JPH01100926A - 乾燥方法 - Google Patents
乾燥方法Info
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- JPH01100926A JPH01100926A JP25716187A JP25716187A JPH01100926A JP H01100926 A JPH01100926 A JP H01100926A JP 25716187 A JP25716187 A JP 25716187A JP 25716187 A JP25716187 A JP 25716187A JP H01100926 A JPH01100926 A JP H01100926A
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Landscapes
- Drying Of Solid Materials (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体、金属製品の洗浄方法に係り、！＜乾燥
時の汚染酸化膜生成防止に好適な乾燥方法に関する。
時の汚染酸化膜生成防止に好適な乾燥方法に関する。
従来の半導体ウェハの乾燥方法については半導体、電子
部品の精密洗浄システム技術集成（リアライズ社、 １
９８６年）第６章１５５頁から１５８頁において論じら
れている様に、主に遠心乾燥、蒸気乾燥、熱風乾燥の５
方法のいずれかがとられている。
部品の精密洗浄システム技術集成（リアライズ社、 １
９８６年）第６章１５５頁から１５８頁において論じら
れている様に、主に遠心乾燥、蒸気乾燥、熱風乾燥の５
方法のいずれかがとられている。
上記従来技術はいずれも乾燥中の異物汚染防止のだめの
クリーンエア雰囲気については配慮されているが、乾燥
時の雰囲気中に含まれる酸素ガスが被乾燥物表面に残留
した水分の中に溶は込み、被乾燥物表面を局部酸化する
という点については配慮されておらず、被乾燥物表面に
汚染酸化皮膜が生成するという問題があった。
クリーンエア雰囲気については配慮されているが、乾燥
時の雰囲気中に含まれる酸素ガスが被乾燥物表面に残留
した水分の中に溶は込み、被乾燥物表面を局部酸化する
という点については配慮されておらず、被乾燥物表面に
汚染酸化皮膜が生成するという問題があった。
本発明の目的は、乾燥雰囲気による被乾燥物の局部酸化
を防ぎ、もって汚染酸化皮膜のない清浄な乾燥面を得る
ための乾燥方法を供する点にある。
を防ぎ、もって汚染酸化皮膜のない清浄な乾燥面を得る
ための乾燥方法を供する点にある。
上記目的は乾燥開始時に被乾燥物上に残存する水又は水
を含んだ液が完全に除去される迄被乾燥物を低酸素濃度
あるいは酸素を含まない非酸化性雰囲気中ｒｃｆＲいて
乾燥を行い、残存液中に酸素が溶は込むのを防止すると
どにより達成される。
を含んだ液が完全に除去される迄被乾燥物を低酸素濃度
あるいは酸素を含まない非酸化性雰囲気中ｒｃｆＲいて
乾燥を行い、残存液中に酸素が溶は込むのを防止すると
どにより達成される。
はじめに本発明により防止せんとする汚染膜の生成機構
について図面を用いて詳しく説明する。
について図面を用いて詳しく説明する。
Ｓｉクエ八への半導体や金属製品では、その加工段階に
おいて、次工程における良好な加工の為に清浄な表面を
準備する洗浄工程が多々ある。例え（ｆＳｉ半導体製造
工程においては、熱酸化、拡散、エピタキシャル成長な
ど多くの工程において、清浄な表面を得るために、異物
や汚染物を除く洗浄の後希薄７ツ酸液等の処理液を用い
て、洗浄により生じた表面の酸化膜を除去し、清浄な表
面を得ている。その１例を第２図に示す。ところが酸化
膜を除去した後の水洗、乾燥工程中で、被乾燥物表面に
しみ状の汚染皮膜が生じることがある。この皮膜は被乾
燥物表面が局部的に酸化されたことにより生じたものだ
が、その生成には乾燥雰囲気ガス中の酸素が太き（関わ
っている。酸化膜を除去した後の被乾燥物表面に一定量
の水滴を強制的に付着させて、酸素濃度を変化させた雰
囲気中で乾燥したときに生じる汚染酸化皮膜の大きさを
調べた結果を図５に示す。図５より、雰囲気中の酸素濃
度が高くなるにつれて生じる汚染酸化皮膜も大きくなっ
ており、乾燥雰囲気中の酸素が被乾燥物表面を局部酸化
する原因とわかる。そこで、乾燥処理時の獲囲気ガス中
