JPH01116938A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH01116938A JPH01116938A JP62274105A JP27410587A JPH01116938A JP H01116938 A JPH01116938 A JP H01116938A JP 62274105 A JP62274105 A JP 62274105A JP 27410587 A JP27410587 A JP 27410587A JP H01116938 A JPH01116938 A JP H01116938A
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Landscapes
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光学的に情報を記録Ｏ再生あるいは消去する
光記録媒体の構造に関する。
光記録媒体の構造に関する。
従来、光記録媒体の構造は、特開昭８１−３９９５０、
あるいは特開昭８１−８０５３２に示される如（、透光
性のガラス基板又は樹脂基板が使用され、記録面を内側
にして接むし、使用されている。
あるいは特開昭８１−８０５３２に示される如（、透光
性のガラス基板又は樹脂基板が使用され、記録面を内側
にして接むし、使用されている。
しかしながら、前述の従来技術では、使用する基板の厚
さが、通常１．２ｍｍ前後であり、これを接むして使用
すると２．５ｍｍ前後の厚みとなり、光記録媒体は勿論
、光記録装置全体が厚くなるという問題点を仔する。
さが、通常１．２ｍｍ前後であり、これを接むして使用
すると２．５ｍｍ前後の厚みとなり、光記録媒体は勿論
、光記録装置全体が厚くなるという問題点を仔する。
一方、厚みを薄くする為、単板で使用すると、耐候性に
十分な信頼性が得られず、実用化が不可能であるという
問題点を存する。
十分な信頼性が得られず、実用化が不可能であるという
問題点を存する。
本発明は、かかる問題点を解決するもので、その目的と
するところは、厚みが薄く（殆んど単板と同等）、シか
も耐候性に優れた光記録媒体を得ることにある。
するところは、厚みが薄く（殆んど単板と同等）、シか
も耐候性に優れた光記録媒体を得ることにある。
本発明は、透明基板の片面に、光記録層を形成し、該光
記録層に集光した、レーザ光を照射することにより、情
報を記録・再生あるいは消去する光記録媒体において、
前記光記録層を該透明基板と、樹脂フィルムで挟持する
ことを特徴とする。
記録層に集光した、レーザ光を照射することにより、情
報を記録・再生あるいは消去する光記録媒体において、
前記光記録層を該透明基板と、樹脂フィルムで挟持する
ことを特徴とする。
実施例−１
以下、実施例に基づき具体的に説明する。
第１図は、本発明による光記録媒体の断面図である。１
は透明基板で、ガラス、ポリカーボネート、ポリメチル
メタクリレート、エポキシ等が使用され、厚さは１．２
ｍｍ前後である。２は保護層で、酸化物、窒化物、硫化
物、硼化物、硅化物等の単独又は複合層が使用される。
は透明基板で、ガラス、ポリカーボネート、ポリメチル
メタクリレート、エポキシ等が使用され、厚さは１．２
ｍｍ前後である。２は保護層で、酸化物、窒化物、硫化
物、硼化物、硅化物等の単独又は複合層が使用される。
３は元肥Ｏ層で、Ｔｅ系、Ｓｅ系、の合金又は化合物、
あるいは、希土類−遷移金ａ、（ＴｂＦｅ１ＴｂＦｅＣ
ＯＮ ＤｙＦｅ１ＤｙＦｅＣｏ１ ＮｄＤｙＦｅＣＯ５
ＮｄＤｙＦｅＣｏＴｉ等）が使用される。４は接ｌｔ７
層、５は樹脂フィルムである。
あるいは、希土類−遷移金ａ、（ＴｂＦｅ１ＴｂＦｅＣ
ＯＮ ＤｙＦｅ１ＤｙＦｅＣｏ１ ＮｄＤｙＦｅＣＯ５
ＮｄＤｙＦｅＣｏＴｉ等）が使用される。４は接ｌｔ７
層、５は樹脂フィルムである。
従前の光記録媒体は、４にウレタン系、アクリル系、エ
ポキシ系等のオーバコート剤を使用し、５の樹脂フィル
ムを使用していない。
ポキシ系等のオーバコート剤を使用し、５の樹脂フィル
ムを使用していない。
実施例−２
