JP2605139B2 - 装荷型グレーテイング，集光グレーテイングカツプラ，導波路形光偏向器 - Google Patents
装荷型グレーテイング，集光グレーテイングカツプラ，導波路形光偏向器Info
- Publication number
- JP2605139B2 JP2605139B2 JP1127559A JP12755989A JP2605139B2 JP 2605139 B2 JP2605139 B2 JP 2605139B2 JP 1127559 A JP1127559 A JP 1127559A JP 12755989 A JP12755989 A JP 12755989A JP 2605139 B2 JP2605139 B2 JP 2605139B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- loading
- grating
- optical waveguide
- refractive index
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、装荷型グレーテイング、特に、薄膜型光ピ
ツクアツプなどの光集積回路を形成するのに用いられる
装荷型グレーテイングに関するものである。
ツクアツプなどの光集積回路を形成するのに用いられる
装荷型グレーテイングに関するものである。
従来の装荷型グレーテイングは、第５図に示すよう
に、例えば、LiNbO3結晶よりなる基板１の表面に、例え
ば、Tiを拡散して形成された光導波路２上に、例えば、
バツフア層３を介して形成した、例えば、SiO2からなる
装荷層４からなつており、装荷層４の外部は空気層（屈
折率＝1.0）となつていた。
に、例えば、LiNbO3結晶よりなる基板１の表面に、例え
ば、Tiを拡散して形成された光導波路２上に、例えば、
バツフア層３を介して形成した、例えば、SiO2からなる
装荷層４からなつており、装荷層４の外部は空気層（屈
折率＝1.0）となつていた。
なお、関連する技術は、例えば、裏 升吾他、光集積
デイスクピツクアツプ用集光グレーテイング、電子通信
学会論文誌'85/10 Vol.J68−Ｃ No.10 803〜811p.に
開示されている。
デイスクピツクアツプ用集光グレーテイング、電子通信
学会論文誌'85/10 Vol.J68−Ｃ No.10 803〜811p.に
開示されている。
装荷型グレーテイングの特性を決める１つの条件が装
荷層４とそれをとりまく層（クラツド層と称する）の屈
折率差であり、装荷型グレーテイングが正常に機能する
ためには両者の屈折率が高い精度で常に一定である必要
がある。しかしながらクラツド層が空気層である場合
は、湿度変化や大気中のほこり等により屈折率は一定で
ない。そればかりでなく、従来の装荷型グレーテイング
は第４図にＥで示す如き電界分布をもち、空気層への光
のしみ出しが無視できないため、ほこりが付着した場合
は散乱などにより素子が充分機能しないことが問題であ
つた。また装荷層としてTiO2を用いる場合、水の吸収に
よる屈折率の変化を無視できないという問題があつた。
荷層４とそれをとりまく層（クラツド層と称する）の屈
折率差であり、装荷型グレーテイングが正常に機能する
ためには両者の屈折率が高い精度で常に一定である必要
がある。しかしながらクラツド層が空気層である場合
は、湿度変化や大気中のほこり等により屈折率は一定で
ない。そればかりでなく、従来の装荷型グレーテイング
は第４図にＥで示す如き電界分布をもち、空気層への光
のしみ出しが無視できないため、ほこりが付着した場合
は散乱などにより素子が充分機能しないことが問題であ
つた。また装荷層としてTiO2を用いる場合、水の吸収に
よる屈折率の変化を無視できないという問題があつた。
本発明の主なる目的は、装荷層とクラツド層とよりな
る層（以下グレーテイング層と称する）の屈折率が一定
で、外部の影響に関係なく、安定した特性を持つ装荷型
グレーテイングを得ることにある。
る層（以下グレーテイング層と称する）の屈折率が一定
で、外部の影響に関係なく、安定した特性を持つ装荷型
グレーテイングを得ることにある。
上述の課題を解決するためにとられた本発明の主なる
構成は、薄膜光導波路上に装荷層が形成される装荷型グ
レーテイングにおいて、前記薄膜光導波路が前記装荷層
の厚さより厚いクラツド層でおおわれ、該クラツド層の
屈折率ncが、 １＜nc＜ｎ ……（１） ここで、 ａは装荷層により形成されるグレーテイング格子の占
