JP7841888B2

JP7841888B2 - 周波数特性測定装置

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Publication number: JP7841888B2
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Inventors: 健次浜地
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Description

本明細書中に開示されている発明は、ＤＵＴ（Device Under Test）の周波数特性を測定する技術に関する。

ＤＵＴの周波数特性は、ベクトル・ネットワークアナライザ等の周波数特性測定装置によって測定される。従来の一般的な測定手法では、まずはケーブル端面で非特許文献１に記載されているＳＯＬＴ（Short-Open-Load-Thru）校正が実施される。そして、ＤＵＴの代わりにShortさせた基板、ＤＵＴの代わりにOpenにした基板、ＤＵＴの代わりに負荷（Load）が実装された基板、ＤＵＴが実装されたサンプル基板からＤＵＴが実装された部分を除去したThru基板を順次ケーブル間に取り付けて、ＳＯＬＴ校正が実施される。その後、ＤＵＴが実装されたサンプル基板のＳパラメータの測定結果から、ＤＵＴのみのＳパラメータが抽出される。これにより、純粋なＤＵＴの周波数特性を得ることができる。

市川古都美、市川裕一著，「高周波回路設計のためのＳパラメータ詳解」，第5版，ＣＱ出版社，2020年1月1日，p.14-143

しかしながら、上述した従来の一般的な測定手法は、4種類の校正用基板を必要とするので、校正用基板に多大なコストがかかるともに、校正作業に時間がかかるという課題を有する。

本明細書中に開示されている周波数特性測定装置は、ケーブル端面でＳＯＬＴ校正を行うように構成される校正部と、前記校正部による前記ＳＯＬＴ校正の後、ＤＵＴが実装された第１基板のＳパラメータを測定するように構成される第１測定部と、前記校正部による前記ＳＯＬＴ校正の後、第２基板のＳパラメータを測定するように構成される第２測定部と、前記第１測定部の測定結果及び前記第２測定部の測定結果をベクトル演算することによって、前記ＤＵＴのＳパラメータを抽出するように構成される抽出部と、を備え、前記抽出部は、前記第２基板を仮想的に中央で２分割して得られる第１フィクスチャ及び第２フィクスチャそれぞれの前記第２基板端面での反射を、仮想的に中央で２分割しない場合の前記第２基板の端面での反射以下とみなし、前記第１基板は、第１端面及び第２端面それぞれに少なくとも一つのコネクタを備える構造であり、前記第２基板は、前記第１基板から前記ＤＵＴが実装された部分を除去し、前記第１基板に設けられた全ての前記コネクタの中から任意の２個を選んでスルー接続する構造であり、前記第２基板の個数は、前記第１基板に設けられた全ての前記コネクタの中から２個を選ぶ組み合わせの総数である構成（第１の構成）である。

上記第１の構成の周波数特性測定装置において、前記抽出部は、前記第１フィクスチャの前記第２基板端面での反射を示すＳパラメータの振幅を、測定範囲の全周波数域に渡って単一の第１固定値とし、前記第１フィクスチャの前記第２基板端面での反射を示すＳパラメータの位相を、測定範囲の全周波数域に渡ってゼロとし、前記第２フィクスチャの前記第２基板端面での反射を示すＳパラメータの振幅を、測定範囲の全周波数域に渡って前記第１固定値とし、前記第２フィクスチャの前記第２基板端面での反射を示すＳパラメータの位相を、測定範囲の全周波数域に渡ってゼロとする構成（第２の構成）としてもよい。

上記第１又は第２の構成の周波数特性測定装置において、前記抽出部は、前記第１フィクスチャの透過特性と前記第２フィクスチャの透過特性とが対称であるとみなす構成（第３の構成）としてもよい。

上記第１又は第２の構成の周波数特性測定装置において、前記抽出部は、前記第１フィクスチャの透過特性と前記第２フィクスチャの透過特性とが対称であるとみなさない構成（第４の構成）としてもよい。

