JPH01118807A - チタン酸化物薄膜の製造方法 - Google Patents
チタン酸化物薄膜の製造方法Info
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- JPH01118807A JPH01118807A JP27579687A JP27579687A JPH01118807A JP H01118807 A JPH01118807 A JP H01118807A JP 27579687 A JP27579687 A JP 27579687A JP 27579687 A JP27579687 A JP 27579687A JP H01118807 A JPH01118807 A JP H01118807A
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Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、酸素ガスを用いた反応性スパッタリンク方法
による、導波路形光学素子における装荷層用のチタン酸
化物薄膜の製造方法に関する。
による、導波路形光学素子における装荷層用のチタン酸
化物薄膜の製造方法に関する。
従来、西原浩著の「光集積回路」（オーム社。
昭６０）において論じられているように導波路形レンズ
、グレーティングなどの導波路形光学素子を形成する手
段として、光導波路上に屈折率の異なる装荷層を形成す
る方法がある。ここで装荷部分の屈折率変化を大きくす
るために高屈折率かつ高透過率の二酸化チタンが装荷層
として多く用いられる。従来二酸化チタン薄膜の形成方
法としては、基板の表面に金属チタンをスパッタリンク
方法などにより成膜し酸素雰囲気中で５００〜６００℃
で５〜８時間加熱酸化して二酸化チタンを形成する方法
がある。
、グレーティングなどの導波路形光学素子を形成する手
段として、光導波路上に屈折率の異なる装荷層を形成す
る方法がある。ここで装荷部分の屈折率変化を大きくす
るために高屈折率かつ高透過率の二酸化チタンが装荷層
として多く用いられる。従来二酸化チタン薄膜の形成方
法としては、基板の表面に金属チタンをスパッタリンク
方法などにより成膜し酸素雰囲気中で５００〜６００℃
で５〜８時間加熱酸化して二酸化チタンを形成する方法
がある。
上記従来技術では、酸化によ）膜厚が増加するのである
が、その割合が酸化条件によシ異なるため膜厚の制御が
困難であった。さらに酸化に数時間を要することから能
率の面でも問題があった。
が、その割合が酸化条件によシ異なるため膜厚の制御が
困難であった。さらに酸化に数時間を要することから能
率の面でも問題があった。
本発明の目的は、屈折率と膜厚の制御が容易でしかも高
屈折率、高透過率のチタン酸化物薄膜の製造方法を提供
することにある。
屈折率、高透過率のチタン酸化物薄膜の製造方法を提供
することにある。
上記目的を達成するために、本発明のチタン酸化物薄膜
は、アルゴンガスと酸素ガスとの混合雰囲気中でグロー
放電を生じさせ、酸化物薄膜を基板上に形成するように
した反応性スパッタ方法において一一ゲットに金属チタ
ンもしくはチタン酸化物を用い、０２／Ａ ｒ分圧比α
３〜α８のはんいで、スパッタリンク成膜することによ
り形成する。
は、アルゴンガスと酸素ガスとの混合雰囲気中でグロー
放電を生じさせ、酸化物薄膜を基板上に形成するように
した反応性スパッタ方法において一一ゲットに金属チタ
ンもしくはチタン酸化物を用い、０２／Ａ ｒ分圧比α
３〜α８のはんいで、スパッタリンク成膜することによ
り形成する。
チタン酸化物を、二酸化チタンをターゲットとしてスパ
ッタリンクにより形成する際、アルゴンガスのみの雰囲
気中で成膜すると、屈折率の高い膜が得られなかった。
ッタリンクにより形成する際、アルゴンガスのみの雰囲
気中で成膜すると、屈折率の高い膜が得られなかった。
Ｘ線マイクロアナライザを用いて組成分析した結果、形
成された膜は酸素が不足した状態であった。そこで反応