める体積が、装荷層を含むクラツド層の厚さを高さとし
薄膜光導波路を底面とする体積に占める体積比 nfは薄膜光導波路の屈折率 ngは装荷層の屈折率 であることを特徴とするものである。
構成は、薄膜光導波路上に装荷層が形成される装荷型グ
レーテイングにおいて、前記薄膜光導波路が前記装荷層
の厚さより厚いクラツド層でおおわれ、該クラツド層の
屈折率ncが、 １＜nc＜ｎ ……（１） ここで、 ａは装荷層により形成されるグレーテイング格子の占
める体積が、装荷層を含むクラツド層の厚さを高さとし
薄膜光導波路を底面とする体積に占める体積比 nfは薄膜光導波路の屈折率 ngは装荷層の屈折率 であることを特徴とするものである。
本発明の装荷型グレーテイングは、屈折率が（１）式
のnc未満の物質をクラツド層として装荷層よりも厚く形
成してあるので、クラツド層の屈折率は常に一定とな
る。
のnc未満の物質をクラツド層として装荷層よりも厚く形
成してあるので、クラツド層の屈折率は常に一定とな
る。
（１）式は、グレーテイング層の屈折率、すなわち装
荷層（屈折率ng）とクラツド層（屈折率nc）の平均屈折
率（ngc）が導波路の屈折率nfよりも小さくなるという
条件を満たす。導波路中の光線は通常上下の境界面でθ
gc,θｓ＜θ＜90゜の全反射条件（θsc＝sin-1（ngc/
nf），（θｓ＝sin-1（ns/nf））を満たす角度θで全反
射をくり返しながらジグザグに伝搬していくが、もしグ
レーテイング層の屈折率ngcが導波路の屈折率nfよりも
大きくなるとグレーテイング層側へ光が漏れていく。そ
のためクラツド層の屈折率はncよりも小さい必要があ
る。
荷層（屈折率ng）とクラツド層（屈折率nc）の平均屈折
率（ngc）が導波路の屈折率nfよりも小さくなるという
条件を満たす。導波路中の光線は通常上下の境界面でθ
gc,θｓ＜θ＜90゜の全反射条件（θsc＝sin-1（ngc/
nf），（θｓ＝sin-1（ns/nf））を満たす角度θで全反
射をくり返しながらジグザグに伝搬していくが、もしグ
レーテイング層の屈折率ngcが導波路の屈折率nfよりも
大きくなるとグレーテイング層側へ光が漏れていく。そ
のためクラツド層の屈折率はncよりも小さい必要があ
る。
また、例えば、TiO2からなる装荷層はクラツド層の形
成により直接空気にふれないため水分の吸収による屈折
率変化を防ぐことができる。さらに、クラツド層を厚く
することにより、後述の如く、伝搬する光の電界は第３
図のＥに示すようにクラツド層の外へはほとんどしみ出
さないためほこり等が付着しても散乱はおこらない。つ
まり適当な屈折率と厚さをもつクラツド層の形成によ
り、グレーテイング層の屈折率は常に一定となり、ま
た、外部の影響に関係なく安定した特性を有する装荷型
グレーテイングを得ることができる。
成により直接空気にふれないため水分の吸収による屈折
率変化を防ぐことができる。さらに、クラツド層を厚く
することにより、後述の如く、伝搬する光の電界は第３
図のＥに示すようにクラツド層の外へはほとんどしみ出
さないためほこり等が付着しても散乱はおこらない。つ
まり適当な屈折率と厚さをもつクラツド層の形成によ
り、グレーテイング層の屈折率は常に一定となり、ま
た、外部の影響に関係なく安定した特性を有する装荷型
グレーテイングを得ることができる。
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図は本発明の第１の実施例である集光グレーテイ
ングカッフラ６の斜視図で、第２図は、その集光グレー
テイングの断面図であり、これらの図で、1,2,3,4は、
それぞれ、基板，光導波路，バツフア層，装荷層を示
し、５はクラツド層を示している。基板１にはLiNbO3結
晶を用い、光導波路２は基板１上にスパツタリングによ
り24nm堆積したTiを熱拡散することにより作製する。Ti
のスパツタリングは高周波パワー300W,アルゴンガス圧
0.35Pa,スパツタ速度0.4nm/secの条件で行つた。熱拡散
は、電気炉を用いて、1000℃に加熱しアルゴンガス雰囲
気中で２時間、続いて酸素ガスを0.5時間流して行つ
た。ここで光導波路２の表面屈折率はnf＝2.22となり等
価屈折率Ｎ＝2.209のTE単一モード導波路であつた。光
導波路２上に形成するバツフア層３はコーニング社製＃
7059ガラスをスパツタリングにより0.01μｍ形成した。
スパツタ条件は高周波パワー100W,アルゴンガス圧0.35P
