JPH01129981A - エナメルを付着強固にメタライジングする方法及びメタライジングされたエナメル - Google Patents
エナメルを付着強固にメタライジングする方法及びメタライジングされたエナメルInfo
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- JPH01129981A JPH01129981A JP63227666A JP22766688A JPH01129981A JP H01129981 A JPH01129981 A JP H01129981A JP 63227666 A JP63227666 A JP 63227666A JP 22766688 A JP22766688 A JP 22766688A JP H01129981 A JPH01129981 A JP H01129981A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はエナメルを付着強固にメタライジングする方法
に関する。
に関する。
従来の技術
付着強固な金、鵡層をエナメルに施すことは既に公知で
ある。これは肉厚ペーストを焼付けることにより行なう
(西ドイツ国特許公開第6535972号明細書)。こ
の場合、メタライソングの焼付けのための高い温度並び
に好適な金属ペーストの製造に経費がかかることが欠点
である。
ある。これは肉厚ペーストを焼付けることにより行なう
(西ドイツ国特許公開第6535972号明細書)。こ
の場合、メタライソングの焼付けのための高い温度並び
に好適な金属ペーストの製造に経費がかかることが欠点
である。
プリント配線構造のいくつかの平面を金属的に結合する
には、前記のペーストは殆んど好適ではない。一般に、
ペーストは低い導電性を呈し、層厚(導体高さ)は最高
10μmに制限されている。
には、前記のペーストは殆んど好適ではない。一般に、
ペーストは低い導電性を呈し、層厚(導体高さ)は最高
10μmに制限されている。
発明が解決しようとする課題
本発明の課題は、工業的に簡単な、エナメルの付着強固
なメタライソングを可能にする方法を開示することであ
る。
なメタライソングを可能にする方法を開示することであ
る。
課題を解決するための手段
この課題は特許請求の範囲に記載の方法により解決され
る。
る。
本発明方法により、エナメル製の任意の形状の工材、即
ち凡打及び管材を付着強固にメタライジングすることが
でき、このことは工業的に極めて重要である。更に、引
続いて行なう電気メツキにより任意の金属又は金属層を
その都度所望の品質及び厚さで施すことができるので、
エナメル表面上に任意の金属構造を形成することが初め
て可能である。
ち凡打及び管材を付着強固にメタライジングすることが
でき、このことは工業的に極めて重要である。更に、引
続いて行なう電気メツキにより任意の金属又は金属層を
その都度所望の品質及び厚さで施すことができるので、
エナメル表面上に任意の金属構造を形成することが初め
て可能である。
エナメルとしては、化学的にはポリ珪酸の塩でありかつ
425℃を1廻る温度で焼付けることにより鋼又は銅の
ような金属と接合している特殊ガラスを使用することが
できる。この塩の閉鎖構造は一部アルカリー及び/又は
アルカリ土類酸化物により開放されている。アルミニウ
ム、鉛、硼素、コバルト、ニッケル、チタン、亜鉛及び
/又はジルコニウムのような多゛価元素の酸化物も同様
にあるいは硫化物、弗化物及び/又は砒化物のような無
機添加物も珪酸網状構造中に導入す。ることかできる。
425℃を1廻る温度で焼付けることにより鋼又は銅の
ような金属と接合している特殊ガラスを使用することが
できる。この塩の閉鎖構造は一部アルカリー及び/又は
アルカリ土類酸化物により開放されている。アルミニウ
ム、鉛、硼素、コバルト、ニッケル、チタン、亜鉛及び
/又はジルコニウムのような多゛価元素の酸化物も同様
にあるいは硫化物、弗化物及び/又は砒化物のような無
機添加物も珪酸網状構造中に導入す。ることかできる。
エナメルはガラス状構造又は部分結晶構造で存在してよ
い。
い。
エナメル表面の粗面化は機械的に及び/又は化学的に行
なう。機械化学的粗面化は、初めにエナメル表面をサン
ドブラスト掛けにより拡大し、かつその後エツチング溶
液、例えば弗化水素アンモニウム溶液を用い・て機械的
応力又は微小亀裂に沿って狭幅溝をエナメル中にエツチ
ングして実施することができ有利である。一般に、必要
な微小粗面性はエツチング工程だけで達成され、このた
めには特に弗化水素アンモニウム溶液が好適であり、場
