JPH01128555A - リードフレームの製造方法 - Google Patents
リードフレームの製造方法Info
- Publication number
- JPH01128555A JPH01128555A JP28675687A JP28675687A JPH01128555A JP H01128555 A JPH01128555 A JP H01128555A JP 28675687 A JP28675687 A JP 28675687A JP 28675687 A JP28675687 A JP 28675687A JP H01128555 A JPH01128555 A JP H01128555A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- aluminum
- oxide film
- solvent
- deposited
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- KGWWEXORQXHJJQ-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Co].[Ni] Chemical compound [Fe].[Co].[Ni] KGWWEXORQXHJJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 6
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- CYTYCFOTNPOANT-UHFFFAOYSA-N Perchloroethylene Chemical group ClC(Cl)=C(Cl)Cl CYTYCFOTNPOANT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 description 1
- 229950011008 tetrachloroethylene Drugs 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 description 1
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は半導体集積回路（ＩＣ）、トランジスタ、ダイ
オード等の半導体装置用のリードフレーム、特に半田付
性の優れたアルミニウム蒸着リードフレームの製造方法
に関する。
オード等の半導体装置用のリードフレーム、特に半田付
性の優れたアルミニウム蒸着リードフレームの製造方法
に関する。
〈従来の技術〉
鉄−ニッケル合金または鉄−コバルト−ニッケル合金を
基板とするリードフレームにアルミニウムを蒸着する場
合、その前処理として基板表面の清浄化が行なわれる。
基板とするリードフレームにアルミニウムを蒸着する場
合、その前処理として基板表面の清浄化が行なわれる。
この方法としては、先ず溶剤による脱脂洗浄を行なフ
た後、酸化膜除去のための酸洗を行なうのが普通である
。
た後、酸化膜除去のための酸洗を行なうのが普通である
。
ところが、この方法では酸化膜の除去が必ずしも十分で
はない。 酸化膜が残っていると、後のアルミニウムの
蒸着が不均一となり、半田付けが不良となる。
はない。 酸化膜が残っていると、後のアルミニウムの
蒸着が不均一となり、半田付けが不良となる。
特にピン数が８０以上の多ピンのリードフレームではピ
ンの寸法が小さく、半田がぬれ難いためアルミニウムの
蒸着が均一におこなわれてないと、半田付は不良が顕著
になりゃすい。
ンの寸法が小さく、半田がぬれ難いためアルミニウムの
蒸着が均一におこなわれてないと、半田付は不良が顕著
になりゃすい。
また、リード数の多い多ピンのガラス封止形のパッケー
ジでは近年パッケージの信顆性向上を目的として、封止
ガラスの侵蝕、劣化を少くするため、半田付前の酸洗お
よびフラックス処理は極力弱くする傾向にあり、半田付
性の点では苛酷な条件になりつつある。
ジでは近年パッケージの信顆性向上を目的として、封止
ガラスの侵蝕、劣化を少くするため、半田付前の酸洗お
よびフラックス処理は極力弱くする傾向にあり、半田付
性の点では苛酷な条件になりつつある。
〈発明が解決しようとする問題点〉
本発明は上述した従来の技術の欠点を解決しようとする
もので、半田付性が優れているリードフレームの製造方
法を提供しようとするものである。
もので、半田付性が優れているリードフレームの製造方
法を提供しようとするものである。
く問題点を解決するための手段〉
本発明は鉄−ニッケル合金または鉄−コバルト−ニッケ
ル合金を基板とするリードフレームを溶剤洗浄し、その
後、水素雰囲気中で４５０℃〜６５０℃の温度範囲で５
分間以上加熱した後、リード先端にアルミニウムを蒸着
するリードフレームの製造方法を提供するものである。
ル合金を基板とするリードフレームを溶剤洗浄し、その
後、水素雰囲気中で４５０℃〜６５０℃の温度範囲で５
分間以上加熱した後、リード先端にアルミニウムを蒸着
するリードフレームの製造方法を提供するものである。
前記水素雰囲気が水素ガスまたは８０〜１００体積％の
範囲の水素ガスと窒素ガスおよび／またはアルゴンガス
との混合物であるのが好ましい。
範囲の水素ガスと窒素ガスおよび／またはアルゴンガス
との混合物であるのが好ましい。
以下に本発明について詳細に説明する。
基板としては３６重量％〜５２重量％の範囲のニッケル
を含む鉄−ニッケル合金または５重量％〜１７重量％の
範囲のコバルトおよび３重量％〜２５重量％のニッケル
を含む鉄−コバルト−ニッケル合金が好ましい。
を含む鉄−ニッケル合金または５重量％〜１７重量％の
範囲のコバルトおよび３重量％〜２５重量％のニッケル
を含む鉄−コバルト−ニッケル合金が好ましい。
該鉄−ニッケル合金または鉄−コバルト−ニッケル合金