a,スパツタ速度0.2nm/secである。バツフア層３上に形
成する装荷層４は厚さ0.1μｍのTiO2をスパツタリング
で作製した。スパツタ条件は、TiO2ターゲツトを用いて
スパツタガスとしてアルゴンと酸素を用い、O2/Ar分圧
比0.7,スパツタガス圧力0.42Pa,高周波パワー500W,スパ
ツタ速度0.1nm/secである。次に装荷層４及びバツフア
層３を所定のグレーテイング形状に加工するために、電
子線レジストであるクロルメチル化ポリスチレン（CMS
−EXR;東洋ソーダ製）を回転塗布し、電子ビームにより
所定のパターンを露光，現像してレジスト製のマスクを
装荷層４の上に作製した。その後CF4ガスを用いた反応
性イオンエツチングにより装荷層４及びバツフア層３に
レジストパターンを微細加工した。レジストを除去し最
後にクラツド層５としてスパツタリングによりSiO2を１
μｍ成膜した。スパツタ条件はアルコンガス圧力0.35P
a,高周波パワー500W,スパツタ速度40nm/secである。
ングカッフラ６の斜視図で、第２図は、その集光グレー
テイングの断面図であり、これらの図で、1,2,3,4は、
それぞれ、基板，光導波路，バツフア層，装荷層を示
し、５はクラツド層を示している。基板１にはLiNbO3結
晶を用い、光導波路２は基板１上にスパツタリングによ
り24nm堆積したTiを熱拡散することにより作製する。Ti
のスパツタリングは高周波パワー300W,アルゴンガス圧
0.35Pa,スパツタ速度0.4nm/secの条件で行つた。熱拡散
は、電気炉を用いて、1000℃に加熱しアルゴンガス雰囲
気中で２時間、続いて酸素ガスを0.5時間流して行つ
た。ここで光導波路２の表面屈折率はnf＝2.22となり等
価屈折率Ｎ＝2.209のTE単一モード導波路であつた。光
導波路２上に形成するバツフア層３はコーニング社製＃
7059ガラスをスパツタリングにより0.01μｍ形成した。
スパツタ条件は高周波パワー100W,アルゴンガス圧0.35P
a,スパツタ速度0.2nm/secである。バツフア層３上に形
成する装荷層４は厚さ0.1μｍのTiO2をスパツタリング
で作製した。スパツタ条件は、TiO2ターゲツトを用いて
スパツタガスとしてアルゴンと酸素を用い、O2/Ar分圧
比0.7,スパツタガス圧力0.42Pa,高周波パワー500W,スパ
ツタ速度0.1nm/secである。次に装荷層４及びバツフア
層３を所定のグレーテイング形状に加工するために、電
子線レジストであるクロルメチル化ポリスチレン（CMS
−EXR;東洋ソーダ製）を回転塗布し、電子ビームにより
所定のパターンを露光，現像してレジスト製のマスクを
装荷層４の上に作製した。その後CF4ガスを用いた反応
性イオンエツチングにより装荷層４及びバツフア層３に
レジストパターンを微細加工した。レジストを除去し最
後にクラツド層５としてスパツタリングによりSiO2を１
μｍ成膜した。スパツタ条件はアルコンガス圧力0.35P
a,高周波パワー500W,スパツタ速度40nm/secである。
このとき集光グレーテイングカッフラと外部の空気層
との境界での電界振幅は導波路内における電界振幅の最
大値を１とするとほとんどゼロとなつた。
との境界での電界振幅は導波路内における電界振幅の最
大値を１とするとほとんどゼロとなつた。
このようにして製作された集光グレーテイングカツプ
ラでの、入射光に対する出射光のパワーの比を測定した
ところ60％であつた。
ラでの、入射光に対する出射光のパワーの比を測定した
ところ60％であつた。
なお、グレーテイングの形成については前述の第１実
施例と同様におこないクラツド層を形成しなかつた第５
図の場合は空気層での電界振幅は導波路内での最大値１
に対し0.15程度であつた。また集光グレーテイングカツ
プラにおける入射光に対する出射光のパワーの比は40％
と第１実施例に比べ低い値であつた。
施例と同様におこないクラツド層を形成しなかつた第５
図の場合は空気層での電界振幅は導波路内での最大値１
に対し0.15程度であつた。また集光グレーテイングカツ
プラにおける入射光に対する出射光のパワーの比は40％
と第１実施例に比べ低い値であつた。
第６図は本発明の第２実施例で、光学素子として形成
した導波路形光偏向器11を示したものである。この図
で、1,2,3,4,5,6はそれぞれ、基板，光導波路，バツフ
ア層，装荷層，クラツド層を示し、６は集光グレーテイ
ングカツプラ、７は入力グレーテイングカツプラ、８は
入射光、９は出射光（回折光）、10はトランスデユーサ