上記第１～４いずれかの構成の周波数特性測定装置において、前記第２基板のケーブルが接続される２つの端面間距離は、測定範囲の最も低い周波数の逆数の２倍未満である構成（第５の構成）としてもよい。

本明細書中に開示されているコンピュータプログラムは、ケーブル端面でＳＯＬＴ校正を行うように構成される校正部と、前記校正部による前記ＳＯＬＴ校正の後、ＤＵＴが実装された第１基板のＳパラメータを測定するように構成される第１測定部と、前記校正部による前記ＳＯＬＴ校正の後、第２基板のＳパラメータを測定するように構成される第２測定部と、を備える周波数特性測定装置の測定結果を処理するためのコンピュータプログラムであって、コンピュータを、前記第１測定部の測定結果を取得する第１取得部、前記第２測定部の測定結果を取得する第２取得部、並びに前記第１測定部の測定結果及び前記第２測定部の測定結果をベクトル演算することによって、前記ＤＵＴのＳパラメータを抽出するように構成される抽出部として機能させ、前記抽出部は、前記第２基板を仮想的に中央で２分割して得られる第１フィクスチャ及び第２フィクスチャそれぞれの前記第２基板端面での反射を、仮想的に中央で２分割しない場合の前記第２基板の端面での反射以下とみなし、前記第１基板は、第１端面及び第２端面それぞれに少なくとも一つのコネクタを備える構造であり、前記第２基板は、前記第１基板から前記ＤＵＴが実装された部分を除去し、前記第１基板に設けられた全ての前記コネクタの中から任意の２個を選んでスルー接続する構造であり、前記第２基板の個数は、前記第１基板に設けられた全ての前記コネクタの中から２個を選ぶ組み合わせの総数である構成（第６の構成）である。

本明細書中に開示されている発明によれば、低コストで簡便にＤＵＴの周波数特性を測定することができる。

図１は、一実施形態に係る周波数特性測定装置の概略構成を示すブロック図である。図２は、第１基板の概略構造を示す模式図である。図３は、第２基板の概略構造を示す模式図である。図４は、抽出部の動作例を示すフローチャートである。図５は、第１フィクスチャのＳパラメータを模式的に示す図である。図６は、第２フィクスチャのＳパラメータを模式的に示す図である。図７は、第２基板のＳパラメータを模式的に示す図である。

図１は、一実施形態に係る周波数特定測定装置の概略構成を示すブロック図である。図１に示す一実施形態に係る周波数特性測定装置１０（以下、「周波数特性測定装置１０」と略す）は、ベクトル・ネットワークアナライザである。

周波数特性測定装置１０は、第１ポート１と、第２ポート２と、校正部３と、測定部４と、抽出部５と、を備える。

第１ポート１は、第１同軸ケーブルＣＸ１の一端Ｅ１１が接続可能に構成される。第２ポート２は、第２同軸ケーブルＣＸ２の一端Ｅ２１が接続可能に構成される。

校正部３は、ケーブル端面でＳＯＬＴ校正を行うように構成される。具体的には、第１ポート１に第１同軸ケーブルＣＸ１の一端Ｅ１１が接続され、第２ポート２に第２同軸ケーブルＣＸ２の一端Ｅ２１が接続された状態で、校正部３は、第１同軸ケーブルＣＸ１の他端Ｅ１２の端面及び第２同軸ケーブルＣＸ２の他端Ｅ２２の端面それぞれでＳＯＬＴ校正を行うように構成される。ケーブル端面におけるＳＯＬＴ校正は、例えば非特許文献１等に開示されている周知技術であるため、ここでは詳細な説明を省略する。校正部３は、校正結果を測定部４に提供する。