性ガスとして酸素を用いることにより形成された膜の屈
折率が上昇することを発見し九。次に、アルゴンガスに
対する酸素ガスの分圧を変えて成膜し屈折率を測定した
ところ、酸素分圧が増えると屈折率は上昇するが、さら
に酸素分圧を上げると屈折率が逆に下降することを発見
した。また透過率についても同様の傾向を得た１以上の
ことから酸素分圧には適正範囲があり、０２／Ａｒ分圧
［ｌＬ３〜α８の範囲でスパッタすることによシ、屈折
率、透過率が高い二酸化チタン薄膜が得られることを発
見し本発明に到った。
成された膜は酸素が不足した状態であった。そこで反応
性ガスとして酸素を用いることにより形成された膜の屈
折率が上昇することを発見し九。次に、アルゴンガスに
対する酸素ガスの分圧を変えて成膜し屈折率を測定した
ところ、酸素分圧が増えると屈折率は上昇するが、さら
に酸素分圧を上げると屈折率が逆に下降することを発見
した。また透過率についても同様の傾向を得た１以上の
ことから酸素分圧には適正範囲があり、０２／Ａｒ分圧
［ｌＬ３〜α８の範囲でスパッタすることによシ、屈折
率、透過率が高い二酸化チタン薄膜が得られることを発
見し本発明に到った。
第２図は二酸化チタンをターゲットとして、アルゴンガ
スと酸素ガスの雰囲気中でスパッタリンクを行った際の
０２／Ａｒ分圧比と屈折率および透過率の関係を示す。
スと酸素ガスの雰囲気中でスパッタリンクを行った際の
０２／Ａｒ分圧比と屈折率および透過率の関係を示す。
スパッタリンク条件としては、スパッタガス圧力［Ｌ３
５ＰａｘＱ、６Ｐａ 、高周波パワーｓｏｏｗ１膜厚約
α０６μｍである。第２図よシ０□／Ａｒ分圧比０では
、屈折率は２．３４、透過率は５５チと低い。ここで第
４図のＸ線回折強度をみるとアモルファスであることが
わかる。０□／Ａｒ分圧比０．７では、屈折率２．４’
７、透過率９７チと最大となる。
５ＰａｘＱ、６Ｐａ 、高周波パワーｓｏｏｗ１膜厚約
α０６μｍである。第２図よシ０□／Ａｒ分圧比０では
、屈折率は２．３４、透過率は５５チと低い。ここで第
４図のＸ線回折強度をみるとアモルファスであることが
わかる。０□／Ａｒ分圧比０．７では、屈折率２．４’
７、透過率９７チと最大となる。
しかも第４図のＸ線回折強度をみると、するどいＴｌＯ
２のピークがみられ結晶性がよいことがわかる。
２のピークがみられ結晶性がよいことがわかる。
さらに０２／Ａｒ分圧比１．０では、屈折率２．４４、
透過率７８チと下降する。第２図よＦ） ０２／Ａｒ分
圧比０．３〜ＣＬ８の範囲（おいては、高屈折率かつ高
透過率の膜が得られる。
透過率７８チと下降する。第２図よＦ） ０２／Ａｒ分
圧比０．３〜ＣＬ８の範囲（おいては、高屈折率かつ高
透過率の膜が得られる。
第３図は、０２／Ａｒ分圧比とスパッタリンクレートの
関係を示す。スパッタリンク条件としては、スパッタガ
ス圧力ＣＬ３５Ｐａ−ｗＱ、６Ｐａ、高周波パワー５０
０Ｗである。反応性ガスとして酸素を用いることによシ
レートは急激に小さくなる＠ ０２／Ａｒ分圧比が大き
くなるにつれレートは少しづつ減少する。
関係を示す。スパッタリンク条件としては、スパッタガ
ス圧力ＣＬ３５Ｐａ−ｗＱ、６Ｐａ、高周波パワー５０
０Ｗである。反応性ガスとして酸素を用いることによシ
レートは急激に小さくなる＠ ０２／Ａｒ分圧比が大き
くなるにつれレートは少しづつ減少する。
それぞれの酸素分圧においてレートは安定している。従
って、スパッタ時間によシ膜厚を精度良く制御すること
ができる。
って、スパッタ時間によシ膜厚を精度良く制御すること
ができる。
上記の二酸化チタンを装荷層として用いることにより、
光学特性に優れたことによって光波制御効率の高い導波
路形光学素子を形成することができる。
光学特性に優れたことによって光波制御効率の高い導波
路形光学素子を形成することができる。
以下、本発明を光学素子へ応用した場合の実施例を説明
する。
する。
実施例 １
第１図は本発明の一実施例であるグレーティングの断面
図を示したものである。基板１に光学研磨したＬｉＮｂ
０．結晶を用いた。光導波路２の形成は、基板１上にＴ
