JPH01125388A - アミドシランおよびアミドシロキサンの製造方法 - Google Patents

アミドシランおよびアミドシロキサンの製造方法

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JPH01125388A
JPH01125388A JP62022655A JP2265587A JPH01125388A JP H01125388 A JPH01125388 A JP H01125388A JP 62022655 A JP62022655 A JP 62022655A JP 2265587 A JP2265587 A JP 2265587A JP H01125388 A JPH01125388 A JP H01125388A
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Tyrone D Mitchell
タイロン・ダンカン・ミッチェル
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    • C07F7/00Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02Silicon compounds
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
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    • C08G77/38Polysiloxanes modified by chemical after-treatment
    • C08G77/382Polysiloxanes modified by chemical after-treatment containing atoms other than carbon, hydrogen, oxygen or silicon
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、アミドシランおよびアミドシロキサンを製造
する新規な方法に関する。さらに詳しくは、本発明は、
有機アミドとSt −H含有化合物とを貴金属含有触媒
の存在下で反応させることよりなるアミドシランおよび
アミドシロキサンの製造方法に関する。
発明の背景 貴金属含有ヒドロシラン化触媒、特に白金系触媒は当業
界でよく知られており、例えば米国特許第2,823,
218号、第3,159,601号、第3,159,6
62号、第3. 220. 972号、第3,419,
593号、第3,516゜946号、第3,814,7
30号に記載されている。一般にこれらの特許の教示に
よれば、珪素に結合した水素原子を有するオルガノシリ
コン材料をオレフィン系またはアセチレン系不飽和を有
する脂肪族不飽和祠料に添加すると、新たな珪素−炭素
結合を有するアダクトが生成する。このような反応はオ
レフィン結合に関して次のように表記できる。
=Si −H+−C=C−→ヨ5j−C−CHPt  
     l   l しかし、これらの特許明細書からは、それらに開示され
た触媒が本発明で意図されているタイプの置換反応を促
進するのに有効であることは教示も示唆もされていない
ド・ベネビル(de Benneville )らの米
国特許第2,876.209号の開示によれば、(1)
炭素、水素および炭素原子に直接結合しており、酸素、
硫黄および窒素から選ばれる原子1種以上からなる有機
化合物であって、酸素、硫黄および窒素原子から選ばれ
る原子に直接結合した反応性の水素原子を1個以上含有
する有機化合物と(2)次式: [式中のRは低級アルキル基で R1およびR2は隣接
する窒素原子のみに直接結合した基および相互にかつ隣
接する窒素原子とともに複素環式核を形成する基から選
ばれ、yは1−約9の数である]の珪素含有化合物とを
10℃−180℃の温度で反応させることにより、珪素
含有有機化合物を製造できる。この反応には、触媒がい
らない利点があるが、副生物としてアミンが遊離する欠
点もある。
ヒュウィッツ(Hurvjtz )らの米国特許第2゜
876.234号によれば、−能代: %式%) [式中のROはシクロヘキシル、アリール、アルケニル
またはアルキルであり、R1およびR2は一緒にモルホ
リノ残基、ピペリジノ残基またはピロリジノ残基である
か、それぞれ別々にR1がシクロヘキシル、フェニル、
アラルキルまたはアルキルで R2が水素、シクロヘキ
シル、アラルキルまたはアルキルであってもよく、Xは
1−4の整数である]のアミノシランを、反応性水素を
含有するアミドと反応させてアミドシランを得ることが
できる。しかし、この方法には、副生物として多量のア
ミン塩が生成する欠点かある。
