JPH01117079A - 半導体レーザー装置 - Google Patents
半導体レーザー装置Info
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- JPH01117079A JPH01117079A JP27419487A JP27419487A JPH01117079A JP H01117079 A JPH01117079 A JP H01117079A JP 27419487 A JP27419487 A JP 27419487A JP 27419487 A JP27419487 A JP 27419487A JP H01117079 A JPH01117079 A JP H01117079A
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- laser chip
- beams
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- mount
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体レーザ装置に関するものである。
第３図は従来の半導体レーザ装置の半導体レーザチップ
とサブマウントの拡大断面図であり、図において、（１
）は半導体レーザチップ、（２）はこの半導体レーザチ
ップ（１１の熱歪緩和材としてのサブマウント、（３）
は上記半導体レーザチップ＋１）の全端面から出るレー
ザ光、（４）は半導体レーザチップ（１）の後端面から
出る光出力コントロール用のモニタ光、（５）は発光点
である。
とサブマウントの拡大断面図であり、図において、（１
）は半導体レーザチップ、（２）はこの半導体レーザチ
ップ（１１の熱歪緩和材としてのサブマウント、（３）
は上記半導体レーザチップ＋１）の全端面から出るレー
ザ光、（４）は半導体レーザチップ（１）の後端面から
出る光出力コントロール用のモニタ光、（５）は発光点
である。
次に動作について説明する。半導体レーザチップ（１）
から出射される光は、半導体レーザチップ（１１の両端
面から放出され、前端面からのレーザ光（３）と、後端
面からのレーザ光（モニタ光）（４）とに区別される。
から出射される光は、半導体レーザチップ（１１の両端
面から放出され、前端面からのレーザ光（３）と、後端
面からのレーザ光（モニタ光）（４）とに区別される。
前端面からのレーザ光（３）と後端面からのモニタ光（
４）は比例関係をもっている。従って、半導体レーザ装
置はモニタ光（４）の光出力の変化を検知して、それに
よって半導体レーザチップ＋１１への注入電流を制御し
、前端面からのレーザ光（３）を制御する。そこで半導
体レーザチップ（１１の発光点（５）をサブマウント（
２）に接近させてグイボンドした半導体レーザ装置では
後端面からのモニタ光（４）は全モニタ光の約半分近く
がサブマウント（２）で反射される。
４）は比例関係をもっている。従って、半導体レーザ装
置はモニタ光（４）の光出力の変化を検知して、それに
よって半導体レーザチップ＋１１への注入電流を制御し
、前端面からのレーザ光（３）を制御する。そこで半導
体レーザチップ（１１の発光点（５）をサブマウント（
２）に接近させてグイボンドした半導体レーザ装置では
後端面からのモニタ光（４）は全モニタ光の約半分近く
がサブマウント（２）で反射される。
従来の半導体レーザ装置は以上のように構成されている
ので、モニタ光（４）はサブマウント（２）表面の反射
率によって、大きく左右されるという問題点があった。
ので、モニタ光（４）はサブマウント（２）表面の反射
率によって、大きく左右されるという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、サブマウント上の表面反射率を安定させ、安
定したモニタ光が得られるとともに、前端面からのレー
ザ光を、より確実に制御できる半導体レーザ装置を得る
ことを目的とする。
たもので、サブマウント上の表面反射率を安定させ、安
定したモニタ光が得られるとともに、前端面からのレー
ザ光を、より確実に制御できる半導体レーザ装置を得る
ことを目的とする。
この発明に係る半導体レーザ装置は、サブマウントの半
導体レーザチップをグイボンドした時に、モニタ光が反
射する部分にサブマウントのウェハ状態の時に反射率を
制御したコーティング膜を蒸着したものである。
導体レーザチップをグイボンドした時に、モニタ光が反
射する部分にサブマウントのウェハ状態の時に反射率を
制御したコーティング膜を蒸着したものである。
この発明におけるサブマウントは、モニタ光反射部に、
反射率の安定したコーティング膜が蒸着され、安定した
モニタ光を得る。
反射率の安定したコーティング膜が蒸着され、安定した
モニタ光を得る。
〔発明の実施例〕
以下、この発明を図を用いて説明する。第１図はこの発
明の一実施例による半導体レーザ装置のレーザチップと
サブマウントを示す拡大断面図である。図において（１
１は半導体レーザチップ、（２）はこの半導体レーザチ
ップ＋１１の熱歪緩和材としてのサブマウント、（３）
は上記半導体レーザチップ（１１の前端面から出るレー
ザ光、（４）は半導体レーザチップ＋１１の前端面から
出る光出力コントロール用のモニタ光、（５）は発光点
、（７）はモニタ光（４）のサブマウント（２）の表面
の反射率を制御するために蒸着したコーティング膜であ
る。第２図はこの発明のコーティング膜を蒸着したサブ
マウントのウェハ状態での平面図である。図において、
（６）はサブマウント（２）のウェハ、（７）はこのウ
ェハ（６）に蒸着したコーティング膜、（８）はウェハ
（６）の切断部である。
明の一実施例による半導体レーザ装置のレーザチップと
サブマウントを示す拡大断面図である。図において（１
１は半導体レーザチップ、（２）はこの半導体レーザチ
ップ＋１１の熱歪緩和材としてのサブマウント、（３）
