JPH01128591A - セラミック回路基板 - Google Patents
セラミック回路基板Info
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- JPH01128591A JPH01128591A JP28782287A JP28782287A JPH01128591A JP H01128591 A JPH01128591 A JP H01128591A JP 28782287 A JP28782287 A JP 28782287A JP 28782287 A JP28782287 A JP 28782287A JP H01128591 A JPH01128591 A JP H01128591A
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Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、貫通孔を設けてなるセラミック基板の貫通孔
に、導電性を付与してなるセラミック回路基板に関する
ものである。
に、導電性を付与してなるセラミック回路基板に関する
ものである。
従来の技術
近年、回路基板の小型化や高密度化のために、回路基板
に貫通孔を設けて、この貫通孔にめっきを施して、めっ
き被膜によって導通を図ることで回路基板の配線密度を
上げることが常套手段になっている。貫通孔にめっきに
よって導電性を付与する具体的な方法は、第２図に示す
ように、貫通孔１２を設けたセラミックないしはプラス
チック基板１１の貫通孔１２の内壁を塩化すず溶液で処
理し、つづいて塩化パラジウム溶液で処理することによ
って、パラジウム粒子１３を貫通孔１２の内壁に付着さ
せてのちに、無電解銅めっき１４を施して、さらに、電
気銅めっき１５を行なうものである。しかしながら、こ
の方法は、比較的に工程管理がむつかしく、その結果、
回路基板に設けられた多数の貫通孔のなかには導通不良
をきたすこと、また、めっきと貫通孔の内壁との密着性
がわるいことが欠点であった。
に貫通孔を設けて、この貫通孔にめっきを施して、めっ
き被膜によって導通を図ることで回路基板の配線密度を
上げることが常套手段になっている。貫通孔にめっきに
よって導電性を付与する具体的な方法は、第２図に示す
ように、貫通孔１２を設けたセラミックないしはプラス
チック基板１１の貫通孔１２の内壁を塩化すず溶液で処
理し、つづいて塩化パラジウム溶液で処理することによ
って、パラジウム粒子１３を貫通孔１２の内壁に付着さ
せてのちに、無電解銅めっき１４を施して、さらに、電
気銅めっき１５を行なうものである。しかしながら、こ
の方法は、比較的に工程管理がむつかしく、その結果、
回路基板に設けられた多数の貫通孔のなかには導通不良
をきたすこと、また、めっきと貫通孔の内壁との密着性
がわるいことが欠点であった。
このような孔壁の導通不良率を低減するために、従来か
らいろいろな工夫がなされており、特公昭６２−３７８
４０号公報には、孔へのめっきのさいに、２枚の多孔質
板を基板に密着させて、この多孔質板を介してめっき液
を強制的に流しながらめっきを行ない、孔壁に均一なめ
っきを施すことが述べられている。
らいろいろな工夫がなされており、特公昭６２−３７８
４０号公報には、孔へのめっきのさいに、２枚の多孔質
板を基板に密着させて、この多孔質板を介してめっき液
を強制的に流しながらめっきを行ない、孔壁に均一なめ
っきを施すことが述べられている。
発明が解決しようとする問題点
前述した如く、従来の回路基板では、貫通孔の導通を図
るためには、■塩化すず溶液処理、■塩化パラジウム溶
液処理、■無電解銅めっき、■電気銅めっきの順で、回
路基板を処理する方法が一般に行なわれている方法であ
り、これらの工程で、■のすず処理と■のパラジウム処
理が孔壁において不十分なところがあると、この部分で
は、■の無電解銅めっきが行なわれないことになり、導
通不良が発生する。さらに、■の無電解銅めっきは、通
電できる程度にきわめてうずくめっきを行なうのがふつ
うであり、その結果、ややもすると■の電気銅めっきの
段階で、均一なつきまわりのめっきが得られず、導通不
十分がしばしば発生することがある。また、貫通孔の内
壁とめっきの密着性については、パラジウム粒子と内壁
はたんに物理的な付着にすぎないことからそれほど強固
ではない。
るためには、■塩化すず溶液処理、■塩化パラジウム溶
液処理、■無電解銅めっき、■電気銅めっきの順で、回
路基板を処理する方法が一般に行なわれている方法であ
り、これらの工程で、■のすず処理と■のパラジウム処
理が孔壁において不十分なところがあると、この部分で
は、■の無電解銅めっきが行なわれないことになり、導
通不良が発生する。さらに、■の無電解銅めっきは、通
電できる程度にきわめてうずくめっきを行なうのがふつ
うであり、その結果、ややもすると■の電気銅めっきの
段階で、均一なつきまわりのめっきが得られず、導通不
十分がしばしば発生することがある。また、貫通孔の内
壁とめっきの密着性については、パラジウム粒子と内壁
はたんに物理的な付着にすぎないことからそれほど強固
ではない。
本発明は、上記の問題点に鑑みて、きわめて筒車な工法
で、貫通孔の導通が、導体と孔壁との密着性のきわめて
よい状態で、確実に得られることがら導通不良率を大巾
に低減したセラミック回路基板を提供するものである。
