JP7842381B2

JP7842381B2 - 塩化ニッケル水溶液の製造設備および製造方法

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Publication number: JP7842381B2
Application number: JP2022105451A
Authority: JP
Inventors: 啓明永井; 敬介柴山
Original assignee: Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority date: 2022-06-30
Filing date: 2022-06-30
Publication date: 2026-04-08
Anticipated expiration: 2042-06-30
Also published as: JP2024005319A

Description

本発明は、塩化ニッケル水溶液の製造設備および製造方法に関する。さらに詳しくは、本発明は、ニッケル原料を塩素浸出して塩化ニッケル水溶液を製造する設備および方法に関する。

塩化ニッケルはニッケルめっきに用いられる。また、塩化ニッケルは積層セラミックコンデンサの電極材料および導電ペースト用のニッケル粉の原料などとしても用いられる。上記塩化ニッケルとして、塩化ニッケル水溶液、または塩化ニッケル水溶液を晶析して得られる塩化ニッケル結晶が用いられる。

特許文献１、２には、ニッケル原料を塩酸で溶解して塩化ニッケル水溶液を得る方法が開示されている。また、特許文献３には、ニッケル原料を塩素浸出して塩化ニッケル水溶液を得る方法が開示されている。

特開平１１－１５２５９２号公報特表平７－５０７０３６号公報特開２０１６－１２１３７０号公報

塩素浸出により得られた塩化ニッケル水溶液には塩素ガスが溶存している。溶存塩素ガスは塩化ニッケル水溶液の温度上昇などにより放出されることがある。塩素ガスは刺激臭があり、毒性が強いため、塩化ニッケル水溶液に溶存している塩素ガスを予め除去することが求められる。

本発明は上記事情に鑑み、溶存塩素ガスが除去された塩化ニッケル水溶液が得られる塩化ニッケル水溶液の製造設備および製造方法を提供することを目的とする。

第１発明の塩化ニッケル水溶液の製造設備は、第１ニッケル原料を塩素浸出して塩化ニッケル水溶液を得る溶解槽と、前記溶解槽から排出された前記塩化ニッケル水溶液と第２ニッケル原料とを接触させて、前記塩化ニッケル水溶液に溶存する塩素ガスにより前記第２ニッケル原料を浸出する調整槽と、を備えることを特徴とする。
第２発明の塩化ニッケル水溶液の製造設備は、第１発明において、前記調整槽は、槽本体と、前記槽本体を上下に区画するよう設けられ、前記第２ニッケル原料が載置される通液板と、前記槽本体の前記通液板より下部に前記塩化ニッケル水溶液を供給する供給口と、前記槽本体の前記通液板より上部から前記塩化ニッケル水溶液を排出する排出口と、を備えることを特徴とする。
第３発明の塩化ニッケル水溶液の製造方法は、第１ニッケル原料を塩素浸出して塩化ニッケル水溶液を得る浸出工程と、前記塩化ニッケル水溶液と第２ニッケル原料とを接触させて、前記塩化ニッケル水溶液に溶存する塩素ガスにより前記第２ニッケル原料を浸出する脱塩素ガス工程と、を備えることを特徴とする。
第４発明の塩化ニッケル水溶液の製造方法は、第３発明において、前記第２ニッケル原料は電気ニッケルであることを特徴とする。

第１発明によれば、塩化ニッケル水溶液に溶存する塩素ガスが第２ニッケル原料の浸出に消費されることで、塩化ニッケル水溶液から塩素ガスを除去できる。
第２発明によれば、塩化ニッケル水溶液が調整槽の内部を下から上に流れる過程で第２ニッケル原料と接触するので、塩化ニッケル水溶液と第２ニッケル原料との接触効率がよく、塩素ガスが除去されやすい。
第３発明によれば、塩化ニッケル水溶液に溶存する塩素ガスが第２ニッケル原料の浸出に消費されることで、塩化ニッケル水溶液から塩素ガスを除去できる。
第４発明によれば、第２ニッケル原料が電気ニッケルであるので、塩化ニッケル水溶液へのニッケル以外の成分の混入を抑制できる。

一実施形態に係る製造設備の全体構成図である。溶解槽の縦断面図である。始液槽の縦断面図である。調整槽の縦断面図である。（１）原料装入工程および（２）給液工程における溶解槽の状態を示す説明図である。（３）減圧工程および（４）塩素ガス供給工程における溶解槽の状態を示す説明図である。