測定部４は、Ｓパラメータを測定する。測定部４は、第１測定部としても機能し、第２測定部としても機能する。

第１測定部は、校正部３によるＳＯＬＴ校正の後、ＤＵＴが実装された第１基板ＳＵＢ１（図２参照）のＳパラメータを測定するように構成される。つまり、第１測定部が測定を実行するときには、第１基板ＳＵＢ１が第１同軸ケーブルＣＸ１及び第２同軸ケーブルＣＸ２を介して周波数特性測定装置１０に接続される。

第２測定部は、校正部３によるＳＯＬＴ校正の後、第１基板ＳＵＢ１からＤＵＴが実装された部分を除去した構造である第２基板ＳＵＢ２（図３参照）のＳパラメータを測定するように構成される。つまり、第２測定部が測定を実行するときには、第２基板ＳＵＢ２が第１同軸ケーブルＣＸ１及び第２同軸ケーブルＣＸ２を介して周波数特性測定装置１０に接続される。

図２は第１基板ＳＵＢ１の概略構造を示す模式図である。図３は第２基板ＳＵＢ２の概略構造を示す模式図である。第１基板ＳＵＢ１は、ＤＵＴが実装された部分Ｐ１と、第１フィクスチャＰ２と、第２フィクスチャＰ３と、を有する。第２基板ＳＵＢ２は、第１フィクスチャＰ２と、第２フィクスチャＰ３と、を有する。第２基板ＳＵＢ２において、第１フィクスチャＰ２及び第２フィクスチャＰ３は、第２基板ＳＵＢ２を仮想的に中央で２分割して得ることができる。

第１フィクスチャＰ２は、第１同軸ケーブルＣＸ１の他端Ｅ１２に接続可能な第１コネクタＣＮ１を有する。第１コネクタＣＮ１は、第１フィクスチャＰ２の左端部に設けられる。第２フィクスチャＰ３は、第２同軸ケーブルＣＸ１の他端Ｅ２２に接続可能な第２コネクタＣＮ２を有する。第２コネクタＣＮ２は、第２フィクスチャＰ３の右端部に設けられる。なお、第１フィクスチャＰ２と第２フィクスチャＰ３とは互いに左右対称の構造である。しかしながら、第１フィクスチャＰ２と第２フィクスチャＰ３とは互いに完全に左右対称の構造でなく、若干の製造ばらつきを有していてもよい。

抽出部５は、第１測定部の測定結果及び第２測定部の測定結果をベクトル演算することによって、ＤＵＴのＳパラメータを抽出するように構成される。抽出部５の抽出結果は、例えば周波数特性測定装置１０に対して装脱着可能な可搬型記憶媒体に記憶してもよく、周波数特性測定装置１０に設けられる表示部に表示してもよく、周波数特性測定装置１０の外部に通信によって出力してもよい。

抽出部５は、例えばマイクロコンピュータ等のコンピュータに、第１測定部の測定結果及び前記第２測定部の測定結果を処理するためのコンピュータプログラムをインストールし、当該コンピュータプログラムを実行することによって実現することができる。本実施形態では、抽出部５は周波数特性測定装置１０に内蔵されているが、周波数特性測定装置１０の外部に設けられるコンピュータを抽出部５として機能させてもよい。

図４は、抽出部５の動作例を示すフローチャートである。抽出部５は、まず始めに第１測定部の測定結果を取得する（ステップＳ１０）。次に、抽出部５は、第２測定部の測定結果を取得する（ステップＳ２０）。なお、本実施形態とは異なり、ステップＳ２０を先に実行し、その後ステップＳ１０を実行してもよく、ステップＳ１０及びステップＳ２０を並行して実行してもよい。

第１測定部の測定結果及び第２測定部の測定結果を取得した後、抽出部５は、第１測定部の測定結果及び第２測定部の測定結果をベクトル演算することによって、ＤＵＴのＳパラメータを抽出し（ステップＳ３０）、フロー動作を終了する。

次に、ステップＳ３０の処理の詳細について説明する。図５は第１フィクスチャＰ２のＳパラメータを模式的に示す図である。図６は第２フィクスチャＰ３のＳパラメータを模式的に示す図である。図７は第２基板ＳＵＢ２のＳパラメータを模式的に示す図である。