１をスパッタリンクによシ、α０２μｍ堆積させ、熱拡
散によシ作製した。スパッタ条件は、高周波パワー１０
０Ｗ、アルゴンガス圧（Ｌ５５Ｐａ、スパッタ速度Ｑ、
４ｎｍ／ｓｅａである。熱拡散条件は、電気炉を用いて
、１０００℃に加熱し、アルゴンガス雰囲気中で６時間
さらに酸素ガス雰囲気中で１時間熱拡散して作った。
図を示したものである。基板１に光学研磨したＬｉＮｂ
０．結晶を用いた。光導波路２の形成は、基板１上にＴ
１をスパッタリンクによシ、α０２μｍ堆積させ、熱拡
散によシ作製した。スパッタ条件は、高周波パワー１０
０Ｗ、アルゴンガス圧（Ｌ５５Ｐａ、スパッタ速度Ｑ、
４ｎｍ／ｓｅａである。熱拡散条件は、電気炉を用いて
、１０００℃に加熱し、アルゴンガス雰囲気中で６時間
さらに酸素ガス雰囲気中で１時間熱拡散して作った。
光導波路２上に形成するパックァ層３はコー二ンク社◆
７０５９ガラスをスパッタリンクにより膜厚０．０５μ
ｍ形成した。作製条件は、高周波パワー１００Ｗ、アル
ゴンガス圧０．３５Ｐａ、スパッタ速度０．２ｎｍ／ｓ
θＣである。
７０５９ガラスをスパッタリンクにより膜厚０．０５μ
ｍ形成した。作製条件は、高周波パワー１００Ｗ、アル
ゴンガス圧０．３５Ｐａ、スパッタ速度０．２ｎｍ／ｓ
θＣである。
バッファ層３上に形成する装荷層４は厚さα１μｍのＴ
１Ｏ□を上記と同様にスパッタリンクで作製した。スパ
ッタ条件は、ＴｌＯ２ターゲットを用いてスパッタガス
としてアルゴンと酸素を用い、０゜／Ａｒ分圧比α７、
スパッタガス圧力Ｑ、４２Ｐａ、高周波パワーｓｏｏｗ
、スパッタ速度α１ｎｍ／ｓｅｃである。光学定数を測
定したところ、屈折率２．４７５、透過率９８チの高屈
折率、高透過率のチタン酸化物薄膜が得られた。
１Ｏ□を上記と同様にスパッタリンクで作製した。スパ
ッタ条件は、ＴｌＯ２ターゲットを用いてスパッタガス
としてアルゴンと酸素を用い、０゜／Ａｒ分圧比α７、
スパッタガス圧力Ｑ、４２Ｐａ、高周波パワーｓｏｏｗ
、スパッタ速度α１ｎｍ／ｓｅｃである。光学定数を測
定したところ、屈折率２．４７５、透過率９８チの高屈
折率、高透過率のチタン酸化物薄膜が得られた。
次に、装荷層４及びバッファ層３を所定の導波路形光字
素子の形状に微細加工するためのリングラフイー及びエ
ツチング工程を説明する。
素子の形状に微細加工するためのリングラフイー及びエ
ツチング工程を説明する。
第５図に示すように、装荷層４上にレジスト６を回転塗
布法によシ形成する。ここではレジスト６として電子線
レジストであるクロルメチル化ポリスチレン（ＣＭＳ−
ＥＸＲ：東洋リーダ製）を用い、厚さα５μｍとした。
布法によシ形成する。ここではレジスト６として電子線
レジストであるクロルメチル化ポリスチレン（ＣＭＳ−
ＥＸＲ：東洋リーダ製）を用い、厚さα５μｍとした。
次にレジスト６を１３０℃、２０分プリベークした後、
電子ビーム７を所定の装荷層形状に照射する。
電子ビーム７を所定の装荷層形状に照射する。
照射条件は、電子ビーム径１１μｍ１照射量１６μＱ／
ｉとした。電子ビーム露光後、現像を行うことにより、
第６図に示すレジスト製のマスク６を作製する。
ｉとした。電子ビーム露光後、現像を行うことにより、
第６図に示すレジスト製のマスク６を作製する。
その後、イオンエツチングによシ装荷層４及びバッファ
層３を微細加工する。イオンエツチングの条件は、エツ
チングガスとしてＣＦ’４を用い、圧力五８×１０−２
簡ＨＰ、高周波パワー２００Ｗ、エッチ／グ時間１５，
１１４１とした。エツチング後、レジスト製マスク６を
除去することによル、第４図に示した導波路形クレーテ
ィング５が形成できる。
層３を微細加工する。イオンエツチングの条件は、エツ
チングガスとしてＣＦ’４を用い、圧力五８×１０−２
簡ＨＰ、高周波パワー２００Ｗ、エッチ／グ時間１５，
１１４１とした。エツチング後、レジスト製マスク６を
除去することによル、第４図に示した導波路形クレーテ
ィング５が形成できる。
比較例 １
比較例として、第１図の基板１にＬｉＮｂ０．結晶を用
