JPH01100279A - 金属層の製造方法 - Google Patents
金属層の製造方法Info
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- JPH01100279A JPH01100279A JP63203314A JP20331488A JPH01100279A JP H01100279 A JPH01100279 A JP H01100279A JP 63203314 A JP63203314 A JP 63203314A JP 20331488 A JP20331488 A JP 20331488A JP H01100279 A JPH01100279 A JP H01100279A
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 46
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 28
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- -1 argon ion Chemical class 0.000 claims description 3
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 claims description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-M Formate Chemical compound [O-]C=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims 1
- YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L palladium(ii) acetate Chemical compound [Pd+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract 3
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 abstract 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 8
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 3
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229910052705 radium Inorganic materials 0.000 description 2
- HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N radium atom Chemical compound [Ra] HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 159000000021 acetate salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011111 cardboard Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 235000013339 cereals Nutrition 0.000 description 1
- 238000002144 chemical decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000013212 metal-organic material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011087 paperboard Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 235000021395 porridge Nutrition 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/105—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by conversion of non-conductive material on or in the support into conductive material, e.g. by using an energy beam
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C18/14—Decomposition by irradiation, e.g. photolysis, particle radiation or by mixed irradiation sources
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
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- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
- C23C18/1607—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
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- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、光源から基板上の被覆を照射することだより
全面的又は部分的金属層を製造する方法に関する。
全面的又は部分的金属層を製造する方法に関する。
ケイ素又は石英の基板上にパラジウムの金属層を製造す
る方法が応用物理学雑誌（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＡｐｐ
ｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ ） ６１ （４）、グロー
ス（Ｇｒｏｓｓ ）その他、１９７８年２月１５日、１
６２８ないし１６３２頁に記載されている。このために
酢酸ノＪ？ラジウムから成る溶液により基板の表面を薄