を示している。
した導波路形光偏向器11を示したものである。この図
で、1,2,3,4,5,6はそれぞれ、基板，光導波路，バツフ
ア層，装荷層，クラツド層を示し、６は集光グレーテイ
ングカツプラ、７は入力グレーテイングカツプラ、８は
入射光、９は出射光（回折光）、10はトランスデユーサ
を示している。
この実施例も第１実施例の場合と同様に、基板１とし
てLiNbO3結晶を用い、Tiの熱拡散によつて光導波路２を
形成し、スパツタリング法によりガラス製のバツフア層
３及びTiO2製の装荷層４を形成した。つぎに、これらの
装荷層４およびバツフア層３を加工し、入力グレーテイ
ングカツプラ7,集光グレーテイングカツプラ６とするた
めに、レジスト塗布，露光，現像，イオンエツチングを
第１実施例の場合と同様の方法で行つたのちSiO2よりな
るクラツド層５を１μｍ形成した。ここで入力グレーテ
イングカツプラ７は入射光８を光導波路２へ導波させる
ものであり、格子間隔３μｍ、格子寸法３×3mmであ
る。一方、集光グレーテイングカツプラ６は光導波路２
を伝搬する導波光を外部へ放射させ、かつ一点に集光さ
せる機能を有するものであり、中心部分の格子間隔３μ
ｍの不等間隔曲線群で構成され、開口２×2mm,焦点距離
50mmである。次に光導波路２表面に表面弾性波（SAW:Su
rface Acoustic Wave）を励振するトランスデユーサ（I
DT:Inter Digital Transducer）10を形成する。形成方
法は、リフトオフ法を用いてAl製パターンを真空蒸着法
により形成した。トランスデユーサ10の仕様は中心波長
14μm,中心周波数250MHz、対数２である。
てLiNbO3結晶を用い、Tiの熱拡散によつて光導波路２を
形成し、スパツタリング法によりガラス製のバツフア層
３及びTiO2製の装荷層４を形成した。つぎに、これらの
装荷層４およびバツフア層３を加工し、入力グレーテイ
ングカツプラ7,集光グレーテイングカツプラ６とするた
めに、レジスト塗布，露光，現像，イオンエツチングを
第１実施例の場合と同様の方法で行つたのちSiO2よりな
るクラツド層５を１μｍ形成した。ここで入力グレーテ
イングカツプラ７は入射光８を光導波路２へ導波させる
ものであり、格子間隔３μｍ、格子寸法３×3mmであ
る。一方、集光グレーテイングカツプラ６は光導波路２
を伝搬する導波光を外部へ放射させ、かつ一点に集光さ
せる機能を有するものであり、中心部分の格子間隔３μ
ｍの不等間隔曲線群で構成され、開口２×2mm,焦点距離
50mmである。次に光導波路２表面に表面弾性波（SAW:Su
rface Acoustic Wave）を励振するトランスデユーサ（I
DT:Inter Digital Transducer）10を形成する。形成方
法は、リフトオフ法を用いてAl製パターンを真空蒸着法
により形成した。トランスデユーサ10の仕様は中心波長
14μm,中心周波数250MHz、対数２である。
このようにして構成された導波路形光偏向器11の特性
を確認するため、He−Neレーザ光を入力グレーテイング
カツプラ７に入射させ集光グレーテイングカツプラ６で
出射させた結果、集光スポツト径は回折限界値14μｍに
対して20μｍ、全効率40％と良好な結果を得た。また、
高周波電力をトランスデユーサ10に供給し、発生したSA
Wによる光偏向実験を行つた結果、導波光はSAWによりブ
ラツグ回折し、所定の偏向角である±10mradにて出射光
（回折光）９が得られた。この場合、偏向効率は80％で
あり、スポツト径についても顕著な劣化がないことを確
認した。
を確認するため、He−Neレーザ光を入力グレーテイング
カツプラ７に入射させ集光グレーテイングカツプラ６で
出射させた結果、集光スポツト径は回折限界値14μｍに
対して20μｍ、全効率40％と良好な結果を得た。また、
高周波電力をトランスデユーサ10に供給し、発生したSA
Wによる光偏向実験を行つた結果、導波光はSAWによりブ
ラツグ回折し、所定の偏向角である±10mradにて出射光
（回折光）９が得られた。この場合、偏向効率は80％で
あり、スポツト径についても顕著な劣化がないことを確
認した。
本発明によれば、屈折率が常に一定であり、ほこりや
水のような外部の影響をうけないためグレーテイングの
特性が全く変化しないという効果がある装荷型グレーテ
イングを提供可能とするもので、産業上の効果の大なる
ものである。
水のような外部の影響をうけないためグレーテイングの