つぎに、本発明の実施形態を図面に基づき説明する。
（製造設備）
本発明の一実施形態に係る塩化ニッケル水溶液の製造設備は、ニッケル原料を塩素浸出して塩化ニッケル水溶液を製造する設備である。ニッケル原料はニッケルを含有するものであれば特に限定されない。ただし、ニッケル原料として電気ニッケルを用いれば、特段の浄液処理を行なわなくても高純度の塩化ニッケル水溶液を得ることができる。

電気ニッケルは、例えば、ニッケルの湿式製錬により製造できる。ニッケルの湿式製錬では、ニッケルマット、ニッケル・コバルト混合硫化物などの原料を塩素浸出する。浸出液から不純物を除去する浄液処理を行ない、塩化ニッケル水溶液を得る。塩化ニッケル水溶液を電解液として用いて電解採取することにより電気ニッケルが得られる。

溶解効率を高くするためには、電気ニッケルは小さいほうが好ましい。例えば、板状の電気ニッケルを１００ｍｍ×１００ｍｍ以下の寸法に切断したものを用いることが好ましい。また、ボタン形の電気ニッケルを用いてもよい。電気ニッケルの寸法が小さいほど塩化ニッケル水溶液との接触面積が大きくなるため、塩素浸出が効率的に進行する。

図１に示すように、本実施形態の製造設備ＡＡは、溶解槽１、始液槽２、調整槽３、および終液槽４を有する。また、製造設備ＡＡは、各種の測定器から測定値を取得するとともに、各種の弁、ポンプなどの動作を制御する制御装置５を有する。制御装置５としてＰＬＣなどのコンピュータを用いることができる。

溶解槽１はニッケル原料を塩素浸出して塩化ニッケル水溶液を得る槽である。以下、溶解槽１で処理されるニッケル原料を第１ニッケル原料と称する。溶解槽１は第１ニッケル原料を塩素浸出できればよく、その構成は特に限定されないが、以下に説明する構成とすることができる。

図２に示すように、溶解槽１は槽本体１０を有する。槽本体１０は気密性を有する槽であることが好ましい。槽本体１０の形状は特に限定されず円筒形でもよいし、角筒形でもよい。

槽本体１０の天板の中央には装入口１２が設けられている。第１ニッケル原料Ｎ１は装入口１２から槽本体１０の内部に装入される。装入口１２は蓋１３で閉塞される。また、装入口１２と蓋１３との間を水封する水封部が設けられている。したがって、蓋１３で装入口１２を閉塞し、水封すれば、槽本体１０を気密にできる。

槽本体１０の内部には簀子板１５が設けられている。簀子板１５は槽本体１０の上下中央付近において横断するよう水平に設けられている。槽本体１０の内部空間は簀子板１５により上下２つの空間に区画されている。簀子板１５として、パンチングプレート、ウェッジワイヤースクリーンなど、複数の孔またはスリットを有する板材が用いられる。装入口１２から装入された第１ニッケル原料Ｎ１は簀子板１５の上に載置される。一方、液は簀子板１５を通過して、槽本体１０の上部空間から下部空間に流下する。

槽本体１０の天板には給液口１６が設けられている。給液口１６は給液装置に接続されている。給液装置から供給された溶解始液は給液口１６から槽本体１０の内部に流入する。給液装置の詳細は後述する。

槽本体１０の側壁には、上部にオーバーフロー口１７、下部に排液口１８が設けられている。オーバーフロー口１７は簀子板１５より上方であって、槽本体１０の天板に近い位置に設けられている。一方、排液口１８は簀子板１５より下方であって、簀子板１５に近い位置に設けられている。オーバーフロー口１７および排液口１８は、いずれも、槽本体１０内の液の排出に用いられる。

槽本体１０の側壁には、さらに、抜出口１９が設けられている。抜出口１９は排液口１８より下方であって、槽本体１０の底に近い位置に設けられている。槽本体１０の天板には戻し口２０が設けられている。

抜出口１９と戻し口２０とは小循環管５１で接続されている。小循環管５１には小循環ポンプ７１が設けられている。小循環ポンプ７１の吸込側は抜出口１９に接続されており、吐出側は戻し口２０に接続されている。したがって、小循環ポンプ７１を駆動させると、槽本体１０の下部から液が抜き出され、その液を槽本体１０の上部に戻すことができる。

小循環管５１には熱交換器７３が設けられている。熱交換器７３は小循環管５１を流れる液を冷却する。したがって、槽本体１０から抜き出された液は、冷却された後に、槽本体１０に戻される。

