂが発生する恐れが生ずるが、実験的に５０μｍ程
度が最良であることを確認している。
第２図は、上記窒化アルミセラミンク基Ｆｉ、１０を使
用したＩＣチップパッケージの構成例を示したものであ
る。
用したＩＣチップパッケージの構成例を示したものであ
る。
図で窒化アルミセラミンク基板１０のパターン面１０ａ
上には搭載するＩＣチップの電極対応位置それぞれに通
常のパターン印刷技術を用いて電極パターン２ａを被着
形成し更に該電極パターン２ａの端部にリード２を接合
する。尚電極パターンの形成に関しては該セラミンク基
板１０の表面に酸化アルミニラ１、（Ａ１２（１３）膜
が存在するため従来と全く同様に容易である。
上には搭載するＩＣチップの電極対応位置それぞれに通
常のパターン印刷技術を用いて電極パターン２ａを被着
形成し更に該電極パターン２ａの端部にリード２を接合
する。尚電極パターンの形成に関しては該セラミンク基
板１０の表面に酸化アルミニラ１、（Ａ１２（１３）膜
が存在するため従来と全く同様に容易である。
次いでシリコン（Ｓｉ）基板表面に電極が形成されてい
るＩＣチップ３を、上記セラミック基板１０のチップ搭
載面１０ｂ上に金・３Ｂ（Ａｕ−３ｎ）共晶体等にＪ、
って接着固定する。
るＩＣチップ３を、上記セラミック基板１０のチップ搭
載面１０ｂ上に金・３Ｂ（Ａｕ−３ｎ）共晶体等にＪ、
って接着固定する。
ここで、ＩＣチップ３上の各電極と電極パターン２．と
をワイヤ４によってボンディング接続して’ノード２と
ＩＣデツプ３の電気的導通を礒保し、ＩＣチ／プバソゲ
ージを構成している。
をワイヤ４によってボンディング接続して’ノード２と
ＩＣデツプ３の電気的導通を礒保し、ＩＣチ／プバソゲ
ージを構成している。
百ＩＣデバイスとして完成させるには、上記ＩＣヂ・ノ
ブパッケージのパターン面 １０ａ上に更に封止材を備
えたキャンプを載置し、加熱封；する工程が必要なこと
は第５図記載の通りで、ある。
ブパッケージのパターン面 １０ａ上に更に封止材を備
えたキャンプを載置し、加熱封；する工程が必要なこと
は第５図記載の通りで、ある。
かかる構成になるＩＣ５−＝ノブパッケージに電気的パ
ワーを印加すると前述の如＜ＩＣチップ３が発熱しまた
その熱によってシリコン基板および上記しラミ・７り基
板がそれぞれ膨張するが、ＩＣ，チップ３を接着固定し
ている窒化アルミセラミック基板１０が従来のアルミナ
基板１に比較して熱伝導性がよくまた熱膨張係数がシリ
コン基板の熱膨張係数に近いため、ＩＣチップ３の熱放
散が速やかに行われると共に該セラミック基板１０から
ＩＣチップ３が♀り離することがない。
ワーを印加すると前述の如＜ＩＣチップ３が発熱しまた
その熱によってシリコン基板および上記しラミ・７り基
板がそれぞれ膨張するが、ＩＣ，チップ３を接着固定し
ている窒化アルミセラミック基板１０が従来のアルミナ
基板１に比較して熱伝導性がよくまた熱膨張係数がシリ
コン基板の熱膨張係数に近いため、ＩＣチップ３の熱放
散が速やかに行われると共に該セラミック基板１０から
ＩＣチップ３が♀り離することがない。
第３図は本発明になる窒化アルミセラミック基板の表面
の一部に酸化アルミニウム（Ａ ｔ２２０３ ）膜を形
成する場合を例示したものである。
の一部に酸化アルミニウム（Ａ ｔ２２０３ ）膜を形
成する場合を例示したものである。
すなわち図で、（八）は第１図同様の窒化アルミニラ１
．焼結（反２０°である。
．焼結（反２０°である。
ここで、該焼結板２０“の表面の所要位置に酸化アルミ
ニウム（八／２０３）ペーストを２０〜３０μｍの厚さ
に通常の手段で印刷成形し、第１図の場合と同様の雰囲
気に設定された恒温槽中で約１５００℃２時間程度焼成
して、図（Ｂ）に示す如く所要の領域に酸化アルミニウ
ム被膜２０″よりなるパターン面２０ａとチップ搭載面
２０ｂを備えた窒化アルミセラミック基板２０を完成し
ている。
ニウム（八／２０３）ペーストを２０〜３０μｍの厚さ
に通常の手段で印刷成形し、第１図の場合と同様の雰囲
気に設定された恒温槽中で約１５００℃２時間程度焼成
して、図（Ｂ）に示す如く所要の領域に酸化アルミニウ
ム被膜２０″よりなるパターン面２０ａとチップ搭載面
２０ｂを備えた窒化アルミセラミック基板２０を完成し
ている。
その後該パターン面２０ａ部分に電極パターンを通常の
パターン印刷技術を用いて被着形成し更に一部の’ｊ：
Ｉｉｊ部にリードを接合すると共にチップ搭載面２０ｈ
にＩ Ｃｆ−ツブを搭載し金錫共晶体等で接着固定する
ことは第１図で記載した通りである。
パターン印刷技術を用いて被着形成し更に一部の’ｊ：
Ｉｉｊ部にリードを接合すると共にチップ搭載面２０ｈ
にＩ Ｃｆ−ツブを搭載し金錫共晶体等で接着固定する
ことは第１図で記載した通りである。
上述の如く本発明の実施により、従来に比べてチップリ
ーイズが拡大しまた集積度が向上したＩＣチップが、容
易に且つ確実に搭載できると共に剥高１］等の特性劣化
要因を解消したセラミック基板を１是１」１．すること
ができる。
ーイズが拡大しまた集積度が向上したＩＣチップが、容
易に且つ確実に搭載できると共に剥高１］等の特性劣化
