JPH01120855A - リードフレームの製造方法 - Google Patents
リードフレームの製造方法Info
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- JPH01120855A JPH01120855A JP27879387A JP27879387A JPH01120855A JP H01120855 A JPH01120855 A JP H01120855A JP 27879387 A JP27879387 A JP 27879387A JP 27879387 A JP27879387 A JP 27879387A JP H01120855 A JPH01120855 A JP H01120855A
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Links
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野）
この発明は、銅めっき（以下Ｃｕめっきという。）を施
した半導体用リードフレームの製造方法、特にＣｕめっ
き面の酸化防止方法に関するものである。
した半導体用リードフレームの製造方法、特にＣｕめっ
き面の酸化防止方法に関するものである。
トランジスターやＩＣなどのリードフレームには、基材
として銅合金あるいは鉄合金が用いられている。ここで
言う銅合金とは種々の組成があり、特に限定されないが
、Ｃｕ−５ｎ、Ｃｕ−Ｆｅ、Ｃｕ−３ｎ−Ｆｅ、Ｃｕ−
５ｎ−Ｎｉ。
として銅合金あるいは鉄合金が用いられている。ここで
言う銅合金とは種々の組成があり、特に限定されないが
、Ｃｕ−５ｎ、Ｃｕ−Ｆｅ、Ｃｕ−３ｎ−Ｆｅ、Ｃｕ−
５ｎ−Ｎｉ。
Ｃｕ−Ｎｉ−３ｉ、Ｃｕ−Ｃｒ−Ｚｒ、Ｃｕ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ、あるいはこれらに微量の添加元素を加えた合金が一
般的である。鉄合金では４２Ａｌｌｏｙが最も多用され
ている。
ｏ、あるいはこれらに微量の添加元素を加えた合金が一
般的である。鉄合金では４２Ａｌｌｏｙが最も多用され
ている。
上記のような銅合金あるいは鉄合金よりなるリードフレ
ーム基材は、半導体素子の製造工程において、半導体チ
ップとＡｕまたはＡｌ１等の細線でワイヤ・ボンディン
グされる。このワイヤ・ボンディングに必要なリードフ
レームの限定された部分（インナーリード先端部分）に
は、細線とリードフレーム基材との接合性を高めるため
に、あらかじめＡｇめっきが施されているのが一般的で
ある。しかしながら、Ａｇは高価であるために、最近で
はＡｇめっきの代替としてＣｕめっきを施す試みがなさ
れている。
ーム基材は、半導体素子の製造工程において、半導体チ
ップとＡｕまたはＡｌ１等の細線でワイヤ・ボンディン
グされる。このワイヤ・ボンディングに必要なリードフ
レームの限定された部分（インナーリード先端部分）に
は、細線とリードフレーム基材との接合性を高めるため
に、あらかじめＡｇめっきが施されているのが一般的で
ある。しかしながら、Ａｇは高価であるために、最近で
はＡｇめっきの代替としてＣｕめっきを施す試みがなさ
れている。
このようなＣｕめっきを施すリードフレームの製造方法
では、銅合金あるいは鉄合金よりなるリードフレーム基
材に電解脱脂、酸洗等の面処理を行なってから、Ｃｕめ
っきを施し、しかるのち、水洗、乾燥を行なっている。
では、銅合金あるいは鉄合金よりなるリードフレーム基
材に電解脱脂、酸洗等の面処理を行なってから、Ｃｕめ
っきを施し、しかるのち、水洗、乾燥を行なっている。
そして、この乾燥工程りおいては、温風あるいは赤外線
ヒーター等の任意の熱源を利用して、Ｃｕめフき面を大
気中で１００℃前後まで加熱し、その表面に付着してい
る水を蒸発させる方法がとられていた。
ヒーター等の任意の熱源を利用して、Ｃｕめフき面を大
気中で１００℃前後まで加熱し、その表面に付着してい
る水を蒸発させる方法がとられていた。
しかし、上記のようなリードフレームの製造方法では、
Ｃｕめっき面を乾燥するために、大気中で加熱するので
、Ｃｕめっき面およびその表面に付着した氷が高温とな
って、Ｃｕめっき面が水および大気中の酸素と化学反応
を起こし易い状態となり、いかに巧妙な方法をもってし
ても、Ｃｕめっき面に酸化膜が生成するのを抑制するこ
とができなかった。
Ｃｕめっき面を乾燥するために、大気中で加熱するので
