JP7808237B2 - 保護シート - Google Patents
保護シートInfo
- Publication number
- JP7808237B2 JP7808237B2 JP2025528005A JP2025528005A JP7808237B2 JP 7808237 B2 JP7808237 B2 JP 7808237B2 JP 2025528005 A JP2025528005 A JP 2025528005A JP 2025528005 A JP2025528005 A JP 2025528005A JP 7808237 B2 JP7808237 B2 JP 7808237B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective layer
- water
- protective
- semiconductor wafer
- release liner
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
- C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/30—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/30—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers
- B32B27/306—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers comprising vinyl acetate or vinyl alcohol (co)polymers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/36—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyesters
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
- B32B7/04—Interconnection of layers
- B32B7/06—Interconnection of layers permitting easy separation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
- B32B7/04—Interconnection of layers
- B32B7/12—Interconnection of layers using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J201/00—Adhesives based on unspecified macromolecular compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
- C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P52/00—Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H10P72/7402—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
- H10P72/7404—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes the wafer tape being a laminate of three or more layers, e.g. including additional layers beyond a base layer and an uppermost adhesive layer
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H10P72/7422—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
- C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2429/00—Presence of polyvinyl alcohol
- C09J2429/006—Presence of polyvinyl alcohol in the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2467/00—Presence of polyester