第１フィクスチャＰ２と第２フィクスチャＰ３との左右対称性から、抽出部５は、Ｓ２１Ａ＝Ｓ１２Ｂ、Ｓ１２Ａ＝Ｓ２１Ｂとする。また、抽出部５は、第１フィクスチャＰ２及び第２フィクスチャＰ３それぞれの第２基板端面での反射を、第２基板ＳＵＢ２の端面での反射以下とみなし、第１フィクスチャＰ２及び第２フィクスチャＰ３それぞれの仮想分割面での反射を、第２基板ＳＵＢ２の端面での反射以下とみなさない。なお、「第１フィクスチャＰ２及び第２フィクスチャＰ３それぞれの第２基板端面での反射を、第２基板ＳＵＢ２の端面での反射以下とみなす」とは、測定範囲の周波数域において概ね又は完全に、第１フィクスチャＰ２及び第２フィクスチャＰ３それぞれの第２基板端面での反射を第２基板ＳＵＢ２の端面での反射以下とみなせればよい。すなわち、測定範囲の周波数域において、部分的に、第１フィクスチャＰ２及び第２フィクスチャＰ３それぞれの第２基板端面での反射が第２基板ＳＵＢ２の端面での反射より高くなる場合を排除するものではない。そして、抽出部５は、第２測定部の測定結果から第１フィクスチャＰ２のＳパラメータ及び第２フィクスチャＰ３のＳパラメータを求める。具体的には、第１フィクスチャＰ２のＳパラメータ及び第２フィクスチャＰ３のＳパラメータは以下のようになる。
（１）Ｓ１１Ａ（第１フィクスチャＰ２の第２基板端面での反射を示すＳパラメータ）の振幅は、測定範囲の全周波数域に渡って単一の第１固定値
（２）Ｓ１１Ａの位相は、測定範囲の全周波数域に渡ってゼロ
（３）Ｓ２２Ａ＝（Ｓ２２Ｃ－Ｓ１１Ａ）／Ｓ１２Ｃ
（４）Ｓ２１Ａ＝（１－Ｓ１１Ｂ^２×Ｓ２１Ｃ）^０．５
（５）Ｓ１２Ａ＝（１－Ｓ２２Ａ^２×Ｓ１２Ｃ）^０．５
（６）Ｓ１１Ｂ＝（Ｓ１１Ｃ－Ｓ１１Ａ）／Ｓ２１Ｃ
（７）Ｓ２２Ｂ（第２フィクスチャＰ３の第２基板端面での反射を示すＳパラメータ）の振幅は、測定範囲の全周波数域に渡って単一の第１固定値
（８）Ｓ２２Ｂの位相は、測定範囲の全周波数域に渡ってゼロ
（９）Ｓ２１Ｂ＝Ｓ１２Ａ
（１０）Ｓ１２Ｂ＝Ｓ２１Ａ

抽出部５は、第１測定部の測定結果から、第１フィクスチャＰ２のＳパラメータ及び第２フィクスチャＰ３のＳパラメータをベクトル演算により差し引いて、ＤＵＴのみのＳパラメータを求める。

周波数特性測定装置１０を用いた測定では、ＤＵＴの代わりにShortさせた基板、ＤＵＴの代わりにOpenにした基板、ＤＵＴの代わりに負荷（Load）が実装された基板が不要である。従って、周波数特性測定装置１０は、低コストで簡便にＤＵＴの周波数特性を測定することができる。

