JPH01134349A - 光導波路スイッチ駆動回路 - Google Patents
光導波路スイッチ駆動回路Info
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- JPH01134349A JPH01134349A JP29367787A JP29367787A JPH01134349A JP H01134349 A JPH01134349 A JP H01134349A JP 29367787 A JP29367787 A JP 29367787A JP 29367787 A JP29367787 A JP 29367787A JP H01134349 A JPH01134349 A JP H01134349A
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- optical waveguide
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- waveguide switch
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- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/0121—Operation of devices; Circuit arrangements, not otherwise provided for in this subclass
- G02F1/0123—Circuits for the control or stabilisation of the bias voltage, e.g. automatic bias control [ABC] feedback loops
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、光導波路スイッチ駆動回路に関し、光導波路
スイッチの出射光を光−電気変換器によって電気信号に
変換すると共に、光−電気変換器の出力信号と基準値と
を比較回路で比較し、比較回路から出力される信号によ
り、光導波路スイッチに印加されるパルス電圧の直流バ
イアスを可変調整することにより、光導波路スイッチの
出射光強度特性の変化に対応して、動作点を自動追尾さ
せ、安定した消光比特性が得られるようにしたものであ
る。
スイッチの出射光を光−電気変換器によって電気信号に
変換すると共に、光−電気変換器の出力信号と基準値と
を比較回路で比較し、比較回路から出力される信号によ
り、光導波路スイッチに印加されるパルス電圧の直流バ
イアスを可変調整することにより、光導波路スイッチの
出射光強度特性の変化に対応して、動作点を自動追尾さ
せ、安定した消光比特性が得られるようにしたものであ
る。
〈従来の技術〉
光導波路スイッチは、電気光学効果を持つ材料によって
光導波路を形成し、光導波路に電圧を印加し、印加電圧
に応じた消光比の出射光強度を得るようになっている。
光導波路を形成し、光導波路に電圧を印加し、印加電圧
に応じた消光比の出射光強度を得るようになっている。
光導波路スイッチとしては種々のタイプのものが提案さ
れているが、゛その内の１つに、ニオブ酸リチウム（Ｌ
ｉＮｂＯ２）基板にチタンを拡散させて光導波路を形成
したものが知られている。第５図はその基本的な構成を
モデル化して示す図で、１はニオブ酸リチウム基板、２
は光導波路、３及び４は電極、５は駆動回路である。
れているが、゛その内の１つに、ニオブ酸リチウム（Ｌ
ｉＮｂＯ２）基板にチタンを拡散させて光導波路を形成
したものが知られている。第５図はその基本的な構成を
モデル化して示す図で、１はニオブ酸リチウム基板、２
は光導波路、３及び４は電極、５は駆動回路である。
光導波路２はニオブ酸リチウム基板１にチタンを拡散さ
せて形成しである。ニオブ酸リチウム結晶の場合、ｚ軸
方向への電界印加が光変調に有利であるので、Ｚ軸が光
の進行方向及び光導波路２の表面に垂直となるＺ軸カッ
