JPH01114060A - 集積回路装置 - Google Patents
集積回路装置Info
- Publication number
- JPH01114060A JPH01114060A JP27008687A JP27008687A JPH01114060A JP H01114060 A JPH01114060 A JP H01114060A JP 27008687 A JP27008687 A JP 27008687A JP 27008687 A JP27008687 A JP 27008687A JP H01114060 A JPH01114060 A JP H01114060A
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- JP
- Japan
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- integrated circuit
- temperature
- chip
- transistor
- supply
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- Pending
Links
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 abstract description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 6
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
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- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は集積回路装置に係り、特に障害時においても異
常発熱を防止するに好適な保護回路付き集積回路装置に
関する。
常発熱を防止するに好適な保護回路付き集積回路装置に
関する。
従来の集積回路装置はＩＣ，ＬＳＩ、ＶＬ８Ｉと目覚し
い発展を遂げている。また単に高集積・高速化だけでな
く、高電圧・大電力化など多様な発展をしており、信頼
性も益々向上している。これらの集積回路装置は定格内
で使用されている場合には半永久的な高信頼性を発揮す
るが、時として絶対最大定格を越すような誤った使い方
をされた場合等には破壊することがある。特に高電圧を
使用しているＩＣでは故障が起きた場合に大電力消費に
より、プリント板を焦がすような異常発熱を起こす場合
があるので注意を要する。これに対してあらかじめ過大
電流が流れるようなことが予想される回路には例えば近
代科学社「アナログ集積回路」第２２０頁から第２２１
頁に示されるような熱的過負荷保護回路が適宜に使用さ
れる。
い発展を遂げている。また単に高集積・高速化だけでな
く、高電圧・大電力化など多様な発展をしており、信頼
性も益々向上している。これらの集積回路装置は定格内
で使用されている場合には半永久的な高信頼性を発揮す
るが、時として絶対最大定格を越すような誤った使い方
をされた場合等には破壊することがある。特に高電圧を
使用しているＩＣでは故障が起きた場合に大電力消費に
より、プリント板を焦がすような異常発熱を起こす場合
があるので注意を要する。これに対してあらかじめ過大
電流が流れるようなことが予想される回路には例えば近
代科学社「アナログ集積回路」第２２０頁から第２２１
頁に示されるような熱的過負荷保護回路が適宜に使用さ
れる。
上記従来技術は集積回路のあらかじめ故障を想定したあ
らゆる回路部分に熱的過負荷保護回路を設けるため、回
路規模が膨大化して不経済となる問題があった。
らゆる回路部分に熱的過負荷保護回路を設けるため、回
路規模が膨大化して不経済となる問題があった。
本発明の目的は集積回路が故障した場合にも最低限プリ
ント板を焦がすような異常発熱を防止するのを経済的に
実現させつる集積回路装置を提供するにある。
ント板を焦がすような異常発熱を防止するのを経済的に
実現させつる集積回路装置を提供するにある。
上記目的は集積回路チップの温度を検出して一定温度以
上になった場合には電源電流を減少またはしゃ断する回
路を同一チップ上に付加するようにした集積回路装置に
より達成される。
上になった場合には電源電流を減少またはしゃ断する回
路を同一チップ上に付加するようにした集積回路装置に
より達成される。
上記の集積回路装置は集、積回路チップのどこかの回路
部分が故障になってチップ温度が上昇した時に同一チッ
プ内に設けた温度検出回路により感知して一定温度以上
になった場合に電源電流を減少または切断する回路を動
作させるので、これによりチップの任意の箇所の故障に
対しても異常発熱による不具合いを経済的に回避させる
ことができる。