い均質な非晶質層で被覆する。次に金属パターンを形成
するために、５１４．５ ｎｍの波長範囲の放射線を送
出するアルゴンレーザの集束光でこの被覆を照射する。
る方法が応用物理学雑誌（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＡｐｐ
ｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ ） ６１ （４）、グロー
ス（Ｇｒｏｓｓ ）その他、１９７８年２月１５日、１
６２８ないし１６３２頁に記載されている。このために
酢酸ノＪ？ラジウムから成る溶液により基板の表面を薄
い均質な非晶質層で被覆する。次に金属パターンを形成
するために、５１４．５ ｎｍの波長範囲の放射線を送
出するアルゴンレーザの集束光でこの被覆を照射する。
６酸パラジウムはレーザ放射によって熱分解され、その
際パラジウムの金属層が形成される。
際パラジウムの金属層が形成される。
この場合形成される線状／ＩＦラジウム層はレーザの出
力、走査速度、塗布する酢酸パラジウム溶液と基板の熱
的性質に応じて多かれ少かれ多孔質である。使用するレ
ーザビームは、爆発性の反応前面成しようとする基板の
すべての場所で、これらの場所をレーザビームで逐次走
査しなければならず。
力、走査速度、塗布する酢酸パラジウム溶液と基板の熱
的性質に応じて多かれ少かれ多孔質である。使用するレ
ーザビームは、爆発性の反応前面成しようとする基板の
すべての場所で、これらの場所をレーザビームで逐次走
査しなければならず。
このため大変時間がかかると共に多大の費用を要すると
いう欠点がある。
いう欠点がある。
［発明が解決しようとする課題コ
本発明の根底にあるのは、全面的又はパターン状金属層
を従来より迅速に、かつ鮮明な境界区域と共に基板上に
形成することができる方法を示すことである。
を従来より迅速に、かつ鮮明な境界区域と共に基板上に
形成することができる方法を示すことである。
［課電を解決するための手段１作用１発明の効果］上述
の課題は本発明に基づき金属層を形成する際に、レーザ
の照射を平面的に行うことＫよって解決される。
の課題は本発明に基づき金属層を形成する際に、レーザ
の照射を平面的に行うことＫよって解決される。
平面的照射だよって基板の表面に一面の金属層を設け、
又は部分的・母ターン状金属層を全体に同時かつ迅速に
形成することが可能１．、．７る。基板表面の走査は全
く行わない。これはエキシマレーザ又はエキシマ１／−
デでノ９ルス化した色素レーザによってのみ可能である
。このレーザのビームは平面的照射のために拡張される
。
又は部分的・母ターン状金属層を全体に同時かつ迅速に
形成することが可能１．、．７る。基板表面の走査は全
く行わない。これはエキシマレーザ又はエキシマ１／−
デでノ９ルス化した色素レーザによってのみ可能である
。このレーザのビームは平面的照射のために拡張される
。
在来のア〜・掩オ〜・−ザは平面的照射のために使用す
ることができない。ビームを拡張すると。
ることができない。ビームを拡張すると。
面積当りでごく僅かなエネルギーしか利用できないから
である。この出力は、基板に被着した被覆を分解するに
はあまりに小さ過ぎる。
である。この出力は、基板に被着した被覆を分解するに
はあまりに小さ過ぎる。
基板上の・千ターン状金属層の形成は、マスクを被覆の
上に置くことによりて行われる。
上に置くことによりて行われる。
本発明によれば、パターン状金属層を発生させようとす
る場所だけ被覆を照射するように、光学部品を介してレ
ーザ放射を被覆上に導くことができる。こうして形成さ
れた全面的又はノ４ターン状金属層を更に無電解又は電
解金属化によって補強することができる。
る場所だけ被覆を照射するように、光学部品を介してレ
ーザ放射を被覆上に導くことができる。こうして形成さ
れた全面的又はノ４ターン状金属層を更に無電解又は電
解金属化によって補強することができる。
こうして作られる全面的又は部分的金属層の付着は抜群
である。無電解又は電解補強により金属層は高い純度と
共に他めて良好な導電性を有する。
である。無電解又は電解補強により金属層は高い純度と
共に他めて良好な導電性を有する。
本発明の方法によって作られる導体トラックは縁端の鮮
明度がすこぶる良好である。それは、金属有機材料から
成る被覆の分解が熱によってはほとんど又は全く行われ
ないで、まず第１に紫外線の使用により光学的に行われ
るからである。
明度がすこぶる良好である。それは、金属有機材料から
成る被覆の分解が熱によってはほとんど又は全く行われ
ないで、まず第１に紫外線の使用により光学的に行われ
るからである。
本発明に基づくその他の特徴は引用形式請求項に示され
ている。
ている。
［実施例］
次に図面に基づいて本発明の方法全詳述する。
第１図は、長方形の薄板として形成され、ここに示す実
施例ではガラス化した又はガラス化しない酸化アルミニ
ウム（ＡｔＯ２）で製作された基板１０を示す。この基
板１０の表面上にパターン状金属層２６を形成するので
ある。本発明に基づく方法によれば、金属層の形成は有
機又は無機材料による別の基板（ここに図示せず）上で
も可能である。
施例ではガラス化した又はガラス化しない酸化アルミニ
ウム（ＡｔＯ２）で製作された基板１０を示す。この基
板１０の表面上にパターン状金属層２６を形成するので
ある。本発明に基づく方法によれば、金属層の形成は有
機又は無機材料による別の基板（ここに図示せず）上で
も可能である。
使用する基板（ここに図示せず）は任意のあらゆる幾何
学的形状を取ることができるが、窒化アルミニウム、ホ
ウケイ酸ガラス、ポリアミド、ゴム。
学的形状を取ることができるが、窒化アルミニウム、ホ
ウケイ酸ガラス、ポリアミド、ゴム。
祇又は厚紙及びセラミック充填又はガラス繊維強化フッ
素樹脂製の薄板であることが好ましい。ノ９ターン状金
属層２６の形成のために、基板１００表面に被覆１４を
設ける。この被覆１４は金属有機化合物の溶液によって
形成される。ここに示す実施例では、被覆の形成のため
に基板１０を酢酸パラジウム溶液に浸漬する。もちろん
他の方法。
素樹脂製の薄板であることが好ましい。ノ９ターン状金
属層２６の形成のために、基板１００表面に被覆１４を
設ける。この被覆１４は金属有機化合物の溶液によって
形成される。ここに示す実施例では、被覆の形成のため
に基板１０を酢酸パラジウム溶液に浸漬する。もちろん
他の方法。
例えば基板１０に溶液を吹付は又は刷毛引きすることに
よりても溶液を塗布することができる。被覆の形成のた
めに酢酸ノ母うノウム溶液の塗膜を炉内で空気中で乾燥