槽本体１０の内部には、天板の下面近くに、噴射部２１が設けられている。戻し口２０は噴射部２１に接続している。小循環管５１を循環した液は噴射部２１から噴射され、第１ニッケル原料Ｎ１を湿潤させる。

噴射部２１は、同心状に配置された小環状管２１ａおよび大環状管２１ｂからなる。小環状管２１ａおよび大環状管２１ｂには、それぞれ、所定間隔で複数の孔が設けられており、その孔から液が噴射される。装入口１２は小環状管２１ａの内側に配置されている。したがって、第１ニッケル原料Ｎ１の装入時に噴射部２１が邪魔とならない。

なお、本実施形態では、溶解始液は給液口１６からそのまま流下する。これに代えて、給液口１６を噴射部に接続してもよい。この噴射部は戻し口２０に接続された噴射部２１と共通のものとしてもよいし、別部材としてもよい。給液口１６を噴射部に接続すれば、溶解始液を第１ニッケル原料Ｎ１に噴射できる。

槽本体１０には塩素ガス供給管５２が接続されている。塩素ガス供給管５２の開口端は槽本体１０の内部であって、簀子板１５より下方に位置している。塩素ガス供給管５２の他方の端部は塩素ガス供給源７４に接続されている。塩素ガス供給源７４として液化塩素を封入したガスボンベなどを用いることができる。塩素ガス供給管５２には流量制御弁６１が設けられている。塩素ガス供給管５２により槽本体１０の内部に塩素ガスを供給できる。また、流量制御弁６１の開度を調整することで塩素ガスの供給量を調整できる。塩素ガス供給管５２、流量制御弁６１、および塩素ガス供給源７４は、溶解槽１に塩素ガスを供給する塩素ガス供給装置を構成する。

槽本体１０の天板には圧力計２２が設けられている。圧力計２２により溶解槽１内の気相部の圧力を測定できる。

槽本体１０の天板には環集口２３が設けられている。環集口２３には環集管５３が接続されている。また、環集管５３には排気弁６２が設けられている。排気弁６２を開けば槽本体１０内部のガスを排気できる。また、排気弁６２を閉じれば、槽本体１０を気密にできる。

溶解槽１内の気相部は塩素ガス供給管５２から供給された塩素ガスで満たされる。また、第１ニッケル原料Ｎ１は噴射部２１から噴射された液によって湿潤する。これにより、塩素ガス雰囲気下で第１ニッケル原料Ｎ１が液膜で覆われた状態となる。塩素ガスが第１ニッケル原料Ｎ１を覆う液に吸収され、第１ニッケル原料Ｎ１の塩素浸出反応が進行し、塩化ニッケル水溶液が生成される。このように、溶解槽１内において第１ニッケル原料Ｎ１が塩素浸出されて塩化ニッケル水溶液が生成される。生成された塩化ニッケル水溶液は溶解槽１の下部に一時的に貯留され、排液口１８または抜出口１９から排出される。

図３に示すように、始液槽２は溶解始液を貯留する槽である。溶解始液は塩化ニッケル水溶液または水である。溶解始液として用いられる水は純水が好ましい。そうすれば、高純度の塩化ニッケル水溶液を得ることができる。始液槽２の形状は特に限定されず円筒形でもよいし、角筒形でもよい。また、始液槽２には溶解槽１のような気密性は要求されない。ただし、定常操業時において溶解始液には塩素ガスが溶存していることから、始液槽２の気相部も環集されることが好ましい。

始液槽２の下部には液出口３１および液入口３２が設けられている。また、始液槽２の天板には水添加口３３および塩酸添加口３４が設けられている。始液槽２は撹拌機３５を有する。撹拌機３５の駆動により溶解始液を撹拌できる。始液槽２にはｐＨ計３６が設けられている。ｐＨ計３６により溶解始液のｐＨを測定できる。始液槽２には液位計３７が設けられている。液位計３７により始液槽２内の液位を測定できる。

図１に示すように、始液槽２の液出口３１には給液管５４の一端が接続されている。給液管５４の他端は溶解槽１の給液口１６に接続されている。給液管５４には給液ポンプ７２が設けられている。給液ポンプ７２を駆動させると始液槽２内の溶解始液が溶解槽１に供給される。したがって、始液槽２、給液管５４、および給液ポンプ７２は、溶解槽１に溶解始液を供給する給液装置を構成する。