い、光導波路２をＴｉの熱拡散によシ形成し、バッファ
層３はコーニング社す７０５９ガラスをスパッタリンク
によシ形成した。（作ｆＲ余件は実施例１と同様。）次
に、装荷層４は厚さα１μｍのＴｌＯ２をスパッタリン
クで作製した。スパッタ条件は、Ｔ１Ｏ□ターゲットを
用いて、スパッタガスとしてアルゴンと酸素を用い０□
／Ａｒ分圧比α１、スパッタガス圧力α５８Ｐａ１高周
波パワー密度ｓｏｏｗ、スパッタ速度０．１ｎｍ／−で
ある・ 光学定数を測定したところ、屈折率２．４２０．透過率
７６％と実施例に比べ低い値が得られた。この二酸化チ
タン薄膜は高屈折率、高透過率という要求を満たしてお
らず、導波路形光字素子を形成するには不適であった。
い、光導波路２をＴｉの熱拡散によシ形成し、バッファ
層３はコーニング社す７０５９ガラスをスパッタリンク
によシ形成した。（作ｆＲ余件は実施例１と同様。）次
に、装荷層４は厚さα１μｍのＴｌＯ２をスパッタリン
クで作製した。スパッタ条件は、Ｔ１Ｏ□ターゲットを
用いて、スパッタガスとしてアルゴンと酸素を用い０□
／Ａｒ分圧比α１、スパッタガス圧力α５８Ｐａ１高周
波パワー密度ｓｏｏｗ、スパッタ速度０．１ｎｍ／−で
ある・ 光学定数を測定したところ、屈折率２．４２０．透過率
７６％と実施例に比べ低い値が得られた。この二酸化チ
タン薄膜は高屈折率、高透過率という要求を満たしてお
らず、導波路形光字素子を形成するには不適であった。
実施例 ２
第８図は、光学素子として導波路形グレーティング８の
実施例を示す。作製条件は、実施例１と同様に基板１と
してＬｉＮｂ０．結晶を用い、Ｔ１の熱拡散により光導
波路２ｔ−形成する。次に、スパッタリンク法によりガ
ラス製のバッファ層３及び’Ｉ’ｉ０２製の装荷層４を
形成する。Ｔ１Ｏ□の光学定数を測定したところ、屈折
率２．４７５、透過率９９％であった。次に、装荷層４
及びバッファ層３を格子間隔１μｍ１格子幅１焦、格子
本数１００本の装荷形ブラッググレーティングとなるよ
うにレジスト塗布、露光、現像、反応性イオンエツチン
グを実施例１と同様に行い、導波路形グレーティング８
を形成する。
実施例を示す。作製条件は、実施例１と同様に基板１と
してＬｉＮｂ０．結晶を用い、Ｔ１の熱拡散により光導
波路２ｔ−形成する。次に、スパッタリンク法によりガ
ラス製のバッファ層３及び’Ｉ’ｉ０２製の装荷層４を
形成する。Ｔ１Ｏ□の光学定数を測定したところ、屈折
率２．４７５、透過率９９％であった。次に、装荷層４
及びバッファ層３を格子間隔１μｍ１格子幅１焦、格子
本数１００本の装荷形ブラッググレーティングとなるよ
うにレジスト塗布、露光、現像、反応性イオンエツチン
グを実施例１と同様に行い、導波路形グレーティング８
を形成する。
上記した導波路形グレーティング８の特性を確認するた
め、Ｈｅ−Ｈｅレーザ光（波長６ｓｓｎｍ）をプリズム
カップラ法でＴ１拡散ＬｉＮｂ０．光導波路２に導波さ
せ、ブラッグ角にて装荷層４に入射させた。
め、Ｈｅ−Ｈｅレーザ光（波長６ｓｓｎｍ）をプリズム
カップラ法でＴ１拡散ＬｉＮｂ０．光導波路２に導波さ
せ、ブラッグ角にて装荷層４に入射させた。
その結果、回折効率７０％と比較的良好な結果を得た。
上記した導波路形グレーティング８を１５０℃、５００
ｈ高温放置し、回折効率の変化を測定した結果、回折効
率の変化は１％以下と良好な結果を得た。
ｈ高温放置し、回折効率の変化を測定した結果、回折効
率の変化は１％以下と良好な結果を得た。
実施例 ３
第９図は、光学素子として導波路形レンズ９の実施例を
示す。作製条件は、実施例１と同様に基板１としてＬｉ
Ｎｂ０．結晶を用い、Ｔ１の熱拡散により光導波路２を
形成し、スパッタリンク法によりガラス製のバッファ層
３及びＴｌＯ２製の装荷層４を形成する。’Ｉ’１０□
の光学定数を測定したところ屈折率２．４７５、透過率
９８％であった。次に装荷層４及びバッファ層３をレン
ズ厚さの分布式である（１）式を満足するようにレジス
ト塗布、露光、現像、イオンエツチングを実施例１と同
様に行う。
示す。作製条件は、実施例１と同様に基板１としてＬｉ