トの場合には、図示するように、電極３．４は光導波路
、２の表面に形成する。Ｚ軸が光の進行方向に直角で、
かつ、光導波路２の表面に並行な方向にある場合には、
光導波路２を間に挟んでその両側に、電極３．４を形成
する。
せて形成しである。ニオブ酸リチウム結晶の場合、ｚ軸
方向への電界印加が光変調に有利であるので、Ｚ軸が光
の進行方向及び光導波路２の表面に垂直となるＺ軸カッ
トの場合には、図示するように、電極３．４は光導波路
、２の表面に形成する。Ｚ軸が光の進行方向に直角で、
かつ、光導波路２の表面に並行な方向にある場合には、
光導波路２を間に挟んでその両側に、電極３．４を形成
する。
駆動回路５から電Ｆｉ１３．４に対しては、電８ｉ４を
正電圧（＋Ｖ）とする一方向のパルスを与える。これに
より、光導波路２の屈折率が変化し、図示しない半導体
レーザ等から供給された入射光が光導波路２において変
調され、変調された出射光が得られる。
正電圧（＋Ｖ）とする一方向のパルスを与える。これに
より、光導波路２の屈折率が変化し、図示しない半導体
レーザ等から供給された入射光が光導波路２において変
調され、変調された出射光が得られる。
第６図は印加電圧と出射光強度との関係を示す図で、横
軸に印加電圧をとり、縦軸に出射光強度をとっである。
軸に印加電圧をとり、縦軸に出射光強度をとっである。
図示するように、この種の光導波路スイッチは、印加電
圧を変えたとき、出射光強度特性が３つの極大値ＰＩ、
Ｐ２及びＰ３と、３つの極大値ＰＩ〜Ｐ、のうち、中間
の極大値Ｐ２と両側の極大値Ｐ、、Ｐ３との間でそれぞ
れ極小値Ｑ＋ 、Ｑ２をとって変化する。中間の極大値
Ｐ２のピーク値は、両側の極大値Ｐ、％Ｐ３のピーク値
よりも小さい。
圧を変えたとき、出射光強度特性が３つの極大値ＰＩ、
Ｐ２及びＰ３と、３つの極大値ＰＩ〜Ｐ、のうち、中間
の極大値Ｐ２と両側の極大値Ｐ、、Ｐ３との間でそれぞ
れ極小値Ｑ＋ 、Ｑ２をとって変化する。中間の極大値
Ｐ２のピーク値は、両側の極大値Ｐ、％Ｐ３のピーク値
よりも小さい。
第７図は上述の特性を示す光導波路スイッチにおいて、
電極４に極大値Ｐ１に対応する付近の正電圧（＋ Ｖ
ｒ ＋ ）が印加されるように、電極３−４間にパルス
電圧を供給して駆動した場合の出射光変調を示す図であ
る。図示では、極小値Ｑ１に対応する電圧Ｖ２１まで、
直流バイアスした場合を示している。第７図に示すよう
に、電極４に正電圧（＋ Ｖ ｒ ＋ ）が印加された
ときに強度ＰＩの出射光が出力され、極小値Ｑ＋に対応
する電圧＋ｖ２Ｉが印加されたときに出射光強度が略零
になり、充分な消光比を持つ出射光が得られる。
電極４に極大値Ｐ１に対応する付近の正電圧（＋ Ｖ
ｒ ＋ ）が印加されるように、電極３−４間にパルス
電圧を供給して駆動した場合の出射光変調を示す図であ
る。図示では、極小値Ｑ１に対応する電圧Ｖ２１まで、
直流バイアスした場合を示している。第７図に示すよう
に、電極４に正電圧（＋ Ｖ ｒ ＋ ）が印加された
ときに強度ＰＩの出射光が出力され、極小値Ｑ＋に対応
する電圧＋ｖ２Ｉが印加されたときに出射光強度が略零
になり、充分な消光比を持つ出射光が得られる。
〈発明が解決しようとする問題点〉
ところが、電８ｉ４を正電圧（＋Ｖ）とする一方向のパ
ルスを与えて°駆動する従来方式では、駆動時間が長く
なると、出射光強度特性が実線Ａから点線Ｂのように移
動してしまうことが分った。印加電圧に対する出射光強
度特性が上述のように変化してしまうと、充分な消光比
がとれなくなり、情報伝送を行なうことができなくなる
。例えば、第６図の実線Ａから点線Ｂまで出射光強度特
性が移動してしまった場合には、第８図に示すように、
本来、極大値Ｐ、に対応すべき電圧Ｖｌｌが極小値Ｑ１
が対応し、出射光強度がほとんど零になってしまう。ま
た、極小値Ｑ、に対応すべきバイアス電圧Ｖ２１が極大
値Ｐ２に対応し、出射光強度を生じてしまう。つまり、
印加電圧に対する出射光強度の位相が、正常時の場合と
逆転してしまうのである。
ルスを与えて°駆動する従来方式では、駆動時間が長く