始液槽２の液入口３２には排液管５５の一端が接続されている。排液管５５の他端は溶解槽１の排液口１８に接続されている。排液管５５には排液弁６３が設けられている。したがって、排液弁６３を開けば、溶解槽１で生成された塩化ニッケル水溶液が排液管５５を介して始液槽２に排出される。給液管５４および排液管５５は始液槽２と溶解槽１との間で液を循環させる大循環流路を構成する。

溶解槽１のオーバーフロー口１７にはオーバーフロー管５６の一端が接続されている。オーバーフロー管５６の他端は排液管５５の排液弁６３より下流側（始液槽２側）に接続されている。溶解槽１のオーバーフロー口１７からオーバーフローした液はオーバーフロー管５６および排液管５５を介して始液槽２に排出される。

図３に示すように、始液槽２には水添加装置が設けられる。水添加装置は水供給源７５、水供給管５７、および流量制御弁６４を有する。水供給源７５として水を貯留する槽、工場内のユーティリティー配管などを用いることができる。水供給管５７は水供給源７５と始液槽２の水添加口３３とを接続する。流量制御弁６４は水供給管５７に設けられ、始液槽２に対する水の供給量を制御する。

水添加装置により始液槽２に水を添加することで、溶解槽１から始液槽２に戻ってきた塩化ニッケル水溶液に水を添加できる。水の添加により、塩化ニッケル水溶液の濃度を調整できる。ここで、撹拌機３５による撹拌によって、始液槽２内の塩化ニッケル水溶液の濃度を均一にできる。なお、添加する水として純水を用いれば、塩化ニッケル水溶液への不純物の混入を防止できる。

始液槽２には塩酸添加装置が設けられる。塩酸添加装置は塩酸供給源７６、塩酸供給管５８、および流量制御弁６５を有する。塩酸供給源７６として塩酸を貯留する槽、工場内のユーティリティー配管などを用いることができる。塩酸供給管５８は塩酸供給源７６と始液槽２の塩酸添加口３４とを接続する。流量制御弁６５は塩酸供給管５８に設けられ、始液槽２に対する塩酸の供給量を制御する。

塩酸添加装置により始液槽２に塩酸を添加することで、溶解槽１から始液槽２に戻ってきた塩化ニッケル水溶液に塩酸を添加できる。塩酸の添加により、塩化ニッケル水溶液のｐＨを調整できる。ここで、撹拌機３５による撹拌によって、始液槽２内の塩化ニッケル水溶液のｐＨを均一にできる。また、ｐＨ計３６により塩化ニッケル水溶液のｐＨを測定できる。

図１に示すように、製造設備ＡＡは、生成された塩化ニッケル水溶液を排出する排液装置を有する。排液装置は払出管５９および流量制御弁６６を有する。払出管５９の一端は給液管５４の給液ポンプ７２より下流側（溶解槽１側）に接続されている。払出管５９の他端は終液槽４に接続されている。流量制御弁６６は払出管５９に設けられている。流量制御弁６６を開くと、給液管５４を流れる塩化ニッケル水溶液の一部が払出管５９を流れ、終液槽４に導かれる。

払出管５９の途中には調整槽３が設けられている。図４に示すように、調整槽３は槽本体４０を有する。槽本体４０は気密性を有する槽であってもよい。槽本体４０の形状は特に限定されず円筒形でもよいし、角筒形でもよい。

槽本体４０の内部には通液板４１が設けられている。通液板４１は槽本体４０の下部において横断するよう水平に設けられている。槽本体４０の内部空間は通液板４１により上下２つの空間に区画されている。通液板４１として、パンチングプレート、ウェッジワイヤースクリーンなど、複数の孔またはスリットを有する板材が用いられる。通液板４１の上には第２ニッケル原料Ｎ２が載置される。これにより、調整槽３には第２ニッケル原料Ｎ２が充填される。

槽本体４０の通液板４１より下部（好ましくは底部）には供給口４２が設けられている。また、槽本体４０の通液板４１より上部（好ましくは頂部）には排出口４３が設けられている。調整槽３は払出管５９の途中に設けられている。払出管５９のうち調整槽３より上流側を上流部分、調整槽３より下流側を下流部分とする。払出管５９の上流部分は給液管５４と調整槽３の供給口４２とを接続する。払出管５９の下流部分は調整槽３の排出口４３と終液槽４とを接続する。したがって、塩化ニッケル水溶液は供給口４２から調整槽３の内部に供給され、排出口４３から排出される。調整槽３を通過した塩化ニッケル水溶液は終液槽４に貯留される。

