JPH01137202A - 導波光受光装置 - Google Patents

導波光受光装置

Info

Publication number
JPH01137202A
JPH01137202A JP29677287A JP29677287A JPH01137202A JP H01137202 A JPH01137202 A JP H01137202A JP 29677287 A JP29677287 A JP 29677287A JP 29677287 A JP29677287 A JP 29677287A JP H01137202 A JPH01137202 A JP H01137202A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
waveguide
guided
layer
light receiving
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP29677287A
Other languages
English (en)
Inventor
Shunsuke Fujita
俊介 藤田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
Priority to JP29677287A priority Critical patent/JPH01137202A/ja
Publication of JPH01137202A publication Critical patent/JPH01137202A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、2次元光導波路とその導波光を受光する受光
素子とを備えた光集積デバイスないしは所謂Q E I
 C一般についての導波光受光装置に関する。
従来技術 一般に、光電子集積素子では、導波路が無限の広がりを
持っているわけではなく、又、他の光素子や電子素子等
が同一基板りに集積配設される場合が多い。
ここに、光集積導波デバイスとしては、例えば第6図に
示すような断面構造のものがある。まず、ガラス或いは
シリコン又はガリウム−砒素化合物等の半導体からなる
基板1上にバッファ層2を介して導波層3を形成してな
る2次元光導波路4が設けられている。ここに、基板1
が光吸収性のよい物質や導波層3よりも高屈折率材から
なる場合には、導波層3よりも低屈折率材からなるバッ
ファ層2が設けられる。従って、基板1がガラスであり
、導波層3の屈折率の方が高い場合にはバッファ層2は
設けなくてもよい。そして、基板1上には受光素子5が
設けられている。この受光素子5は基板1が半導体の場
合には不可分に形成され、ガラスの場合には積層形成さ
れる。何れにしても、その受光面6が受光部において先
導波路4に近接している。より具体的には、受光部6が
導波層3に直接接触する状態とされる場合と、両者間に
他の物質層が介在される場合とがあるが、ここでは前者
の場合を示す。何れにしても、光導波路4の導波層3中
を導波した光は、受光部において受光面6から受光索子
5に吸収され、その光の強度に応じた電気信号に変換さ
れて出力される。
このように導波層3が平面的に形成された2次元光導波
路4では、導波光が平面内で任意の方向に導波すること
ができるので、意図しない方向からの光を受光素子5が
受光しノイズ成分となり得る可能性がある。即ち、導波
M3を導波する光が本来受光すべき導波光Pだけであれ
ばよいが、他の有害な導波光P′も例えば第7図に示す
平面構造のような場合には導波路端や他の光素子又は電
子素子7などの個所で反射ないし散乱され、又は他の光
源や他の光素子によって導波層3内に導かれた光の一部
が受光部6から受光素子5に入り込んでしまうことがあ
る。よって、本来受光すべき導波光Pがこれらの不要導
波光P′によって乱され、本来の導波光Pに対応した正
確な信号が得られなくなることがある。
目的 本発明は、このような点に鑑みなされたもので、導波光
の主たる導波方向以外からの不要かつ有害な光による受
光信号の雑音を低減ないしは除去し得る導波光受光装置
を得ることを目的とする。
構成 本発明は、上記目的を達成するため、基板上に導波層を
形成してなる2次元光導波路と、受光面を前記導波層に
近接させて前記基板上に設けられ前記2次元光導波路を
導波する光を受光する受光素子とを備えた導波光受光装
置において、前記受光素子に入射すべく導波する光の経
路外の位置に前記導波層に近接する状態で形成され前記
2次元光導波路を導波する光を受光するダミーの受光面
を前記基板上に設けたことを特徴とするものである。
以下、本発明の一実施例を第1図及び第2図に基づいて
説明する。第6図及び第7図で示し゛た部分と同一部分
は同一符号を用いて示す。本実施例は、本来受光素子5
に導きたい導波光Pの導波経路以外の位置、領域に位置
させて、導波層3にね接したダミーの受光部8を有する
受光素子9を設けるものである。これにより、導波光P
以外の方向から導波してくる導波光P′をこの受光面8
で吸収することにより、検出用の受光面6ないしは受光
素子5に入射しないようにしたものである。
この際、受光素子9及び受光面8は、受光素子5及び受
光部6と同一の構成とするのが最も簡便となる。
受光素子9側をも受光素子5と同一構成とするとなると
、−見、余計な工程を費やすものとなるが、実際にはこ
の種の素子製造プロセスとしてはフォトリソグラフィー
法を用いて大面積の基板上に一度に加工・形成する方法
が一般にとられるため、フォトマスク上に受光素子9用
の必要なパターンを加えるだけでよく、製造工程として
特に付加される工程はない。又、ここにいう同一構造と
は、主として受光素子断面構造を意味するものであり、
平面形状は必要に応じて任意の形状、例えば後述する第
2図に示す如く形状とすることができる。更に、電気信