部分が故障になってチップ温度が上昇した時に同一チッ
プ内に設けた温度検出回路により感知して一定温度以上
になった場合に電源電流を減少または切断する回路を動
作させるので、これによりチップの任意の箇所の故障に
対しても異常発熱による不具合いを経済的に回避させる
ことができる。
以下に本発明の実施例を第１図および第２図により説明
する。
する。
第１図は本発明による集積回路装置の一実施例を示す等
価回路図である。第１図において、１は集積回路チップ
、２は集積回路、３は同一集積回路チップ１上に形成す
るチップ温度検出・電源電流制御回路である。Ｑｌ、Ｑ
２はトランジスタ、 ＤＩはダイオード、Ｒ１、Ｒ２、
Ｒ３は抵抗、Ｖｃｃは電源である。抵抗Ｒ１、Ｒ２はト
ランジスタＱ１が通常にはオンしているようにトランジ
スタＱｌのベース電位が例えば０．６Ｖ程度になるよう
に抵抗比を選択する。
価回路図である。第１図において、１は集積回路チップ
、２は集積回路、３は同一集積回路チップ１上に形成す
るチップ温度検出・電源電流制御回路である。Ｑｌ、Ｑ
２はトランジスタ、 ＤＩはダイオード、Ｒ１、Ｒ２、
Ｒ３は抵抗、Ｖｃｃは電源である。抵抗Ｒ１、Ｒ２はト
ランジスタＱ１が通常にはオンしているようにトランジ
スタＱｌのベース電位が例えば０．６Ｖ程度になるよう
に抵抗比を選択する。
この構成で、集積回路２内のどこかの箇所で故障が起っ
てチップｌの温度が上昇すると、同一チップ１上のチッ
プ温度検出・電源電流制御回路３のトランジスタＱ１の
ベース・エミッタ間原電圧およびダイオードＤ１の順電
圧はそれぞれ約−１，５ｍＶ／Ｃの温度特性を示し、通
２００℃ではそれぞれ３００ｍＶ程度低下してトランジ
スタＱ１がオンする。これによりトランジスタＱ２がオ
フして集積回路２の電源Ｖｃｃ電流供給を切断し、チッ
プｌの異常発熱を防止できる。
てチップｌの温度が上昇すると、同一チップ１上のチッ
プ温度検出・電源電流制御回路３のトランジスタＱ１の
ベース・エミッタ間原電圧およびダイオードＤ１の順電
圧はそれぞれ約−１，５ｍＶ／Ｃの温度特性を示し、通
２００℃ではそれぞれ３００ｍＶ程度低下してトランジ
スタＱ１がオンする。これによりトランジスタＱ２がオ
フして集積回路２の電源Ｖｃｃ電流供給を切断し、チッ
プｌの異常発熱を防止できる。
なお本実施例のトランジスタＱ１をオンさせて電源電流
供給を切断させる温度は抵抗Ｒ１、Ｒ２の抵抗比とダイ
オードＤ１の段数を適当に選ぶと七により任意に設定で
きる。
供給を切断させる温度は抵抗Ｒ１、Ｒ２の抵抗比とダイ
オードＤ１の段数を適当に選ぶと七により任意に設定で
きる。
第２図は本発明による集積回路装置の他の実施例を示す
等価回路図である。第２図において、第１図と同一符号
または記号は同一または相当部分を示し、ｚＤはツェナ
ーダイオードである。本実施例はチップ温度検出をダイ
オードＤ１の原電圧降下だけでなく、ツェナーダイオー
ドＺＤの正の温度係数も利用した例である。ツェナーダ
イオードＺＤのツェナー電圧を抵抗Ｒ４、Ｒ２で分圧し
、トランジスタＱ１のベース電位を第１図と同様に０．
６Ｖ程度に設定して、通常にはトランジスタＱｌをオフ
させておく。
等価回路図である。第２図において、第１図と同一符号
または記号は同一または相当部分を示し、ｚＤはツェナ
ーダイオードである。本実施例はチップ温度検出をダイ
オードＤ１の原電圧降下だけでなく、ツェナーダイオー
ドＺＤの正の温度係数も利用した例である。ツェナーダ
イオードＺＤのツェナー電圧を抵抗Ｒ４、Ｒ２で分圧し
、トランジスタＱ１のベース電位を第１図と同様に０．
６Ｖ程度に設定して、通常にはトランジスタＱｌをオフ
させておく。
この構成で、集積回路２内のどこかの箇所で温度の急上
昇があるような故障が発生してチップ１の温度が上昇す
ると、同一チップ１上のチップ温度検出・電源電流制御
回路３のツェナーダイオードＺＤのツェナー電圧は２ｍ
Ｖ／’Ｃ程度の正の温度係数をもって上昇し、トランジ
スタＱ１のベース・エミッタ間電圧およびダイオードＤ
１の順電圧の負の温度係数とあいまって、トランジスタ
Ｑ１がオンしてトランジスタＱ２をオフさせることによ
り、トランジスタＱ２を介した集積回路２の電源Ｖｃｃ
電流供給を切断してチップ１の異常発熱を防止する。
昇があるような故障が発生してチップ１の温度が上昇す
ると、同一チップ１上のチップ温度検出・電源電流制御
回路３のツェナーダイオードＺＤのツェナー電圧は２ｍ
Ｖ／’Ｃ程度の正の温度係数をもって上昇し、トランジ
スタＱ１のベース・エミッタ間電圧およびダイオードＤ
１の順電圧の負の温度係数とあいまって、トランジスタ
Ｑ１がオンしてトランジスタＱ２をオフさせることによ
り、トランジスタＱ２を介した集積回路２の電源Ｖｃｃ
電流供給を切断してチップ１の異常発熱を防止する。
なお第１図および第２図の実施例はバイポーラ集積回路
の例を示したが、ＭＯ８集積回路においても同様に適用
