JPH01108260A - 硬化性組成物 - Google Patents
硬化性組成物Info
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- JPH01108260A JPH01108260A JP26385287A JP26385287A JPH01108260A JP H01108260 A JPH01108260 A JP H01108260A JP 26385287 A JP26385287 A JP 26385287A JP 26385287 A JP26385287 A JP 26385287A JP H01108260 A JPH01108260 A JP H01108260A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
- H05K1/0346—Organic insulating material consisting of one material containing N
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
- H05K3/4673—Application methods or materials of intermediate insulating layers not specially adapted to any one of the previous methods of adding a circuit layer
- H05K3/4676—Single layer compositions
Landscapes
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Pyrrole Compounds (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は耐熱性に優れた樹脂組成物に係り、特に、低誘
電率で電気特性に優れた成形材料に好適な樹脂組成物に
関する。
電率で電気特性に優れた成形材料に好適な樹脂組成物に
関する。
従来、耐熱性に優れた樹脂組成物として多くのポリイミ
ド系材料が広い分野にわたって使用されてきた。その中
でも、特に、付加型樹脂であるマレイミド系材料は硬化
反応時にボイドの原因となる揮発副生成物を発生しない
ため、大型計算機の多層プリント板や各種FRP等多く
の分野に適用されている。このようなマレイミド系材料
では一般のビスマレイミド化合物単独では成形性や硬化
性等の作業性が非常に悪いため各種の改良が行なわれて
いる。例えば、ビスマレイミドとジアミンからなるポリ
アミノビスマレイミドによるプレポリマ化は成形性が大
幅に向上することが知られている(特開昭45−232
50号公Iり、このプレポリマはビスマレイミド化合物
単独と比べて耐熱性はほとんど同等で非常に優れた成形
材料であるが、硬化物中に分極率の大きいアミド基やイ
ミド基を数多くもつ比較的比誘電率が高いことが知られ
ている。そのため、信号の高速伝送が要求されている大
型計算機の多層プリント板や高周波用基板にはより比誘
電率の低い材料が要求されている。
ド系材料が広い分野にわたって使用されてきた。その中
でも、特に、付加型樹脂であるマレイミド系材料は硬化
反応時にボイドの原因となる揮発副生成物を発生しない
ため、大型計算機の多層プリント板や各種FRP等多く
の分野に適用されている。このようなマレイミド系材料
では一般のビスマレイミド化合物単独では成形性や硬化
性等の作業性が非常に悪いため各種の改良が行なわれて
いる。例えば、ビスマレイミドとジアミンからなるポリ
アミノビスマレイミドによるプレポリマ化は成形性が大
幅に向上することが知られている(特開昭45−232
50号公Iり、このプレポリマはビスマレイミド化合物
単独と比べて耐熱性はほとんど同等で非常に優れた成形
材料であるが、硬化物中に分極率の大きいアミド基やイ
ミド基を数多くもつ比較的比誘電率が高いことが知られ
ている。そのため、信号の高速伝送が要求されている大
型計算機の多層プリント板や高周波用基板にはより比誘
電率の低い材料が要求されている。
本発明の目的は耐熱性を損うことなく比誘電率が低く、
さらに、マレイミド系材料の特徴である成形時に副生成
物を発生しない樹脂組成物を提供することにある。
さらに、マレイミド系材料の特徴である成形時に副生成
物を発生しない樹脂組成物を提供することにある。
本発明を概説すると
一般式
(式中、R1は少なくとも一個の芳香環をもっ二価以上
の有機基である。また、m、nはそれぞれ1以上の整数
である。)で表わされる化合物を必須成分とすることを
特徴とする耐熱性に優れた樹脂組成物を提供することに
ある。
の有機基である。また、m、nはそれぞれ1以上の整数
である。)で表わされる化合物を必須成分とすることを
特徴とする耐熱性に優れた樹脂組成物を提供することに
ある。
一般に、多官能モノマであるビスマレイミド単独の樹脂
組成物は硬化性が悪く種々の改良がなされている。例え
ば、ビスマレイミドとジアミンをあらかじめ反応させポ
リアミノビスマレイミドのプレポリマを生成することに
より成形性や硬化性が非常に優れた樹脂組成物となる。
組成物は硬化性が悪く種々の改良がなされている。例え
ば、ビスマレイミドとジアミンをあらかじめ反応させポ
リアミノビスマレイミドのプレポリマを生成することに
より成形性や硬化性が非常に優れた樹脂組成物となる。
しかし、最も広範囲に適用されているポリアミノビスマ
レイミドは硬化物中に分極率の高いアミド結合やイミド
結合を数多く生成するため、比誘電率が高くなってしま
う。そのため、低誘電率のビスマレイミド系材料として
、比誘電率の低い炭化水素系の樹脂と組合せることが考
