JPH01123482A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
- Publication number
- JPH01123482A JPH01123482A JP62281432A JP28143287A JPH01123482A JP H01123482 A JPH01123482 A JP H01123482A JP 62281432 A JP62281432 A JP 62281432A JP 28143287 A JP28143287 A JP 28143287A JP H01123482 A JPH01123482 A JP H01123482A
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- light emitting
- emitting device
- semiconductor light
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- Pending
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- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 6
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 2
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Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体発光装置に関し特にその素子構造に
関するものである。
関するものである。
第２図は例えば「三菱電機技報Ｖｏ１．６０ Ｎｏ、８
Ｊに示された従来のＩ ｎＧａＡｓ Ｐメサ型面発光ダ
イオードを示す構造断面図であり、図において、１はｎ
−１ｎＰ基板、２はｎ−ＩｎＰクラッド層、３はＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層、４はｐ−ＩｎＰクラッド層、５はＩｎ
ＧａＡｓＰコンタクト層、６はリング状に形成されたメ
サ溝、７はＳｉｎ、絶縁層、８はｐ−電極、９はｎ−電
極、１０はＳｉ樹脂、１１はＳｉ樹脂により装着された
球レンズ、１２は電流注入のためのＳｉｎｇ開口部であ
る。
Ｊに示された従来のＩ ｎＧａＡｓ Ｐメサ型面発光ダ
イオードを示す構造断面図であり、図において、１はｎ
−１ｎＰ基板、２はｎ−ＩｎＰクラッド層、３はＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層、４はｐ−ＩｎＰクラッド層、５はＩｎ
ＧａＡｓＰコンタクト層、６はリング状に形成されたメ
サ溝、７はＳｉｎ、絶縁層、８はｐ−電極、９はｎ−電
極、１０はＳｉ樹脂、１１はＳｉ樹脂により装着された
球レンズ、１２は電流注入のためのＳｉｎｇ開口部であ
る。
次に動作について説明する。
ｐ−電極８とｎ−電極９を外部電源回路に接続して、ｎ
−１ｎＰクラフト層２．ＩｎＧａＡｓＰ活性層３ ＋
ｎ −Ｉｎ ｐクラッドＮ４より構成されているダブ
ルへテロ接合に順方向電圧を印加する。
−１ｎＰクラフト層２．ＩｎＧａＡｓＰ活性層３ ＋
ｎ −Ｉｎ ｐクラッドＮ４より構成されているダブ
ルへテロ接合に順方向電圧を印加する。
電流が活性層３に注入されるとダブルへテロ接合の効果
により、電子、正孔がここに閉じ込められ、これらは発
光再結合により活性層のバンドギャップにほぼ等価な波
長（＝、１．３μｍ）の光を発生して消滅する。
により、電子、正孔がここに閉じ込められ、これらは発
光再結合により活性層のバンドギャップにほぼ等価な波
長（＝、１．３μｍ）の光を発生して消滅する。
このようにして活性層３において発生した光はＩｎＰ基
板１を透過して球レンズ１１を通っテ外部に取り出され
る。光通信等においては、球レンズにより外部で集光さ
れた光をさらに光ファイバに入射せしめ、遠隔地へ伝送
する。また活性層をメサ型にしていることにより、接合
容量を低減させ、ＣＲ時定数により制限される応答特性
の改善。
板１を透過して球レンズ１１を通っテ外部に取り出され
る。光通信等においては、球レンズにより外部で集光さ
れた光をさらに光ファイバに入射せしめ、遠隔地へ伝送
する。また活性層をメサ型にしていることにより、接合
容量を低減させ、ＣＲ時定数により制限される応答特性
の改善。
及び注入電流密度を高くして発光効率の改善がはかられ
ている。
ている。
従来のメサ型面発光ダイオードは以上のように構成され
ており、応答速度及び発光効率をさらに高めるためには
メサ径をより小さくする必要がある。しかしメサ径が小
さくなるとＳｉｎ、開口部１２はより小さくなりｐ−電
極８とｐ−１ｎＧａＡｓＰ層５の接触面積が小さくなる
ことによりオーミック抵抗が高くなり、定電流を与える
動作電圧が高くなる。またこれに伴い消費電力に比例す
る発生熱量が大きくなるという問題点があった。
ており、応答速度及び発光効率をさらに高めるためには
メサ径をより小さくする必要がある。しかしメサ径が小
さくなるとＳｉｎ、開口部１２はより小さくなりｐ−電
極８とｐ−１ｎＧａＡｓＰ層５の接触面積が小さくなる
ことによりオーミック抵抗が高くなり、定電流を与える