なると、出射光強度特性が実線Ａから点線Ｂのように移
動してしまうことが分った。印加電圧に対する出射光強
度特性が上述のように変化してしまうと、充分な消光比
がとれなくなり、情報伝送を行なうことができなくなる
。例えば、第６図の実線Ａから点線Ｂまで出射光強度特
性が移動してしまった場合には、第８図に示すように、
本来、極大値Ｐ、に対応すべき電圧Ｖｌｌが極小値Ｑ１
が対応し、出射光強度がほとんど零になってしまう。ま
た、極小値Ｑ、に対応すべきバイアス電圧Ｖ２１が極大
値Ｐ２に対応し、出射光強度を生じてしまう。つまり、
印加電圧に対する出射光強度の位相が、正常時の場合と
逆転してしまうのである。
しかも、このとき得られる出射光強度のピーク値は、極
大値Ｐ１よりも著しく低い極大値Ｐ２となっており、充
分な消光比を得ることができない。
大値Ｐ１よりも著しく低い極大値Ｐ２となっており、充
分な消光比を得ることができない。
出射光強度特性が、時間経過とともに、実線Ａから実線
Ｂの如く移動してしまうのは、電極４を正電圧（＋Ｖ）
とする一方向のパルスを与えた場合、結晶内部の可動イ
オンが外部電界を打ち消す方向に移動するからであると
推測される。
Ｂの如く移動してしまうのは、電極４を正電圧（＋Ｖ）
とする一方向のパルスを与えた場合、結晶内部の可動イ
オンが外部電界を打ち消す方向に移動するからであると
推測される。
く問題点を解決するための手段〉
上述する従来の問題点を解決するため、本発明は、電気
光学効果を持つ材料によって光導波路を形成した光導波
路スイッチを駆動する回路において、前記光導波路スイ
ッチの出射光を電気信号に変換する光−電気変換器と、
前記光−電気変換器の出力信号と基準値とを比較する比
較回路と、前記比較回路から与えられる信号に基づき前
記光導波路スイッチに印加されるパルス電圧の直流バイ
アスを可変調整する回路とを有することを特徴とする。
光学効果を持つ材料によって光導波路を形成した光導波
路スイッチを駆動する回路において、前記光導波路スイ
ッチの出射光を電気信号に変換する光−電気変換器と、
前記光−電気変換器の出力信号と基準値とを比較する比
較回路と、前記比較回路から与えられる信号に基づき前
記光導波路スイッチに印加されるパルス電圧の直流バイ
アスを可変調整する回路とを有することを特徴とする。
〈作用〉
光導波路スイッチの出射光を光−電気変換器によって電
気信号に変換すると共に、光−電気変換器の出力信号と
基準値とを比較回路で比較し、比較回路から出力される
信号により、光導波路スイッチに印加されるパルス電圧
の直流バイアスを可変調整する。これにより、光導波路
スイッチの出射光強度特性の変化に対応して、動作点を
自動追尾させ、光導波路スイッチを、出射光強度が極大
となる点と、極小となる点との間で駆動し、安定した消
光比特性を得ることができる。
気信号に変換すると共に、光−電気変換器の出力信号と
基準値とを比較回路で比較し、比較回路から出力される
信号により、光導波路スイッチに印加されるパルス電圧
の直流バイアスを可変調整する。これにより、光導波路
スイッチの出射光強度特性の変化に対応して、動作点を
自動追尾させ、光導波路スイッチを、出射光強度が極大
となる点と、極小となる点との間で駆動し、安定した消
光比特性を得ることができる。
〈実施例〉
第１図は本発明に係る光導波路スイッチ駆動回路を示す
図である。図において、７はレーザダイオード等のコヒ
ーレント光源、８は光導波路スイッチ、９は光導波路ス
イッチ８の出射光を電気信号に変換する光−電気変換器
、１０は比較回路、１１は自動バイアス設定回路である
。
図である。図において、７はレーザダイオード等のコヒ
ーレント光源、８は光導波路スイッチ、９は光導波路ス
イッチ８の出射光を電気信号に変換する光−電気変換器
、１０は比較回路、１１は自動バイアス設定回路である
。
光導波路スイッチ８は、第５図で説明したように、ニオ
ブ酸リチウム基板１にチタンを拡散させて形成した光導
波路２及び電極３．４を有する。
ブ酸リチウム基板１にチタンを拡散させて形成した光導