えられるが、その場合ビスマレイミド系材料の特徴であ
る耐熱性が大幅に低下してしまう。耐熱性を損うことな
く比誘電率を低くする方法として、フッ素基の導入が考
えられる。
レイミドは硬化物中に分極率の高いアミド結合やイミド
結合を数多く生成するため、比誘電率が高くなってしま
う。そのため、低誘電率のビスマレイミド系材料として
、比誘電率の低い炭化水素系の樹脂と組合せることが考
えられるが、その場合ビスマレイミド系材料の特徴であ
る耐熱性が大幅に低下してしまう。耐熱性を損うことな
く比誘電率を低くする方法として、フッ素基の導入が考
えられる。
L カし、一般のフッ素系樹脂はビスマレイミド化合物
と相活性が悪く適当な溶媒がないためワニスを作成する
ことができない。低誘電率の効果を十分与えるようなフ
ッ素含量をもつ場合、一般のパーフルオロアルキル鎖の
ポリマではフッ素置換された鎖が長くなるため有機溶接
に対する溶解性が著しく低下する。そこで有機溶媒の溶
解性と低誘電率化に対する効果としてフッ素含量を考慮
して、本発明の一般式(1)に示すような化合物に着目
した。化学構造としてビスマレイミドと相溶性を良くす
るためマリイミド基をもち、フッ素置換基の方は、鎖の
長さを短くし、その中にフッ素基が充分置換するように
トリフルオロメチル基を多くしたも!造とする。−数式
(I)で表わされる化合物は、Hs これらの化合物はフッ素含量が非常に高いにもかかわら
ず、N−メチル−2−ピロリドン等の有機溶媒に溶は得
る。そのため、ワニスを作成し、各種成形材料として使
用することができる。
と相活性が悪く適当な溶媒がないためワニスを作成する
ことができない。低誘電率の効果を十分与えるようなフ
ッ素含量をもつ場合、一般のパーフルオロアルキル鎖の
ポリマではフッ素置換された鎖が長くなるため有機溶接
に対する溶解性が著しく低下する。そこで有機溶媒の溶
解性と低誘電率化に対する効果としてフッ素含量を考慮
して、本発明の一般式(1)に示すような化合物に着目
した。化学構造としてビスマレイミドと相溶性を良くす
るためマリイミド基をもち、フッ素置換基の方は、鎖の
長さを短くし、その中にフッ素基が充分置換するように
トリフルオロメチル基を多くしたも!造とする。−数式
(I)で表わされる化合物は、Hs これらの化合物はフッ素含量が非常に高いにもかかわら
ず、N−メチル−2−ピロリドン等の有機溶媒に溶は得
る。そのため、ワニスを作成し、各種成形材料として使
用することができる。
〈実施例1〉
パーフルオロ−4−メチル−3−イソプロピル−2−ペ
ンテン(1no Q )とトリエチルアミン(1moQ
)をN、N−ジメチルホルムアミドを用いて30重量%
溶液とする。この溶液を25℃の恒温槽中で攪拌しなか
ら4−ヒドロキシフェニルマレイミド(1mo12)を
滴下して十時間反応させる得られる反応物を希塩酸水溶
液中で沈殿させ触媒であるトリエチルアミン、及び、副
生成物である。フッ化水素を除去した後、ジエチルエー
テルに溶解し、メチノールで再沈殿を行ない、さらに。
ンテン(1no Q )とトリエチルアミン(1moQ
)をN、N−ジメチルホルムアミドを用いて30重量%
溶液とする。この溶液を25℃の恒温槽中で攪拌しなか
ら4−ヒドロキシフェニルマレイミド(1mo12)を
滴下して十時間反応させる得られる反応物を希塩酸水溶
液中で沈殿させ触媒であるトリエチルアミン、及び、副
生成物である。フッ化水素を除去した後、ジエチルエー
テルに溶解し、メチノールで再沈殿を行ない、さらに。
真空乾燥を48時間行なって目的の4− [1,3−ビ
ス(トリフルオロメチル)−2−ヘプタフルオロイソプ
ロピルブテン−1−イルオキシフフェニルマレイミドを
得た(以下これをPFMと略す。)。PFMのN−メチ
ル−2−ピロリドン溶液50重量%を還流中で180℃
、二時間反応させポリマ溶液を得る。さらに、この溶液
をSUS板上にスピン塗工し、220℃で十分乾燥し、
フィルムを得た。得られたフィルムの比誘電率及び熱分
解開始温度を調べた。
ス(トリフルオロメチル)−2−ヘプタフルオロイソプ
ロピルブテン−1−イルオキシフフェニルマレイミドを
得た(以下これをPFMと略す。)。PFMのN−メチ
ル−2−ピロリドン溶液50重量%を還流中で180℃
、二時間反応させポリマ溶液を得る。さらに、この溶液
をSUS板上にスピン塗工し、220℃で十分乾燥し、
フィルムを得た。得られたフィルムの比誘電率及び熱分
解開始温度を調べた。
〈実施例2〉
実m例1の4−ヒドロキシフェニルマレイミドの代りに
ビスマレイミドである5−ヒドロキシフェニル−1,3
−ビスマレイミドを用いて実施例1と同様な方法で5−
(1,3−ビス(トリフルオロメチル)−2−ペンタ
フルオロイソプロピルブテン−1−イルオキシフフェニ
ル−1,3−ビスマレイミド(以下これをPFBMと略
す。)を得た。PFDMのN−メチル−2−ピロリドン
溶液30重量%を還流中、160℃、二時間反応させプ
レポリマ溶液を得る。さらにこの溶液をSUS板上にス
ピン塗工し、200℃、四時間、さらに、220℃、入
時間硬化反応を行ないフィルムを得た。
ビスマレイミドである5−ヒドロキシフェニル−1,3
−ビスマレイミドを用いて実施例1と同様な方法で5−
(1,3−ビス(トリフルオロメチル)−2−ペンタ
フルオロイソプロピルブテン−1−イルオキシフフェニ
ル−1,3−ビスマレイミド(以下これをPFBMと略
す。)を得た。PFDMのN−メチル−2−ピロリドン
溶液30重量%を還流中、160℃、二時間反応させプ
レポリマ溶液を得る。さらにこの溶液をSUS板上にス
ピン塗工し、200℃、四時間、さらに、220℃、入
時間硬化反応を行ないフィルムを得た。
〈実施例3〉
2.2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)