する。ここで溶剤が蒸発する。
よりても溶液を塗布することができる。被覆の形成のた
めに酢酸ノ母うノウム溶液の塗膜を炉内で空気中で乾燥
する。ここで溶剤が蒸発する。
酢酸パラジウム層液の形成のためには、酢酸ノ９ラゾウ
ムの溶解が可能なすべての液体を使用することができる
。被覆１４を形成した後、被覆の上に１宣接にマスク１
６を配置する。マスクは、基板ｉ。
ムの溶解が可能なすべての液体を使用することができる
。被覆１４を形成した後、被覆の上に１宣接にマスク１
６を配置する。マスクは、基板ｉ。
にパターン状金属層を形成すべき場所に貫通部を有する
６次にマスク１６全体をエキシマレーザ２０で平面的に
照射する。このために例えば波長３０８ｎｍ、２４８ｎ
ｍ及び１９３ ｎｍの放射線を送出するエキシマレーザ
を使用することが好ましい。このエキシマレーザは極め
て強力であるから、そのビームを光学部品で、その下に
あるマスクの完全な平面的照射が可能となるように拡張
することができる。エキシマレーザの代わシに色素レー
ザ（ここに図示せず）を使用することもできる。色素レ
ーザが平面的照射に必要な出力・９ルスエネルギーを持
つように、エキシマレーザで色素レーザヲ／ンルス化す
る。適当な色素を使用することによって。
６次にマスク１６全体をエキシマレーザ２０で平面的に
照射する。このために例えば波長３０８ｎｍ、２４８ｎ
ｍ及び１９３ ｎｍの放射線を送出するエキシマレーザ
を使用することが好ましい。このエキシマレーザは極め
て強力であるから、そのビームを光学部品で、その下に
あるマスクの完全な平面的照射が可能となるように拡張
することができる。エキシマレーザの代わシに色素レー
ザ（ここに図示せず）を使用することもできる。色素レ
ーザが平面的照射に必要な出力・９ルスエネルギーを持
つように、エキシマレーザで色素レーザヲ／ンルス化す
る。適当な色素を使用することによって。
色素レーザで波長的３２０ ｎｍまでの紫外線を発生す
ることができる。紫外領域で変換効率３％の場合。
ることができる。紫外領域で変換効率３％の場合。
依然トしてｌＱｍＪのパルスエネルギーが利用可能であ
る。被覆を分解するのに必要な限界エネルギー Ｉｆｊ
、、 約２ ｍＪである。エキシマレーザ２０は色素レ
ーザと違って、１５７ｎｍないし３５１ ｎｍの７つの
飛び飛びの波長の放射線しか放出できない。これに対し
て紫外領域の色素レーザの波長は、３２゜ｎｍないし４
００ ｎｍの間で連続的に調整することができる。従っ
て特定の波長で反応を計画的に開始することができる。
る。被覆を分解するのに必要な限界エネルギー Ｉｆｊ
、、 約２ ｍＪである。エキシマレーザ２０は色素レ
ーザと違って、１５７ｎｍないし３５１ ｎｍの７つの
飛び飛びの波長の放射線しか放出できない。これに対し
て紫外領域の色素レーザの波長は、３２゜ｎｍないし４
００ ｎｍの間で連続的に調整することができる。従っ
て特定の波長で反応を計画的に開始することができる。
本例では放射出力密度約ＩＪ ｃｍ２．放射波長３０８
ｎｍの１００ Ｈｚパルス化エキシマレーザで被覆１
４の分解を行った。マスクノロを配置することによつ、
て被覆１４の特定の区域だけ、但し全域が同時にレーザ
２０によりで照射される。照射により酢酸・母うソウム
が分解される。その際ノ母うゾウムの結晶核２２が形成
されるため、照射の終了の後には鮮明な縁端区域を有す
る・ぐターン状パラジウム層が形成されている。次に被
覆１４の未照射区域を溶剤例えばクロロホルムで洗い流
し、こうしてパターン状金属層２６だけが基板１００表
面に残る。本発明によれば、無電解又は電解金属化によ
ってパターン状の層２６を補強することが可能である。
ｎｍの１００ Ｈｚパルス化エキシマレーザで被覆１
４の分解を行った。マスクノロを配置することによつ、
て被覆１４の特定の区域だけ、但し全域が同時にレーザ
２０によりで照射される。照射により酢酸・母うソウム
が分解される。その際ノ母うゾウムの結晶核２２が形成
されるため、照射の終了の後には鮮明な縁端区域を有す
る・ぐターン状パラジウム層が形成されている。次に被
覆１４の未照射区域を溶剤例えばクロロホルムで洗い流
し、こうしてパターン状金属層２６だけが基板１００表
面に残る。本発明によれば、無電解又は電解金属化によ
ってパターン状の層２６を補強することが可能である。
例えばシップレイ（５ｈｉｐｌｅ）’ ）式メツキ浴２
４で無電解銅メツキによりノ９ラゾウム層２６を補強す
ることができる。
４で無電解銅メツキによりノ９ラゾウム層２６を補強す
ることができる。
その結果、基板１０のパターン状金属層２６は厚い銅層
を具備する。
を具備する。
本発明の方法によってもちろん他の金属例えば金、銀又
は銅によりツクターン状金属層を析出することもできる
。このためには当該金属有機化合物の適当な溶液から適
当な被覆を基板上に形成すればよい。溶液の調合のため
には当該金属の酢酸塩。
は銅によりツクターン状金属層を析出することもできる
。このためには当該金属有機化合物の適当な溶液から適
当な被覆を基板上に形成すればよい。溶液の調合のため
には当該金属の酢酸塩。
アセチルアセトネート及びギ酸塩を使用することが好ま
しい。
しい。
基板上のパターン状金属層に点状ノ！ターン又は複雑な
幾何学的形状のパターンを持たせようとする場合は、こ
れらのｊ４ターンの形成のためにエキシマレーザ２０の
ほかにアルゴンイオンレーザを使用シ、このレーザでマ
スク１−６の貫通部を走査することが十分に可能である
。
幾何学的形状のパターンを持たせようとする場合は、こ
れらのｊ４ターンの形成のためにエキシマレーザ２０の
ほかにアルゴンイオンレーザを使用シ、このレーザでマ
スク１−６の貫通部を走査することが十分に可能である
。
基板１０の表面を金属層２６で完全に隠蔽しようとする
ときは、上述と同様の工程を適用する。
ときは、上述と同様の工程を適用する。
但し第１図に示したマスク１６の配置は行わない。
レーザ２０から来るビームは直接に全被覆１４へ導かれ
る。これによって被覆１４が完全に元化学的に分解され
、基板１０上に一面の金属層が生じる（ここに図示せず
）ａ エキシマレーザ２０と光学部品例えばレンズと絞りによ
つて、被覆１４の特定の区域だけが照射されるように、
エキシマレーザのビームに基１１１０の被覆１４へ導く
ことができる。こうして予定のパターンが形成されるよ
うに、レーザのビームを被覆１４へ導くことが可能であ
る。従って第１図に示すマスク１６を全く廃止すること
ができる。
る。これによって被覆１４が完全に元化学的に分解され
、基板１０上に一面の金属層が生じる（ここに図示せず