波路２及び電極３．４を有する。
電極４には抵抗１２を接続してあり、電極３には自動バ
イアス設定回路１１からデータ信号であるパルス電圧を
印加するようにしである。実施例では、間隔を隔てて２
本の光導波路２を形成した光導波路スイッチ８を使用し
、２木の光導波路２の一方だけを利用する構成となって
いる。
イアス設定回路１１からデータ信号であるパルス電圧を
印加するようにしである。実施例では、間隔を隔てて２
本の光導波路２を形成した光導波路スイッチ８を使用し
、２木の光導波路２の一方だけを利用する構成となって
いる。
比較回路１０は光−電気変換器９の出力信号と基準値と
を比較し、比較信号を自動バイアス設定回路１１に供給
する。実施例では、比較回路１０は、その入力側に、光
−電気変換器９の出力信号の平均値をとる平均値化回路
１３と、光−電気変換器９の出力信号より基準値を作る
基準値設定回路１４とを備え、平均値化回路１３から人
力される平均値■□を、基準値設定回路１４から入力さ
れる基準値Ｖｒａｆと比較するようになっている。
を比較し、比較信号を自動バイアス設定回路１１に供給
する。実施例では、比較回路１０は、その入力側に、光
−電気変換器９の出力信号の平均値をとる平均値化回路
１３と、光−電気変換器９の出力信号より基準値を作る
基準値設定回路１４とを備え、平均値化回路１３から人
力される平均値■□を、基準値設定回路１４から入力さ
れる基準値Ｖｒａｆと比較するようになっている。
平均値化回路１３は、ローパスフィルタによって構成で
きる。
きる。
基準値設定回路１４は光−電気変換器９から出力される
出力パルスの最大値Ｖ ＩＤＩＩＫと最小値Ｖ １ｎと
の差及びデユーティに基づいて、基準値Ｖ ｒｓｆを定
める。例えば、第２図に示すように、光導波路スイッチ
８を出射光強度特性の極大値Ｐ、と極小値Ｑ１との間の
理想位置で、デユーティ５０％で駆動する場合、平均値
化回路１３によって得られる平均値ｖ、ｖは、 Ｖ ａｖ＝（Ｖ ｍａｘＶ ｍｉｎ ） ／ ２となる
。この平均値Ｖ ａｙは、光導波路スイッチ８の理想的
な駆動状態で得られる値であるから、これを基準値ｖｒ
、ｆとする。
出力パルスの最大値Ｖ ＩＤＩＩＫと最小値Ｖ １ｎと
の差及びデユーティに基づいて、基準値Ｖ ｒｓｆを定
める。例えば、第２図に示すように、光導波路スイッチ
８を出射光強度特性の極大値Ｐ、と極小値Ｑ１との間の
理想位置で、デユーティ５０％で駆動する場合、平均値
化回路１３によって得られる平均値ｖ、ｖは、 Ｖ ａｖ＝（Ｖ ｍａｘＶ ｍｉｎ ） ／ ２となる
。この平均値Ｖ ａｙは、光導波路スイッチ８の理想的
な駆動状態で得られる値であるから、これを基準値ｖｒ
、ｆとする。
自動バイアス設定回路１１は図示しないデータ伝送装置
からパルス信号として入力されるデータ信号に対し、比
較回路１０から与えられる信号に基づき、直流バイアス
分を加算して、光導波路スイッチ８に供給する。
からパルス信号として入力されるデータ信号に対し、比
較回路１０から与えられる信号に基づき、直流バイアス
分を加算して、光導波路スイッチ８に供給する。
次に動作を説明する。まず、第２図に示すように、自動
バイアス設定回路１１から光導波路スイッチ８に供給さ
れる印加電圧が、出射光強度特性の極大値Ｐ１と極小値
Ｑ、との間で変化する直流バイアス電圧Ｖ２１の加わっ
たパルス電圧である場合、出射光は極大値Ｐ、と極小値
Ｑ、の間で理想的な変調を受ける。この状態では、平均
値化回路１３で得られる平均値Ｖ ａｖは、基準値設定
回路１４で得られる基準値Ｖ ｒａｆとほぼ等しくなっ
ているとする。
バイアス設定回路１１から光導波路スイッチ８に供給さ
れる印加電圧が、出射光強度特性の極大値Ｐ１と極小値
Ｑ、との間で変化する直流バイアス電圧Ｖ２１の加わっ
たパルス電圧である場合、出射光は極大値Ｐ、と極小値
Ｑ、の間で理想的な変調を受ける。この状態では、平均
値化回路１３で得られる平均値Ｖ ａｖは、基準値設定
回路１４で得られる基準値Ｖ ｒａｆとほぼ等しくなっ
ているとする。
次に、第３図に示すように、出射光強度特性が（＋）側