合によってはこれに引続いて酸混合物中での処理を行な
ってもよい。
なう。機械化学的粗面化は、初めにエナメル表面をサン
ドブラスト掛けにより拡大し、かつその後エツチング溶
液、例えば弗化水素アンモニウム溶液を用い・て機械的
応力又は微小亀裂に沿って狭幅溝をエナメル中にエツチ
ングして実施することができ有利である。一般に、必要
な微小粗面性はエツチング工程だけで達成され、このた
めには特に弗化水素アンモニウム溶液が好適であり、場
合によってはこれに引続いて酸混合物中での処理を行な
ってもよい。
粗面化に引続いて超音波処理を行ない、これはルーズな
材料をエナメル表面から除去するのに有用である。次に
析出させる金属のエナメル表面に対する十分な付着強さ
にはこの工程が無条件に必要である。超音波エネルギー
は既にエツチング工程の間にあるいはその後で、例えば
洗浄工程で、超音波発振器を包含する浴中に浸漬するこ
とにより工材に与える。たいていの場合に例えば5分間
という短い滞留時間で十分である。超音波処理は室温で
あるいは若干高めた温度で実施する。
材料をエナメル表面から除去するのに有用である。次に
析出させる金属のエナメル表面に対する十分な付着強さ
にはこの工程が無条件に必要である。超音波エネルギー
は既にエツチング工程の間にあるいはその後で、例えば
洗浄工程で、超音波発振器を包含する浴中に浸漬するこ
とにより工材に与える。たいていの場合に例えば5分間
という短い滞留時間で十分である。超音波処理は室温で
あるいは若干高めた温度で実施する。
粗面化したエナメルを後で活性化するために湿潤剤で状
態調整する。このためには約1%溶液のアニオン性・カ
チオン性並びに非イオン性の湿潤剤が好適である。溶液
の両値は絶対的なものではない。良好な結果は、2%の
硫酸である状態調整溶液で達成することができる。状態
調整時間には5分間が最適である。状態調整は室温又は
若干高めた温度で行なう。
態調整する。このためには約1%溶液のアニオン性・カ
チオン性並びに非イオン性の湿潤剤が好適である。溶液
の両値は絶対的なものではない。良好な結果は、2%の
硫酸である状態調整溶液で達成することができる。状態
調整時間には5分間が最適である。状態調整は室温又は
若干高めた温度で行なう。
この状態調整に引続いて表面の活性化をパラジウム核に
よ9行なう。このために、殊に…値が10.5であるパ
ラジウム錯体の水溶液を使用し、これによりエナメル表
面は活性剤の作用を受けない。活性化は若干高められた
温度(約40°C)で行ない、優れた処理時間はこの場
合にも約5分間である。パラジウムイオンの金属核への
還元後にエナメル表面を外部電流のない還元浴中で化学
的にメタライジングすることができる。
よ9行なう。このために、殊に…値が10.5であるパ
ラジウム錯体の水溶液を使用し、これによりエナメル表
面は活性剤の作用を受けない。活性化は若干高められた
温度(約40°C)で行ない、優れた処理時間はこの場
合にも約5分間である。パラジウムイオンの金属核への
還元後にエナメル表面を外部電流のない還元浴中で化学
的にメタライジングすることができる。
本発明に、c9メタライジングしたエナメル部材は電気
工学及び電子工学で使用される。
工学及び電子工学で使用される。
実施例
例 1
ガラス状のコバルト含有エナメルで被覆した付
鋼心材を粒径50μmの鋼玉粒子を吹けて、エナメル表
面を均一に艶消しした。引続いて、このように処理し几
工材を室温で5分間弗化水素アンモニウムからの5易−
溶液中で超音波処理下にエツチングし、超音波下にすす
いで付着している弗化物を除去しかつ150℃で乾燥さ
せた。その後、部材を酸のコンディショナー中、40°
Cで5分間処理して、活性化の用意をして、中間洗浄後
に活性剤溶液中に5分間浸漬することにより活性化し、
洗浄し、表面上のPd”+を好適な還元剤を用いて5分
間で金属に還元し、次いで化学的に還元して銅PI3μ
mで被覆した。
面を均一に艶消しした。引続いて、このように処理し几
工材を室温で5分間弗化水素アンモニウムからの5易−
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いで付着している弗化物を除去しかつ150℃で乾燥さ
せた。その後、部材を酸のコンディショナー中、40°
Cで5分間処理して、活性化の用意をして、中間洗浄後
に活性剤溶液中に5分間浸漬することにより活性化し、
洗浄し、表面上のPd”+を好適な還元剤を用いて5分
間で金属に還元し、次いで化学的に還元して銅PI3μ
mで被覆した。
この金属層はエナメルに対して付着強さ0.75N /
mrti (剥離試験)を有していた。