動作電圧が高くなる。またこれに伴い消費電力に比例す
る発生熱量が大きくなるという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、同じメサ径であっても５ｉ０２開口部が小さ
いにもかかわらず動作電圧を小さくすることのできる半
導体発光装置を得ることをこの発明に係る半導体発光装
置は、従来の構造の５ｌｏｚ開口部とコンタクト層との
間にメサ上部面積と等しい面積を有する中間電極を設け
たものである。
たもので、同じメサ径であっても５ｉ０２開口部が小さ
いにもかかわらず動作電圧を小さくすることのできる半
導体発光装置を得ることをこの発明に係る半導体発光装
置は、従来の構造の５ｌｏｚ開口部とコンタクト層との
間にメサ上部面積と等しい面積を有する中間電極を設け
たものである。
この発明においては、中間電極をｐ−ＩｎＧａＡｓｐコ
ンタクト層と最大限の接触面積を有するように形成した
から、オーミック抵抗を小さくすることができる。
ンタクト層と最大限の接触面積を有するように形成した
から、オーミック抵抗を小さくすることができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による半導体発光装置を示す
断面図であり、図において、１はｎ−１ｎＰ基板、２．
３． ４． ５はＩｎＰ基板１上に結晶成長により順
次形成されたｎ−１ｎＰクラッド層、ＩｎＧａＡｓＰ活
性層、ｐ−１ｎＰクラッド層、ｐ−１ｎＧａＡｓＰコン
タクトである。また６はメサエッチによりリング状に形
成されたメサ溝、８ａはメサ部のｐ−１ｎＧａＡｓＰ：
２ンタクト層上にそれと同じ面積を有して形成されたｐ
−中間電極、７はメサ溝を覆うように形成されたＳｔ
ｏ ｘ ｖ！、縁石、１２ ハ’Ｋｍ注入（Ｄ タメノ
Ｓ Ｌ Ｏを開口部、８ｂはＳｉｎｇ開口部１２を界し
てｐ−中間電極８ａと接触せしめて形成されたｐ−電極
、９はｎ−電極、１０はＳｉ樹脂、１１はＳｔ樹脂ｌＯ
により固定された球レンズである。
断面図であり、図において、１はｎ−１ｎＰ基板、２．
３． ４． ５はＩｎＰ基板１上に結晶成長により順
次形成されたｎ−１ｎＰクラッド層、ＩｎＧａＡｓＰ活
性層、ｐ−１ｎＰクラッド層、ｐ−１ｎＧａＡｓＰコン
タクトである。また６はメサエッチによりリング状に形
成されたメサ溝、８ａはメサ部のｐ−１ｎＧａＡｓＰ：
２ンタクト層上にそれと同じ面積を有して形成されたｐ
−中間電極、７はメサ溝を覆うように形成されたＳｔ
ｏ ｘ ｖ！、縁石、１２ ハ’Ｋｍ注入（Ｄ タメノ
Ｓ Ｌ Ｏを開口部、８ｂはＳｉｎｇ開口部１２を界し
てｐ−中間電極８ａと接触せしめて形成されたｐ−電極
、９はｎ−電極、１０はＳｉ樹脂、１１はＳｔ樹脂ｌＯ
により固定された球レンズである。
次に本実施例の作用効果について説明する。
本実施例ではメサ上部電極構造を上述のように構成して
いるので、Ｓｉｎｇ開口部が小さいにもかかわらず、ｐ
−電極とｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層とが最大限の
接触面積を有するようになっている。従ってｐ−中間電
極８ａとｐ、−１ｎＧａＡｓＰコンタクト層５の間のオ
ーミック抵抗は従来のメサ型面発光ダイオードに比べて
、同一メサ直径の場合、小さくなる。またｐ−中間電極
８ａとｐ−電極８ｂの間のオーミック抵抗は同一電極材
を用いることでほぼゼロにすることができるので、開口
部が小さくなっても何ら支障はない。
いるので、Ｓｉｎｇ開口部が小さいにもかかわらず、ｐ
−電極とｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層とが最大限の
接触面積を有するようになっている。従ってｐ−中間電
極８ａとｐ、−１ｎＧａＡｓＰコンタクト層５の間のオ
ーミック抵抗は従来のメサ型面発光ダイオードに比べて
、同一メサ直径の場合、小さくなる。またｐ−中間電極
８ａとｐ−電極８ｂの間のオーミック抵抗は同一電極材
を用いることでほぼゼロにすることができるので、開口
部が小さくなっても何ら支障はない。
なお、上記実施例ではｎ−１ｎＰ基板を用いたＩ ｎＱ
ａＡ３ ｐメサ型面発光ダイオードに本発明を適用する
場合について説明したが、基板にｐ−ＩｎＰ基板を用い
、メサ上部にｎ−電極を形成する場合、さらにＡｌＧａ
Ａｓなど他の材料を用いてメサ型面発光ダイオードを形
成する場合にも本発明を適用することができ、上記実施
例と同様の効果を奏する。
ａＡ３ ｐメサ型面発光ダイオードに本発明を適用する
場合について説明したが、基板にｐ−ＩｎＰ基板を用い
、メサ上部にｎ−電極を形成する場合、さらにＡｌＧａ
Ａｓなど他の材料を用いてメサ型面発光ダイオードを形
成する場合にも本発明を適用することができ、上記実施
例と同様の効果を奏する。
また、上記実施例では円形のメサを有する面発光ダイオ
ードに本発明を適用する場合について述べたが、本発明
はストライプ状のメサを有する端面発光ダイオードや半
導体レーザダイオード等の半導体発光装置にも適用でき
、上記実施例と同様の効果を奏する。
ードに本発明を適用する場合について述べたが、本発明
はストライプ状のメサを有する端面発光ダイオードや半
導体レーザダイオード等の半導体発光装置にも適用でき
、上記実施例と同様の効果を奏する。
以上のように、この発明によればメサ構造を有する半導
体発光装置において、メサ部最上層と５ｌｏ２開口部と