Ｎｂ０．結晶を用い、Ｔ１の熱拡散により光導波路２を
形成し、スパッタリンク法によりガラス製のバッファ層
３及びＴｌＯ２製の装荷層４を形成する。’Ｉ’１０□
の光学定数を測定したところ屈折率２．４７５、透過率
９８％であった。次に装荷層４及びバッファ層３をレン
ズ厚さの分布式である（１）式を満足するようにレジス
ト塗布、露光、現像、イオンエツチングを実施例１と同
様に行う。
Ｔ （ｘ）＝ Ｔ、、、 （Φ８／２π＋１３
（１）Φｚ＝（ｋｏｎ／２ｆ）ｘ２＋２ｍπ
（２）Ｔ１．１．ｘ＝２π／ｋｏΔｎ（３
） ｋｏ＝２π／λ （４）こ
こで、ｎ：光導波路の実効屈折率、ｆ：焦点距離、Δｎ
：光導波路と装荷層の屈折率差、λ：波長、ｍ ＝＝
０ 、１ 、２ 、・・・である。
（１）Φｚ＝（ｋｏｎ／２ｆ）ｘ２＋２ｍπ
（２）Ｔ１．１．ｘ＝２π／ｋｏΔｎ（３
） ｋｏ＝２π／λ （４）こ
こで、ｎ：光導波路の実効屈折率、ｆ：焦点距離、Δｎ
：光導波路と装荷層の屈折率差、λ：波長、ｍ ＝＝
０ 、１ 、２ 、・・・である。
上記した導波路形レンズ９の特性を確認するため、実施
例２と同様にＨｅ−Ｈｅレーザ光を入射した結果、集光
効率７０％と良好なレンズ特性を得た。しかも、１５０
℃、５６ｏｈの高温試゛験による集光効率の変化は２％
以下と良好な結果を得た。
例２と同様にＨｅ−Ｈｅレーザ光を入射した結果、集光
効率７０％と良好なレンズ特性を得た。しかも、１５０
℃、５６ｏｈの高温試゛験による集光効率の変化は２％
以下と良好な結果を得た。
以上説明したように、本発明によれば、従来品に比べて
、屈折率及び膜厚の制御性よく、高屈折率かつ高透過率
の二酸化チタン薄膜を形成することができる。さらに、
装荷層として用いることにより導波路形光字素子の形成
技術に大きく貢献する。
、屈折率及び膜厚の制御性よく、高屈折率かつ高透過率
の二酸化チタン薄膜を形成することができる。さらに、
装荷層として用いることにより導波路形光字素子の形成
技術に大きく貢献する。
第１図は、本発明に係る製造方法の一実施例を示す導波
路形グレーティングの断面図、第２図は反応性スパッタ
リンクにおける酸素分圧と光学定数の関係を示す図、第
３図は酸素分圧とスパッタリンクレートの関係を示す図
、第４図はＸ線回折強度を示す図、第５〜第７図は本発
明に係る製造方法において、導波路形光字素子の形成過
程の一実施例を示す断面図、第８図は本発明の他の実施
例を示す導波路形グレーティングの斜視図、第９図は本
発明の他の実施例を示す導波路形レンズの斜視図である
。 １・・・基板 ２・・・光導波路 ３・・・バッファ層 ４・・・装荷層 ５・・・導波路形グレーティング ６・・・レジスト ７・・・電子ビーム ８・・・導波路形グレーティング ９・・・導波路形レンズ。 ｅ’” ＞’ 第 １図 ５・・・導〃（豫４形グＬ−テンプ 第５図 第２０ Ｏｚ／Ａｙ分五上し Ｏｚ／Ａｒりｒ厘上ヒ。 第４図 ２θ（ｄｅｇ） 第 ６０ 第 ７図
路形グレーティングの断面図、第２図は反応性スパッタ
リンクにおける酸素分圧と光学定数の関係を示す図、第
３図は酸素分圧とスパッタリンクレートの関係を示す図
、第４図はＸ線回折強度を示す図、第５〜第７図は本発
明に係る製造方法において、導波路形光字素子の形成過
程の一実施例を示す断面図、第８図は本発明の他の実施
例を示す導波路形グレーティングの斜視図、第９図は本
発明の他の実施例を示す導波路形レンズの斜視図である
。 １・・・基板 ２・・・光導波路 ３・・・バッファ層 ４・・・装荷層 ５・・・導波路形グレーティング ６・・・レジスト ７・・・電子ビーム ８・・・導波路形グレーティング ９・・・導波路形レンズ。 ｅ’” ＞’ 第 １図 ５・・・導〃（豫４形グＬ−テンプ 第５図 第２０ Ｏｚ／Ａｙ分五上し Ｏｚ／Ａｒりｒ厘上ヒ。 第４図 ２θ（ｄｅｇ） 第 ６０ 第 ７図
Claims (1)
- １、不活性ガスと酸素ガスとの混合雰囲気中で気体放電
を生じさせ、酸化物薄膜を基板上に形成するようにした
反応性スパッタリンク方法において、ターゲット物質に