）ａ エキシマレーザ２０と光学部品例えばレンズと絞りによ
つて、被覆１４の特定の区域だけが照射されるように、
エキシマレーザのビームに基１１１０の被覆１４へ導く
ことができる。こうして予定のパターンが形成されるよ
うに、レーザのビームを被覆１４へ導くことが可能であ
る。従って第１図に示すマスク１６を全く廃止すること
ができる。
上述の光学部品によって同じく鮮明な縁端区域を持つ・
母ターン状金属層を基板１０の上に形成することが可能
である。
母ターン状金属層を基板１０の上に形成することが可能
である。
図示しな贋レーザのビーム２１ｇを光学部品によって誘
導する方法を第２図が示す。レーザビーム２１８は固定
鏡２３０によって偏向され１次に偏光ビームの軸線方向
に移動可能な鏡２３２で再度偏向され、視野レンズ２３
４ｔ−貫いてマスク２１６へ導かれる。ｉスフ２１６は
結像光学系２１５によって基板１０の上に縮小して結像
される。基板１０には金属有機化合物の被覆（ことに図
示せず）が予め被着されている。
導する方法を第２図が示す。レーザビーム２１８は固定
鏡２３０によって偏向され１次に偏光ビームの軸線方向
に移動可能な鏡２３２で再度偏向され、視野レンズ２３
４ｔ−貫いてマスク２１６へ導かれる。ｉスフ２１６は
結像光学系２１５によって基板１０の上に縮小して結像
される。基板１０には金属有機化合物の被覆（ことに図
示せず）が予め被着されている。
第３図は、可変シャッタ３１１．縮小光学系３１８及び
平面の２方向に移動することができ、ａ板１０が載りた
テーブル（ＸＹ子テーブル ３４０により・ぐターン状
金属層を製造する方法を示す。
平面の２方向に移動することができ、ａ板１０が載りた
テーブル（ＸＹ子テーブル ３４０により・ぐターン状
金属層を製造する方法を示す。
３４図は本発明方法により１個のマスクで又は光学部品
を使用してすべて同時に製造した円形横断面の多数のツ
クターン状金属層４２２ｔ−示す。これらの円形金属層
４２２の内の幾つかは線状金属層４２３によって互いに
連結されている。これは円形区域４２２の間の電導結合
である。この極め合すべき円形区域４２２の間の区域を
アルゴンイオンレーザで走査すると、基板の被覆の上に
極めて細い金属導体４２３が形成される。
を使用してすべて同時に製造した円形横断面の多数のツ
クターン状金属層４２２ｔ−示す。これらの円形金属層
４２２の内の幾つかは線状金属層４２３によって互いに
連結されている。これは円形区域４２２の間の電導結合
である。この極め合すべき円形区域４２２の間の区域を
アルゴンイオンレーザで走査すると、基板の被覆の上に
極めて細い金属導体４２３が形成される。
本方法は基板上に超伝導材料を形成するために使用する
こともできる。
こともできる。
第１図は基板上にｓｅターン状金金属層製造する工程を
示す図、第２図及び第３図は本発明の他の２つの実施態
様によるパターン状金属層の製造工程を示す図、並びに
第４図は金属パターンの模式％式％ （”％Ｊ ％１−第１頁の
紐き 優先権主張 ０１９田年７月３０日［相］西ドイツ＠
発明者 ゲオルク・バール ド ツ （ＤＥ）■Ｐ ３８２６０４６．８ イツ連邦共和国、デー−６９０４エツペルハイム、フラ
ンーリストーシュトラーセ ９ 一１八〇−
示す図、第２図及び第３図は本発明の他の２つの実施態
様によるパターン状金属層の製造工程を示す図、並びに
第４図は金属パターンの模式％式％ （”％Ｊ ％１−第１頁の
紐き 優先権主張 ０１９田年７月３０日［相］西ドイツ＠
発明者 ゲオルク・バール ド ツ （ＤＥ）■Ｐ ３８２６０４６．８ イツ連邦共和国、デー−６９０４エツペルハイム、フラ
ンーリストーシュトラーセ ９ 一１八〇−
Claims (8)
- （１）光源（２０）により基板（１０）上の被覆（１４
）を照射することにより全面的又は部分的金属層（２６
）を製造する方法において、金属層（２６）を形成する
ために、レーザ（２０）による照射を平面的に行うこと
を特徴とする方法。 - （２）層（２６）を製造するために、すべて又は主とし
て紫外スペクトル領域で放出するレーザにより平面的照
射を行うことを特徴とする、請求項１記載の方法。 - （３）全面的又はパターン状金属層（２６）の製造のた
めに、充填ガスに応じて１５７ｎｍないし３５１ｎｍの
紫外領域の７つの飛び飛びの波長のビームを放出するエ
キシマレーザ（２０）で平面的照射を行うことを特徴と
する、請求項２記載の方法。 - （４）全面的又はパターン状金属層（２６）の製造のた
めに、紫外領域で連続的に３２０ｎｍないし４２０ｎｍ
の波長の放射線を放出し、エキシマレーザでパルス化し
た色素レーザ（２０）により平面照射を行うことを特徴
とする、請求項２記載の方法。 - （５）パターン状金属層（２６）の製造のために、予め
作製したマスク（１６）を被覆（１４）の上に置き、次
にマスクをレーザ（２０）で平面的に照射することを特
徴とする、請求項１ないし４のいずれか１項に記載の方
法。 - （６）パターン状金属層（２６）の製造のために、パタ
ーン状の層（２６）を生じさせようとする場所だけ被覆
（１４）が照射されるように、光学部品によってレーザ
（２０）のビームを被覆（１４）上に結像させることを
特徴とする、請求項１ないし４のいずれか１項に記載の
方法。 - （７）点状の又は幾何学的に複雑なパターンを有するパ
ターン状金属層（２６）の製造のために、アルゴンイオ
ンレーザで走査を行うことを特徴とする、請求項１ない
し５のいずれか１項に記載の方法。 - （８）全面的又はパターン状金属層（２６）の製造のた
めに、基板（１０）の上に溶液を塗布することにより被
覆（１４）を形成し、金属層（２６）を形成する金属の
酢酸塩、アセチルアセトネート及びギ酸塩を上記溶液の
調合のために使用することを特徴とする、請求項１ない
し６のいずれか１項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3727422 | 1987-08-17 | ||
| DE3727422.8 | 1987-08-17 | ||
| DE3826046A DE3826046A1 (de) | 1987-08-17 | 1988-07-30 | Verfahren zur herstellung von metallischen schichten |
| DE3826046.8 | 1988-07-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01100279A true JPH01100279A (ja) | 1989-04-18 |