の間にメサ面積に等しい面積を有する中間電極を備えた
構成としたから、電極と結晶間のオーミック抵抗を低減
することができ、動作電圧、熱発生の小さい半導体発光
装置が得られる効果がある。
体発光装置において、メサ部最上層と５ｌｏ２開口部と
の間にメサ面積に等しい面積を有する中間電極を備えた
構成としたから、電極と結晶間のオーミック抵抗を低減
することができ、動作電圧、熱発生の小さい半導体発光
装置が得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体発光装置を示
す構造断面図、第２図は従来のＩ ｎＧａＡｓＰメサ型
面゛発光ダイオードを示す構造断面図である。 １はｎ−１ｎＰ基板、２はｎ−ＩｎＰクラッド層、３は
ＩｎＧａＡｓＰ活性層、４はｐ’−１ｎＰクラッド層、
５はＩｎＧａＡｓＰコンタクト層、６はメサ溝、７はＳ
ｉ Ｏを絶縁層、８はｐ−電極、９はｎ−電極、１０
はＳｉ樹脂、１１は球レンズ、１２はＳ ｉ Ｏ，開口
部。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
す構造断面図、第２図は従来のＩ ｎＧａＡｓＰメサ型
面゛発光ダイオードを示す構造断面図である。 １はｎ−１ｎＰ基板、２はｎ−ＩｎＰクラッド層、３は
ＩｎＧａＡｓＰ活性層、４はｐ’−１ｎＰクラッド層、
５はＩｎＧａＡｓＰコンタクト層、６はメサ溝、７はＳ
ｉ Ｏを絶縁層、８はｐ−電極、９はｎ−電極、１０
はＳｉ樹脂、１１は球レンズ、１２はＳ ｉ Ｏ，開口
部。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (3)
- （１）メサ構造を有し、該メサ上部にメサ上部面積より
も小さい面積の電流注入開口をもつ絶縁膜及び電流注入
のための電極を有する半導体発光装置において、 上記メサ部最上層と上記絶縁膜の間に該メサ上部全面に
接触して設けられかつ上記電流注入開口を通して上記電
極に接続された中間電極を備えたことを特徴とする半導
体発光装置。 - （２）上記メサがストライプ状に形成されていることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体発光装置
。 - （３）上記メサが円柱状に形成されていることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62281432A JPH01123482A (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62281432A JPH01123482A (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01123482A true JPH01123482A (ja) | 1989-05-16 |
Family
ID=17639083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62281432A Pending JPH01123482A (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01123482A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2311108A2 (en) * | 2008-09-30 | 2011-04-20 | LG Innotek Co., Ltd | Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same |
-
1987
- 1987-11-06 JP JP62281432A patent/JPH01123482A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2311108A2 (en) * | 2008-09-30 | 2011-04-20 | LG Innotek Co., Ltd | Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same |
| EP2311108A4 (en) * | 2008-09-30 | 2012-01-18 | Lg Innotek Co Ltd | Light-emitting semiconducting element and method for its production |
| US8188506B2 (en) | 2008-09-30 | 2012-05-29 | Lg Innotek Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
| US8319249B2 (en) | 2008-09-30 | 2012-11-27 | Lg Innotek Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
| US8952414B2 (en) | 2008-09-30 | 2015-02-10 | Lg Innotek Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
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