は上記半導体レーザチップ（１１の前端面から出るレー
ザ光、（４）は半導体レーザチップ＋１１の前端面から
出る光出力コントロール用のモニタ光、（５）は発光点
、（７）はモニタ光（４）のサブマウント（２）の表面
の反射率を制御するために蒸着したコーティング膜であ
る。第２図はこの発明のコーティング膜を蒸着したサブ
マウントのウェハ状態での平面図である。図において、
（６）はサブマウント（２）のウェハ、（７）はこのウ
ェハ（６）に蒸着したコーティング膜、（８）はウェハ
（６）の切断部である。
次に動作について説明する。半導体レーザ装置は半導体
レーザチップ（１）の前端面から出射されるレーザ光（
３）の安定した光出力を得るために、後端面からのモニ
タ光（４）をフォトダイオードで受光して、その光出力
の変化から半導体レーザチップ＋１１へ流す電流を制御
する。モニタ光（４）は、発光点（５）をサブマウント
（２）に近づけたＪｕｎｃｔｉｏｎ ｄｏｗｎ組立てで
、サブマウント（２）上での反射光が約半分であり、反
射率を制御したコーティング膜（７）をサブマウント（
２）の半導体レーザチップ（１１をマウントした後側に
、蒸着したサブマウント（２）を用いることによりモニ
タ光（４）の反射光はより安定に得ることができる。
レーザチップ（１）の前端面から出射されるレーザ光（
３）の安定した光出力を得るために、後端面からのモニ
タ光（４）をフォトダイオードで受光して、その光出力
の変化から半導体レーザチップ＋１１へ流す電流を制御
する。モニタ光（４）は、発光点（５）をサブマウント
（２）に近づけたＪｕｎｃｔｉｏｎ ｄｏｗｎ組立てで
、サブマウント（２）上での反射光が約半分であり、反
射率を制御したコーティング膜（７）をサブマウント（
２）の半導体レーザチップ（１１をマウントした後側に
、蒸着したサブマウント（２）を用いることによりモニ
タ光（４）の反射光はより安定に得ることができる。
なお、上記実施例では、コーティング膜（７）は、ウェ
ハ（６）状態で蒸着したが、半導体レーザチップ（１１
をマウントした後に、蒸着してもよい。
ハ（６）状態で蒸着したが、半導体レーザチップ（１１
をマウントした後に、蒸着してもよい。
以上のように、この発明によればコーティング膜を半導
体レーザチップ後側のサブマウント表面に蒸着するよう
に構成したので、モニタ光が安定して得られ、より安定
したレーザ光が得られる効果がある。
体レーザチップ後側のサブマウント表面に蒸着するよう
に構成したので、モニタ光が安定して得られ、より安定
したレーザ光が得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体レーザ装置の
レーザチップとサブマウントを示す拡大断面図、第２図
はこの発明のコーティング膜を蒸着したサブマウントの
ウェハ状態での平面図、第３図は従来の半導体レーザ装
置のレーザチップとサブマウントを示す拡大断面図であ
る。 図において、（１）は半導体レーザチップ、（２）はサ
ブマウント、（４）はモニタ光、（７）はコーティング
膜。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
レーザチップとサブマウントを示す拡大断面図、第２図
はこの発明のコーティング膜を蒸着したサブマウントの
ウェハ状態での平面図、第３図は従来の半導体レーザ装
置のレーザチップとサブマウントを示す拡大断面図であ
る。 図において、（１）は半導体レーザチップ、（２）はサ
ブマウント、（４）はモニタ光、（７）はコーティング
膜。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 半導体レーザ装置のＪｕｎｃｔｉｏｎ Ｄｏｗｎ組立に
おいて、半導体レーザチップをダイボンドするサブマウ
ントのモニタ光側のサブマウント表面に、反射率を制御
したコーティング膜をつけたことを特徴とする半導体レ
ーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27419487A JPH01117079A (ja) | 1987-10-29 | 1987-10-29 | 半導体レーザー装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27419487A JPH01117079A (ja) | 1987-10-29 | 1987-10-29 | 半導体レーザー装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01117079A true JPH01117079A (ja) | 1989-05-09 |
Family
ID=17538343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27419487A Pending JPH01117079A (ja) | 1987-10-29 | 1987-10-29 | 半導体レーザー装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01117079A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010055619A (ko) * | 1999-12-11 | 2001-07-04 | 류정열 | 와이어 커넥터 |
-
1987
- 1987-10-29 JP JP27419487A patent/JPH01117079A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010055619A (ko) * | 1999-12-11 | 2001-07-04 | 류정열 | 와이어 커넥터 |
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