溶解槽１から排出された塩化ニッケル水溶液には塩素ガスが溶存している。この塩化ニッケル水溶液を調整槽３に通液すると、塩化ニッケル水溶液に溶存する塩素ガスにより調整槽３内の第２ニッケル原料Ｎ２が浸出される。塩化ニッケル水溶液に溶存する塩素ガスが第２ニッケル原料Ｎ２の浸出に消費されることで、塩化ニッケル水溶液から塩素ガスを除去できる。

特に、調整槽３を図４に示す構成とすれば、塩化ニッケル水溶液が調整槽３の内部を下から上に流れる過程で第２ニッケル原料Ｎ２と接触する。塩化ニッケル水溶液が第２ニッケル原料Ｎ２と十分に接触せずに排出されるショートパスを抑制できる。塩化ニッケル水溶液と第２ニッケル原料Ｎ２との接触効率がよく、塩素ガスが除去されやすい。

第２ニッケル原料Ｎ２はニッケルを含有するものであれば特に限定されないが、電気ニッケルを用いることが好ましい。電気ニッケルは高純度なニッケルであるので、塩化ニッケル水溶液への不純物（ニッケル以外の成分）の混入を抑制できる。

塩化ニッケル水溶液を負圧下におくことによっても溶存塩素ガスを除去できる。しかし、本実施形態の調整槽３は、真空ポンプなどの負圧にするための装置が不要であるので、設備コストや運転コストを低減できる。また、溶存塩素ガスを塩化ニッケル水溶液の生成に用いるので、無駄がない。塩化ニッケル水溶液に溶存する塩素ガスを活性炭に吸着して除去することもできる。しかし、活性炭に接触させると塩化ニッケル水溶液に不純物が混入する恐れがある。また、還元剤などの薬剤を添加して溶存塩素ガスを除去することもできる。しかし、薬剤を添加すると塩化ニッケル水溶液に不純物が混入する。これらに対し、電気ニッケルと接触させる方法であれば、塩化ニッケル水溶液への不純物の混入を抑制できる。

（製造方法）
つぎに、一実施形態に係る塩化ニッケル水溶液の製造方法を説明する。

（１）原料装入工程
溶解槽１ではバッチ処理により第１ニッケル原料Ｎ１を塩素浸出して塩化ニッケル水溶液を生成する。図５の（１）に示すように、バッチ処理開始時に、溶解槽１の蓋１３を取り外して、装入口１２から第１ニッケル原料Ｎ１を装入する。第１ニッケル原料Ｎ１は簀子板１５の上に積み上げられた状態となる。第１ニッケル原料Ｎ１の装入後、装入口１２を蓋１３で閉塞する。そして、装入口１２と蓋１３との間を水封する。

（２）給液工程
つぎに、図５の（２）に示すように、環集管５３の排気弁６２を開く。給液ポンプ７２を駆動させ、始液槽２内の溶解始液を溶解槽１に供給する（図１参照）。なお、製造設備ＡＡを初めて稼働させる時など、塩化ニッケル水溶液が全く残留していないときは、始液槽２内の溶解始液は水、好ましくは純水である。バッチ処理を繰り返し行なっている定常操業時は、始液槽２内の溶解始液は前回のバッチ処理で生成された塩化ニッケル水溶液である。

溶解始液は給液口１６から溶解槽１に供給される。溶解始液の供給により、溶解槽１内の液位が徐々に上昇する。これに伴い、溶解槽１内の気相部の空気が環集管５３から排気される。溶解槽１内の液位がオーバーフロー口１７の高さに達すると、溶解始液はオーバーフロー口１７から排出される。この時点で溶解槽１内に存在していた空気はその大部分が排気される。オーバーフロー口１７から排出された溶解始液はオーバーフロー管５６および排液管５５を介して始液槽２に戻される（図１参照）。なお、給液口１６からの溶解始液の供給はバッチ処理が終了するまで継続する。

また、小循環ポンプ７１を駆動させ、抜出口１９から液を抜き出し、噴射部２１から噴射する。この液の循環もバッチ処理が終了するまで継続する。

（３）減圧工程
つぎに、図６の（３）に示すように、環集管５３の排気弁６２を閉じて、溶解槽１を密閉状態とする。そして、排液弁６３を開いて、排液管５５を介して溶解槽１内の溶解始液を始液槽２に戻す（図１参照）。排液管５５の排液弁６３を開くと、溶解始液は溶解槽１の下部に位置する排液口１８から排出される。そのため、溶解槽１内の液位が徐々に低下する。溶解槽１は密閉状態であるため、液位の低下に伴い気相部の圧力が徐々に低下し、負圧となる。このように、溶解槽１を溶解始液で満たした後、溶解槽１を密閉状態として溶解始液の液位を下げることで、溶解槽１の内部を負圧にする。