可能である。
の例を示したが、ＭＯ８集積回路においても同様に適用
可能である。
本発明によれば、集積回路のチップ温度が一定温度以上
になった場合に電源電流を減少またはしゃ断してしまう
ので、集積回路内のあらかじめ予測しなかった任意の箇
所の故障においても異常温度上昇による事故を防止でき
る効果がある。
になった場合に電源電流を減少またはしゃ断してしまう
ので、集積回路内のあらかじめ予測しなかった任意の箇
所の故障においても異常温度上昇による事故を防止でき
る効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による集積回路装置の一実施例を示す等
価回路図、第２図は本発明による集積回路装置の他の実
施例を示す等価回路図である。 １・・・集積回路チップ ２・・・集積回路３・・・
チップ温度検出・電源電流制御回路代理人 弁理士 小
川 勝 男
価回路図、第２図は本発明による集積回路装置の他の実
施例を示す等価回路図である。 １・・・集積回路チップ ２・・・集積回路３・・・
チップ温度検出・電源電流制御回路代理人 弁理士 小
川 勝 男
Claims (1)
- １、集積回路装置において、集積回路のチップの温度を
検出して該温度が一定値以上になった場合に集積回路の
電源電流を減少またはしゃ断させる回路を同一チップ上
に設けたことを特徴とする集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27008687A JPH01114060A (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | 集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27008687A JPH01114060A (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | 集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01114060A true JPH01114060A (ja) | 1989-05-02 |
Family
ID=17481336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27008687A Pending JPH01114060A (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | 集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01114060A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5869878A (en) * | 1995-01-31 | 1999-02-09 | Nec Corporation | Semiconductor device with temperature detecting diode, method of forming the device and temperature detecting method using the device |
| WO2015053365A1 (ja) | 2013-10-09 | 2015-04-16 | オリンパスメディカルシステムズ株式会社 | 内視鏡用高周波処置具 |
| CN107275394A (zh) * | 2016-04-08 | 2017-10-20 | 株洲中车时代电气股份有限公司 | 一种功率半导体模块及其自保护方法 |
-
1987
- 1987-10-28 JP JP27008687A patent/JPH01114060A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5869878A (en) * | 1995-01-31 | 1999-02-09 | Nec Corporation | Semiconductor device with temperature detecting diode, method of forming the device and temperature detecting method using the device |
| WO2015053365A1 (ja) | 2013-10-09 | 2015-04-16 | オリンパスメディカルシステムズ株式会社 | 内視鏡用高周波処置具 |
| CN107275394A (zh) * | 2016-04-08 | 2017-10-20 | 株洲中车时代电气股份有限公司 | 一种功率半导体模块及其自保护方法 |
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