第１フィクスチャＰ２のＳパラメータＳ１１Ａが低反射を示す値であるとすると、ＤＵＴが高透過特性を有する場合、第１基板ＳＵＢ１のＳパラメータＳ１１は第２フィクスチャＰ３のＳパラメータＳ１１Ｂでほぼ決まることになり、逆にＤＵＴが高反射特性を有する場合、第１基板ＳＵＢ１のＳパラメータＳ１１はＤＵＴのＳパラメータＳ１１でほぼ決まることになる。ＤＵＴが高透過特性である場合、ＤＵＴが高反射特性を有する場合という極端な２つの場合について説明したが、それ以外の場合でも、第１基板ＳＵＢ１のＳパラメータＳ１１は、第２フィクスチャＰ３のＳパラメータＳ１１ＢとＤＵＴのＳパラメータＳ１１とでほぼ決まることになる。

同様に、第２フィクスチャＰ３のＳパラメータＳ２２Ｂが低反射を示す値であるとすると、ＤＵＴが高透過特性を有する場合、第１基板ＳＵＢ１のＳパラメータＳ２２は第１フィクスチャＰ２のＳパラメータＳ２２Ａでほぼ決まることになり、逆にＤＵＴが高反射特性を有する場合、第１基板ＳＵＢ１のＳパラメータＳ２２はＤＵＴのＳパラメータＳ２２でほぼ決まることになる。ＤＵＴが高透過特性である場合、ＤＵＴが高反射特性を有する場合という極端な２つの場合について説明したが、それ以外の場合でも、第１基板ＳＵＢ１のＳパラメータＳ２２は、第１フィクスチャＰ２のＳパラメータＳ２２ＡとＤＵＴのＳパラメータＳ２２とでほぼ決まることになる。

つまり、抽出部５は、第１フィクスチャＰ２及び第２フィクスチャＰ３それぞれの第２基板端面での反射を、測定範囲の全周波数域に渡って所定レベル以下であるとみなすことは、合理的である。

周波数特性測定装置１０と同様に、ＤＵＴの代わりにShortさせた基板、ＤＵＴの代わりにOpenにした基板、ＤＵＴの代わりに負荷（Load）が実装された基板が不要である測定装置が、“Design criteria of automatic fixture removal(AFR) for asymmetric fixture dembeddinng”（IEEE Conference Paper,p.654-p.659,August 2014）に開示されている。しかしながら、“Design criteria of automatic fixture removal(AFR) for asymmetric fixture dembeddinng”（IEEE Conference Paper,p.654-p.659,August 2014）のFig.2に記載されている第１フィクスチャと第２フィクスチャとの仮想的な分割は、第２基板ＳＵＢ２のケーブルが接続される２つの端面間距離が測定範囲の最も低い周波数の逆数の２倍以上でなければ適切に実行できないと推察される。一方、周波数特性測定装置１０では、上記（１）～（１０）の各Ｓパラメータを求めるのに、第２基板ＳＵＢ２のケーブルが接続される２つの端面間距離が測定範囲の最も低い周波数の逆数の２倍以上である必要はない。したがって、第２基板ＳＵＢ２の小型化及び低コスト化を図る観点から、第２基板ＳＵＢ２のケーブルが接続される２つの端面間距離が測定範囲の最も低い周波数の逆数の２倍未満にすることが好ましい。

上述した実施形態では、抽出部５は、第１フィクスチャＰ２の透過特性と第２フィクスチャＰ３の透過特性とが対称であるとみなしたが、抽出部５は、第１フィクスチャＰ２の透過特性と第２フィクスチャＰ３の透過特性とが対称であるとみなさなくてもよい。抽出部５は、第１フィクスチャＰ２の透過特性と第２フィクスチャＰ３の透過特性とが対称であるとみなさない場合、上記（９）が下記（９）’に変わり、上記（１０）が下記（１０）’に変わる。
（９）’Ｓ２１Ｂ＝（１－Ｓ１１Ｂ^２×Ｓ２１Ｃ）^０．５
（１０）’Ｓ１２Ｂ＝（１－Ｓ２２Ａ^２×Ｓ１２Ｃ）^０．５

上述した実施形態では、第１基板ＳＵＢ１が２つのコネクタ（第１コネクタＣＮ１、第２コネクタＣＮ２）を備える構造であるが、第１基板ＳＵＢ１に設けられるコネクタの個数は３つ以上であってもよい。

