JPH01112518A - 磁気ディスク用基板 - Google Patents
磁気ディスク用基板Info
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- JPH01112518A JPH01112518A JP26810887A JP26810887A JPH01112518A JP H01112518 A JPH01112518 A JP H01112518A JP 26810887 A JP26810887 A JP 26810887A JP 26810887 A JP26810887 A JP 26810887A JP H01112518 A JPH01112518 A JP H01112518A
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- Japan
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- substrate
- magnetic disk
- magnetic
- projections
- magnetic head
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- Pending
Links
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気ディスク用基板に係わり、特に金属磁性
薄膜を有する磁気ディスクなどに用いる基板に関する。
薄膜を有する磁気ディスクなどに用いる基板に関する。
従来のセラミックスの磁気ディスク基板は、特開昭６１
−４２７３０に記載のように、アルミナを用いて熱間静
水圧加圧処理（ＨＩＰ）によりセラミック基板とし、表
面研摩を施して製造していた。この基板は、ボイド欠陥
が低減し、中心線平均粗さＲａ Ｏ，０１，ｎ以下の表
面精度が得られ、高密度記録が可能である。
−４２７３０に記載のように、アルミナを用いて熱間静
水圧加圧処理（ＨＩＰ）によりセラミック基板とし、表
面研摩を施して製造していた。この基板は、ボイド欠陥
が低減し、中心線平均粗さＲａ Ｏ，０１，ｎ以下の表
面精度が得られ、高密度記録が可能である。
磁気ディスク装置は、一般的に停止状態にあるときは、
磁気ヘッドと磁気ディスクが接触しており、動作状態に
なるときは、磁気ヘッドと磁気ディスクｔ〜接触しなが
ら磁気ヘッドが浮上し始める、いわゆるコンタクト ス
タート ストップ（以下Ｃ，Ｓ、Ｓ、と略す）方式を採
用している。
磁気ヘッドと磁気ディスクが接触しており、動作状態に
なるときは、磁気ヘッドと磁気ディスクｔ〜接触しなが
ら磁気ヘッドが浮上し始める、いわゆるコンタクト ス
タート ストップ（以下Ｃ，Ｓ、Ｓ、と略す）方式を採
用している。
上記従来技術は、このＣ，Ｓ、Ｓ、方式により磁気ヘッ
ドと磁気ディスクの接触面の平滑化が進み、磁気ディス
ク装置の停止時に磁気ヘッドと磁気ディスクとの吸着現
象が生じるということについて配慮されておらず、この
吸着現象によって磁気ディスクの破壊が発生することが
あるという問題があった。
ドと磁気ディスクの接触面の平滑化が進み、磁気ディス
ク装置の停止時に磁気ヘッドと磁気ディスクとの吸着現
象が生じるということについて配慮されておらず、この
吸着現象によって磁気ディスクの破壊が発生することが
あるという問題があった。
本発明の目的は、゛磁気ヘッドと磁気ディスクの吸着を
阻止し、磁気ディスクの破壊を防止した磁気ディスク用
基板を提供することにある。
阻止し、磁気ディスクの破壊を防止した磁気ディスク用
基板を提供することにある。
上記目的は、部分安定化Ｚｒ○２セラミック基板よりな
ることを特徴とする磁気ディスク用基板によって達成さ
れる。この基板は、表面に微細な凸部を有することが好
ましい。
ることを特徴とする磁気ディスク用基板によって達成さ
れる。この基板は、表面に微細な凸部を有することが好
ましい。
部分安定化ＺｒＯ，は、Ｙ２Ｏ，の添加量が４〜８モル
％の範囲であることが好ましい。Ｙ２Ｏ，の量が４モル
％未満では加工時に基板が割れ易くなる。
％の範囲であることが好ましい。Ｙ２Ｏ，の量が４モル
％未満では加工時に基板が割れ易くなる。
またＹ２Ｏ，の量が８モル％を越えると、後述するよう
に熱処理に際し、生成する凸部の高さが低くなる。
に熱処理に際し、生成する凸部の高さが低くなる。
部分安定化Ｚｒ○２セラミック基板は、熱処理によって
、表面に微細な凸部が生成する。この凸部の高さは、部
分安定化ＺｒＯ，中のＹ２Ｏ，の量によって変化し、例
えばｙ、ｏ３添加量４モル％では約８０〜１００ｎＩ１
１．６モル％では約５０〜７０ｎ１１．８モル％では約
１０〜３０ｎｍ程度である。熱処理の温度は約１００℃
以上が好ましく、１００〜３００℃の温度で行なうこと
がより好ましい。当然のことであるが、この範囲以上又
は以下の温度で処理しても凸部は生成するのでそのよう
な温度で処理してもさしつかえない。
、表面に微細な凸部が生成する。この凸部の高さは、部
分安定化ＺｒＯ，中のＹ２Ｏ，の量によって変化し、例
えばｙ、ｏ３添加量４モル％では約８０〜１００ｎＩ１
１．６モル％では約５０〜７０ｎ１１．８モル％では約
１０〜３０ｎｍ程度である。熱処理の温度は約１００℃
以上が好ましく、１００〜３００℃の温度で行なうこと
がより好ましい。当然のことであるが、この範囲以上又
は以下の温度で処理しても凸部は生成するのでそのよう
な温度で処理してもさしつかえない。
凸部の高さは、前述のようにＹ２Ｏ，の添加量によって
制御可能であり、また熱処理の温度によっても影響され
る。
制御可能であり、また熱処理の温度によっても影響され
る。
部分安定化ＺｒＯ，セラミックスは斜方晶・立方晶・正
方晶の混晶体で、応力により結晶変態を起すことにより
高強度・高じん性を示す。この材料を平面なディスク基
板に加工後、適当な熱処理を加えることにより、平坦な
基板表面に内在した加工歪により応力誘起変態を生じ、
その結果表面に微細な突出物が生起する。この突出物に
より磁気ヘッドと磁気ディスクの接触面積を少なくし、
吸着現象を防止することができる。一般に凸部の高さが
２０ｎｓ＋以上あると粘着防止効果が十分認められるの
で好ましい。
方晶の混晶体で、応力により結晶変態を起すことにより
高強度・高じん性を示す。この材料を平面なディスク基
板に加工後、適当な熱処理を加えることにより、平坦な
基板表面に内在した加工歪により応力誘起変態を生じ、
その結果表面に微細な突出物が生起する。この突出物に
より磁気ヘッドと磁気ディスクの接触面積を少なくし、
