JPH01134902A - 正特性サーミスタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （ａ）産業上の利用分野 この発明は、耐圧性能を向上させた正特性サーミスタに
関する。

（ｂｌ従来の技術 一般に、正特性サーミスタは定温ヒータ、電流制御／過
電流保護用抵抗、温度補償／温度検知用センサなどに用
いられている。

これらの正特性サーミスタは、基本的に板状の正特性サ
ーミスタ素体の両主面に電極を設けることによって構成
している。第３図（Ａ）、　　（Ｂ）は従来の正特性サ
ーミスタの構造を表す図であり、（Ａ）はその外観斜視
図、（Ｂ）はその断面図である。図において１はセラミ
クスからなる円板状正特性サーミスタ素体であり、その
両主面に電極Ｎｉ−Ａｇなどの電極２，３が形成されて
いる。実際の使用状態では、電極２，３にリード端子を
半田付けし、素体の周囲を樹脂コートしたり、バネ端子
を用いて素体を挟持するとともにケース内に収納するな
どの方法によって使用される。

ｆｃ）発明が解決しようとする問題点 ところで、このような正特性サーミスタは用途に応じて
キュリー温度、キュリー温度以下の抵抗値、この温度以
上での温度係数、使用可能な最大試験するためにはいわ
ゆるフラッシュ耐圧試験を行っている。これは正特性サ
ーミスタの電極間に定格電圧を超える一定の高電圧を急
激に印加することによって部品の故障発生有無を試験す
るものであり、従来はこのフラッシュ耐圧試験によって
素体の中層部（第４図に示すＡ部分）で素体自体が割れ
るという故障モードが生じる場合があった。これは、正
特性サーミスタが発熱していない低抵抗状態において、
高電圧が印加されることにより急激に大電流が流れ、素
体全体が発熱を開始するが、素体表面は熱放散効率が高
いため、素体の厚み方向に温度勾配が生じ、これにより
素体の中層部のみが急激に高温化して、その熱歪みによ
って中層部で破壊されるものと考えられている。

この発明の目的は、フラッシュ耐圧を向上させて信頼性
の高い正特性サーミスタを提供することにある。

（ｄ）問題点を解決するための手段 この発明の正特性サーミスタは、板状正特性サーミスタ
素体の両生面に電極を形成した正特性サーミスタにおい
て板状正特性サーミスタ素体の周縁部における二つの電
極間距離を、素体中央部における電極間距離より短縮し
たことを特徴としている。

（８３作用 この発明の正特性サーミスタにおいては、板状正特性サ
ーミスタ素体の周縁部における二つの電極間距離が、素
体中央部における電極間距離より短縮されている。この
ため素体の周縁部においては抵抗値が低下し、発熱量が
増大するが、この部分は素体の周縁部であって熱放散効
率が高いため素体の周縁部のみ高温となることはなく、
正特性サーミスタ素体内に流れる電流が素体の周縁部に
すなわち素体の厚みを厚くする）ことによって電極間の
抵抗値を従来と同様とした場合、素体の中央部に流れる
電流を低減することができ、その結果素体の厚み方向の
温度勾配がゆるやかになり、熱歪みが減少する。

ｆｆ）実施例 第１図（Ａ）、（Ｂ）はこの発明の実施例である正特性
サーミスタの構造を表す図であり、（Ａ）は外観斜視図
、（Ｂ）は断面図である。図において１は円板状のセラ
ミクスからなる正特性サーミスタの素体、２，３はＮｉ
−Ａｇなどからなる電極である。図に示すように電極２
．３はそれぞれ正特性サーミスタ素体主面だけでな（側
面の一部を覆う位置まで電極（２ａ）、　　（３ａ）を
形成している。このため同図（Ｂ）において１０．１）
で示すように素体の周縁部においては電極間距削が短縮
されることになりそこに流れる電流が増大し発熱量が増
大する。しかしながら周縁部は外気などに近接している
ため熱放散効率が高く、周縁部のみ高温となることはな
い。

電極２．３間の抵抗値を従来の正特性サーミスタにおけ
る電極間の抵抗値と同一になるように、正特性サーミス
タ素体の比抵抗あるいは電極間全体の距離を設定すれば
、素体の中心付近を流れる電流は従来に比較して減少し
、熱放散効率の最も低い中心部分においても厚み方向の
温度勾配が緩やかとなる。

上記実施例と従来例について外形、厚みおよび抵抗が同
一条件となるサンプルを作成し、その両者についてフラ
ッシュ耐圧試験を行った結果を第５図に示す。このよう
に電極を素体の側部へ一定距雛はみ出して形成したこと
によりフラッシュ耐圧を約５割増大させることができた
。

上記実施例は円板状の正特性サーミスク素体に電極を形
成する際、素体の側面の一部に電極を延長することによ
って、素体の周縁部における電極間距離を短縮した例で
あったが、たとえば第２図に示すように素体の成形時に
周縁部のみ薄く成形することによって、電極間距離を短
縮することも可能であり、同様の効果を得ることができ
る。

［ｇ）発明の効果 以上のようにこの発明によれば、実質的に正特性サーミ
スタ素体の形状あるいは素体に形成する電極の形状を変
えることによって素体のフラッシュ耐圧を向上させるこ
とができる。このため素体自体を大型化することなく、
より高電圧の領域まで使用できる信頼性の高い正特性サ
ーミスタを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）、　　（Ｂ）はこの発明の実施例である正
特性サーミスタの構造を表す図であり、（Ａ）は外観斜
視図、（Ｂ）は断面図である。第２図は他の実施例に係
る正特性サーミスタの断面図である。第３図（Ａ）、　
　（Ｉ３）は従来の正特性サーミスタの構造を表す図で
あり、（Ａ）はその外観斜視図、（Ｂ）は断面図である
。第４図は従来の正特性サーミスタの故障モードを表す
図、第５図はこの発明の実施例と従来例を比較した正特
性サーミスタの特性を表す図である。 １−正特性ナーミスク素体、 ２．３−電極、 ２ａ、３ａ−周縁部の電極。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）板状正特性サーミスタ素体の両主面に電極を形成
   した正特性サーミスタにおいて板状正特性サーミスタ素
   体の周縁部における二つの電極間距離を、素体中央部に
   おける電極間距離より短縮したことを特徴とする正特性
   サーミスタ。