要因を解消したセラミック基板を１是１」１．すること
ができる。
第１図は本発明になるセラミック基板の実施例を示す図
、 第２図はｔＣチップパッケージの＋Ｉｉ成例を示す図、 第３図は他の実施例を示す図、 第４図は、従来のＩＣチップ搭載用のセラミック基板の
例を示す図、 第５図はＩＣチップパッケージ部分の構成例を示す断面
図、 である。図において、 ２はリード、 ２ａは電極パターン、３ばＩＣ
チップ、 ４はワイヤ、 １０は窒化アルミセラミック基板、 １ｏ“は窒化アルミニウム焼結板、 １０″は酸化アルミニウム被膜、 １０ａはパターン面、 １０ｂはチップ搭載面、２０は
窒化アルミセラミックＨｆｆＥ、２０°は窒化アルミニ
ウム焼結板、 ２０″は酸化アルミニウム被膜、 ２０ａはパターン面、 ２０ｂはチップ搭載面、をそれ
ぞれ表わす。 （Ａ） （Ｂ） ｒＣ’ｊ；−７７°／ｉ・ｚｉ−＞’ａ＋ｊＩＪイ＃’
ＪＡｆ、ｉ°ｍ第２ 図 ＣＡ） イセでの；隨壬施スクリ巨、ｊモ、ｉ′し≧１察 ３
圀 ＨＪ、ｇＩＣ−４，，７↓否４覧耳干θセラミツク４（
ネ反鷹ｒｌｉ°Ｉε子、Ｔ阿慕４ ｚ ＩＣチッ７′ハ：、ケーン゛仔稿カー／ｌ！ｊＡ、へ〕
グ↓ε欣す力卸竹図第５ 圀
、 第２図はｔＣチップパッケージの＋Ｉｉ成例を示す図、 第３図は他の実施例を示す図、 第４図は、従来のＩＣチップ搭載用のセラミック基板の
例を示す図、 第５図はＩＣチップパッケージ部分の構成例を示す断面
図、 である。図において、 ２はリード、 ２ａは電極パターン、３ばＩＣ
チップ、 ４はワイヤ、 １０は窒化アルミセラミック基板、 １ｏ“は窒化アルミニウム焼結板、 １０″は酸化アルミニウム被膜、 １０ａはパターン面、 １０ｂはチップ搭載面、２０は
窒化アルミセラミックＨｆｆＥ、２０°は窒化アルミニ
ウム焼結板、 ２０″は酸化アルミニウム被膜、 ２０ａはパターン面、 ２０ｂはチップ搭載面、をそれ
ぞれ表わす。 （Ａ） （Ｂ） ｒＣ’ｊ；−７７°／ｉ・ｚｉ−＞’ａ＋ｊＩＪイ＃’
ＪＡｆ、ｉ°ｍ第２ 図 ＣＡ） イセでの；隨壬施スクリ巨、ｊモ、ｉ′し≧１察 ３
圀 ＨＪ、ｇＩＣ−４，，７↓否４覧耳干θセラミツク４（
ネ反鷹ｒｌｉ°Ｉε子、Ｔ阿慕４ ｚ ＩＣチッ７′ハ：、ケーン゛仔稿カー／ｌ！ｊＡ、へ〕
グ↓ε欣す力卸竹図第５ 圀
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＩＣチップを搭載して半導体デバイスを構成するセラミ
ック基板において、 粉体状の窒化アルミニウムを焼結して形成した窒化アル
ミニウム焼結板の表面全面もしくは表面の一部に、酸化
アルミニウム被膜を形成してなることを特徴とするセラ
ミック基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29832387A JPH01140693A (ja) | 1987-11-26 | 1987-11-26 | セラミック基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29832387A JPH01140693A (ja) | 1987-11-26 | 1987-11-26 | セラミック基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01140693A true JPH01140693A (ja) | 1989-06-01 |
Family
ID=17858166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29832387A Pending JPH01140693A (ja) | 1987-11-26 | 1987-11-26 | セラミック基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01140693A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0455229A2 (en) * | 1990-05-02 | 1991-11-06 | Mitsubishi Materials Corporation | Ceramic substrate used for fabricating electric or electronic circuit |
-
1987
- 1987-11-26 JP JP29832387A patent/JPH01140693A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0455229A2 (en) * | 1990-05-02 | 1991-11-06 | Mitsubishi Materials Corporation | Ceramic substrate used for fabricating electric or electronic circuit |
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