第２図は、本発明による他の光記録媒体の断面図である
。１１は透明基板で、ガラス、ポリカーボネート、ポリ
メチルメタクリレート、エポキシ等が使用され、厚さは
１．２ｍｍ前後である。１２は保Ｎ層で、酸化物、窒化
物、硫化物、 硼化物、硅化物等の単独又は複合層が使
用される。１３は光記録層で、Ｔｅ系、ＳＣ系の合金又
は化合物、あるいは、希土類−遷移金ｔｉｎ （ＴｂＦ
ｅ、 ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅ１ＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＤ
ｙＦｃＣｏ５ ＮｄＤｙＦｅＣｏＴｉ等）が使用される
。１４は反射層で、Ａρ、Ｃｕあるいはそれらの合金が
使用される。１５は接着層であり、１６は樹脂フィルム
である。
。１１は透明基板で、ガラス、ポリカーボネート、ポリ
メチルメタクリレート、エポキシ等が使用され、厚さは
１．２ｍｍ前後である。１２は保Ｎ層で、酸化物、窒化
物、硫化物、 硼化物、硅化物等の単独又は複合層が使
用される。１３は光記録層で、Ｔｅ系、ＳＣ系の合金又
は化合物、あるいは、希土類−遷移金ｔｉｎ （ＴｂＦ
ｅ、 ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅ１ＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＤ
ｙＦｃＣｏ５ ＮｄＤｙＦｅＣｏＴｉ等）が使用される
。１４は反射層で、Ａρ、Ｃｕあるいはそれらの合金が
使用される。１５は接着層であり、１６は樹脂フィルム
である。
従前の光記録媒体は、１５にウレタン系、アクリル系、
エポキシ系等の、オーバコート剤を使用し、１６の樹脂
フィルムを使用していない。
エポキシ系等の、オーバコート剤を使用し、１６の樹脂
フィルムを使用していない。
実施例−３
第１図の構造で、基板にポリカーボネートを使用し、保
護層として（Ａρ、。Ｓｔ、。）ＮＵを１０００人、光
記録層としてＮｄＤｙＦｅＣｏＴｉ１１２を９００人、
各々スパッタリング法により形成し、厚さ１００μｍの
ポリイミドフィルムを、アクリル系紫外線硬化樹脂で接
着した。
護層として（Ａρ、。Ｓｔ、。）ＮＵを１０００人、光
記録層としてＮｄＤｙＦｅＣｏＴｉ１１２を９００人、
各々スパッタリング法により形成し、厚さ１００μｍの
ポリイミドフィルムを、アクリル系紫外線硬化樹脂で接
着した。
一方比較例として、同様に保護層、光記録層を形成し、
アクリル系紫外線硬化樹脂をオーバコートした。
アクリル系紫外線硬化樹脂をオーバコートした。
これらの、電気特性をチエツクし、６０℃×９０％ＲＨ
の恒温恒湿槽に投入後、所定の時間毎に取り出して、電
気特性を再チエツクした。
の恒温恒湿槽に投入後、所定の時間毎に取り出して、電
気特性を再チエツクした。
第３図にこの時のピットエラーレートの変化を示す。
Ａは本実施例、Ｂは比較例である。Ａは１８００Ｈを越
えても変化が見られないが、Ｂは約２００Ｈあたりから
ピットエラーレートの増加が見られた。
えても変化が見られないが、Ｂは約２００Ｈあたりから
ピットエラーレートの増加が見られた。
実施例−４
第１図のＧ’ｅ造で、基板にガラスを使用し、保護層と
して、Ｓｉ、Ｎａ膜を８００人、光記録層としてＴｂＦ
ｅＣｏ膜を８００人、各々スパッタリング法により形成
し、厚さ５０μｍのポリエチレンフィルムを、アクリル
系紫外線硬化樹脂で接着した。
して、Ｓｉ、Ｎａ膜を８００人、光記録層としてＴｂＦ
ｅＣｏ膜を８００人、各々スパッタリング法により形成
し、厚さ５０μｍのポリエチレンフィルムを、アクリル
系紫外線硬化樹脂で接着した。
一方比較例として、同様に保護層、光記録層を形成し、
アクリル系紫外線硬化樹脂をオーバコートした。
アクリル系紫外線硬化樹脂をオーバコートした。
これらの、電気特性をチエツクし、６０℃×９０％ＲＨ
の恒忍恒湿槽に投入後、所定の時間毎に取り出して、電
気特性を再チエツクした。
の恒忍恒湿槽に投入後、所定の時間毎に取り出して、電
気特性を再チエツクした。
第４図にこの時のピットエラーレートの変化を示す。