ゴリツ(Golitz)らの米国特許第3,417゜0
47号に、ハロシランまたはハロシロキサンをカルボン
酸アミドと酸結合剤、例えばピリジンまたはトリアルキ
ルアミンの存在下で反応させることにより、N−シリル
置換カルボン酸アミドを製造できることが開示されてい
る。この方法でも塩副生物が生じ、その処理が必要であ
る。
本出願人に論渡されたクリーベ(Klebe )の米国
特許第3,488.371号には、ジハロシリコン化合
物を有機アミドと特殊な第三アミンの存在下で反応させ
ることにより、線状二官能価シリルアミドを製造できる
ことが記載されている。
トボーサー(Toporcer)らの米国特許第3,7
76.933号に開示されたアミドシランの製造法では
、アミドのナトリウム塩をクロロシランと不活性有機溶
剤の存在下で混合し、塩化ナトリウム副生物を濾過した
後、蒸留により有機溶剤を除去してアミドシラン生成物
を得る。
本出願人に論渡されたミッチェル(Mitchcll)
らの米国特許第4,252,977号に提示された。次
式: %式% (式中のR,R1、R2およびR4は一価の炭化水素基
であり、R3は二価の炭化水素基である)のアセトアミ
ド化合物を形成する方法では、(1)次式: %式% (式中のR2は」二足定義の通り、Xは/\ロゲンであ
る)のシランを次式: %式% (式中のR22は二価の炭化水素基で、R4は上記定義
の通りである)の化合物と白金触媒の存在下で反応させ
て中間体を形成し、 (2)この中間体を次式: %式% のアミドと反応させて所望の生成物をつくる。
上述した先行技術のいずれにも、塩または塩基(例えば
アミン)の副生物が形成されるなどの欠点がある。本発
明者は、活性な水素原子を有する有機アミドをSt −
H含有化合物と貴金属含有触媒の存在下で反応させるこ
とにより、反応副生物として水素ガスを生じるだけで、
アミドシランおよびアミドシロキサンを製造できること
を見出した。
発明の概要 本発明によれば、(a)Si−H含有化合物と(b)有
機アミドとを(c)貴金属含有触媒の存在下で反応させ
る工程を含む、アミドシランおよびアミドシロキサンの
製造方法が提供される。
反応物質を適当な溶剤中で窒素ブランケット下で加熱す
ることにより反応を行って、生成物を湿気から保護する
とともに反応により発生する水素を希釈するのが好まし
い。
本発明に従って製造された組成物は、室2■加硫性シリ
コーン組成物のカップリング剤および架橋剤として特に
有用である。
具体的説明 本発明によれば、(a)St−H含有化合物と(b)有
機アミドとを(c)貴金属含有触媒の存在下で反応させ
る工程を含む、アミドシランおよびアミドシロキサンの
製造方法が提供される。
一般に、Si −H含有化合物としては一般式:%式%
(1) [式中のRは有機基またはオルガノシロキシ基を示し、
好ましくは置換または非置換炭化水素基、アルコキシ基
またはアリールオキシ基で、特に好ましくは低級アルキ
ル基であり、aは2.3または4に等しい整数であるコ
のシラン、または−能代: [式中のRは有機基を示し、好ましくは炭化水素基で、
特に好ましくは低級アルキル基であり、bは0−3の範
囲の値を有し、Cは約0.005−2.0の範囲の値を
有し、bとCの和は0.8−3、 0に等しい]で表わ
され、粘度が25℃で約1〇−約5,000センチポア
ズの範囲にあるポリシロキサンが適当である。
式Iの範囲内に入る適当なシランには、例えばヘキシル
シラン、フェニルシラン、メチルへキシルシラン、プロ
ピルシラン、3,3.3−トリフルオロプロピルシラン
、l−リメトキシシラン、トリエトキシシラン、ジエチ
ルシラン、ジプロピルシラン、シェドキンシラン、メチ
ルメトキシシラン、フェニルメチルシラン、ジフェニル
シランおよびフェニルメトキシシランがある。
」二連した具体例から理解できるように、一般に本発明
を実施する際に用いるシランはアミド部分より反応性の
低い置換基なら何でも含有し得る。
このようなシランは当業界でよく知られており、当業者
であればいたずらに実験を重ねることなく簡単に確認で
きる。勿論、本発明の実施にあたっては適当なシランの
混合物を使用することもてきる。
本発明の実施にあたって使用できる式■のオルガノハイ
ドロジエンシロキサンは、樹脂状、環状、実質的に線状
のいずれでもよく、これらの混合物でもよい。式■のシ
ランと式■のノ\イドロジエンシロキサンとの混合物も
使用できる。オルガノハイドロジエンシロキサンも当業
界で周知であり、例えば米国特許第3,344,111
号および第3.436,366号に記載されている。
5i−H含有化合物か含有する水素原子が2個たけであ
る場合、本発明に従って製造されるアミドシランおよび
アミドシロキサンは連鎖延長剤として有用である。水素
原子が3個以上ある場合に得られるアミドシランおよび
アミドシロキサンは、架橋剤として有用である。