Family
ID=25858741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63203314A Pending JPH01100279A (ja) | 1987-08-17 | 1988-08-17 | 金属層の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4900581A (ja) |
| JP (1) | JPH01100279A (ja) |
| DE (1) | DE3826046A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04183873A (ja) * | 1990-11-19 | 1992-06-30 | Agency Of Ind Science & Technol | 紫外レーザーを用いた高分子成形品への無電解めっき方法 |
| JP2014533775A (ja) * | 2011-11-16 | 2014-12-15 | セラムテック ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＣｅｒａｍＴｅｃ ＧｍｂＨ | セラミック基板に埋め込まれた金属構造体 |
Families Citing this family (61)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4960613A (en) * | 1988-10-04 | 1990-10-02 | General Electric Company | Laser interconnect process |
| KR100190423B1 (ko) * | 1989-06-06 | 1999-06-01 | 기타지마 요시도시 | 에멀젼마스크 등의결함 수정방법 및 장치 |
| DE3922233A1 (de) * | 1989-07-06 | 1991-01-17 | Guenter Link | Verfahren zur abscheidung von metallen aus metallorganischen verbindungen mittels photonenstrahlung |
| DE3936479A1 (de) * | 1989-11-02 | 1991-05-08 | Guenter Link | Verfahren zur erzeugung von schutzschichten auf materialoberflaechen mittels laserstrahlung |
| US5225251A (en) * | 1989-12-22 | 1993-07-06 | Asea Brown Boveri Aktiengesellschaft | Method for forming layers by UV radiation of aluminum nitride |
| DE4008482A1 (de) * | 1990-03-16 | 1991-09-19 | Asea Brown Boveri | Galvanisierungsverfahren |
| DE4034834C2 (de) * | 1990-11-02 | 1995-03-23 | Heraeus Noblelight Gmbh | Verfahren zur Herstellung metallischer Schichten auf Substraten und Verwendung der Schichten |
| US5153023A (en) * | 1990-12-03 | 1992-10-06 | Xerox Corporation | Process for catalysis of electroless metal plating on plastic |
| DE4210400C1 (en) * | 1992-03-30 | 1993-01-07 | Siemens Ag, 8000 Muenchen, De | Local copper@ deposition from organo:metallic film on substrate - by forming film from mixt. of copper acetate and copper formate in specified ratio and depositing film by laser irradiation |
| GB9207054D0 (en) * | 1992-03-31 | 1992-05-13 | Gillette Co | Methods of manufacturing perforated foils |
| US5322986A (en) * | 1992-04-06 | 1994-06-21 | Eastman Kodak Company | Methods for preparing polymer stripe waveguides and polymer stripe waveguides prepared thereby |
| US5459098A (en) * | 1992-10-19 | 1995-10-17 | Marietta Energy Systems, Inc. | Maskless laser writing of microscopic metallic interconnects |
| US6211383B1 (en) | 1993-08-05 | 2001-04-03 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Nohr-McDonald elimination reaction |
| CA2120838A1 (en) | 1993-08-05 | 1995-02-06 | Ronald Sinclair Nohr | Solid colored composition mutable by ultraviolet radiation |
| US5643356A (en) | 1993-08-05 | 1997-07-01 | Kimberly-Clark Corporation | Ink for ink jet printers |
| US5733693A (en) | 1993-08-05 | 1998-03-31 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Method for improving the readability of data processing forms |