にシフトした場合、平均値化回路１３より出力される平
均値Ｖ ａｖが、基準値Ｖ ｒａｆよりも高くなる方向
に変化する。その差分を比較回路１０で検出し、その検
出信号を自動バイアス設定回路１１に供給する。自動バ
イアス設定回路１１では、直流バイアスを（ｖ２．＋△
Ｖ）に変化させ、平均値化回路１３の平均値■、ｖが基
準値Ｖ ｔａｆ と等しくなる方向に制御する。これに
より、出射光は極大値Ｐ１と極小値Ｑ１の間で理想的な
変調を受けるようになる。
にシフトした場合、平均値化回路１３より出力される平
均値Ｖ ａｖが、基準値Ｖ ｒａｆよりも高くなる方向
に変化する。その差分を比較回路１０で検出し、その検
出信号を自動バイアス設定回路１１に供給する。自動バ
イアス設定回路１１では、直流バイアスを（ｖ２．＋△
Ｖ）に変化させ、平均値化回路１３の平均値■、ｖが基
準値Ｖ ｔａｆ と等しくなる方向に制御する。これに
より、出射光は極大値Ｐ１と極小値Ｑ１の間で理想的な
変調を受けるようになる。
出射光強度特性が、第４図に示す如く、（−）側にシフ
トした場合、平均値化回路１３より出力される平均値ｖ
、ｖは基準値Ｖ ｒｅｆよりも低くなる方向に変化する
。その差分を比較回路１０で検出し、その検出信号を自
動バイアス設定回路１１に供給する。自動バイアス設定
回路１１では直流バイアスを（Ｖ２１−△Ｖ）に変化さ
せる。これにより、平均値化回路１３の平均値ｖ１ｖが
基準値ｖｒｌｌｆと等しくなる方向に制御され、出射光
は極大値Ｐ１と極小値Ｑ１の間で理想的な変調を受ける
ようになる。
トした場合、平均値化回路１３より出力される平均値ｖ
、ｖは基準値Ｖ ｒｅｆよりも低くなる方向に変化する
。その差分を比較回路１０で検出し、その検出信号を自
動バイアス設定回路１１に供給する。自動バイアス設定
回路１１では直流バイアスを（Ｖ２１−△Ｖ）に変化さ
せる。これにより、平均値化回路１３の平均値ｖ１ｖが
基準値ｖｒｌｌｆと等しくなる方向に制御され、出射光
は極大値Ｐ１と極小値Ｑ１の間で理想的な変調を受ける
ようになる。
〈発明の効果〉
以上述べたように、本発明によれば、光導波路スイッチ
の出射光強度特性の変化に対応して、動作点を自動追尾
させ、安定した消光比特性が得られるようにした光導波
路スイッチ駆動回路を提供することができる。
の出射光強度特性の変化に対応して、動作点を自動追尾
させ、安定した消光比特性が得られるようにした光導波
路スイッチ駆動回路を提供することができる。
第１図は本発明に係る光導波路スイッチ駆動回路、第２
図〜第４図は本発明に係る光導波路スイッチ駆動回路に
おける印加電圧−出射光変調図第５図は従来の光導波路
スイッチ駆動回路を示す図、第６図は光導波路スイッチ
の印加電圧−出射光強度特性の図、第７図は従来の光導
波路スイッチ駆動回路における印加電圧−出射光変調の
図、第８図は同じくその問題点を示す印加電圧−出射光
変調の図である。 ８・・・光導波路スイッチ ９・・・光−電気変換器 １０・・・比較回路 １１・・・自動バイアス設定回路 ｕ２ １１１’７／ＩＪ ’ｆ；ｉ、、ＩＬ第
７図
図〜第４図は本発明に係る光導波路スイッチ駆動回路に
おける印加電圧−出射光変調図第５図は従来の光導波路
スイッチ駆動回路を示す図、第６図は光導波路スイッチ
の印加電圧−出射光強度特性の図、第７図は従来の光導
波路スイッチ駆動回路における印加電圧−出射光変調の
図、第８図は同じくその問題点を示す印加電圧−出射光
変調の図である。 ８・・・光導波路スイッチ ９・・・光−電気変換器 １０・・・比較回路 １１・・・自動バイアス設定回路 ｕ２ １１１’７／ＩＪ ’ｆ；ｉ、、ＩＬ第
７図
Claims (3)
- （１）電気光学効果を持つ材料によって光導波路を形成
した光導波路スイッチを駆動する回路において、前記光
導波路スイッチの出射光を電気信号に変換する光−電気
変換器と、前記光−電気変換器の出力信号と基準値とを
比較する比較回路と、前記比較回路から与えられる信号
に基づき前記光導波路スイッチに印加されるパルス電圧
の直流バイアスを可変調整する回路とを有することを特