- C09J2467/006—Presence of polyester in the substrate
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
本願は、日本国特願２０２３－０９９１８８号及び日本国特願２０２３－２１４６９６号の優先権を主張し、これら出願が引用によって本願明細書の記載に組み込まれる。
本発明は、保護シートに関する。詳しくは、本発明は、水溶性高分子化合物を含む保護層であって、電子部品の保護対象面、又は電子部品の複数が連結された電子部品連結体の保護対象面に被着されて用いられる保護層を備える保護シートに関する。
従来、半導体装置などの電子部品装置の製造において、例えば、保護対象物の表面の少なくとも一部を保護するために、保護シートを使用することが知られている。
電子部品装置が半導体装置である場合、保護対象物は、例えば半導体ウエハである。保護シートは、半導体装置の製造工程中に、保護対象物である半導体ウエハの表面の少なくとも一部に被着されて使用される。
電子部品装置が半導体装置である場合、保護対象物は、例えば半導体ウエハである。保護シートは、半導体装置の製造工程中に、保護対象物である半導体ウエハの表面の少なくとも一部に被着されて使用される。
一般的に、半導体装置の製造方法は、円板状のベアウエハ（ウエハ本体）の一方の面側に高集積の電子回路を形成することにより、半導体ウエハを得る前工程と、前工程によって得られた半導体ウエハをダイシング加工して複数の半導体チップへと個片化（割断）した後、少なくとも一つの半導体チップを用いて半導体装置を組み立てる後工程と、を有する（例えば、下記特許文献１）。
なお、半導体ウエハにおいて、高集積の電子回路が形成された面（一方の面）は、回路面又は回路形成面とも称される。
なお、半導体ウエハにおいて、高集積の電子回路が形成された面（一方の面）は、回路面又は回路形成面とも称される。
前記半導体ウエハとして、半導体ウエハ本体の回路形成面上に複数の電極部を備えるものが知られている。
半導体装置の製造方法の後工程において、半導体ウエハを上記のごとくダイシング加工する前に、半導体ウエハ本体が所定の厚さを有するように、半導体ウエハに対してバックグラインド加工を施す場合がある。
詳しくは、前記半導体ウエハ本体の他方の面（回路形成面の反対面）側から半導体ウエハ本体を研削するバックグラインド加工によって、半導体ウエハ本体を所定の厚さまで薄くする場合がある。
詳しくは、前記半導体ウエハ本体の他方の面（回路形成面の反対面）側から半導体ウエハ本体を研削するバックグラインド加工によって、半導体ウエハ本体を所定の厚さまで薄くする場合がある。
前記半導体ウエハ本体に対する上記のごとき研削は、通常、半導体ウエハの一方の面を真空チャックなどの吸着プレート上に保持させた状態で、研磨ヘッドなどを用いて、半導体ウエハ本体の他方の面に対して実施される。
このような半導体ウエハの研削においては、研磨ヘッドからの押圧力によって、複数の電極部が吸着プレートの表面に押し付けられる。斯かる力によって複数の電極が破損することを抑制すべく、半導体ウエハ本体の一方の面は、例えば、水溶性高分子化合物を含む保護層を介在させた状態で吸着プレート上に保持される（例えば、下記特許文献２）。
このような半導体ウエハの研削においては、研磨ヘッドからの押圧力によって、複数の電極部が吸着プレートの表面に押し付けられる。斯かる力によって複数の電極が破損することを抑制すべく、半導体ウエハ本体の一方の面は、例えば、水溶性高分子化合物を含む保護層を介在させた状態で吸着プレート上に保持される（例えば、下記特許文献２）。
ところで、複数の電極部が半導体ウエハ本体の一方の面から突出している場合、突出している複数の電極部を保護層によって十分に埋設できないことがある。すなわち、保護層と複数の電極部との間に空隙が生じてしまうことがある。
保護層と複数の電極部との間に空隙が生じてしまうと、上記のバックグラインド加工において、空隙部分に対応する半導体ウエハ本体の領域が過度に研削され得る。その結果、半導体ウエハがバックグラインド加工された後に、半導体ウエハ本体の厚さにばらつきが生じ得る。
例えば、半導体ウエハ本体の一方の面にバンプ電極及びピラー端子のうち少なくともいずれかが形成されている場合、複数のバンプ電極又は複数のピラー端子は、通常、互いに狭い間隔を空けて配されている。換言すると、半導体ウエハ本体の一方の面では、複数のバンプ電極又は複数のピラー端子が高密度で配されている。
高密度で配されたバンプ電極又はピラー端子は、より一層保護層への埋設が困難となり得ることから、研削後における半導体ウエハ本体には、厚さのばらつきを生じやすいという懸念がある。
