JPH01131001A - 水素吸蔵合金の製造方法 - Google Patents
水素吸蔵合金の製造方法Info
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- JPH01131001A JPH01131001A JP62289716A JP28971687A JPH01131001A JP H01131001 A JPH01131001 A JP H01131001A JP 62289716 A JP62289716 A JP 62289716A JP 28971687 A JP28971687 A JP 28971687A JP H01131001 A JPH01131001 A JP H01131001A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/30—Hydrogen technology
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- Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)
- Hydrogen, Water And Hydrids (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明は、水素吸蔵合金の製造方法に関する。
(ロ)従来の技術
半導体の還元工程等で大量に使用される高純度水素は、
例えば銀・パラジウム合金膜透過法を利用した水素精製
装置によって製造されている。しかし、この装置は銀・
パラジウム合金が高価であること、精製時に400°C
以上の高温が必要であることと云う欠点がある。
例えば銀・パラジウム合金膜透過法を利用した水素精製
装置によって製造されている。しかし、この装置は銀・
パラジウム合金が高価であること、精製時に400°C
以上の高温が必要であることと云う欠点がある。
そこで、安価な水素吸蔵合金を用いた薄帯、薄膜化が要
望され、その−例が特開昭58−27976号公報に開
示されている。
望され、その−例が特開昭58−27976号公報に開
示されている。
(ハ)発明が解決しようとする問題点
しかし、このものは、基板に対する膜の装着後や、水素
放出後にひび割れを生じる等、機械的強度に難点があっ
た。
放出後にひび割れを生じる等、機械的強度に難点があっ
た。
本発明は、薄帯、薄膜化に際して強度を充分に確保でき
るようにしたものである。
るようにしたものである。
に)問題点を解決するための手段
本発明による解決手段は、板状或いは薄帯状の第1の水
素吸蔵合金の表面に、水素吸収反応によって非晶質化す
る第2の水素吸蔵合金を被覆して成る構成である。
素吸蔵合金の表面に、水素吸収反応によって非晶質化す
る第2の水素吸蔵合金を被覆して成る構成である。
(ホ)作 用
被覆された第2の水素吸蔵合金は結晶であるところを、
水素雰囲気中に曝露されて非晶質化する。
水素雰囲気中に曝露されて非晶質化する。
非晶質化された第2の水素吸蔵合金は、水素の吸収放出
に伴なう体積膨張及び収縮が小さく、機械的強度f高い
ことから内側の第1の水素吸蔵合金を保護する。
に伴なう体積膨張及び収縮が小さく、機械的強度f高い
ことから内側の第1の水素吸蔵合金を保護する。
(へ)実施例
以下、本発明の詳細な説明する。
まず、LaNi 5、CaNi 5を第1の水素吸蔵合
金として、その薄帯をスパッタ法、急冷圧延法、熱間圧
延法等によって作成する。薄帯の厚さは1〜50μmで
あるが、これ以上に厚くすることもできる。
金として、その薄帯をスパッタ法、急冷圧延法、熱間圧
延法等によって作成する。薄帯の厚さは1〜50μmで
あるが、これ以上に厚くすることもできる。
次に、この第1水素吸蔵合金の薄帯上或いは全表面に、
RM2で表わされるラーベス相合金(R;希土類元素、
M;第1遷移金属)であるLaNi2、CeNi2、S
mNi2を第2の水素吸蔵合金として以下の方法及び条
件で被覆する。
RM2で表わされるラーベス相合金(R;希土類元素、
M;第1遷移金属)であるLaNi2、CeNi2、S
mNi2を第2の水素吸蔵合金として以下の方法及び条
件で被覆する。
(1) スパッタ法
基板HLaNi s薄帯或いはCaNi5薄帯 □タ
ーゲット;RNi2合金(RiLa、Ce、Sm)膜厚
;約0.1〜1μm (2)蒸着法(真空蒸着法、フラッシュ蒸着法)基板;
LaNi5薄帯或いはCaNi5薄帯蒸発源;RNi2
合金(RiLa、CeSSm)膜厚;約0.1〜1μm (3)MBE法 基板HLaNisLaNi5薄帯或i5薄帯蒸発源;R
Ni2合金(RiLa、CeSSm)膜厚;約0.01
〜1μm このように、第1水素吸蔵合金の薄帯は第2水素吸蔵合
金によって被覆されており、粉末X線回折により、結晶
性のRNi2合金の付着(被覆)が確認された。
ーゲット;RNi2合金(RiLa、Ce、Sm)膜厚
;約0.1〜1μm (2)蒸着法(真空蒸着法、フラッシュ蒸着法)基板;
LaNi5薄帯或いはCaNi5薄帯蒸発源;RNi2
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Ni2合金(RiLa、CeSSm)膜厚;約0.01
〜1μm このように、第1水素吸蔵合金の薄帯は第2水素吸蔵合
金によって被覆されており、粉末X線回折により、結晶
性のRNi2合金の付着(被覆)が確認された。
次に、この薄帯化した水素吸蔵合金を、好ましくは空気
中に曝すこと無く(極力酸化を避けて)続いて試料温度
200°C及び2[]atmの水素雰囲気に約24時間
曝露し、更にこの後に常温で水素を1Qatmで加圧し
た後に真空排気すると云う操作を5回繰返す。
中に曝すこと無く(極力酸化を避けて)続いて試料温度
200°C及び2[]atmの水素雰囲気に約24時間
曝露し、更にこの後に常温で水素を1Qatmで加圧し
た後に真空排気すると云う操作を5回繰返す。
このように第1水素吸蔵合金に被覆されたRM2合金は
、水素雰囲気中での曝露により、非晶質化してしまう。
、水素雰囲気中での曝露により、非晶質化してしまう。
また、このことは粉末X線回折により確認された。