の酸素濃度を低くおさえることにより、付着水滴中への
酸素の溶は込みを減らし、もって局部的な酸化の発生を
防止する。このときの酸素濃度は２１ＶＯＩチ（空気中
の酸素濃度）以下が望ましく、特Ｋ ｌ０ＶＯＩ ％以
下にすることが好ましい。
おいて、次工程における良好な加工の為に清浄な表面を
準備する洗浄工程が多々ある。例え（ｆＳｉ半導体製造
工程においては、熱酸化、拡散、エピタキシャル成長な
ど多くの工程において、清浄な表面を得るために、異物
や汚染物を除く洗浄の後希薄７ツ酸液等の処理液を用い
て、洗浄により生じた表面の酸化膜を除去し、清浄な表
面を得ている。その１例を第２図に示す。ところが酸化
膜を除去した後の水洗、乾燥工程中で、被乾燥物表面に
しみ状の汚染皮膜が生じることがある。この皮膜は被乾
燥物表面が局部的に酸化されたことにより生じたものだ
が、その生成には乾燥雰囲気ガス中の酸素が太き（関わ
っている。酸化膜を除去した後の被乾燥物表面に一定量
の水滴を強制的に付着させて、酸素濃度を変化させた雰
囲気中で乾燥したときに生じる汚染酸化皮膜の大きさを
調べた結果を図５に示す。図５より、雰囲気中の酸素濃
度が高くなるにつれて生じる汚染酸化皮膜も大きくなっ
ており、乾燥雰囲気中の酸素が被乾燥物表面を局部酸化
する原因とわかる。そこで、乾燥処理時の獲囲気ガス中
の酸素濃度を低くおさえることにより、付着水滴中への
酸素の溶は込みを減らし、もって局部的な酸化の発生を
防止する。このときの酸素濃度は２１ＶＯＩチ（空気中
の酸素濃度）以下が望ましく、特Ｋ ｌ０ＶＯＩ ％以
下にすることが好ましい。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。第１
図は半導体の乾燥工程で使用されている蒸気乾燥装置を
示す。洗浄後のウェハ１をキャリアＺｖｃ入れ、＠埋［
５内に入れる。処理槽５の内部は蒸気発生用液体（一般
にはアルコール）４をヒータ５で加熱して発生させた蒸
気６で満たされており、ウェハ１上の水分は蒸気６ｉＣ
より置換。
図は半導体の乾燥工程で使用されている蒸気乾燥装置を
示す。洗浄後のウェハ１をキャリアＺｖｃ入れ、＠埋［
５内に入れる。処理槽５の内部は蒸気発生用液体（一般
にはアルコール）４をヒータ５で加熱して発生させた蒸
気６で満たされており、ウェハ１上の水分は蒸気６ｉＣ
より置換。
除去されることにより乾燥される。ところが、ウェハ１
を導入すると、蒸気６はウェハ１に冷やされてその蒸気
面７は下降しく”）＊ウェハ１の一部が空気中に露出さ
れる。この空気中Ｋｊｌ出された部分に付着していた水
滴は蒸気６と置換されることなく空気中で乾燥してしま
うため、乾燥後の表面に汚染酸化皮膜を生じる。そこで
、処理槽外部の密閉チャンバ８の内部に非酸化性ガス（
例えばＮａｐ）をパージして排気口１０より排気する。
を導入すると、蒸気６はウェハ１に冷やされてその蒸気
面７は下降しく”）＊ウェハ１の一部が空気中に露出さ
れる。この空気中Ｋｊｌ出された部分に付着していた水
滴は蒸気６と置換されることなく空気中で乾燥してしま
うため、乾燥後の表面に汚染酸化皮膜を生じる。そこで
、処理槽外部の密閉チャンバ８の内部に非酸化性ガス（
例えばＮａｐ）をパージして排気口１０より排気する。
この機にし℃チャンバ８内を非酸化性ガス雰囲気にして
おけば、ウェハ１を導入したときに蒸気面７が下降して
もウェハ１が空気にさらされることなく乾燥が進行する
ので、汚染酸化皮膜の発生が防げる。上記装置では汚染
酸化皮膜の発生率を９Ｂ％以上も低減できた。乾燥装置
としては上記蒸気乾燥装置の他に、遠心力、加熱、熱風
、電磁波等を用いて被乾燥物を乾燥させる全ての乾燥装
置ＶＣ５ｍして適用可能であり、被乾燥物としては半導
体としてＳｉや化合物半導体、また空気中の酸素と反応
して酸化物を作る金属、例えばアル１＝クムや７エライ
ト等の乾燥に用いてもよく、特ｒｃＳｉの乾燥に適して
いる。また、Ｎ、以外にも非酸化性のガスとして、ヘリ
ウム、アルゴン、ネオン等の・不活性ガスを利用しても
よい。
おけば、ウェハ１を導入したときに蒸気面７が下降して
もウェハ１が空気にさらされることなく乾燥が進行する
ので、汚染酸化皮膜の発生が防げる。上記装置では汚染
酸化皮膜の発生率を９Ｂ％以上も低減できた。乾燥装置
としては上記蒸気乾燥装置の他に、遠心力、加熱、熱風