本発明に用いる有機アミドは、少なくとも1個の反応性
の水素原子を含有している必要がある。
有機アミドが一般式: のカルボン酸アミドであるのが好ましい。ここで、Rは
有機基を示し、好ましくは炭化水素基で、特に好ましく
は低級アルキル基であり、R1は水素またはR基である
本発明の有機アミドの範囲内には、−能代。
(式中のR2はアルキレン基を示す)のラクタム、例え
ば環状アミド:次式: %式% のフタルイミジン;および次式: のフタルイミド(上式中のRは水素または置換または非
置換炭化水素基を示す)も含まれる。
本発明の実施にあたって用いるのに適当な他の有機アミ
ドは当業者に自明であり、いたずらに実験を重ねること
なく簡単に確認できる。
本発明の方法を実施する際に有機アミドの混合物を使用
することも想定されている。
有機アミドを少なくとも化学量論酌量存在させるのが好
ましく、特に実質的にすべてのSi −H結合を有機ア
ミドと反応させるためには、有機アミドを週剰に用いる
べきである。
貴金属含有触媒は、当業者が通常ヒドロシラン化触媒と
して用いる触媒のいずれでもよい。このような触媒とし
ては白金を主成分とするものが好ましいが、他の貴金属
、例えばロジウム、ルテニウム、パラジウム、オスミウ
ムおよびイリジウムを主成分とするものでもよい。この
ような触媒は貴金属をチャコール担体に被着したものと
しても、あるいは例えば白金触媒について説明のある前
掲の特許明細書に記載されているような周知の貴金属錯
体のいずれとすることもできる。
貴金属含有触媒は、Si −H含有化合物と有機アミド
との反応を促進するのに有効な間存在させなければなら
ない。一般に、触媒の有効量は約10 ppm−約50
0ppm(金属原子の重量として)であり、約10pp
m−約150ppm(金属原子の重量として)とするの
が好ましい。
本発明の方法は下記の反応式で表記できる。
0     C1h    ClLa    C113
0II     l      l      l  
   IICI+3−C−N −3t−0−81−0−
3l−N−C−Cll3  +H2↑。
II      I      11 Clh Cll3    C11a    Cl13 
Cll3反応は不活性溶剤、例えばベンゼン、トルエン
、キシレン、N、N−ジメチルホルムアミド、N−メチ
ルピロリジノン、ジメトキシエチルエーテル、クロロベ
ンゼン、クロロアルカン化合物、例えば四塩化炭素、ク
ロロホルム、塩化メチレン、トリクロロエチレンなどの
溶剤中で、反応物質と触媒の混合物を加熱還流すること
によって行うのが好ましく、珪素に結合した水素原子の
実質的にすべてが有機アミドと反応し終るまで加熱を続
ける。
反応混合物を赤外分光分析によりSi −Hについて分
析するのが、反応が終点に達した時点を決定する手段と
して好都合である。
好ましくは、反応混合物を約115℃−約135℃の温
度で約25−125時間の期間還流させる。低沸点溶剤
の場合には、反応を加圧下で行う必要があり、反応混合
物を定期的にガス抜きして、累積した水素ガス副生物を
放出する必要がある。
反応系に窒素ブランケットを維持して、アミドシランま
たはアミドシロキサンを湿気から保護するとともに、系
から発生する水素ガスを希釈するのが望ましい。最終生
成物は溶剤を減圧除去した後、冷却し、濾過することに
より弔離できる。
当業者が本発明を容易に実施できるように、以下に実施
例を示すが、これら実施例は例示のためで、限定を意図
するものではない。特記しない限り部およびパルセント
はすべて重量基準である。
実施例 実施例1 滴下ロート、温度計、機械的スタークおよびドライアイ
ス・コンデンサを取り付けた12Jフラスコに、7pの
水および2789g (33,2モル)の重炭酸ナトリ
ウムを入れた。滴下ロートに1032g(8モル)のジ
メチルジクロロシランおよび1504g(1,6モル)
のジメチルクロロシランの混合物を入れた。滴下ロート
中の混合物を重炭酸ナトリウム水溶液に10時間にわた
って滴下した。添加終了後、層を分離させ、上層を集め
る一方、下層を捨てた。上層の生成物層を無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥し、濾過した。炉液をガスクロマトグラ
フィにより組成割合および5i−H含量について分析し
た。分析値は5X−HQ。
93%(理論値0.96%)であった。ガスクロマトグ
ラフィにより、加水分解物が次の組成をもつこともわか
った。M’ M’  7%、M’ DM’  70%、
M’ D2 M′ 20%およ0’M’ D3 M′ 
2%、但しM′はMe、、 H3j0,5を示し、Dは
Me2S10を示す。生成物の収量は1432gであっ
た(理論値の86%)。得られた加水分解物を蒸留によ
り精製して、純度90%以」二の1,1゜3、 3. 