号を取出すための金属等の電極配線処理は本来の受光素
子5側についてのみ行なえばよい。
もつとも、不要な導波光P′を吸収受光するための受光
素子9部分は、本来の受光素子5と同一構造とすること
は必ずしも必要ではない。例えば、受光素子9の受光面
8近傍の不純物拡散領域を設けなくとも導波層3が光吸
収性のよい基板1に近接する構造となっていればよい。
この際、他の電子素子等の形成に支障がある場合には、
このような不純物拡散を当該個所には行なわないように
すればよい。
又、受光素子9の形成に際して、基板1全体に対する一
括処理工程ではなく、個々の素子毎に何らかの逐次的な
処理工程、例えば非晶質シリコンや多結晶シリコンのレ
ーザや電子ビームアニールによる結晶化処理を行なうよ
うな場合には、不要な導波光P′吸収するための受光素
子9部分にまでこのような処理を行なう必要はない。単
に不要な導波光P′を吸収するための基本的な構成が満
たされるものであバばよい。即ち、2次元光導波路4の
導波層3に光吸収性の物質表面である受光面8が近接し
ていれば充分である。
ここに、「近接」とは、導波層3と受光面8とが1a接
接しているか、又は導波層3・受光面8間等バッファ層
として機能する膜層が存在する場合にはその膜厚が導波
光の波長と光導波路4を構成する各物質層の屈折率及び
吸収係数で定まる導波モードを維持し得る厚さより薄く
て導波層3と光吸収層とが接近していることをいう。
ところで、第2図に受光素子9ないしは受光面8の平面
形状の一例を示す。即ち、信号受光用の受光素子5の受
光面6の本来受光したい導波光Pの主たる導波方向が位
置する1辺を除いた他の3辺の周囲を囲むように略コ字
状パターンに形成してなる。ここに、本来の受光面6と
ダミーの受光面8との間の間隔は、2素子5.9間のク
ロストークが生じない程度の最小幅とされている。これ
により、本来の受光素子5の主たる導波方向に位置する
1辺に入射するように導波した導波光Pのみが受光面6
に受光され、他の方向からの導波光P′は周囲の受光面
8で吸収受光され、受光素子5へは到達しない。
なお、第3図に示すように、2つの受光面6゜8間の間
隔を少し広めとし、ダミーの受光面8端部での散乱によ
る受光面6側への影響をなくすようにしてもよい。
つづいて、本発明の第二の実施例を第4図により説明す
る。本実施例は、例えば基板1上の幅方向に複数個の受
光素子5(受光面6)が設けられている場合、これらの
受光素子5の設けられている個所にて基板Iの全幅に渡
り、受光素子5の受光面6以外の表面にダミーの受光面
8(受光素子9)を形成するようにしたものである。こ
れによれば、これらの受光面6,8で区切られた一方の
側からの導波光P又はP′が他側に導波することはない
又、本発明の第三の実施例を第5図により説明する。本
実施例は、光源(又は外部からの光を導波層3に導くた
めのグレーティングやプリズム等のカップリング素子)
10や導波光Pを受光面6に集光させるための導波路レ
ンズ等の集光素子11などの、受光素子5に至るまでの
光学系の周囲をも含めてダミーの受光面8で囲むように
したものである。
これによれば、受光面8の内側領域と外側領域とが先導
波に関して絶縁された状態となる。よって、受光面8の
内側領域に位置する光学系による光が外部領域に導波し
て他の光素子に悪影響を及ぼしたりすることがなく、又
、外部の光が内側に導波して悪影響を及ぼす二ともなく
なる。
効果 本発明は、上述したように受光素子に入射すべく導波す
る光の経路外の位置にて導波層に近接し2次元光導波路
を導波する光を受光するダミーの受光面を基板韮に設け
たので、導波層を導波する光の内、本来の導波光以外の
有害かつ不要な反射、散乱等による導波光はダミーの受
光面で吸収し、信号検出用の受光素子に到達しないよう
にすることができ、よって、不要かつ有害な導波光によ
る雑音等の影響を低減ないしは除去することができるも
のである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第一の実施例を示す断面図、第2図は
受光面形状を示す平面図、第3図は変形例を示す平面図
、第4図は本発明の第二の実施例を示す平面図、第5図
は本発明の第三の実施例を示す平面図、第6図は従来例
を示す断面図、第7図はその平面図である。 1・・・基板、3・・・導波層、4・・・2次元光導波
路、5・・・受光素子、6・・・受光面、8・・・ダミ
ーの受光面−毛、1 図 UZ図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  基板上に導波層を形成してなる2次元光導波路と、受
    光面を前記導波層に近接させて前記基板上に設けられ前
    記2次元光導波路を導波する光を受光する受光素子とを
    備えた導波光受光装置において、前記受光素子に入射す
    べく導波する光の経路外の位置に前記導波層に近接する
    状態で形成され前記2次元光導波路を導波する光を受光
    するダミーの受光面を前記基板上に設けたことを特徴と
    する導波光受光装置。
JP29677287A 1987-11-25 1987-11-25 導波光受光装置 Pending JPH01137202A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29677287A JPH01137202A (ja) 1987-11-25 1987-11-25 導波光受光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29677287A JPH01137202A (ja) 1987-11-25 1987-11-25 導波光受光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01137202A true JPH01137202A (ja) 1989-05-30