かくして、空気中に取出し、表面観察を行なった結果を
従来例と共に次表で示す。
従来例と共に次表で示す。
この表から判るように、本発明による水素吸蔵合金の薄
帯は、水素の吸収、放出に際して非晶質化した第2水素
吸蔵合金の被覆によって強度が保持されており、従来頻
発したひび割れ等が発生せず、形状が極めて安定的に維
持される。
帯は、水素の吸収、放出に際して非晶質化した第2水素
吸蔵合金の被覆によって強度が保持されており、従来頻
発したひび割れ等が発生せず、形状が極めて安定的に維
持される。
(ト)発明の効果
本発明に依れば、水素吸収反応によって非晶質化する第
2水素吸蔵合金を第1水素吸蔵合金に被覆したことによ
り、即ち、水素の吸収、放出に伴なう体積膨張、収縮が
少い第2水素吸蔵合金を被覆したことにより、第1水素
吸蔵合金の強度を保持でき、経時的に薄板形状及び性能
が安定した水素吸蔵合金を製造することができるもので
ある。
2水素吸蔵合金を第1水素吸蔵合金に被覆したことによ
り、即ち、水素の吸収、放出に伴なう体積膨張、収縮が
少い第2水素吸蔵合金を被覆したことにより、第1水素
吸蔵合金の強度を保持でき、経時的に薄板形状及び性能
が安定した水素吸蔵合金を製造することができるもので
ある。
昭和63年1月27日
Claims (1)
- (1)板状或いは薄帯状の第1の水素吸蔵合金の表面に
、水素吸収反応によって非晶質化する第2の水素吸蔵合
金を被覆して成る水素吸蔵合金の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62289716A JPH01131001A (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | 水素吸蔵合金の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62289716A JPH01131001A (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | 水素吸蔵合金の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01131001A true JPH01131001A (ja) | 1989-05-23 |
Family
ID=17746825
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62289716A Pending JPH01131001A (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | 水素吸蔵合金の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01131001A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5536586A (en) * | 1993-02-22 | 1996-07-16 | Mazda Motor Corporation | Composite hydrogen storage alloy material |
WO2000077266A1 (en) * | 1999-06-11 | 2000-12-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Hydrogen-occluding layered material |
WO2001006024A1 (en) * | 1999-07-16 | 2001-01-25 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Hydrogen-occluding material and process for producing the same |
CN102747520A (zh) * | 2012-07-24 | 2012-10-24 | 宁波慈星股份有限公司 | 一种横编机挑孔的编织方法 |
-
1987
- 1987-11-17 JP JP62289716A patent/JPH01131001A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5536586A (en) * | 1993-02-22 | 1996-07-16 | Mazda Motor Corporation | Composite hydrogen storage alloy material |
WO2000077266A1 (en) * | 1999-06-11 | 2000-12-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Hydrogen-occluding layered material |
US6337146B1 (en) | 1999-06-11 | 2002-01-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Hydrogen-occluding layered material |
WO2001006024A1 (en) * | 1999-07-16 | 2001-01-25 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Hydrogen-occluding material and process for producing the same |
US6329076B1 (en) | 1999-07-16 | 2001-12-11 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Hydrogen storage material and manufacturing method of the same |
CN102747520A (zh) * | 2012-07-24 | 2012-10-24 | 宁波慈星股份有限公司 | 一种横编机挑孔的编织方法 |
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