5. 5−ヘキサメチル)・リシロキサンを得ることが
できる。
−19一 実施例2 1000mlの三つロフラスコに208.5g(1モル
)の実施例1で製造し精製した1、1゜3、 3. 5
. 5−ヘキサメチルトリシロキサン、153.3g 
(2,1モル)のN−メチルアセトアミド、173.2
gのトルエンおよび約120ppm  (Ptとして)
の白金含有触媒(ラモロー(Lavloreaux )
の米国特許第3,220,970号の教示に従って調製
、以下、ラモロ〜触媒)を入れた。フラスコに機械的ス
ターク、温度計および還流コンデンサを取り付けた。反
応混合物を100℃に20時間加熱し、その後130℃
に24時間加熱した。44時間の加熱期間の終点で、赤
外分光分析では反応混合物中にSt −Hが検出されな
かった。蒸留により溶剤を除去し、残留物をセライト(
CeliteL9)で>Paして、317.5r;(理
論値の90,6%)の1,5−ビス(N−メチルアセト
アミド)−1,1,3,3,5,5−ヘキサメチルトリ
シロキサンを得た。
実施例3 機械的スターク、コンデンサおよび温度計を取り付けた
51の三つロフラスコに、1087g(5モル)の実施
例1で製造した加水分解物、803g(11モル)のN
−メチルアセトアミド、828gのトルエンおよび12
5ppm  (Ptとして)のラモロー触媒を加えた。
混合物を125−133℃に115時間加熱したところ
、赤外分光分析によりSi −Hが完全に消費されたこ
とが示された。反応混合物を蒸留してトルエンを除去し
、残留物を冷却し、ン濾過して1760g(理論値の9
4%)のα、ω−ビスーアミドシラン混合物を単離した
。この混合物はM’ M’  7%、M’ DM’70
96、M′D2M′ 20%およびM′D3M’  2
%で、但しM′は ヲ示シ、Dハ)le2sIoを示す。
実施例4 底部に出口を有するジャケット被覆5I三つ口フラスコ
に31+の水および1571g (18,7モル)の重
炭酸すトリウムを入れた。フラスコに機械的スターク、
温度計、滴下ロートおよび還流コンデンサを取り付けた
。滴下ロートに447g(3,0モル)のメチルトリク
ロロシランと884g(9,4モル)のジメチルクロロ
シランの混合物を入れた。クロロシラン混合物を急攪拌
しながら重炭酸ナトリウム溶液に8時間にわたって添加
した。添加終了後、混合物を30分間激しく攪拌し、次
いで層を分離した。下層を捨て、上層を無水硫酸マグネ
シウムで乾燥し、濾過した。収量は68(Dr (理論
値の85%)のメチルトリス(ジメチルシロキシ)シラ
ンであった。加水分解を分析したところ、その組成はM
’ M’  9.3%、TM’ 366.4%、T2 
M’ a  15.2%およびT2M’ 51. 8%
で、但しTはMeS]0   を示し、M′はMe 2
Si Oo、50.5 を示す。
実施例5 1000mlの三つロフラスコに268g(1゜0モル
)の実施例4の加水分解物、241g(3゜3モル)の
N−メチルアセトアミド、173gのトルエンおよび1
50ppm  (Ptとして)のラモロー触媒を入れた
。混合物を128−130℃に96時間加熱した。加熱
期間終了後、赤外分光分析では\゛すべてのSi −H
が消費されたことを確かめた。反応混合物を回転エバポ
レータで減圧(95°G/25mm)でストリッピング
して、465g(理論値の92%)のメチルトリス(N
−メチルアセトアミドジメチルシロキシ)シランを得た
実施例6 実施例2および3で得たアミドシロキサン材料がカップ
リング剤として有用であることを確かめた。すなわち、
精製したアミドシロキサンおよびアミドシロキサン加水
分解物それぞれを、約0゜09%のシラノールを含有す
る分子ff120,000のシラノール終端ポリジメチ
ルシロキサンと混合した。両者の量はカップリング剤対
重合体の比かは”、”llとなるように選んだ。材料同
士を混合し、1時間放置すると、粒度が25℃で330
θセンチポアズから100万センチポアズ以」−に上昇
した。実質的な架橋が起っていない証拠として、得られ
た高分子量重合体はトルエンに完全に溶解できた。
実施例7 実施例5で製造したアミドシランが架橋剤として有用で
あることを確かめた。すなわち、粘度が25℃で340
0センチポアズであるシラノール終端ポリジメチルシロ