つまり、第１基板ＳＵＢ１は、第１端面及び第２端面それぞれに少なくとも一つのコネクタを備える構造であればよい。そして、第２基板ＳＵＢ２は、第１基板ＳＵＢ１からＤＵＴが実装された部分を除去し、第１基板ＳＵＢ１に設けられた全てのコネクタの中から任意の２個を選んでスルー接続する構造であればよい。なお、第２基板ＳＵＢ２の個数は、第１基板ＳＵＢ１に設けられた全てのコネクタの中から２個を選ぶ組み合わせの総数である。

以下、第１基板ＳＵＢ１が４つのコネクタ（第１～第４コネクタ）を備える構造である場合を例に挙げて測定手順の概要を説明する。

第１基板ＳＵＢ１が４つのコネクタ（第１～第４コネクタ）を備える構造である場合、第２基板ＳＵＢ２の個数は６個（＝_４Ｃ_２）になる。

１番目の第２基板ＳＵＢ２は、第１基板ＳＵＢ１からＤＵＴが実装された部分を除去し、第１基板ＳＵＢ１に設けられた第１コネクタと第２コネクタをスルー接続する構造である。

２番目の第２基板ＳＵＢ２は、第１基板ＳＵＢ１からＤＵＴが実装された部分を除去し、第１基板ＳＵＢ１に設けられた第１コネクタと第３コネクタをスルー接続する構造である。

３番目の第２基板ＳＵＢ２は、第１基板ＳＵＢ１からＤＵＴが実装された部分を除去し、第１基板ＳＵＢ１に設けられた第１コネクタと第４コネクタをスルー接続する構造である。

４番目の第２基板ＳＵＢ２は、第１基板ＳＵＢ１からＤＵＴが実装された部分を除去し、第１基板ＳＵＢ１に設けられた第２コネクタと第３コネクタをスルー接続する構造である。

５番目の第２基板ＳＵＢ２は、第１基板ＳＵＢ１からＤＵＴが実装された部分を除去し、第１基板ＳＵＢ１に設けられた第２コネクタと第４コネクタをスルー接続する構造である。

６番目の第２基板ＳＵＢ２は、第１基板ＳＵＢ１からＤＵＴが実装された部分を除去し、第１基板ＳＵＢ１に設けられた第３コネクタと第４コネクタをスルー接続する構造である。

上述した実施形態と同様に、１～６番目の第２基板ＳＵＢ２それぞれに対して仮想的な分割が行われ、第１フィクスチャのＳパラメータ及び第２フィクスチャのＳパラメータが求められ、第１フィクスチャのＳパラメータ及び第２フィクスチャのＳパラメータを用いて、ＤＵＴのみのＳパラメータが求められる。

ここで、１番目の第２基板ＳＵＢ２と２番目の第２基板ＳＵＢ２とに注目する。１番目の第２基板ＳＵＢ２での第１フィクスチャのＳパラメータはＳ１１Ａ、Ｓ１２Ａ、Ｓ２１Ａ、Ｓ２２Ａとなる。また、１番目の第２基板ＳＵＢ２での第２フィクスチャのＳパラメータはＳ１１Ｂ、Ｓ１２Ｂ、Ｓ２１Ｂ、Ｓ２２Ｂとなる。２番目の第２基板ＳＵＢ２での第１フィクスチャのＳパラメータはＳ１１Ａ、Ｓ３１Ａ、Ｓ１３Ａ、Ｓ３３Ａとなる。また、２番目の第２基板ＳＵＢ２での第２フィクスチャのＳパラメータはＳ１１Ｂ、Ｓ３１Ｂ、Ｓ１３Ｂ、Ｓ３３Ｂとなる。したがって、１番目の第２基板ＳＵＢ２からＳ１１Ｂが求まり、２番目の第２基板ＳＵＢ２からもＳ１１Ｂが求まる。