吸着現象を防止することができる。一般に凸部の高さが
２０ｎｓ＋以上あると粘着防止効果が十分認められるの
で好ましい。
以下１本発明を図面を用いて説明する。第１図は１本発
明の一実施例の部分断面図である。基板１は、ＺｒＯ□
にＹ２Ｏ３を６モル％添加して焼成し、ラッピング及び
ポリッシングにより１表面粗さを ４５〜８ｎｍＲａに
仕上げた。その後１２０℃で１２時間熱処理を行なうこ
とにより、基板表面に５０〜７０ｎｍの多数の凹凸を生
じさせる。この部分安定化ＺｒＯよよりなる基板１に、
磁性膜２として例えばＣｏ −Ｎｉ −Ｃｒ （６２，
５−３０−７，５ｖｔ％）をスパッタリング法により６
０止の厚さに成膜し、ついで、この上に保護膜３として
４０止の厚さのカーボンを同様にスパッタリング法によ
り成膜した。このようにして表面に４０〜５０止の凹凸
が生じた磁気ディスクが得られた。
明の一実施例の部分断面図である。基板１は、ＺｒＯ□
にＹ２Ｏ３を６モル％添加して焼成し、ラッピング及び
ポリッシングにより１表面粗さを ４５〜８ｎｍＲａに
仕上げた。その後１２０℃で１２時間熱処理を行なうこ
とにより、基板表面に５０〜７０ｎｍの多数の凹凸を生
じさせる。この部分安定化ＺｒＯよよりなる基板１に、
磁性膜２として例えばＣｏ −Ｎｉ −Ｃｒ （６２，
５−３０−７，５ｖｔ％）をスパッタリング法により６
０止の厚さに成膜し、ついで、この上に保護膜３として
４０止の厚さのカーボンを同様にスパッタリング法によ
り成膜した。このようにして表面に４０〜５０止の凹凸
が生じた磁気ディスクが得られた。
本実施例によれば、磁気ヘッドと磁気ディスクとの吸着
力を、凹凸のない基板を用いて製造したものの約１／２
にすることができ、磁気ディスクの信頼性を向上させた
。
力を、凹凸のない基板を用いて製造したものの約１／２
にすることができ、磁気ディスクの信頼性を向上させた
。
本発明によれば、磁気ディスクの表面に微小の凸部がで
きるので、磁気ヘッドと磁気ディスクの吸着を阻止し、
磁気ディスクの破壊を防止する効果がある。
きるので、磁気ヘッドと磁気ディスクの吸着を阻止し、
磁気ディスクの破壊を防止する効果がある。
第１図は、本発明の一実施例の部分断面図である。
１・・・基板 ２・・・磁性膜３・・・保
護膜
護膜
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、部分安定化ＺｒＯ＿２セラミック基板よりなること
を特徴とする磁気ディスク用基板。 ２、上記セラミック基板は、その表面に微細な凸部を有
することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気
ディスク用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26810887A JPH01112518A (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | 磁気ディスク用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26810887A JPH01112518A (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | 磁気ディスク用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01112518A true JPH01112518A (ja) | 1989-05-01 |
Family
ID=17454006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26810887A Pending JPH01112518A (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | 磁気ディスク用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01112518A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0823706A1 (en) * | 1996-08-09 | 1998-02-11 | Eastman Kodak Company | Zirconia ceramic as a digital storage media |
| US5824386A (en) * | 1995-08-29 | 1998-10-20 | Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corporation | Zirconia disk substrate having high surface finish |
| US6069103A (en) * | 1996-07-11 | 2000-05-30 | Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corporation | LTD resistant, high strength zirconia ceramic |
-
1987
- 1987-10-26 JP JP26810887A patent/JPH01112518A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5824386A (en) * | 1995-08-29 | 1998-10-20 | Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corporation | Zirconia disk substrate having high surface finish |
| US6069103A (en) * | 1996-07-11 | 2000-05-30 | Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corporation | LTD resistant, high strength zirconia ceramic |
| EP0823706A1 (en) * | 1996-08-09 | 1998-02-11 | Eastman Kodak Company | Zirconia ceramic as a digital storage media |
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