| US6017471A (en) | 1993-08-05 | 2000-01-25 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Colorants and colorant modifiers |
| US6017661A (en) | 1994-11-09 | 2000-01-25 | Kimberly-Clark Corporation | Temporary marking using photoerasable colorants |
| US5773182A (en) | 1993-08-05 | 1998-06-30 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Method of light stabilizing a colorant |
| US5681380A (en) | 1995-06-05 | 1997-10-28 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Ink for ink jet printers |
| US5721287A (en) | 1993-08-05 | 1998-02-24 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Method of mutating a colorant by irradiation |
| US5645964A (en) | 1993-08-05 | 1997-07-08 | Kimberly-Clark Corporation | Digital information recording media and method of using same |
| US5865471A (en) | 1993-08-05 | 1999-02-02 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Photo-erasable data processing forms |
| US5703341A (en) * | 1993-11-23 | 1997-12-30 | Lockheed Martin Energy Systems, Inc. | Method for adhesion of metal films to ceramics |
| US5685754A (en) | 1994-06-30 | 1997-11-11 | Kimberly-Clark Corporation | Method of generating a reactive species and polymer coating applications therefor |
| US6242057B1 (en) | 1994-06-30 | 2001-06-05 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Photoreactor composition and applications therefor |
| US5739175A (en) | 1995-06-05 | 1998-04-14 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Photoreactor composition containing an arylketoalkene wavelength-specific sensitizer |
| US6071979A (en) | 1994-06-30 | 2000-06-06 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Photoreactor composition method of generating a reactive species and applications therefor |
| JP2882572B2 (ja) * | 1994-08-31 | 1999-04-12 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 金属薄膜をレーザで平坦化する方法 |
| US5626670A (en) * | 1994-10-03 | 1997-05-06 | American Research Corporation Of Virginia | Method for producing low thermal budget ferroelectric thin films for integrated device structures using laser-crystallization of spin-on sol-gel films |
| US6008268A (en) | 1994-10-21 | 1999-12-28 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Photoreactor composition, method of generating a reactive species, and applications therefor |
| DE4444567A1 (de) * | 1994-12-02 | 1996-06-05 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen einer Leiterplatte mit einer Kernplatte aus Aluminium oder Aluminiumlegierung |
| DE19518512C2 (de) * | 1995-03-06 | 2001-11-29 | Fraunhofer Ges Forschung | Palladiumhaltiges Precursormaterial und Verfahren zur Herstellung von metallischen Mikrostrukturen auf dielektrischen Substraten mit einem palladiumhaltigen Precursormaterial |