で、貫通孔の導通が、導体と孔壁との密着性のきわめて
よい状態で、確実に得られることがら導通不良率を大巾
に低減したセラミック回路基板を提供するものである。
問題点を解決するための手段
本発明は、前記のような欠点のないセラミック回路基板
を提供することを意図するものであって、セラミック基
板に貫通孔を設け、この孔に超電導体材料を導入し、焼
成することにより、超電導体材料で導電性を付与せしめ
た貫通孔を有するセラミック回路基板とするものである
。
を提供することを意図するものであって、セラミック基
板に貫通孔を設け、この孔に超電導体材料を導入し、焼
成することにより、超電導体材料で導電性を付与せしめ
た貫通孔を有するセラミック回路基板とするものである
。
作用
前記のセラミック基板の貫通孔に、超電導体材料を確実
に導入することによって、導通を確保するため、貫通孔
の導通不良がなくなり、きわめて信頼性の高いセラミッ
ク回路基板が得られることになる。また、孔壁内の超電
導体材料は、焼成させるため、そのさい貫通孔の内壁と
一体化し、密着性は、きわめて優れたものとなる。
に導入することによって、導通を確保するため、貫通孔
の導通不良がなくなり、きわめて信頼性の高いセラミッ
ク回路基板が得られることになる。また、孔壁内の超電
導体材料は、焼成させるため、そのさい貫通孔の内壁と
一体化し、密着性は、きわめて優れたものとなる。
実施例
実施例１
以下本発明の一実施例のセラミック回路基板を第１図に
もとづいて、具体的に説明する。
もとづいて、具体的に説明する。
セラ。ミンク基板１の所望の位置に、貫通孔２を設けた
セラミック基板を用意する。これを水平板５の上に置き
、超電導体材料３の粉末をまんべんなくセラミック基板
ｌ上にふりかけてから、基板ｌに振動を加えながら前記
粉末を貫通孔２に導入し、さらに前記粉末が基板上に均
一に乗っている状態のままで貫通孔の粉末に押圧が加わ
るように、基板１をプレスで加圧して、超電導体材料３
を貫通孔２中に圧縮された状態で充てんさせる。基板表
面の余剰の粉末は、払い落して除去すると、貫通孔のみ
に超電導体材料３を保持した基板が得られる。これを焼
成すると、超電導体材料で貫通孔に導通を付与したセラ
ミック回路基板４が得られる。こうして得られたセラミ
ック回路基板は、貫通孔に超電導体材料が強固に密着し
て保持され、かつ貫通孔の導体不良も皆無であった。
セラミック基板を用意する。これを水平板５の上に置き
、超電導体材料３の粉末をまんべんなくセラミック基板
ｌ上にふりかけてから、基板ｌに振動を加えながら前記
粉末を貫通孔２に導入し、さらに前記粉末が基板上に均
一に乗っている状態のままで貫通孔の粉末に押圧が加わ
るように、基板１をプレスで加圧して、超電導体材料３
を貫通孔２中に圧縮された状態で充てんさせる。基板表
面の余剰の粉末は、払い落して除去すると、貫通孔のみ
に超電導体材料３を保持した基板が得られる。これを焼
成すると、超電導体材料で貫通孔に導通を付与したセラ
ミック回路基板４が得られる。こうして得られたセラミ
ック回路基板は、貫通孔に超電導体材料が強固に密着し
て保持され、かつ貫通孔の導体不良も皆無であった。
実施例２
実施例１の超電導体材料を粉末のままで、基板の貫通孔
中に充てんする方法の代りに、超電導体材料の粉末１０
０部にエチルセルロース３部とブチルカルピトール１５
部からなる有機物バインダーとでよく混練してペースト
状にしてこの適量を貫通孔付セラミック基板上に採り、
それをスキージ−で貫通孔に充てんする。これを焼成す
ると、超電導体材料が貫通孔に密着して導入されたセラ
ミック回路基板が得られる。こうして得られた基板の貫
通孔の導通不良は完全に解消された。
中に充てんする方法の代りに、超電導体材料の粉末１０
０部にエチルセルロース３部とブチルカルピトール１５
部からなる有機物バインダーとでよく混練してペースト
状にしてこの適量を貫通孔付セラミック基板上に採り、
それをスキージ−で貫通孔に充てんする。これを焼成す
ると、超電導体材料が貫通孔に密着して導入されたセラ
ミック回路基板が得られる。こうして得られた基板の貫
通孔の導通不良は完全に解消された。
なお、実施例１および２でセラミック基板として、平均
粒径１．５ミクロンの滑石粉ｌｏＯ部と同粒径のマグネ
シア、カルシア、シリカ、酸化バリウム等の助剤６部に
有機物バインダーとして、ポリビニルブチラール樹脂６
部とジブチルフタレート５部、および、適量のメチルエ
チルケトンを用いて、スラリー化しドクターブレード法
でグリーンシート化したものを用いると、貫通孔の内壁
と超電導体材料との一体化はきわめて優れたものとなる
。さらに、上記実施例中、超電導体材料としては、たと
えば、いわゆる常温超電４体を用いるか、または、超電
導臨界温度が室温と液体ちっ素の沸点の間の材料を用い
て、液体ちっ素で冷却するか、もしくは、超電導臨界温
度が、液体ちっ素の沸点以下の材料を用いて液体ヘリウ
ムで冷却するかをすればよい。常温超電導体の一例とし
ては、組成としてストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（
Ｂａ）、イツトリウム（Ｙ）および、銅（Ｃｕ）を夫々
１：１：１：３の比率で含有するセラミック酸化物があ
る。
粒径１．５ミクロンの滑石粉ｌｏＯ部と同粒径のマグネ
シア、カルシア、シリカ、酸化バリウム等の助剤６部に
有機物バインダーとして、ポリビニルブチラール樹脂６
部とジブチルフタレート５部、および、適量のメチルエ