保護層と複数の電極部との間に空隙が生じてしまうと、上記のバックグラインド加工において、空隙部分に対応する半導体ウエハ本体の領域が過度に研削され得る。その結果、半導体ウエハがバックグラインド加工された後に、半導体ウエハ本体の厚さにばらつきが生じ得る。
例えば、半導体ウエハ本体の一方の面にバンプ電極及びピラー端子のうち少なくともいずれかが形成されている場合、複数のバンプ電極又は複数のピラー端子は、通常、互いに狭い間隔を空けて配されている。換言すると、半導体ウエハ本体の一方の面では、複数のバンプ電極又は複数のピラー端子が高密度で配されている。
高密度で配されたバンプ電極又はピラー端子は、より一層保護層への埋設が困難となり得ることから、研削後における半導体ウエハ本体には、厚さのばらつきを生じやすいという懸念がある。
半導体ウエハ本体の厚さにばらつきが生じると、バックグラインド加工後のさらなるプロセス、例えば、半導体ウエハ本体に対するダイシング加工の実施が困難になり得る。
しかしながら、保護層を備える保護シートを用いて半導体ウエハをバックグラインド加工するときに、半導体ウエハが備える半導体ウエハ本体に厚さのばらつきが生じることを抑制することについて、未だ十分な検討がなされているとは言い難い。
そこで、本発明は、半導体ウエハをバックグラインド加工するときに、半導体ウエハが備える半導体ウエハ本体に厚さのばらつきが生じることを抑制できる保護シートを提供することを課題とする。
本発明に係る保護シートは、
電子部品の保護対象面、又は、前記電子部品の複数が連結された電子部品連結体の保護対象面に被着されて用いられる保護層を備え、
前記保護層が、水溶性高分子化合物を含み、
前記保護層の粘度ηが、６０℃において５０万Ｐａ・ｓ以下である。
電子部品の保護対象面、又は、前記電子部品の複数が連結された電子部品連結体の保護対象面に被着されて用いられる保護層を備え、
前記保護層が、水溶性高分子化合物を含み、
前記保護層の粘度ηが、６０℃において５０万Ｐａ・ｓ以下である。
本発明に係る保護シートは、
電子部品の保護対象面、又は、前記電子部品の複数が連結された電子部品連結体の保護対象面に被着されて用いられる保護層を備え、
前記保護層が、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、および、水溶性ポリエステルからなる群から選ばれる少なくとも１種と、エチレンオキシドに由来する構成単位を有する重合体と、を水溶性高分子化合物として含む。
電子部品の保護対象面、又は、前記電子部品の複数が連結された電子部品連結体の保護対象面に被着されて用いられる保護層を備え、
前記保護層が、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、および、水溶性ポリエステルからなる群から選ばれる少なくとも１種と、エチレンオキシドに由来する構成単位を有する重合体と、を水溶性高分子化合物として含む。
以下、図面を参照しつつ、本発明の保護シートの一実施形態について説明する。本発明の一実施形態に係る保護シートを、単に、本実施形態に係る保護シートと称する場合がある。
［保護シート］
本実施形態に係る保護シートは、電子部品の保護対象面、又は、複数の電子部品が連結された電子部品連結体の保護対象面に被着されて用いられる保護層を備える。斯かる保護層は、水溶性高分子化合物を含む。
本実施形態に係る保護シートは、６０℃における前記保護層の粘度ηが、５０万Ｐａ・ｓ以下である。
本実施形態に係る保護シートは、電子部品の保護対象面、又は、複数の電子部品が連結された電子部品連結体の保護対象面に被着されて用いられる保護層を備える。斯かる保護層は、水溶性高分子化合物を含む。
本実施形態に係る保護シートは、６０℃における前記保護層の粘度ηが、５０万Ｐａ・ｓ以下である。
又は、本実施形態に係る保護シートは、電子部品の保護対象面、又は、複数の電子部品が連結された電子部品連結体の保護対象面に被着されて用いられる保護層を備え、前記保護層が、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、および、水溶性ポリエステルからなる群より選ばれる少なくとも１種と、エチレンオキシドに由来する構成単位を有する重合体と、を水溶性高分子化合物として含む。
上記の構成により、本実施形態に係る保護シートの保護層は、半導体ウエハをバックグラインド加工するときに、半導体ウエハが備える半導体ウエハ本体に厚さのばらつきが生じることを抑制できる。
図１に示すように、本実施形態に係る保護シート１０は、保護層１０ａを備える。本実施形態に係る保護シート１０は、さらに、保護層１０ａの一方の面と対向するように配された基材層１０ｂと、保護層１０ａと基材層１０ｂとの間に配された粘着剤層１０ｃとを備える。