金属チタン（Ｔ＿１）もしくは一酸化チタン（Ｔ＿１Ｏ
）、二酸化チタン（Ｔ＿１Ｏ＿２）などのチタン酸化物
を用い、不活性ガスとして、アルゴンを用い、アルゴン
に対する酸素の分圧比、Ｏ＿２／Ａｒを０．３〜０．８
としたことを特徴とするチタン酸化物薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62275796A JPH0812302B2 (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | チタン酸化物薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62275796A JPH0812302B2 (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | チタン酸化物薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01118807A true JPH01118807A (ja) | 1989-05-11 |
| JPH0812302B2 JPH0812302B2 (ja) | 1996-02-07 |
Family
ID=17560536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62275796A Expired - Lifetime JPH0812302B2 (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | チタン酸化物薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0812302B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997025450A1 (en) * | 1996-01-05 | 1997-07-17 | Bvba Vanderstraeten E | Process for coating a substrate with titanium dioxide |
| EP1167953A1 (en) * | 2000-02-07 | 2002-01-02 | Organo Corporation | Electric conductometer, electrode for measuring electric conductivity, and method for producing the same |
| JP2002326816A (ja) * | 2001-05-01 | 2002-11-12 | Japan Atom Energy Res Inst | レーザーアブレーション法による二酸化チタン微粒子の合成方法及び合成装置 |
| USRE43817E1 (en) | 2004-07-12 | 2012-11-20 | Cardinal Cg Company | Low-maintenance coatings |
| US9738967B2 (en) | 2006-07-12 | 2017-08-22 | Cardinal Cg Company | Sputtering apparatus including target mounting and control |
| US10604442B2 (en) | 2016-11-17 | 2020-03-31 | Cardinal Cg Company | Static-dissipative coating technology |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58223639A (ja) * | 1982-06-21 | 1983-12-26 | Fujitsu Ltd | 光フアイバ端面への反射防止膜形成方法 |