チルケトンを用いて、スラリー化しドクターブレード法
でグリーンシート化したものを用いると、貫通孔の内壁
と超電導体材料との一体化はきわめて優れたものとなる
。さらに、上記実施例中、超電導体材料としては、たと
えば、いわゆる常温超電４体を用いるか、または、超電
導臨界温度が室温と液体ちっ素の沸点の間の材料を用い
て、液体ちっ素で冷却するか、もしくは、超電導臨界温
度が、液体ちっ素の沸点以下の材料を用いて液体ヘリウ
ムで冷却するかをすればよい。常温超電導体の一例とし
ては、組成としてストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（
Ｂａ）、イツトリウム（Ｙ）および、銅（Ｃｕ）を夫々
１：１：１：３の比率で含有するセラミック酸化物があ
る。
発明の効果
本発明の超電導体材料を貫通孔に有するセラミック回路
基板は、簡単な工法で貫通孔の導通が確実に得られるこ
とから、導通不良がなくなり、かつ、焼成のさいに、超
電導体材料は、貫通孔の内壁と一体化するので、密着性
もきわめてよくなるので、セラミック回路基板の信頼性
は格段に向上する。
基板は、簡単な工法で貫通孔の導通が確実に得られるこ
とから、導通不良がなくなり、かつ、焼成のさいに、超
電導体材料は、貫通孔の内壁と一体化するので、密着性
もきわめてよくなるので、セラミック回路基板の信頼性
は格段に向上する。
第１図は本発明のセラミック回路基板の断面図、第２図
は従来のセラミック回路基板の断面図であｌ、１１・・
・・・・セラミック基板、２□ １２・・・・・・貫通
孔、３・・・・・・超電導体材料、１３・・・・・・パ
ラジウム粒子、１４・・・・・・無電解銅めっき、１５
・・・・・・電気銅めっき。
は従来のセラミック回路基板の断面図であｌ、１１・・
・・・・セラミック基板、２□ １２・・・・・・貫通
孔、３・・・・・・超電導体材料、１３・・・・・・パ
ラジウム粒子、１４・・・・・・無電解銅めっき、１５
・・・・・・電気銅めっき。
Claims (2)
- （１）セラミック基板に貫通孔を設け、前記貫通孔に超
電導体材料を導入して、前記超電導体材料を焼成し、前
記貫通孔に前記超電導体材料によって導電性を付与せし
めたセラミック回路基板。 - （２）セラミック基板がグリーンシートである特許請求
の範囲第（１）項記載のセラミック回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28782287A JPH01128591A (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | セラミック回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28782287A JPH01128591A (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | セラミック回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01128591A true JPH01128591A (ja) | 1989-05-22 |
Family
ID=17722213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28782287A Pending JPH01128591A (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | セラミック回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01128591A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111741614A (zh) * | 2020-06-05 | 2020-10-02 | 广州美维电子有限公司 | 一种精细线路pcb板加工方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS64789A (en) * | 1987-06-23 | 1989-01-05 | Seiko Epson Corp | Superconducting printed-circuit board |
-
1987
- 1987-11-13 JP JP28782287A patent/JPH01128591A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS64789A (en) * | 1987-06-23 | 1989-01-05 | Seiko Epson Corp | Superconducting printed-circuit board |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111741614A (zh) * | 2020-06-05 | 2020-10-02 | 广州美维电子有限公司 | 一种精细线路pcb板加工方法 |
| CN111741614B (zh) * | 2020-06-05 | 2021-12-17 | 广州美维电子有限公司 | 一种精细线路pcb板加工方法 |
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