本実施形態に係る保護シート１０において、粘着剤層１０ｃは、保護層１０ａに対向する一方の面及び基材層１０ｂに対向する他方の面が、それぞれ保護層１０ａ及び基材層１０ｂに対して剥離可能に粘着している。
本実施形態に係る保護シート１０において、粘着剤層１０ｃは、保護層１０ａに対向する一方の面及び基材層１０ｂに対向する他方の面が、それぞれ保護層１０ａ及び基材層１０ｂに対して剥離可能に粘着している。
前記電子部品としては、例えば、半導体チップ又は回路基板などが挙げられる。これら電子部品は、保護層１０ａの被着体となる。
前記電子部品連結体としては、例えば、半導体チップを得るための半導体ウエハ又は回路基板の複数が連結されて構成された連結回路基板などが挙げられる。
前記電子部品連結体としては、例えば、半導体チップを得るための半導体ウエハ又は回路基板の複数が連結されて構成された連結回路基板などが挙げられる。
前記電子部品を備える電子部品装置としては、半導体チップを備える半導体装置が挙げられる。半導体チップは、後述するＴＳＶ形式の半導体チップであってもよく、ＣＭＯＳチップなどのセンサチップであってもよい。ＣＭＯＳチップを備える半導体装置は、システムＬＳＩを備えるように構成されていてもよい。
さらに、前記電子部品装置は、１つの基板（例えば、シリコン基板、ガラス基板、有機材料基板など）の上に、機械要素部品、センサ、アクチュエータ、又は、電子回路を微細加工技術によって集積化したデバイス（ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ））などを備える装置であってもよい。
また、前記電子部品装置は、配線基板を備える装置であってもよい。
さらに、前記電子部品装置は、１つの基板（例えば、シリコン基板、ガラス基板、有機材料基板など）の上に、機械要素部品、センサ、アクチュエータ、又は、電子回路を微細加工技術によって集積化したデバイス（ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ））などを備える装置であってもよい。
また、前記電子部品装置は、配線基板を備える装置であってもよい。
半導体ウエハとしては、例えば図２に示すように構成されたものが挙げられる。図２に示す半導体ウエハ２０は、半導体ウエハ本体２０ａと、半導体ウエハ本体２０ａの一方の面に配置された複数の電極部２０ｂとを備える。半導体ウエハ２０では、複数の電極部２０ｂが配置された半導体ウエハ本体２０ａの一方の面が回路形成面となっている。
図２に示す半導体ウエハ２０における各電極部２０ｂでは、複数のバンプ電極２０ｂ１が狭い間隔を空けて配置されている。すなわち、各電極部２０ｂは、複数のバンプ電極２０ｂ１が高密度で配置されることによって構成されている。
バンプ電極２０ｂ１は、通常、半導体ウエハ本体２０ａの一方の面にメッキ処理を施すことによって形成される。従って、図２に示すように半導体ウエハ２０では、複数の電極部２０ｂは、半導体ウエハ本体２０ａの一方の面から突出するように配置されている。
そして、半導体ウエハ２０は、ダイシング加工などによって、図２に示す割断線Ｌ１に沿って分割（割断）されて、少なくとも一の電極部２０ｂを備える半導体チップへと個片化（小片化）される。なお、図２の半導体ウエハ本体２０ａにおいて、一の電極部２０ｂを備える個片（小片）へと分割（割断）するための割断線Ｌ１が示されている。
半導体チップへと個片化（割断）された後、電極部２０ｂは、他の部材の電極部と電気的に接続される。他の部材としては、回路基板、又は、前記半導体チップと同様に構成された他の半導体チップなどが挙げられる。なお、上述したように、半導体チップは、電子部品に分類される。
また、上記のごとき半導体ウエハ２０では、半導体ウエハ本体２０ａにおける一方の面が保護対象面となる。具体的には、半導体ウエハ本体２０ａにおいて、複数の電極部２０ｂが配置され、かつ、回路形成面を構成している面が、保護対象面となる。
図２に示す半導体ウエハ２０における各電極部２０ｂでは、複数のバンプ電極２０ｂ１が狭い間隔を空けて配置されている。すなわち、各電極部２０ｂは、複数のバンプ電極２０ｂ１が高密度で配置されることによって構成されている。
バンプ電極２０ｂ１は、通常、半導体ウエハ本体２０ａの一方の面にメッキ処理を施すことによって形成される。従って、図２に示すように半導体ウエハ２０では、複数の電極部２０ｂは、半導体ウエハ本体２０ａの一方の面から突出するように配置されている。
そして、半導体ウエハ２０は、ダイシング加工などによって、図２に示す割断線Ｌ１に沿って分割（割断）されて、少なくとも一の電極部２０ｂを備える半導体チップへと個片化（小片化）される。なお、図２の半導体ウエハ本体２０ａにおいて、一の電極部２０ｂを備える個片（小片）へと分割（割断）するための割断線Ｌ１が示されている。