Ｃは本実施例、Ｄは比較例である。Ｃは２０００Ｈを越
えても変化が見られないが、Ｄは約５００８あたりから
ピットエラーレートの増加が見られた。
えても変化が見られないが、Ｄは約５００８あたりから
ピットエラーレートの増加が見られた。
実施例−５
第２図の構造で、基板に、ポリメチルメタクリレートを
使用し、保護層としてＡＪ２Ｎｖｔ、を９００人、完配
０層としてＩｎ５ｅＴρ膜を８００人、反射層としてＣ
ｕを９００人、各々スパッタリング法により形成し、厚
さ８０μｍのポリエチレンアラミドフィルムをアクリル
系紫外線硬化樹脂で接着した。
使用し、保護層としてＡＪ２Ｎｖｔ、を９００人、完配
０層としてＩｎ５ｅＴρ膜を８００人、反射層としてＣ
ｕを９００人、各々スパッタリング法により形成し、厚
さ８０μｍのポリエチレンアラミドフィルムをアクリル
系紫外線硬化樹脂で接着した。
一方比較例として、同様に保護層、光記録層、反射層を
形成し、シリコン系樹脂をオーバフートした。
形成し、シリコン系樹脂をオーバフートした。
これらの反射率を測定し、６０℃Ｘ９０％ＲＨの恒温恒
湿槽に投入後、所定の時間毎に取り出して、反射率を測
定した。
湿槽に投入後、所定の時間毎に取り出して、反射率を測
定した。
第５図にこの時の反射率の変化を示す。
Ｅは本実施例、Ｆは比較例である。Ｅは１５００Ｈを越
えても変化が見られないが、Ｆは約３００ ＩＩあたり
から反射率の低下が見られた。
えても変化が見られないが、Ｆは約３００ ＩＩあたり
から反射率の低下が見られた。
実施例−６
第２図の構造で、基板にポリカーボネートを使用し、保
護層として（Ａρ、。Ｓｉ、。）Ｎ膜を１０００人、完
配０層としてＮｄＤｙＴｂＦｅＣ０膜を９００人、反射
層としてＡβを８００人、各々スパッタリング法により
形成し、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレートフ
ィルムをアクリル系紫外線硬化樹脂で接着した。
護層として（Ａρ、。Ｓｉ、。）Ｎ膜を１０００人、完
配０層としてＮｄＤｙＴｂＦｅＣ０膜を９００人、反射
層としてＡβを８００人、各々スパッタリング法により
形成し、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレートフ
ィルムをアクリル系紫外線硬化樹脂で接着した。
一方比較例として、同様に保［１１光記録層、反射層を
形成し、ウレタン系樹脂をオーバコートした。
形成し、ウレタン系樹脂をオーバコートした。
これらの反射率を測定し、６０°Ｃ×９０％ＲＩ−１の
恒温恒湿槽に投入後、所定の時間毎に取り出して、反射
率を測定した。
恒温恒湿槽に投入後、所定の時間毎に取り出して、反射
率を測定した。
第６図にこの時の反射率の変化を示す。
Ｇは本実施例、１１は比較例である。Ｇは２０００ Ｉ
Ｉを越えても変化が見られないが、Ｉ−１は約３００１
４あたりから反射率の低下が見られた。
Ｉを越えても変化が見られないが、Ｉ−１は約３００１
４あたりから反射率の低下が見られた。
以上詳述した如く、本発明によれば、透明基板の片面に
完配０層を形成し、該記録層に集光したレーザ光を照射
することにより、情報を記録・再生あるいは消去する光
記録媒体において、前記光記録層を該透明基板と、樹脂
フィルムで挟持することにより、厚みが薄り、シかも耐
候性に優れた光記録媒体を得ることが可能となった。
完配０層を形成し、該記録層に集光したレーザ光を照射
することにより、情報を記録・再生あるいは消去する光
記録媒体において、前記光記録層を該透明基板と、樹脂
フィルムで挟持することにより、厚みが薄り、シかも耐
候性に優れた光記録媒体を得ることが可能となった。
しかも、比較例のオーバコートと比較すると、樹脂フィ
ルムとの貼り合わせである為、表面の平坦度が優れてお
り、カートリッジに収納して使用する際必要となる余裕
寸法が確実に予測できる利点を存する。
ルムとの貼り合わせである為、表面の平坦度が優れてお
り、カートリッジに収納して使用する際必要となる余裕
寸法が確実に予測できる利点を存する。
なお実施例では、樹脂フィルムとして、ポリイミド、及