をフォトエツチング、プレス成形等により、ピン幅１５
０μｍ程度、ピンの長さ１０ｍｍ程度のピン数８０以上
の多ビンのリードフレームに成形する。 ピンは水平で
も直角に曲げられていても良い。
をフォトエツチング、プレス成形等により、ピン幅１５
０μｍ程度、ピンの長さ１０ｍｍ程度のピン数８０以上
の多ビンのリードフレームに成形する。 ピンは水平で
も直角に曲げられていても良い。
該多ビンのリードフレームを溶剤洗浄する。
溶剤洗浄することにより、脱脂が行なわれる。 溶剤と
してはフロン、トリクレン、パークロルエチレン等を用
い溶剤中に浸漬し、洗浄をおこなう。
してはフロン、トリクレン、パークロルエチレン等を用
い溶剤中に浸漬し、洗浄をおこなう。
次に該多ピンのリードフレームを水素雰囲気中で４５０
℃〜６５０℃の温度範囲で５分間以上加熱する。 該熱
処理により多ピンのリードフレームの酸化膜を取り除く
。 酸化膜を取り除くことにより後のアルミニウム蒸着
でインナーリード部にアルミニウムが密着よく蒸着し、
また、アウターリード部の半田性は良好となる。
℃〜６５０℃の温度範囲で５分間以上加熱する。 該熱
処理により多ピンのリードフレームの酸化膜を取り除く
。 酸化膜を取り除くことにより後のアルミニウム蒸着
でインナーリード部にアルミニウムが密着よく蒸着し、
また、アウターリード部の半田性は良好となる。
処理温度が４５０℃未満のときは水素ガスによる表面酸
化膜の還元が十分には行なわれず、６５０℃を越えると
きは基板の機械的性質が変化してしまう。 処理時間が
５分間未満のときは酸化膜の還元が不十分である。
化膜の還元が十分には行なわれず、６５０℃を越えると
きは基板の機械的性質が変化してしまう。 処理時間が
５分間未満のときは酸化膜の還元が不十分である。
水素雰囲気は８０〜１００体積％の範囲の水素ガスと窒
素ガスおよび／またはアルゴンガスとの混合物であるの
が好ましい。 水素ガス４度が８０％未満であるときは
酸化膜の還元が不十分である。
素ガスおよび／またはアルゴンガスとの混合物であるの
が好ましい。 水素ガス４度が８０％未満であるときは
酸化膜の還元が不十分である。
その後、該多ビンのリードフレームのインナーリード先
端にアルミニウムを蒸着する。
端にアルミニウムを蒸着する。
〈実施例〉
以下に本発明を実施例および比較例により説明する。
（実施例−１および比較例−１）
ピン数が８０本の鉄−４２重量％ニッケル合金が基板の
リードフレームをフロン洗浄後、全水素ガス雰囲気中で
４６０℃、１０分間加熱し、さらに、インナーリード先
端に約２μｍの厚さのアルミニウムを蒸着した。
リードフレームをフロン洗浄後、全水素ガス雰囲気中で
４６０℃、１０分間加熱し、さらに、インナーリード先
端に約２μｍの厚さのアルミニウムを蒸着した。
比較例−１として、実施例−１と同様のリードフレーム
に実施例−１と同様のフロン洗浄後、５％塩酸溶液中に
３分間浸漬し、水洗乾燥し、実施例−１と同様にインナ
ーリード先端にアルミニウムを蒸着したものを用意した
。
に実施例−１と同様のフロン洗浄後、５％塩酸溶液中に
３分間浸漬し、水洗乾燥し、実施例−１と同様にインナ
ーリード先端にアルミニウムを蒸着したものを用意した
。
上記２種のリードフレームを４６０℃、２０分間加熱し
、第１図および第２図に示すように、低融点ガラス４に
よりアルミナ板３を接着しＩＣパッケージとした。 該
パッケージを濃度５％、温度５０℃の硫酸に約３分間浸
漬し、その後、塩化亜鉛系の液状フラックスに浸漬した
。 さらに、アウターリード部を６５％鉛−３５％ス
ズ合金の融体（温度２３０℃）に約５秒間浸漬した。
、第１図および第２図に示すように、低融点ガラス４に
よりアルミナ板３を接着しＩＣパッケージとした。 該
パッケージを濃度５％、温度５０℃の硫酸に約３分間浸
漬し、その後、塩化亜鉛系の液状フラックスに浸漬した
。 さらに、アウターリード部を６５％鉛−３５％ス
ズ合金の融体（温度２３０℃）に約５秒間浸漬した。
その結果、実施例−１は８０本のビン全数がその先端か
らガラス封止された根元まで半田が十分濡れていた、そ
の例を第１図に示す。
らガラス封止された根元まで半田が十分濡れていた、そ
の例を第１図に示す。
リードフレーム５のアクタ−リード部１上に半田層２が
完全に濡れていた。
完全に濡れていた。
一方、比較例−１はガラス封止された根元の部分で全ピ
ン数のうち約８％が濡れ不良を生じていた。 半田付不
良部６の有る例を第２図に示す。 アクタ−リード部１
の根元に、半田付不良部６が生じていた。
ン数のうち約８％が濡れ不良を生じていた。 半田付不
良部６の有る例を第２図に示す。 アクタ−リード部１
の根元に、半田付不良部６が生じていた。
〈発明の効果〉
本発明はリードフレームを溶剤洗浄し、還元処理し、そ
の後、アルミニウムを蒸着するリードフレームの製造方
法であるため、半田性の優れたリードフレームの製造方
法を提供するものである。
の後、アルミニウムを蒸着するリードフレームの製造方
法であるため、半田性の優れたリードフレームの製造方
法を提供するものである。
第１図は実施例−１のリードフレームの断面図である。
第２図は比較例−１のリードフレームの断面図である。
符号の説明
１・・・アウターリード部、
２・・・半田層、
３・・・アルミナ板、
４・・・低融点ガラス、
５・・・リードフレーム、
６・・・半田付不良部
ＦＩＧ、１
Claims (2)
- （１）鉄−ニッケル合金または鉄−コバルト−ニッケル
合金を基板とするリードフレームを溶剤洗浄し、その後
、水素雰囲気中で４５０℃〜６５０℃の温度範囲で５分
間以上加熱した後、リード先端にアルミニウムを蒸着す
ることを特徴とするリードフレームの製造方法。 - （２）前記水素雰囲気が水素ガスまたは８０〜１００体
積％の範囲の水素ガスと窒素ガスおよび／またはアルゴ
ンガスとの混合物である特許請求の範囲第１項に記載の
リードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28675687A JPH01128555A (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | リードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28675687A JPH01128555A (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | リードフレームの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01128555A true JPH01128555A (ja) | 1989-05-22 |
Family
ID=17708636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28675687A Pending JPH01128555A (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | リードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01128555A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6237953A (ja) * | 1985-08-12 | 1987-02-18 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
| JPS62173746A (ja) * | 1986-01-28 | 1987-07-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | リ−ドフレ−ムとその製造方法 |
-
1987
- 1987-11-13 JP JP28675687A patent/JPH01128555A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6237953A (ja) * | 1985-08-12 | 1987-02-18 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
| JPS62173746A (ja) * | 1986-01-28 | 1987-07-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | リ−ドフレ−ムとその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20180101202A (ko) | 금속/세라믹 회로 기판 제조 방법 | |
| US3147547A (en) | Coating refractory metals | |
| US6354309B1 (en) | Process for treating a semiconductor substrate | |
| JPH01128555A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| US7723158B2 (en) | Method for producing and cleaning surface-mountable bases with external contacts | |
| US6180253B1 (en) | Brazing or soldering material and production method thereof | |
| US4989776A (en) | Method of brazing articles containing aluminum | |
| JPH05283856A (ja) | 電子部品のピンにハンダ組成物を施用する方法 | |
| SU1657311A1 (ru) | Способ изготовлени алюминиевых корпусов модулей | |
| JPH11340614A (ja) | 半田の表面処理方法および半田ならびに半田付け方法 | |
| JP2504081B2 (ja) | リ―ドフレ―ムの製造方法 | |
| JPH0831552B2 (ja) | リードフレームの前処理方法 | |
| JP3049199B2 (ja) | はんだ濡れ性に優れたすずまたはすず合金めっき材及びその製造方法 | |
| JP4556312B2 (ja) | セラミック積層電子部品およびその製造方法 | |
| JPH04215463A (ja) | ガラス封止パッケージ端子へのメッキ方法 | |
| JPS59172752A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2626028B2 (ja) | 半導体セラミック電子部品の製造方法 | |
| JPH01128554A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JP2000022063A (ja) | 電子部品とその製造方法 | |
| JPS6248386B2 (ja) | ||
| JPH05302187A (ja) | 被めっき材の洗浄方法 | |
| JPH0426789A (ja) | リフローめっき材の製造方法 | |
| JPH01120855A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JP4057940B2 (ja) | 太陽電池素子の製造装置 | |
| JPH04101451A (ja) | リードフレーム材料 |