（４）塩素ガス供給工程
排液管５５の排液弁６３を開くと同時に、またはその直後に、溶解槽１への塩素ガスの供給を開始する。図６の（４）に示すように、塩素ガスの供給は塩素ガス供給管５２の流量制御弁６１を開くことで行なわれる。溶解槽１内の液位の低下とともに、塩素ガスを供給することにより、溶解槽１内の気相部が塩素ガス雰囲気となる。塩素ガスの供給はバッチ処理が終了するまで継続する。

ここで、塩素ガスの供給量は溶解槽１内の気相部の圧力が予め定められた圧力で一定となる量に制御することが好ましい。溶解槽１内の気相部の圧力は圧力計２２により測定できる。制御装置５は圧力計２２から測定値を取得し、その測定値が予め定められた圧力で一定となるように流量制御弁６１の開度を制御し、塩素ガスの供給量を調整する。例えば、制御装置５は溶解槽１内の気相部の圧力を制御量、塩素ガスの供給量を操作量としたフィードバック制御を行なう。溶解槽１内の気相部の圧力の目標値は、例えば－１～－３ｋＰａの間で定められる。

溶解槽１内の液位は排液口１８の高さまで低下して、この液位で一定になる。この際、塩素ガス供給管５２の開口端（塩素ガスの排出部）の位置は、液面より高くてもよいし、液面と同じでもよいし、液面より低くてもよい。すなわち、塩素ガスは溶解槽１内の気相部に直接供給されてもよいし、溶解槽１内の液中に供給されてもよい。

（５）浸出工程
塩素ガスの供給を開始すると、第１ニッケル原料Ｎ１の塩素浸出反応が開始される。溶解槽１内の気相部は塩素ガスで満たされた状態である。また、第１ニッケル原料Ｎ１は噴射部２１から噴射された液によって湿潤している。これにより、塩素ガス雰囲気下で第１ニッケル原料Ｎ１が液膜で覆われた状態となる。塩素ガスが第１ニッケル原料Ｎ１を覆う液に吸収され、第１ニッケル原料Ｎ１の塩素浸出反応が進行し、塩化ニッケル水溶液が生成される。生成された塩化ニッケル水溶液は溶解槽１の下部に一時的に貯留される。この塩化ニッケル水溶液は一部が排液口１８から排出され、大循環流路５５、５４を介して、溶解槽１と始液槽２との間を循環する。また、塩化ニッケル水溶液の他の一部は小循環管５１を循環して噴射部２１から噴射される。

第１ニッケル原料Ｎ１の塩素浸出反応により塩素ガスが消費され、その分溶解槽１内の気相部の圧力が低下する。しかし、溶解槽１内の気相部の圧力に基づき塩素ガスの供給量を制御する場合には、溶解槽１内の気相部の圧力が一定となる量の塩素ガスが供給される。すなわち、塩素浸出反応に消費された量の塩素ガスが新たに供給される。

（６）温度調整工程
第１ニッケル原料Ｎ１の塩素浸出反応は発熱反応である。したがって、そのままでは塩素浸出反応の進行にともない、溶解槽１内の塩化ニッケル水溶液の温度が上昇する。しかし、図２に示すように、塩化ニッケル水溶液が循環する小循環管５１には熱交換器７３が設けられている。熱交換器７３により塩化ニッケル水溶液を冷却できる。熱交換器７３により塩化ニッケル水溶液を設備保護の観点から適した温度、例えば５０～６０℃に調整する。そうすれば、反応熱による温度上昇を抑えることができ、設備を保護できる。

（７）水添加工程
溶解槽１内では第１ニッケル原料Ｎ１の塩素浸出反応が連続的に進行する。そのため、塩化ニッケル水溶液のニッケル濃度が徐々に上昇する。そこで、塩化ニッケル水溶液に水、好ましくは純水を添加して塩化ニッケル水溶液のニッケル濃度を調整することが好ましい。

本実施形態では、図３に示すように、始液槽２に水を添加する。これにより、溶解槽１から始液槽２に戻ってきた塩化ニッケル水溶液に水を添加する。ここで、制御装置５は、塩化ニッケル水溶液への水の添加量を、溶解槽１への塩素ガスの供給量に基づき定めた量に調整することが好ましい。