このようにＳパラメータの対角成分は重複して求まる。そのため、重複して求まった各対角成分に関しては、例えば１番反射の大きいものを採用するという基準、また例えば平均処理するという基準などを設けて、その基準に基づき各対角成分の値が決定される。

なお、各対角成分の値が決定された後、再度各非対角成分の値が計算されるようにしてもよい。そして、再計算前の各非対角成分の値と再計算後の各非対角成分の値とを比較して、例えば１番反射の大きいものを採用するという基準、また例えば平均処理するという基準などを設けて、その基準に基づき各非対角成分の値が最終決定される。

また、周波数特性測定装置のポート数が第１基板ＳＵＢ１のコネクタ数よりも多い場合には、未使用となる周波数特性測定装置のポートを５０Ω終端すればよい。

１第１ポート
２第２ポート
３校正部
４測定部
５抽出部
１０一実施形態に係る周波数特定測定装置
ＣＮ１第１コネクタ
ＣＮ２第２コネクタ
ＣＸ１第１同軸ケーブル
ＣＸ２第２同軸ケーブル
Ｅ１１第１同軸ケーブルの一端
Ｅ１２第１同軸ケーブルの他端
Ｅ２１第２同軸ケーブルの一端
Ｅ２２第２同軸ケーブルの他端
Ｐ１ＤＵＴが実装された部分
Ｐ２第１フィクスチャ
Ｐ３第２フィクスチャ
ＳＵＢ１第１基板
ＳＵＢ２第２基板