| US5798015A (en) | 1995-06-05 | 1998-08-25 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Method of laminating a structure with adhesive containing a photoreactor composition |
| US5811199A (en) | 1995-06-05 | 1998-09-22 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Adhesive compositions containing a photoreactor composition |
| US5786132A (en) | 1995-06-05 | 1998-07-28 | Kimberly-Clark Corporation | Pre-dyes, mutable dye compositions, and methods of developing a color |
| US5849411A (en) | 1995-06-05 | 1998-12-15 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Polymer film, nonwoven web and fibers containing a photoreactor composition |
| US5747550A (en) | 1995-06-05 | 1998-05-05 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Method of generating a reactive species and polymerizing an unsaturated polymerizable material |
| WO1996039646A1 (en) | 1995-06-05 | 1996-12-12 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Novel pre-dyes |
| MX9710016A (es) | 1995-06-28 | 1998-07-31 | Kimberly Clark Co | Colorantes novedosos y modificadores de colorante. |
| US6099628A (en) | 1996-03-29 | 2000-08-08 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Colorant stabilizers |
| ES2175168T3 (es) | 1995-11-28 | 2002-11-16 | Kimberly Clark Co | Compuestos de colorantes estabilizados por la luz. |
| US5855655A (en) | 1996-03-29 | 1999-01-05 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Colorant stabilizers |
| US5782963A (en) | 1996-03-29 | 1998-07-21 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Colorant stabilizers |
| US5891229A (en) | 1996-03-29 | 1999-04-06 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Colorant stabilizers |
| US5894038A (en) * | 1997-02-28 | 1999-04-13 | The Whitaker Corporation | Direct deposition of palladium |
| DE19723734C2 (de) | 1997-06-06 | 2002-02-07 | Gerhard Naundorf | Leiterbahnstrukturen auf einem nichtleitenden Trägermaterial und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| US6524379B2 (en) | 1997-08-15 | 2003-02-25 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Colorants, colorant stabilizers, ink compositions, and improved methods of making the same |
| EP1000090A1 (en) | 1998-06-03 | 2000-05-17 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Novel photoinitiators and applications therefor |
| JP2002517540A (ja) | 1998-06-03 | 2002-06-18 | キンバリー クラーク ワールドワイド インコーポレイテッド | インク及びインクジェット印刷用のネオナノプラスト及びマイクロエマルション技術 |
| IE980461A1 (en) * | 1998-06-15 | 2000-05-03 | Univ Cork | Method for selective activation and metallisation of materials |
| CA2336641A1 (en) | 1998-07-20 | 2000-01-27 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Improved ink jet ink compositions |
| DE19835158A1 (de) * | 1998-08-04 | 2000-02-10 | Wolfgang Anger | Verfahren zur Erzeugung von Leiterplatten |
| DE69930948T2 (de) | 1998-09-28 | 2006-09-07 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc., Neenah | Chelate mit chinoiden gruppen als photoinitiatoren |