半導体チップへと個片化（割断）された後、電極部２０ｂは、他の部材の電極部と電気的に接続される。他の部材としては、回路基板、又は、前記半導体チップと同様に構成された他の半導体チップなどが挙げられる。なお、上述したように、半導体チップは、電子部品に分類される。
また、上記のごとき半導体ウエハ２０では、半導体ウエハ本体２０ａにおける一方の面が保護対象面となる。具体的には、半導体ウエハ本体２０ａにおいて、複数の電極部２０ｂが配置され、かつ、回路形成面を構成している面が、保護対象面となる。
また、複数のバンプ電極２０ｂ１が狭い間隔を空けて配置された電極部２０ｂを複数有する半導体ウエハ２０（図２参照）は、各電極部２０ｂを各半導体チップに取り付けた後、それぞれの半導体チップが樹脂封止されて使用される場合がある。
すなわち、図２に示すような半導体ウエハ２０は、ウエハレベルパッケージ（ＷＬＰ）の基板として使用される場合がある。なお、前記ウエハレベルパッケージ（ＷＬＰ）も、電子部品連結体に分類される。
すなわち、図２に示すような半導体ウエハ２０は、ウエハレベルパッケージ（ＷＬＰ）の基板として使用される場合がある。なお、前記ウエハレベルパッケージ（ＷＬＰ）も、電子部品連結体に分類される。
前記半導体チップとしては、例えば、ＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｉａ）形式の半導体チップも挙げられる。ＴＳＶ形式の半導体チップは、半導体チップ本体の両面側にそれぞれ配置されて対を成し他の部材と電気的に接続される電極部と、両方の電極部を導通するように半導体チップ本体を厚さ方向に貫通する導通部とを備える。
ＴＳＶ形式の半導体チップでは、一方の面のみが回路形成面であってもよく、両面がいずれも回路形成面であってもよい。半導体チップ本体の両面に電極部がそれぞれ形成されている場合、半導体チップ本体の両面がいずれも保護対象面となる。
ＴＳＶ形式の半導体チップでは、一方の面のみが回路形成面であってもよく、両面がいずれも回路形成面であってもよい。半導体チップ本体の両面に電極部がそれぞれ形成されている場合、半導体チップ本体の両面がいずれも保護対象面となる。
また、前記半導体チップとしては、回路が素子としてセンサ素子（例えば、受光素子や振動素子）を有するセンサチップも挙げられる。センサチップとしては、例えばＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ－Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）チップが挙げられる。
前記電子部品連結体としては、支持基板と、該支持基板上に複数の半導体チップを配置した状態で複数の半導体チップを一括して樹脂封止して形成されるパッケージ体とを備える疑似ウエハなども挙げられる。疑似ウエハは、支持基板から取り外されたパッケージ体であってもよい。疑似ウエハの少なくとも一方の面には再配線層が形成されてもよい。このような場合、保護シート１０の保護層１０ａは、再配線層を保護するように用いられ得る。なお、少なくとも１つの半導体チップを含む構成単位へと疑似ウエハを分割した疑似ウエハの分割体は、電子部品に分類される。
また、前記ウエハレベルパッケージ（ＷＬＰ）として、図３に示すように構成されたものも挙げられる。図３に示すウエハレベルパッケージ１００は、回路基板１１０と、該回路基板１１０上に取り付けられた複数の半導体パッケージ１２０とを備える。すなわち、ウエハレベルパッケージ１００では、回路基板１１０上において、複数の半導体チップがそれぞれ別々に樹脂封止されている。
ウエハレベルパッケージ１００では、複数の半導体パッケージ１２０の表面（回路基板１１０から最も遠い面）が、それぞれ、ガラス片１２０ａの一方の面で構成されていてもよい。すなわち、ウエハレベルパッケージ１００では、各半導体パッケージ１２０は、回路基板１１０から最も遠い部分にガラス片１２０ａを有してもよい。
ウエハレベルパッケージ１００がこのように構成される場合、保護シート１０の保護層１０ａは、複数の半導体パッケージ１２０の各ガラス片１２０ａの一方の面を保護するように用いられる。
ウエハレベルパッケージ１００は、ダイシング加工などによって、例えば図３に示すような割断線Ｌ２に沿って分割（割断）されて、個々の半導体パッケージへと個片化される。ウエハレベルパッケージ１００から個片化された個々の半導体パッケージは、電子部品に分類される。
なお、回路基板１１０の面積が、図２に示すような半導体ウエハ２０の面積よりも数倍（例えば、４倍）以上大きい場合、図３に示すウエハレベルパッケージ１００は、パネルレベルパッケージ（ＰＬＰ）と称されることもある。