、Ｃｕめっき面およびその表面に付着した氷が高温とな
って、Ｃｕめっき面が水および大気中の酸素と化学反応
を起こし易い状態となり、いかに巧妙な方法をもってし
ても、Ｃｕめっき面に酸化膜が生成するのを抑制するこ
とができなかった。
このようにしてＣｕめフき面に生成する酸化膜は、その
厚さが１００人程度に達すると、ワイヤ・ボンディング
の接合性を著しく劣化させるという事実は、すでに確認
されている。したがって、上記のような従来の製造方法
によって得られるリードフレームは、Ｃｕめっき面の乾
燥時に生成する酸化膜のためワイヤ・ボンディングの接
合性が劣るという問題点があった。
厚さが１００人程度に達すると、ワイヤ・ボンディング
の接合性を著しく劣化させるという事実は、すでに確認
されている。したがって、上記のような従来の製造方法
によって得られるリードフレームは、Ｃｕめっき面の乾
燥時に生成する酸化膜のためワイヤ・ボンディングの接
合性が劣るという問題点があった。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、Ｃｕめっき面の乾燥時にあまり酸化膜が生成せず
、ワイヤ・ボンディングの接合性が劣化するのを有効に
防止できるリードフレームの製造方法を得ることを目的
とする。
ので、Ｃｕめっき面の乾燥時にあまり酸化膜が生成せず
、ワイヤ・ボンディングの接合性が劣化するのを有効に
防止できるリードフレームの製造方法を得ることを目的
とする。
この発明にかかるリードフレームの製造方法は、銅合金
または鉄合金よりなるリードフレーム基材の表面にＣｕ
めっきを施してから行なうＣｕめっき面の乾燥を、３０
℃以下の不活性ガスを吹き付けて行なうものである。
または鉄合金よりなるリードフレーム基材の表面にＣｕ
めっきを施してから行なうＣｕめっき面の乾燥を、３０
℃以下の不活性ガスを吹き付けて行なうものである。
この発明においては、３０℃以下の不活性ガスをＣｕめ
っき面に吹き付けるので、Ｃｕめっき面に付着している
水は、不活性ガスの風圧によって、Ｃｕめっき面から除
去される。このとき、露出するＣｕめっき面は、吹き付
けた不活性ガスに）Ｗわれるために、大気と有効に遮断
され、乾燥段階での酸化が充分に防止される。
っき面に吹き付けるので、Ｃｕめっき面に付着している
水は、不活性ガスの風圧によって、Ｃｕめっき面から除
去される。このとき、露出するＣｕめっき面は、吹き付
けた不活性ガスに）Ｗわれるために、大気と有効に遮断
され、乾燥段階での酸化が充分に防止される。
リードフレーム基材の表面にＣｕめっきを施し、そのＣ
ｕめっき面に２０℃のＮ２ガスをエアガンで吹き付けて
、これを乾燥した。リードフレーム基材としては、ＭＦ
２０２ （Ｃｕ−２ｗｔ％５ｎ−０，２ｗｔ％Ｎｉ合金
）を用い、Ｃｕめっきは下記の条件で行なった。
ｕめっき面に２０℃のＮ２ガスをエアガンで吹き付けて
、これを乾燥した。リードフレーム基材としては、ＭＦ
２０２ （Ｃｕ−２ｗｔ％５ｎ−０，２ｗｔ％Ｎｉ合金
）を用い、Ｃｕめっきは下記の条件で行なった。
Ｃｕ５Ｏ，１００ｇ／Ｊ！
Ｈ２ＳＯ４２００ｇ／旦
ＨＣＩＬ Ｏ，２５ｍ１Ｌ／Ｉ。
浴温 ３０℃
電解密度 ２Ａ／ｄゴ
こうしてつくったリードフレームのＣｕめっき面の酸化
膜の厚さを、オーシュ電子分光法によって測定したとこ
ろ、第１表の結果を得た。
膜の厚さを、オーシュ電子分光法によって測定したとこ
ろ、第１表の結果を得た。
（比較例）
実施例と同じ方法でリードフレーム基材にＣｕめっきを
施し、そのＣｕめっき面に５０℃（比較例１）および１
１０℃（比較例２）の大気中で温風を送って、Ｃｕめつ
き面を乾燥した。
施し、そのＣｕめっき面に５０℃（比較例１）および１
１０℃（比較例２）の大気中で温風を送って、Ｃｕめつ
き面を乾燥した。
こうしてつくったリードフレームのＣｕめっき面の酸化
膜の厚さを、オーシュ電子分光法によって測定したとこ
ろ、第１表の結果を得た。
膜の厚さを、オーシュ電子分光法によって測定したとこ
ろ、第１表の結果を得た。
第１表
第１表から明らかなように、従来方法である比較例（１
）、（２）では、いずれもかなりの厚さの酸化膜が生成
したのに対し、この発明の実施例では酸化膜はほとんど
生成しなかった。
）、（２）では、いずれもかなりの厚さの酸化膜が生成
したのに対し、この発明の実施例では酸化膜はほとんど
生成しなかった。
なお、上記実施例では、硫酸銅浴からＣｕめつきを施し
た場合について述べたが、その他の浴、例えばシアン化