| EP1144512B1 (en) | 1999-01-19 | 2003-04-23 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Novel colorants, colorant stabilizers, ink compositions, and improved methods of making the same |
| US6331056B1 (en) | 1999-02-25 | 2001-12-18 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Printing apparatus and applications therefor |
| US6294698B1 (en) | 1999-04-16 | 2001-09-25 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Photoinitiators and applications therefor |
| US6368395B1 (en) | 1999-05-24 | 2002-04-09 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Subphthalocyanine colorants, ink compositions, and method of making the same |
| US6171712B1 (en) | 2000-03-15 | 2001-01-09 | Ford Global Technologies, Inc. | Palladium and palladium/copper thin flat membranes |
| IL138530A0 (en) * | 2000-09-18 | 2003-02-12 | T L M Advanced Laser Technolog | Method for the formation of a pattern on an insulating substrate |
| US7800024B2 (en) * | 2004-09-27 | 2010-09-21 | Duguay Michel A | Lithic wireless warming table and portable heaters |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3318978A1 (de) * | 1983-05-25 | 1984-11-29 | Werner Dr. Vaduz Tabarelli | Einrichtung zum projektionskopieren von masken auf ein werkstueck |
| DE3337790A1 (de) * | 1983-10-18 | 1985-04-25 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zur chemischen metallisierung |
| DE3347038C2 (de) * | 1983-12-24 | 1986-12-11 | Fr. Kammerer GmbH, 7530 Pforzheim | Verfahren zum Beschichten von Trägern mit Metallen |
| DE3407089A1 (de) * | 1984-02-27 | 1985-08-29 | Siemens Ag | Verfahren und vorrichtung zur lichtinduzierten, fotolytischen abscheidung |
| JPS61119676A (ja) * | 1984-11-15 | 1986-06-06 | Ulvac Corp | シ−トプラズマとレ−ザ光を利用した成膜装置 |
| US4574095A (en) * | 1984-11-19 | 1986-03-04 | International Business Machines Corporation | Selective deposition of copper |
| JPS61187237A (ja) * | 1985-02-14 | 1986-08-20 | Toshiba Corp | パタ−ン形成方法 |
| JPS61276233A (ja) * | 1985-05-30 | 1986-12-06 | Nec Corp | パタ−ン形成方法 |
| US4786358A (en) * | 1986-08-08 | 1988-11-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming a pattern of a film on a substrate with a laser beam |
-
1988
- 1988-07-30 DE DE3826046A patent/DE3826046A1/de active Granted
- 1988-08-17 JP JP63203314A patent/JPH01100279A/ja active Pending
- 1988-08-17 US US07/233,241 patent/US4900581A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04183873A (ja) * | 1990-11-19 | 1992-06-30 | Agency Of Ind Science & Technol | 紫外レーザーを用いた高分子成形品への無電解めっき方法 |
| JP2014533775A (ja) * | 2011-11-16 | 2014-12-15 | セラムテック ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＣｅｒａｍＴｅｃ ＧｍｂＨ | セラミック基板に埋め込まれた金属構造体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3826046A1 (de) | 1989-03-02 |
| DE3826046C2 (ja) | 1990-12-06 |
| US4900581A (en) | 1990-02-13 |
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