びポリエチレン系を例にあげて説明したが、ビニル系、
ポリ塩化ビニリデン、ポリ７フ化ビニリデン系等、他の
樹脂フィルムでも同様の効果が得られており、樹脂フィ
ルムの種類には依存しない。又、光記録媒体として追記
型、書き換え型といった方式にも依存せず、いずれの媒
体にも適用可能である。
びポリエチレン系を例にあげて説明したが、ビニル系、
ポリ塩化ビニリデン、ポリ７フ化ビニリデン系等、他の
樹脂フィルムでも同様の効果が得られており、樹脂フィ
ルムの種類には依存しない。又、光記録媒体として追記
型、書き換え型といった方式にも依存せず、いずれの媒
体にも適用可能である。
かかる光記録媒体は、薄型で大容量が得られるという、
特徴を任しており、各種ファイルシステム、及びコンピ
ュータ周辺メモリ機器として、広汎な用途を有する。
特徴を任しており、各種ファイルシステム、及びコンピ
ュータ周辺メモリ機器として、広汎な用途を有する。
第１図は本発明の実施例に基づく、光記録媒体の断面図
。 第２図は本発明の他の実施例に基づく、光記録媒体の断
面図。 第３図は本発明の実施例に基づく、光記録媒体の耐候性
を示すピットエラーレートの変化図。 第４図は本発明の他の実施例に基づく、光記録媒体の、
耐候性を示すピットエラーレートの変化図。 第５図は本発明の更に他の実施例に基づ（、光記録媒体
の耐候性を示す反射率の変化図。 第６図は本発明の更に又、他の実施例に基づ（光記録媒
体の、耐候性を示す反射率の変化図である。 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 茅 ２ １．１ １１１ １間 （ノゴノ茅
３ 図 ＩＡ １間 （Ｈン 〕＾ イど Ｕコ
。 第２図は本発明の他の実施例に基づく、光記録媒体の断
面図。 第３図は本発明の実施例に基づく、光記録媒体の耐候性
を示すピットエラーレートの変化図。 第４図は本発明の他の実施例に基づく、光記録媒体の、
耐候性を示すピットエラーレートの変化図。 第５図は本発明の更に他の実施例に基づ（、光記録媒体
の耐候性を示す反射率の変化図。 第６図は本発明の更に又、他の実施例に基づ（光記録媒
体の、耐候性を示す反射率の変化図である。 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 茅 ２ １．１ １１１ １間 （ノゴノ茅
３ 図 ＩＡ １間 （Ｈン 〕＾ イど Ｕコ
Claims (1)
- 透明基板の片面に光記録層を形成し、該光記録層に集光
したレーザ光を照射することにより、情報を記録・再生
あるいは消去する光記録媒体において、前記光記録層を
該透明基板と、樹脂フィルムで挟持することを特徴とす
る光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62274105A JPH01116938A (ja) | 1987-10-29 | 1987-10-29 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62274105A JPH01116938A (ja) | 1987-10-29 | 1987-10-29 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01116938A true JPH01116938A (ja) | 1989-05-09 |
Family
ID=17537072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62274105A Pending JPH01116938A (ja) | 1987-10-29 | 1987-10-29 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01116938A (ja) |
-
1987
- 1987-10-29 JP JP62274105A patent/JPH01116938A/ja active Pending
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