塩素浸出反応に消費される塩素ガスの量と浸出されるニッケルの量との比率は既知である。したがって、水の添加量は塩素ガスの供給量に比例させればよい。具体的には、制御装置５は、塩素ガスの供給量に所定の係数を掛けた値を目標値とし、水の添加量がその目標値となるように水供給管５７の流量制御弁６４の開度を調整する。

水の添加により塩化ニッケル水溶液のニッケル濃度を所望の濃度に調整する。例えば、塩化ニッケル水溶液のニッケル濃度は１３０～１６０ｇ／Ｌの間で定められた値に調整される。なお、比重計などを用いて塩化ニッケル水溶液のニッケル濃度を定期的に測定し、水の添加量を求めるために塩素ガスの供給量に乗じられる係数を必要に応じて調整してもよい。

（８）ｐＨ調整工程
塩化ニッケル水溶液に塩酸を添加してｐＨを調整することが好ましい。本実施形態では、図３に示すように、始液槽２に塩酸を添加する。ここで、塩化ニッケル水溶液のｐＨを１～３に調整することが好ましい。始液槽２内の塩化ニッケル水溶液のｐＨはｐＨ計３６により測定できる。制御装置５はｐＨ計３６から測定値を取得し、その測定値が予め定められた目標値となるように塩酸供給管５８の流量制御弁６５の開度を制御し、塩酸の供給量を調整する。例えば、制御装置５は塩化ニッケル水溶液のｐＨを制御量、塩酸の供給量を操作量としたフィードバック制御を行なう。

塩化ニッケル水溶液のｐＨを１～３に維持すれば、塩化ニッケル水溶液の酸化中和反応が生じることがない。そのため、酸化中和反応により水酸化物および酸化物が生成することを抑制できる。

（９）排液工程
水および塩酸の添加により始液槽２内の液位が上昇する。また、始液槽２内にはニッケル濃度およびｐＨが調整された塩化ニッケル水溶液が貯留された状態となる。この調整済みの塩化ニッケル水溶液を始液槽２から排出する。塩化ニッケル水溶液の排出は排液装置により行なわれる。

図１に示すように、排液装置は払出管５９および流量制御弁６６を有する。給液管５４には調整済みの塩化ニッケル水溶液が流れている。流量制御弁６６を開くことで、給液管５４を流れる塩化ニッケル水溶液の一部を払出管５９に流し、終液槽４に導く。

ここで、制御装置５は、始液槽２の液位が一定となるように、塩化ニッケル水溶液の排出量を調整することが好ましい。具体的には、始液槽２の液位は液位計３７により測定できる。制御装置５は液位計３７から測定値を取得し、その測定値が予め定められた値で一定となるように払出管５９の流量制御弁６６の開度を制御し、塩化ニッケル水溶液の排出量を調整する。例えば、制御装置５は始液槽２の液位を制御量、塩化ニッケル水溶液の排出量を操作量としたフィードバック制御を行なう。このような制御を行なうことにより、生成された量の塩化ニッケル水溶液を排出できる。

（１０）脱塩素ガス工程
始液槽２から排出された塩化ニッケル水溶液は調整槽３に供給される。調整槽３には第２ニッケル原料Ｎ２が充填されている。溶解槽１で生成された塩化ニッケル水溶液には塩素ガスが溶存している。この塩化ニッケル水溶液を調整槽３に通液すると、塩化ニッケル水溶液と第２ニッケル原料Ｎ２とが接触し、塩化ニッケル水溶液に溶存する塩素ガスにより第２ニッケル原料Ｎ２が浸出される。塩化ニッケル水溶液に溶存する塩素ガスが第２ニッケル原料Ｎ２の浸出に消費されることで、塩化ニッケル水溶液から塩素ガスを除去できる。調整槽３を通過して溶存塩素ガスが除去された塩化ニッケル水溶液は終液槽４に貯留される。

調整槽３内の第２ニッケル原料Ｎ２は、塩化ニッケル水溶液の脱塩素ガスにともない消費され、徐々に減少する。調整槽３内の第２ニッケル原料Ｎ２が少なくなったタイミングで、調整槽３内に新たな第２ニッケル原料Ｎ２を補充する。

なお、（４）塩素ガス供給工程から（１０）脱塩素ガス工程までの各工程は、同時並行で行なわれる。すなわち、第１ニッケル原料Ｎ１の塩素浸出反応の進行とともに、生成された塩化ニッケル水溶液の調整を行ない、生成された分だけ塩化ニッケル水溶液を排出する。