特性が全く変化しないという効果がある装荷型グレーテ
イングを提供可能とするもので、産業上の効果の大なる
ものである。
第１図は本発明の装荷型グレーテイングの一実施例の集
光グレーテイングカツプラの斜視図、第２図は第１図の
断面図、第３図は第１図の集光グレーテイングカツプラ
の中を伝搬する光の電界分布の説明図、第４図は同じく
他の実施例の導波路形光偏向器の斜視図、第５図は従来
の集光グレーテイングカツプラの斜視図、第６図は第５
図の集光グレーテイングカツプラの中を伝搬する光の電
界分布の説明図である。 １……基板、２……光導波層、３……バツフア層、４…
…装荷層、５……クラツド層、６……集光グレーテイン
グカツプラ、７……入力グレーテイングカツプラ、８…
…入射光、９……出射光、10……トランスデユーサ、11
……導波路形光偏向器。
光グレーテイングカツプラの斜視図、第２図は第１図の
断面図、第３図は第１図の集光グレーテイングカツプラ
の中を伝搬する光の電界分布の説明図、第４図は同じく
他の実施例の導波路形光偏向器の斜視図、第５図は従来
の集光グレーテイングカツプラの斜視図、第６図は第５
図の集光グレーテイングカツプラの中を伝搬する光の電
界分布の説明図である。 １……基板、２……光導波層、３……バツフア層、４…
…装荷層、５……クラツド層、６……集光グレーテイン
グカツプラ、７……入力グレーテイングカツプラ、８…
…入射光、９……出射光、10……トランスデユーサ、11
……導波路形光偏向器。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川本 和民 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 伊藤 顕知 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株式会社日立製作所生産技術研究所内 (56)参考文献 特開 昭63−192004（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−279204（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−264454（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−107212（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】薄膜光導波路上に装荷層が形成される装荷
型グレーテイングにおいて、前記薄膜光導波路が前記装
荷層の厚さより厚いクラッド層でおおわれ、該クラツド
層の屈折率ncが、 １＜nc＜ｎ ここで、 ａは装荷層により形成されるグレーテイング格子の占め
る体積が、装荷層を含むむクラッド層の厚さを高さとし
薄膜光導波路を底面とする体積に占める体積比 nfは薄膜光導波路の屈折率 ngは装荷層の屈折率 であることを特徴とする装荷型グレーテイング。 - 【請求項２】前記薄膜光導波路はTiを拡散したLiNbO3よ
りなり、この薄膜光導波路上にガラスよりなるバツフア
層を介してTiO2よりなる装荷層が形成され、前記クラッ
ド層はSiO2よりなりかつそのクラツド層が前記装荷層の
厚さより厚く被着してなることを特徴とする請求項１記
載の装荷型グレーテイング。 - 【請求項３】請求項１又は２の装荷型グレーテイングよ
りなることを特徴とする集光グレーテイングカツプラ。 - 【請求項４】請求項１又は２の装荷型グレーテイングが
入力グレーテイングカツプラ及び集光グレーテイングカ
ツプラとして光導波路の両端部に設けられていることを
特徴とする導波路形光偏向器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1127559A JP2605139B2 (ja) | 1989-05-20 | 1989-05-20 | 装荷型グレーテイング，集光グレーテイングカツプラ，導波路形光偏向器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1127559A JP2605139B2 (ja) | 1989-05-20 | 1989-05-20 | 装荷型グレーテイング，集光グレーテイングカツプラ，導波路形光偏向器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02306207A JPH02306207A (ja) | 1990-12-19 |