徴とする光導波路スイッチ駆動回路。 - （２）前記光導波路スイッチは、ニオブ酸リチウム基板
にチタンを拡散させて形成した光導波路を有することを
特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の光導波路スイ
ッチ駆動回路。 - （３）前記比較回路は、前記光−電気変換器の出力信号
の平均値をとる回路と、前記光−電気変換器の出力信号
より基準値を作る回路とを備え、前記光−電気変換器の
出力信号の平均値を前記基準値と比較することを特徴と
する特許請求の範囲第１項または第２項に記載の光導波
路スイッチ駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29367787A JPH01134349A (ja) | 1987-11-19 | 1987-11-19 | 光導波路スイッチ駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29367787A JPH01134349A (ja) | 1987-11-19 | 1987-11-19 | 光導波路スイッチ駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01134349A true JPH01134349A (ja) | 1989-05-26 |
Family
ID=17797801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29367787A Pending JPH01134349A (ja) | 1987-11-19 | 1987-11-19 | 光導波路スイッチ駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01134349A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0318814A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-28 | Victor Co Of Japan Ltd | 光―光変換素子の駆動方法 |
| KR20190136939A (ko) | 2018-05-31 | 2019-12-10 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 회로 차단기 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60147716A (ja) * | 1984-01-11 | 1985-08-03 | Nec Corp | 消光比制御光送信装置 |
| JPS6113230A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-21 | Nec Corp | 光スイッチドライブ方法 |
-
1987
- 1987-11-19 JP JP29367787A patent/JPH01134349A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60147716A (ja) * | 1984-01-11 | 1985-08-03 | Nec Corp | 消光比制御光送信装置 |
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Cited By (2)
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| KR20190136939A (ko) | 2018-05-31 | 2019-12-10 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 회로 차단기 |
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