mrti (剥離試験)を有していた。
例 2
アルカリ分の少ないエナメルで塗装した銅孔板をアルカ
リ性界面活性剤で脱脂しかつ室温で5分間超音波下に2
%−弗化水素アンモニウム溶液中に浸漬し、引続いて超
音波の作用下に洗浄した。例1に記載したように、表面
を状態調整し、活性化しかつメタライジングした。エナ
メルと銅メツキとの間の付着強さは剥離試験で1.2N
/朋であった。
リ性界面活性剤で脱脂しかつ室温で5分間超音波下に2
%−弗化水素アンモニウム溶液中に浸漬し、引続いて超
音波の作用下に洗浄した。例1に記載したように、表面
を状態調整し、活性化しかつメタライジングした。エナ
メルと銅メツキとの間の付着強さは剥離試験で1.2N
/朋であった。
例 3
鋼孔版を再結晶ガラスセラミックで電気泳動塗装した。
この板材を初めに1%−弗化水素アンモニウム溶液で4
0°Cで10分間粗面化し、その後、10%−カセイソ
ーダ中で超音波下に後処理した。エナメルを前記のよう
に状態調整し、活性化しかつメタライジングした。この
メタライジング後に、銅/エナメルー付着強さ0.6
N /朋が測定された。
0°Cで10分間粗面化し、その後、10%−カセイソ
ーダ中で超音波下に後処理した。エナメルを前記のよう
に状態調整し、活性化しかつメタライジングした。この
メタライジング後に、銅/エナメルー付着強さ0.6
N /朋が測定された。
例 4
例6と同様にして絶縁した金属板を初めに5分間フルオ
ル硼酸とメタンスルホン酸(20%)からの混合物を用
いて室温で超音波下に処理しかつ洗浄した。状態調整、
活性化及びメタライジング後に付着強さ1.4 N /
朋が測定された。
ル硼酸とメタンスルホン酸(20%)からの混合物を用
いて室温で超音波下に処理しかつ洗浄した。状態調整、
活性化及びメタライジング後に付着強さ1.4 N /
朋が測定された。
例 5
鋼孔板をアルカリ分の少ない再結晶エナメルで塗装し、
引続いて洗浄剤のアルカリ性溶液中に浸漬することによ
り脱脂し、かつ超音波作用下に2%−弗化水素アンモニ
ウム溶液中で可溶性にした。表面を洗浄し、状態調整し
かつ活性化した後で化学的に還元してその表面上に3μ
m厚さの銅層を析出させた。この銅表面上にフォトレゾ
ストを積層させかつ原稿を通して露光した。レジストの
現像後に、露出した金属表面を電気メツキにより銅で補
強しかつニッケルと金とからの最終層を電気メツキによ
り施した。レジストを除去しかつベースメタライソング
を除去した後で、このようにして得られた導体板に常用
の配線構造素子を装着した。
引続いて洗浄剤のアルカリ性溶液中に浸漬することによ
り脱脂し、かつ超音波作用下に2%−弗化水素アンモニ
ウム溶液中で可溶性にした。表面を洗浄し、状態調整し
かつ活性化した後で化学的に還元してその表面上に3μ
m厚さの銅層を析出させた。この銅表面上にフォトレゾ
ストを積層させかつ原稿を通して露光した。レジストの
現像後に、露出した金属表面を電気メツキにより銅で補
強しかつニッケルと金とからの最終層を電気メツキによ
り施した。レジストを除去しかつベースメタライソング
を除去した後で、このようにして得られた導体板に常用
の配線構造素子を装着した。
Claims (11)
- 1.初めにエナメル表面を粗面化し、この粗面化と同時
にあるいはそれに引続いて超音波処理を行ない、その後
表面を湿潤剤で状態調整し、引続いて活性化し、かつそ
の後化学的にメタライジングすることを特徴とする、エ
ナメルの付着強固なメタライジング法。 - 2.粗面化を機械的に及び/又は化学的に行なう請求項
1記載の方法。 - 3.化学的粗面化を酸,塩基又は塩の作用により行なう
請求項2記載の方法。 - 4.酸として鉱酸又は有機酸、塩基として水酸化アルカ
リ又は水酸化アンモニウム及び塩としてリン酸塩又は弗
化物を使用する、請求項3記載の方法。 - 5.超音波処理を超音波発振器により行なう請求項1記
載の方法。 - 6.超音波処理を溶液中で行なう請求項5記載の方法。
- 7.水溶液を使う請求項6記載の方法。
- 8.アニオン性・カチオン性又は非イオン性の湿潤剤を
使用する請求項1記載の方法。 - 9.湿潤剤を硫酸溶液中で使用する請求項8記載の方法
。 - 10.活性化をパラジウム錯体を用いて行なう請求項1
記載の方法。 - 11.請求項1から10までのいずれか1項記載の方法
により製造したメタライジングされたエナメル。
Applications Claiming Priority (2)
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---|---|---|---|