| JPS59121119A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 強誘電体薄膜の製造方法 |
-
1987
- 1987-11-02 JP JP62275796A patent/JPH0812302B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58223639A (ja) * | 1982-06-21 | 1983-12-26 | Fujitsu Ltd | 光フアイバ端面への反射防止膜形成方法 |
| JPS59121119A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 強誘電体薄膜の製造方法 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997025450A1 (en) * | 1996-01-05 | 1997-07-17 | Bvba Vanderstraeten E | Process for coating a substrate with titanium dioxide |
| US6468402B1 (en) | 1996-01-05 | 2002-10-22 | Bekaert Vds | Process for coating a substrate with titanium dioxide |
| EP1167953A1 (en) * | 2000-02-07 | 2002-01-02 | Organo Corporation | Electric conductometer, electrode for measuring electric conductivity, and method for producing the same |
| EP1167953A4 (en) * | 2000-02-07 | 2003-07-09 | Organo Corp | ELECTRICAL CONDUCTOMETER, ELECTRODE FOR MEASURING ELECTRICAL CONDUCTIVITY, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF |
| JP2002326816A (ja) * | 2001-05-01 | 2002-11-12 | Japan Atom Energy Res Inst | レーザーアブレーション法による二酸化チタン微粒子の合成方法及び合成装置 |
| USRE43817E1 (en) | 2004-07-12 | 2012-11-20 | Cardinal Cg Company | Low-maintenance coatings |
| USRE44155E1 (en) | 2004-07-12 | 2013-04-16 | Cardinal Cg Company | Low-maintenance coatings |
| US9738967B2 (en) | 2006-07-12 | 2017-08-22 | Cardinal Cg Company | Sputtering apparatus including target mounting and control |
| US10604442B2 (en) | 2016-11-17 | 2020-03-31 | Cardinal Cg Company | Static-dissipative coating technology |
| US11325859B2 (en) | 2016-11-17 | 2022-05-10 | Cardinal Cg Company | Static-dissipative coating technology |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0812302B2 (ja) | 1996-02-07 |
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