Claims

ケーブル端面でＳＯＬＴ校正を行うように構成される校正部と、
前記校正部による前記ＳＯＬＴ校正の後、第１フィクスチャ、第２フィクスチャ及びＤＵＴを含む第１基板の複数の第１Ｓパラメータを測定するように構成される第１測定部と、
前記校正部による前記ＳＯＬＴ校正の後、前記第１フィクスチャ及び前記第２フィクスチャを含む第２基板の複数の第２Ｓパラメータを測定するように構成される第２測定部と、
抽出部と、
を備え、
前記抽出部は、
前記第２基板の前記第２フィクスチャの複数の第３Ｓパラメータのうちの一つのＳパラメータの振幅を、測定範囲の全周波数範囲に渡って第１固定値に設定し、
前記複数の第３Ｓパラメータのうちの一つのＳパラメータの位相を、測定範囲の全周波数範囲に渡ってゼロに設定し、
前記複数の第３Ｓパラメータのうちの一つのＳパラメータの振幅の設定、前記複数の第３Ｓパラメータのうちの一つのＳパラメータの位相の設定、及び前記複数の第２Ｓパラメータに基づいて、前記複数の第３Ｓパラメータを決定し、
前記複数の第２Ｓパラメータ及び前記複数の第３Ｓパラメータに基づいて、前記第２基板の複数の第４Ｓパラメータを決定し、
前記複数の第１Ｓパラメータ、前記複数の第３Ｓパラメータ、及び前記複数の第４Ｓパラメータに基づいて、ベクトル演算し、
前記ベクトル演算では、前記ＤＵＴの複数の第５Ｓパラメータが抽出され、
前記抽出部は、
前記第２基板を仮想的に中央で２分割して得られる前記第２基板の前記第１フィクスチャ及び前記第２基板の前記第２フィクスチャそれぞれの前記第２基板端面での反射を、仮想的に中央で２分割しない場合の前記第２基板の端面での反射以下とみなし、
前記第１基板は、第１端面及び第２端面それぞれに少なくとも一つのコネクタを備える構造であり、
前記第２基板は、前記第１基板から前記ＤＵＴが実装された部分を除去し、前記第１フィクスチャと前記第２フィクスチャとを直接繋ぎ、前記第１基板に設けられた全ての前記コネクタの中から任意の２個を選んでスルー接続する構造であり、
前記第２基板の個数は、前記第１基板に設けられた全ての前記コネクタの中から２個を選ぶ組み合わせの総数である、周波数特性測定装置。
前記抽出部は、
前記複数の第４Ｓパラメータのうちの一つのＳパラメータの振幅を、測定範囲の全周波数範囲に渡って前記第１固定値に設定し、
前記複数の第４Ｓパラメータのうちの一つのＳパラメータの位相を、測定範囲の全周波数範囲に渡ってゼロに設定し、
前記複数の第３Ｓパラメータのうちの一つのＳパラメータは、前記第１フィクスチャの前記第２基板端面での反射を示し、
前記複数の第４Ｓパラメータのうちの一つのＳパラメータは、前記第２フィクスチャの前記第２基板端面での反射を示す、請求項１に記載の周波数特性測定装置。
前記抽出部は、
前記第１フィクスチャの透過特性と前記第２フィクスチャの透過特性とが対称であるとみなす、請求項１又は請求項２に記載の周波数特性測定装置。
前記抽出部は、
前記第１フィクスチャの透過特性と前記第２フィクスチャの透過特性とが対称であるとみなさない、請求項１又は請求項２に記載の周波数特性測定装置。
前記第２基板のケーブルが接続される２つの端面間距離は、測定範囲の最も低い周波数の逆数の２倍未満である、請求項１～４のいずれか一項に記載の周波数特性測定装置。
ケーブル端面でＳＯＬＴ校正を行うように構成される校正部と、
前記校正部による前記ＳＯＬＴ校正の後、第１フィクスチャ、第２フィクスチャ及びＤＵＴを含む第１基板の複数の第１Ｓパラメータを測定するように構成される第１測定部と、
前記校正部による前記ＳＯＬＴ校正の後、前記第１フィクスチャ及び前記第２フィクスチャを含む第２基板の複数の第２Ｓパラメータを測定するように構成される第２測定部と、
を備える周波数特性測定装置の測定結果を処理するためのコンピュータプログラムであって、
前記第１測定部の測定結果を取得するステップ、
前記第２測定部の測定結果を取得するステップ、
前記第２基板の前記第２フィクスチャの複数の第３Ｓパラメータのうちの一つのＳパラメータの振幅を、測定範囲の全周波数範囲に渡って第１固定値に設定するステップ、
前記一つのＳパラメータの位相を、測定範囲の全周波数範囲に渡ってゼロに設定するステップ、
前記一つのＳパラメータの振幅の設定、前記一つのＳパラメータの位相の設定、及び前記複数の第２Ｓパラメータに基づいて、前記複数の第３Ｓパラメータを決定するステップ、
前記複数の第２Ｓパラメータ及び前記複数の第３Ｓパラメータに基づいて、前記第２基板の複数の第４Ｓパラメータを決定するステップ、並びに
前記複数の第１Ｓパラメータ、前記複数の第３Ｓパラメータ、及び前記複数の第４Ｓパラメータに基づいて、ベクトル演算するステップ
をコンピュータに実行させ、
前記ベクトル演算では、前記ＤＵＴの複数の第５Ｓパラメータが抽出され、
前記周波数特性測定装置の測定結果を処理する際に、前記第２基板を仮想的に中央で２分割して得られる前記第２基板の前記第１フィクスチャ及び前記第２基板の前記第２フィクスチャそれぞれの前記第２基板端面での反射を、仮想的に中央で２分割しない場合の前記第２基板の端面での反射以下とみなし、
前記第１基板は、第１端面及び第２端面それぞれに少なくとも一つのコネクタを備える構造であり、
前記第２基板は、前記第１基板から前記ＤＵＴが実装された部分を除去し、前記第１フィクスチャと前記第２フィクスチャとを直接繋ぎ、前記第１基板に設けられた全ての前記コネクタの中から任意の２個を選んでスルー接続する構造であり、
前記第２基板の個数は、前記第１基板に設けられた全ての前記コネクタの中から２個を選ぶ組み合わせの総数である、コンピュータプログラム。