DE3731167.0 | 1987-09-14 | ||
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01129981A true JPH01129981A (ja) | 1989-05-23 |
Family
ID=6336172
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63227666A Pending JPH01129981A (ja) | 1987-09-14 | 1988-09-13 | エナメルを付着強固にメタライジングする方法及びメタライジングされたエナメル |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4948674A (ja) |
EP (1) | EP0307585A3 (ja) |
JP (1) | JPH01129981A (ja) |
DE (1) | DE3731167A1 (ja) |
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US5380564A (en) * | 1992-04-28 | 1995-01-10 | Progressive Blasting Systems, Inc. | High pressure water jet method of blasting low density metallic surfaces |
WO2015179425A2 (en) * | 2014-05-20 | 2015-11-26 | Alpha Metals, Inc. | Jettable inks for solar cell and semiconductor fabrication |
JP6630989B2 (ja) * | 2016-03-25 | 2020-01-15 | 三菱重工エンジン&ターボチャージャ株式会社 | 繊維強化部材のめっき方法 |
CN110423995B (zh) * | 2019-08-26 | 2022-01-04 | 惠州市安泰普表面处理科技有限公司 | 不锈钢产品滚镀方法及活化液 |
Family Cites Families (4)
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DE3173705D1 (en) * | 1981-06-15 | 1986-03-20 | Asahi Glass Co Ltd | Heat radiation reflecting glass and preparation thereof |
US4532015A (en) * | 1982-08-20 | 1985-07-30 | Phillips Petroleum Company | Poly(arylene sulfide) printed circuit boards |
DE3332029C2 (de) * | 1982-09-16 | 1994-04-28 | Licentia Gmbh | Verfahren zur Beschichtung eines festen Körpers |
JPS61209926A (ja) * | 1985-03-14 | 1986-09-18 | Hitachi Chem Co Ltd | 金属膜の形成方法 |
-
1987
- 1987-09-14 DE DE19873731167 patent/DE3731167A1/de not_active Withdrawn
-
1988
- 1988-07-22 EP EP19880111820 patent/EP0307585A3/de not_active Withdrawn
- 1988-09-07 US US07/241,594 patent/US4948674A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-09-13 JP JP63227666A patent/JPH01129981A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4948674A (en) | 1990-08-14 |
EP0307585A3 (de) | 1990-06-27 |
DE3731167A1 (de) | 1989-05-11 |
EP0307585A2 (de) | 1989-03-22 |
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