Family

ID=17837929

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP29677287A Pending JPH01137202A (ja) 1987-11-25 1987-11-25 導波光受光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH01137202A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG144744A1 (en) * 2002-02-26 2008-08-28 Intel Corp Waveguide and method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG144744A1 (en) * 2002-02-26 2008-08-28 Intel Corp Waveguide and method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10444451B2 (en) Shielded photonic integrated circuit
JPS61161759A (ja) 集積オプトエレクトロニクス・デバイス
KR20010052110A (ko) 스트레이 광 흡수를 위한 집적 광 회로 및 그 방법
JPH0667046A (ja) 光集積回路
JPH0567770A (ja) 光電子集積回路装置
US6990275B2 (en) Stray light absorber including grating array
US6920257B1 (en) Resonator cavity for optical isolation
JPH11248954A (ja) 光ハイブリッドモジュール
KR100408179B1 (ko) 표면파 전파가 감소된 집적 광학 칩
EP1195632A2 (en) Photodiode array device, a photodiode module, and a structure for connecting the photodiode module and an optical connector
US7181098B2 (en) Optical hybrid module and manufacturing method thereof
US20050105842A1 (en) Integrated optical arrangement
JP2000075155A (ja) 光モジュール
JPH10190944A (ja) 画像入力装置
JPH11274546A (ja) 半導体受光素子
JP2002202425A (ja) 光モジュール及びその製造方法
JPH1152154A (ja) 光集積回路素子
KR0137190B1 (ko) 완전밀착형이미지센서 및 완전밀착형이미지센서유닛
JPH01137202A (ja) 導波光受光装置
JPS63291014A (ja) 光集積回路基板装置
KR20010053423A (ko) 집적 광 감쇠기
JP2000214345A (ja) 光通信デバイスおよび双方向光通信装置
JP3865852B2 (ja) 光検出装置
JP2812812B2 (ja) 光導波素子
JP3100154B2 (ja) 光電子装置の複合線路