（１１）原料再装入工程
塩素浸出反応の進行とともに溶解槽１内の第１ニッケル原料Ｎ１が減少する。第１ニッケル原料Ｎ１が減少すると塩化ニッケル水溶液との接触面積が小さくなり溶解速度が小さくなる。そこで、溶解槽１内の第１ニッケル原料Ｎ１が完全に消費される前に、ある程度の第１ニッケル原料Ｎ１が残された状態でバッチ処理を終了して、第１ニッケル原料Ｎ１を再装入することが好ましい。

具体的には、塩素ガス供給管５２の流量制御弁６１を閉じて塩素ガスの供給を停止する。つぎに、環集管５３の排気弁６２を開いて溶解槽１内の塩素ガスを脱ガスする。環集管５３から排出された塩素ガスは除害塔に導かれ、除害処理が行なわれる。また、小循環ポンプ７１を停止して溶解槽１内の塩化ニッケル水溶液の循環を停止するとともに、給液管５４から溶解槽１への溶解始液の供給を停止する。

環集管５３の排気弁６２を開いてから一定時間経過すると、脱ガスが完了する。その後、溶解槽１の蓋１３を取り外して、装入口１２から新規の第１ニッケル原料Ｎ１を装入する。以降は、新たなバッチ処理が行なわれる。すなわち、（２）給液工程から（１０）脱塩素ガス工程までの各工程が、繰返し実行される。

〔その他の実施形態〕
製造設備ＡＡが有する調整槽３の数は特に限定されず、１つでもよいし、複数でもよい。複数の調整槽３を直列に接続してもよいし、並列に接続してもよい。

製造設備ＡＡは複数の溶解槽１を有してもよい。複数の溶解槽１は、それぞれ、一の始液槽２と大循環流路で接続される。複数の溶解槽１において、第１ニッケル原料Ｎ１を装入するタイミングをずらしながらバッチ処理を行なう。そうすると、製造設備ＡＡの操業期間中はいずれかの溶解槽１で塩化ニッケル水溶液が生成されることとなる。すなわち、塩化ニッケル水溶液を連続的に生産できる。

上述の実施形態では、溶解槽１は負圧下で塩素浸出しているが、正圧下で塩素浸出してもよい。いずれの場合でも溶解槽１は気密に維持することが好ましい。そうすると、塩素浸出反応が進行している間は、溶解槽１から塩素ガスが排出されることがない。そのため、大規模な塩素ガスの除害装置が不要である。

溶解槽１に水を添加して塩化ニッケル水溶液のニッケル濃度を調整してもよい。また、溶解槽１に塩酸を添加して塩化ニッケル水溶液のｐＨを調整してもよい。すなわち、溶解槽１において塩化ニッケル水溶液の調整を行ない、溶解槽１から調整済みの塩化ニッケル水溶液を排出してもよい。この場合、製造設備ＡＡは始液槽２を有さなくてもよい。

ＡＡ製造設備
１溶解槽
２始液槽
３調整槽
４０槽本体
４１通液板
４２供給口
４３排出口
４終液槽
５制御装置

Claims

第１ニッケル原料を塩素浸出して塩化ニッケル水溶液を得る溶解槽と、
前記溶解槽から排出された前記塩化ニッケル水溶液と第２ニッケル原料とを接触させて、前記塩化ニッケル水溶液に溶存する塩素ガスにより前記第２ニッケル原料を浸出する調整槽と、を備える
ことを特徴とする塩化ニッケル水溶液の製造設備。
前記調整槽は、
槽本体と、
前記槽本体を上下に区画するよう設けられ、前記第２ニッケル原料が載置される通液板と、
前記槽本体の前記通液板より下部に前記塩化ニッケル水溶液を供給する供給口と、
前記槽本体の前記通液板より上部から前記塩化ニッケル水溶液を排出する排出口と、を備える
ことを特徴とする請求項１記載の塩化ニッケル水溶液の製造設備。
第１ニッケル原料を塩素浸出して塩化ニッケル水溶液を得る浸出工程と、
前記塩化ニッケル水溶液と第２ニッケル原料とを接触させて、前記塩化ニッケル水溶液に溶存する塩素ガスにより前記第２ニッケル原料を浸出する脱塩素ガス工程と、を備える
ことを特徴とする塩化ニッケル水溶液の製造方法。
前記第２ニッケル原料は電気ニッケルである
ことを特徴とする請求項３記載の塩化ニッケル水溶液の製造方法。