鋼浴からＣｕめっきを施す場合でも同様の効果を奏する
。ただし、いずれの場合でも、Ｃｕめつき後の水洗は充
分に行なう必要がある。また、リードフレーム基材とし
て、ＭＦ２０２以外の銅合金、あるいは鉄合金を利用で
きることは言うまでもない。また、この発明は、リード
フレーム基材に限らず、コネクター用基材にも適用する
ことができる。
た場合について述べたが、その他の浴、例えばシアン化
鋼浴からＣｕめっきを施す場合でも同様の効果を奏する
。ただし、いずれの場合でも、Ｃｕめつき後の水洗は充
分に行なう必要がある。また、リードフレーム基材とし
て、ＭＦ２０２以外の銅合金、あるいは鉄合金を利用で
きることは言うまでもない。また、この発明は、リード
フレーム基材に限らず、コネクター用基材にも適用する
ことができる。
以上説明したとおり、この発明によれば、銅合金あるい
は鉄合金のリードフレーム基材の表面にＣｕめっきを施
してから行なうＣｕめっき面の乾燥を、３０℃以下の不
活性ガスを吹き付けて行なうようにしたので、リードフ
レームにおけるＣｕめっき面の酸化膜の生成を有効に抑
制し、ワイヤ・ボンディングの接合性を損なわないとい
う効果が得られる。
は鉄合金のリードフレーム基材の表面にＣｕめっきを施
してから行なうＣｕめっき面の乾燥を、３０℃以下の不
活性ガスを吹き付けて行なうようにしたので、リードフ
レームにおけるＣｕめっき面の酸化膜の生成を有効に抑
制し、ワイヤ・ボンディングの接合性を損なわないとい
う効果が得られる。
Claims (1)
- 銅合金あるいは鉄合金よりなるリードフレーム基材の
表面に銅めっきを施し、その銅めっき面を乾燥するリー
ドフレームの製造方法において、前記銅めっき面の乾燥
を、３０℃以下の不活性ガスを吹き付けて行なうことを
特徴とするリードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27879387A JPH01120855A (ja) | 1987-11-04 | 1987-11-04 | リードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27879387A JPH01120855A (ja) | 1987-11-04 | 1987-11-04 | リードフレームの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01120855A true JPH01120855A (ja) | 1989-05-12 |
Family
ID=17602256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27879387A Pending JPH01120855A (ja) | 1987-11-04 | 1987-11-04 | リードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01120855A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7531940B2 (en) | 2004-08-26 | 2009-05-12 | Shiseido Co., Ltd. | Ion introducer employing piezoelectric bimorph element |
| JP2019207905A (ja) * | 2018-05-28 | 2019-12-05 | 古河電気工業株式会社 | リードフレーム材およびその製造方法ならびに半導体パッケージ |
-
1987
- 1987-11-04 JP JP27879387A patent/JPH01120855A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7531940B2 (en) | 2004-08-26 | 2009-05-12 | Shiseido Co., Ltd. | Ion introducer employing piezoelectric bimorph element |
| JP2019207905A (ja) * | 2018-05-28 | 2019-12-05 | 古河電気工業株式会社 | リードフレーム材およびその製造方法ならびに半導体パッケージ |
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