JPH01100957A - ハイブリッドｉｃ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は複数の回路素子を有した。ハイブリッドＩＣに
関し、特にＩＣ基板本体に接合される外部接続用の端子
の接合方法の改良に関する。

［従来の技術］ 安定した性能が要求される特殊な用途に複数の回路素子
からなるＩＣを使用する場合には、汎用品と比べてその
生産数が少なくなるため、一般にハイブリッドＩＣが使
用されている。このハイブリッドＩＣでは、例えばセラ
ミック等で形成された基板上にトランジスタやダイオー
ド等の半導体チップを組込むことができるため、大電力
用の目的にも使用されている。そして、こうした半導体
チップを有したハイブリッドＩＣでは、外部の回路と接
続するために鉄や銅などで形成された端子は、ＩＣ基板
本体に設けられた導体性の電極部分にはんだ付けにより
接合され、このとき電極部分に面する端子の接合面は単
純な平面形状に加工されている。

［発明が解決しようとする問題点］ このような大電力用の目的に使用するハイブリッドＩＣ
では、各半導体チップから、の発熱量が多くなり、ＩＣ
基板本体の加熱および放熱のサイクルと、端子の加熱お
よび放熱のサイクルとがそれぞれの材料によって異なり
、しかも熱膨脹率が異なるため、それぞれの材料の熱膨
脹率の違いによりＩＣ基板本体と端子との間の接合部の
はんだに歪みが発生する。こうした接合部の歪みによる
応力は、通常でははんだ層によって吸収される。しかし
、経年変化を考えた場合には、端子の接合面力５単純な
平面形状に加工されているため接合面のはんだ層が薄く
、はんだ量が少ないことから、このは・んだ面だけでは
歪みを吸収しきれない場合が考えられ、十分な寿命を得
にくいという問題点がある。

本発明は、端子と基板との接合を長期間に互って維持す
ることができる？ＸイブリッドＩＣを提供することを目
的とする。

［問題点を解決するための手段］ 本発明は基板に集積回路を固着し、その電極に外部回路
との接続のための端子をはんだ付けしてなるハイブリッ
ドＩＣにおいて、前記端子は、前記電極との接合面側に
突起を有し、該突起により前記電極と適度の間隔で配さ
れ、前記端子と前記電極との間に前記はんだの層を有す
ることを技術的手段とする。

［作用］ 本発明のハイブリッドＩＣでは、端子には突起があり、
端子と電極とを接合するときには、この突起は基板に設
けられた電極側に向けられる。そして端子と電極とは突
起により適度の間隔で配され、その間には端子の突起に
よる空間ができるなめ、はんだ付けにより接合されると
きこの空間にはんだが充満する。従って、端子と電極と
はその接合面に厚いはんだ層を有して接合される。

［発明の効果］ 本発明では、端子に突起があるため、単純な平面形状に
加工された端子を基板に接合する場合と比較して厚いは
んだ層を有する。従って、基板の熱膨脹と端子の熱膨脹
とが異なっていても、接合面の歪みははんだ層によって
吸収されるため、長期間に互って端子を基板に接合させ
ることができる。

［実施例］ 次に本発明のハイブリッドＩＣｌ０を図面に示す実施例
に基づき説明する。

このハイブリッドＩＣｌ０は、第１図に示すように、基
板（サブストレート）１１上に設けられた導体パターン
１２と、図示しない抵抗体パターン、ＩＣ、トランジス
タ、ダイオード、コンデンサ等のチップとリード端子１
３から構成される。

基板１１は所定の寸法および形状に形成された絶縁性の
アルミナ等のセラミック製であり、その表面にはパラジ
ウムなどの導体パターン１２が印刷焼成され、さらに抵
抗体パターンが印刷焼成されている。このように焼成さ
れた導体パターン１２の末端は、外部回路との接続のた
めの電極部分１２ａになっており、電極部分１．２ａは
各導体パターン１２毎に必要に応じた数が設けられてい
る。

電極部分１２ａには、外部のリード線やプリント配線基
板と接続するために、断面形状がＬ字形のリード端子１
３が設けられる。このリード端子１３は本発明の端子で
、鉄製あるいは銅製の材料が始めに切断により平板状に
形成され、その後折曲げ形成されたものである。リード
端子１３には、電極部分１２ａとの接合面側に、第２図
に示すように、製造過程でリード端子１３を切断形成す
る際に生じたばつ部１３ａが残されている。ばり部１３
ａは基板ｌｌ上の電極部分１２ａとの間に適度の間隔を
生じさせるために残されたもので、このぼり部１３ａを
備えたリード端子１３は、他の抵抗体パターン、ＩＣ、
トランジスタ、ダイオード、コンデンサ等のチップとと
もに基板１１の所定位置に配置され、それぞれはんだ１
４によって接合されて集積回路が形成されている。

以上の構成からなる本発明のハイブリッドＩＣ１０では
、リード端子１３は次のように基板１１に接合される。

導体パターン１２の末端の電極部分１２ａにそれぞれリ
ード端子１３が配置され、基板１１とともに加熱される
。すると、あら、かじめ電極部分１２ａに設けられたボ
ンディング用の、はんだ１４が融解し、このはんだ１４
．によって接合される。

この接合の際、リード端子１３と電極部分１２ａとの間
には、ばり部１３ａによって生じた空間があり、リード
端子１３は導体パターン１２とに適度の間隔で配置され
ているため、リード端子１３と電極部分１２ａとは、ぼ
り部１３ａがない場合と比較して多くのはんだ１４で接
合される。従って、リード端子１３と電極部分１２ａと
の間には、ばつ部１３ａがない場合と比較して厚いはん
だ１４層が形成される。

以上のとおり、本発明のハイブリッドＩＣ１０では、外
部ｒｇＪ路と接続されるリード端子１３は、従来と比較
して厚いはんだ１４層で基板１１の電極部分１２ａに接
合されるため、基板１１とリード端子１３との間に歪み
が生じた場合にも、このはんだ１４層によって歪みが吸
収される。従ってＩＣの発熱等により膨張等を繰返して
も、リード端子は長い期間に互って安定して基板上に接
蕎される。

本実施例では、リード端子にＬ字形のものを使用したが
、リード端子は単に平板形状のままでもよいし、第３図
および第４図に示すようにさらに安定性を良くするため
に接合部に貫通孔１３ｂや切り欠き孔１３ｃを備えた形
状のものでも接合面にばり部があれば同様な効果を奏す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のハイブリッドＩＣの実施例を示す部分
斜視図、第２図は第１図Ａ−Ｂ間の断面図、第３図、第
４図は本発明のリード端子の他の実施例を示す斜視図で
ある。 図中、１０・・・ハイブリッドＩＣ１１１・・・基板、
１２ａ・・・電極部分、１３・・・リード端子、１３ａ
・・・ばり部、１４・・・はんだ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）　基板に集積回路を固着し、その電極に外部回路と
   の接続のための端子をはんだ付けしてなるハイブリッド
   ＩＣにおいて、 前記端子は、前記電極との接合面側に突起を有し、該突
   起により前記電極と適度の間隔で配され、前記端子と前
   記電極との間に前記はんだの層を有することを特徴とす
   るハイブリッドＩＣ。 ２）　前記端子の突起は、製造工程時に生じたばりを利
   用することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のハ
   イブリッドＩＣ。