、電磁波等を用いて被乾燥物を乾燥させる全ての乾燥装
置ＶＣ５ｍして適用可能であり、被乾燥物としては半導
体としてＳｉや化合物半導体、また空気中の酸素と反応
して酸化物を作る金属、例えばアル１＝クムや７エライ
ト等の乾燥に用いてもよく、特ｒｃＳｉの乾燥に適して
いる。また、Ｎ、以外にも非酸化性のガスとして、ヘリ
ウム、アルゴン、ネオン等の・不活性ガスを利用しても
よい。
本発明によれば、被乾燥物は酸素を含むガス（空気）Ｋ
さらされることがないので、被乾燥物表面の残留水滴中
に酸素が溶は込むことがなく、もって被乾燥物表面の局
部酸化による汚染酸化皮膜の生成を防止する効果がある
。
さらされることがないので、被乾燥物表面の残留水滴中
に酸素が溶は込むことがなく、もって被乾燥物表面の局
部酸化による汚染酸化皮膜の生成を防止する効果がある
。
第１図は本発明の一実施例である蒸気乾燥装置の構成図
、第２図は局部汚染酸化皮膜の発生過程を示す説明図、
第３図は乾燥雰囲気中の酸素ガス濃度と生じる汚染酸化
皮膜の大きさの関係を示す線図である。 １・・・ウェハ、２・−キャリア、５・・・処理槽、４
・・・蒸気発生用液体、５・・・ヒータ、６・・・蒸気
、８・・・チャンバ、９−Ｎ、ガス、１０・・・排気孔
、１１・−異物、１２・・・酸化膜、１４・・・汚染酸
化皮膜。 第 １ 区 第 ３ Ｚ ＃承漢康 〔％］
、第２図は局部汚染酸化皮膜の発生過程を示す説明図、
第３図は乾燥雰囲気中の酸素ガス濃度と生じる汚染酸化
皮膜の大きさの関係を示す線図である。 １・・・ウェハ、２・−キャリア、５・・・処理槽、４
・・・蒸気発生用液体、５・・・ヒータ、６・・・蒸気
、８・・・チャンバ、９−Ｎ、ガス、１０・・・排気孔
、１１・−異物、１２・・・酸化膜、１４・・・汚染酸
化皮膜。 第 １ 区 第 ３ Ｚ ＃承漢康 〔％］
Claims (1)
- １、低酸素濃度もしくは酸素を含まない非酸化性雰囲気
中で被乾燥物を乾燥することを特徴とする乾燥方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25716187A JPH01100926A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 乾燥方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25716187A JPH01100926A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 乾燥方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01100926A true JPH01100926A (ja) | 1989-04-19 |
Family
ID=17302548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25716187A Pending JPH01100926A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 乾燥方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01100926A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10544833B2 (en) | 2014-07-30 | 2020-01-28 | Koyo Bearings North America Llc | Roller bearing assembly with retainer ring |
-
1987
- 1987-10-14 JP JP25716187A patent/JPH01100926A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10544833B2 (en) | 2014-07-30 | 2020-01-28 | Koyo Bearings North America Llc | Roller bearing assembly with retainer ring |
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