キサン100gを三官能価のアミドシラン加水分解物3
gと混合した。完全に混合した後、混合物を20分間放
置した。この時点で材料を検査すると不粘着性(指触乾
燥状)であることが認められた。この材料は2時間で完
全にエラストマーに硬化した。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、(a)Si−H含有化合物と(b)有機アミドとを
    (c)貴金属含有触媒の存在下で反応させる工程を含む
    アミドシランおよびアミドシロキサンの製造方法。 2、上記Si−H含有化合物が一般式: H_aSiR_4_−_a のシランであり、式中のRは有機基またはオルガノシロ
    キシ基で、aは2、3または4の整数である特許請求の
    範囲第1項記載の方法。 3、Rがオルガノシロキシ基である特許請求の範囲第2
    項記載の方法。 4、上記Si−H含有化合物がメチルトリス(N−メチ
    ルアセトアミドジメチルシロキシ)シランまたはメチル
    トリス(N−メチルアセトアミドジメチルシロキシ)シ
    ランを含有する加水分解生成物よりなる特許請求の範囲
    第3項記載の方法。 5、上記Si−H含有化合物が一般式: R_bH_cSiO_(_4_−_a_−_b_/_2
    _)のポリシロキサンよりなり、式中のRは有機基で、
    bは0−3の範囲の値を有し、cは約0.005−2.
    0の範囲の値を有し、bとcの和は0.8−3.0に等
    しく、粘度が25℃で約10−約5000センチポアズ
    の範囲にある特許請求の範囲第1項記載の方法。 6、上記Si−H含有化合物が1,1,3,3,5,5
    −ヘキサメチルトリシロキサンまたは1,1,3,3,
    5,5−ヘキサメチルトリシロキサンを含有する加水分
    解生成物よりなる特許請求の範囲第5項記載の方法。 7、上記有機アミドが一般式: ▲数式、化学式、表等があります▼ のカルボン酸アミドであり、式中のRは有機基で、R^
    1は水素またはR基である特許請求の範囲第1、2また
    は5項のいずれかに記載の方法。 8、上記カルボン酸アミドがN−メチルアセトアミドで
    ある特許請求の範囲第7項記載の方法。 9、上記有機アミドが一般式: ▲数式、化学式、表等があります▼ のラクタムであり、式中のR^2はアルキレン基である
    特許請求の範囲第1項記載の方法。 10、上記有機アミドがフタルイミジンまたはフタルイ
    ミドである特許請求の範囲第1項記載の方法。 11、上記貴金属含有触媒が白金を主成分とすに記載の
    方法。 12、上記有機アミドを上記Si−H含有化合物より化
    学量論的に過剰に存在させる特許請求の範囲第1、2ま
    たは5項のいずれかに記載の方法。 13、溶剤中で実質的にすべてのSi−H結合を反応さ
    せるのに有効な時間加熱することにより反応を行う特許
    請求の範囲第1、2または5項のいずれかに記載の方法
    。 14、約115℃−約135℃の温度に約25−約12
    5時間の期間加熱することにより反応を行う特許請求の
    範囲第1、2または5項のいずれかに記載の方法。 15、反応混合物を窒素ブランケット下に維持する工程
    を含む特許請求の範囲第12項記載の方法。
JP62022655A 1985-09-04 1987-02-04 アミドシランおよびアミドシロキサンの製造方法 Pending JPH01125388A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/772,285 US4602094A (en) 1985-09-04 1985-09-04 Process for preparing amidosilanes and amidosiloxanes

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01125388A true JPH01125388A (ja) 1989-05-17

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ID=25094546

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