へキサフルオロプロパンを実施例1で用いた4−ヒドロ
キシフェニルマレイミドの代わりに用いてフッ素基をも
つジアミン中間体を得た。
へキサフルオロプロパンを実施例1で用いた4−ヒドロ
キシフェニルマレイミドの代わりに用いてフッ素基をも
つジアミン中間体を得た。
次に、無水マレイン酸0.3 モルを含むアセ1−ン溶
液を窒素雰囲気中で5℃以下に保ちながら、先に得られ
たジアミン中間体0.1 モルを含むアセトン溶液を
攪拌しながら滴下して加える。その後、60℃に昇温さ
せ三時間反応させる。さらに、無水酢酸300mQ、酢
酸カリウム0.5 重量部。
液を窒素雰囲気中で5℃以下に保ちながら、先に得られ
たジアミン中間体0.1 モルを含むアセトン溶液を
攪拌しながら滴下して加える。その後、60℃に昇温さ
せ三時間反応させる。さらに、無水酢酸300mQ、酢
酸カリウム0.5 重量部。
トリエチルアミン0.5 mQを加えて60〜80℃
で五時間反応させる。得られた溶液を室温まで冷却後、
3000mQの冷却水中に投下して沈殿を生成させる。
で五時間反応させる。得られた溶液を室温まで冷却後、
3000mQの冷却水中に投下して沈殿を生成させる。
この沈殿物を濾過洗浄し、さらに、真空乾燥を行ない目
的物である2、2−ビス〔4−(1,3−ビス(I−リ
フルオロメチル)−2−ペンタフルオロイソプロピルブ
テン−1−イルオキシ)−3−マレイミド〕へキサフル
オロプロパン(PFIIFP) を得た。 PFHF
PのN−メチル−2−ピロリドン溶液30重量%を還流
中160℃、二時間反応させプレポリマ溶液を得た。以
下実施例1と同様な方法でフィルムを得た。
的物である2、2−ビス〔4−(1,3−ビス(I−リ
フルオロメチル)−2−ペンタフルオロイソプロピルブ
テン−1−イルオキシ)−3−マレイミド〕へキサフル
オロプロパン(PFIIFP) を得た。 PFHF
PのN−メチル−2−ピロリドン溶液30重量%を還流
中160℃、二時間反応させプレポリマ溶液を得た。以
下実施例1と同様な方法でフィルムを得た。
(比較例)
4.4′−ジフェニルメタンビスマレイミド(BMI)
1mof2と4,4′−ジアミノジフェニルメタンII
IIoQをジメチルホルムアミド溶液50重量%とじ、
還流中120℃、100分反応させポリマ溶液を得る。
1mof2と4,4′−ジアミノジフェニルメタンII
IIoQをジメチルホルムアミド溶液50重量%とじ、
還流中120℃、100分反応させポリマ溶液を得る。
これをSUS板上にスピン塗工し、220℃、四時間硬
化反応を行ないフィルムを得た。
化反応を行ないフィルムを得た。
実施例、比較例で得られたフィルムの特性を表に示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、下記一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、R_1は少なくとも一個の芳香環をもつ二価以
上の有機基である、また、m、nはそれぞれ1以上の整
数である。)で表わされる化合物を含むことを特徴とす
る樹脂組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62263852A JPH0696621B2 (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | 硬化性組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62263852A JPH0696621B2 (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | 硬化性組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01108260A true JPH01108260A (ja) | 1989-04-25 |
JPH0696621B2 JPH0696621B2 (ja) | 1994-11-30 |
Family
ID=17395125
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62263852A Expired - Lifetime JPH0696621B2 (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | 硬化性組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0696621B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0450926A2 (en) * | 1990-04-03 | 1991-10-09 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Fluorine-containing polyimides and precursors thereof |
JP2006335677A (ja) * | 2005-06-01 | 2006-12-14 | Nippon Shokubai Co Ltd | パーフルオロアルケニル誘導体 |
KR100682196B1 (ko) * | 2001-04-13 | 2007-02-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 할로겐 원소를 포함하는 말레이미드계 포토레지스트중합체 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 |
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