| JP2605139B2 true JP2605139B2 (ja) | 1997-04-30 |
Family
ID=14963018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1127559A Expired - Lifetime JP2605139B2 (ja) | 1989-05-20 | 1989-05-20 | 装荷型グレーテイング，集光グレーテイングカツプラ，導波路形光偏向器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2605139B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63192004A (ja) * | 1987-02-05 | 1988-08-09 | Hitachi Ltd | 導波路形光学素子およびその製造方法 |
| JPS63279204A (ja) * | 1987-05-11 | 1988-11-16 | Seiko Epson Corp | 光ピックアップ |
-
1989
- 1989-05-20 JP JP1127559A patent/JP2605139B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02306207A (ja) | 1990-12-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5910256A (en) | Method for manufacturing a diffraction type optical element | |
| JPH0642291B2 (ja) | 集積化光ヘツド | |
| JPH09318826A (ja) | 光導波路型フィルタおよびその製造方法 | |
| CA2040683A1 (en) | Moisture sealing of optical waveguide devices with doped silicon dioxide | |
| JPH027238A (ja) | 光情報記録再生装置 | |
| WO2008018247A1 (fr) | Élément polarisant à transmission, et plaque polarisante complexe utilisant l'élément | |
| JPH11142668A (ja) | 損失吸収のための光導波路素子及びその製造方法 | |
| JPS60188911A (ja) | 光結合器 | |
| US4906063A (en) | Wave guide type optical device and method of fabricating the same | |
| JP2605139B2 (ja) | 装荷型グレーテイング，集光グレーテイングカツプラ，導波路形光偏向器 | |
| JP2624783B2 (ja) | 光集積回路 | |
| JPH0680443B2 (ja) | 保護されたルネブルグレンズ | |
| JP3200996B2 (ja) | 光導波路装置 | |
| JPH0812302B2 (ja) | チタン酸化物薄膜の製造方法 | |
| JPH0680444B2 (ja) | ルネブルグレンズの作製方法 | |
| JPS60188909A (ja) | グレ−テイングカツプラ−の作製方法 | |
| AU649818B2 (en) | Optical information recording medium in which a protective layer comprises a Ni-Cr alloy layer | |
| JPS60140204A (ja) | 光導波路レンズ及びその製造方法 | |
| JP2728732B2 (ja) | 電子ビーム描画によるホログラムの形成方法 | |
| JP3023085B2 (ja) | 集光素子の製造方法 | |
| JPH0727931A (ja) | 光導波路 | |
| JPH0373937B2 (ja) | ||
| JP2783817B2 (ja) | 光導波路装置の製造方法 | |
| JPH026906A (ja) | 導波路光学素子 | |
| JP3890407B2 (ja) | 回折格子型光機能素子 |