ウエハレベルパッケージ１００では、複数の半導体パッケージ１２０の表面（回路基板１１０から最も遠い面）が、それぞれ、ガラス片１２０ａの一方の面で構成されていてもよい。すなわち、ウエハレベルパッケージ１００では、各半導体パッケージ１２０は、回路基板１１０から最も遠い部分にガラス片１２０ａを有してもよい。
ウエハレベルパッケージ１００がこのように構成される場合、保護シート１０の保護層１０ａは、複数の半導体パッケージ１２０の各ガラス片１２０ａの一方の面を保護するように用いられる。
ウエハレベルパッケージ１００は、ダイシング加工などによって、例えば図３に示すような割断線Ｌ２に沿って分割（割断）されて、個々の半導体パッケージへと個片化される。ウエハレベルパッケージ１００から個片化された個々の半導体パッケージは、電子部品に分類される。
なお、回路基板１１０の面積が、図２に示すような半導体ウエハ２０の面積よりも数倍（例えば、４倍）以上大きい場合、図３に示すウエハレベルパッケージ１００は、パネルレベルパッケージ（ＰＬＰ）と称されることもある。
前記電子部品としては、図４Ａに示すようなイメージセンサパッケージ２００も挙げられる。イメージセンサパッケージ２００は、一方の面に回路が形成されたセンサチップ本体２１０と、センサチップ本体２１０の一方の面（回路が形成された面）に積層されたガラス片２３０（カバーガラス）と、を備える。センサチップ本体２１０とガラス片２３０（カバーガラス）とは、接着剤又はガラスフリットなどで構成された接着層２２０を介して積層されている。
イメージセンサパッケージ２００は、例えば、カメラなどの撮像素子として使用される。
上記のように構成されたイメージセンサパッケージ２００においては、保護シート１０の保護層１０ａは、ガラス片２３０の表面（センサチップ本体２１０側と反対側の面）を保護するように用いられる。
なお、イメージセンサパッケージ２００は、通常、図４Ｂに示すように、イメージセンサパッケージ用積層体２００’が、ダイシング加工等によって分割されて、少なくとも一つの回路を含む個々のイメージセンサパッケージ２００へと個片化されることによって得られる。分割される前のイメージセンサパッケージ用積層体２００’は、一方の面に複数の回路が形成されたセンサウエハ本体２１０’と、平面視においてセンサウエハ本体２１０’と略同一寸法を有し、かつ、接着剤やガラスフリットなどで構成された接着層２２０’を介してセンサウエハ本体２１０’の一方の面（複数の回路が形成された面）に積層されたガラス板２３０’と、を備える。
具体的には、ダイシング加工によって、図４Ｂに示すような割断線Ｌ３に沿ってイメージセンサパッケージ２００が分割されて、個々のイメージセンサパッケージ２００へと個片化される。
上記のように、イメージセンサパッケージ用積層体２００’は、複数のイメージセンサパッケージ２００が連結されて構成されていることから、電子部品連結体に分類される。
イメージセンサパッケージ２００は、例えば、カメラなどの撮像素子として使用される。
上記のように構成されたイメージセンサパッケージ２００においては、保護シート１０の保護層１０ａは、ガラス片２３０の表面（センサチップ本体２１０側と反対側の面）を保護するように用いられる。
なお、イメージセンサパッケージ２００は、通常、図４Ｂに示すように、イメージセンサパッケージ用積層体２００’が、ダイシング加工等によって分割されて、少なくとも一つの回路を含む個々のイメージセンサパッケージ２００へと個片化されることによって得られる。分割される前のイメージセンサパッケージ用積層体２００’は、一方の面に複数の回路が形成されたセンサウエハ本体２１０’と、平面視においてセンサウエハ本体２１０’と略同一寸法を有し、かつ、接着剤やガラスフリットなどで構成された接着層２２０’を介してセンサウエハ本体２１０’の一方の面（複数の回路が形成された面）に積層されたガラス板２３０’と、を備える。
具体的には、ダイシング加工によって、図４Ｂに示すような割断線Ｌ３に沿ってイメージセンサパッケージ２００が分割されて、個々のイメージセンサパッケージ２００へと個片化される。
上記のように、イメージセンサパッケージ用積層体２００’は、複数のイメージセンサパッケージ２００が連結されて構成されていることから、電子部品連結体に分類される。
６０℃における保護層１０ａの粘度ηは、４５万Ｐａ・ｓ以下であることが好ましく、４０万Ｐａ・ｓ以下であることがより好ましく、３０万Ｐａ・ｓ以下であることがさらに好ましく、２０万Ｐａ・ｓ以下であることが特に好ましく、１５万Ｐａ・ｓ以下であることがより特に好ましい。
６０℃における保護層１０ａの粘度ηが１５万Ｐａ・ｓ以下であることにより、バンプ電極及びピラー端子の少なくとも一方が半導体ウエハ本体の一方の面に高密度で配されている場合であっても、バンプ電極及びピラー端子の少なくとも一方を保護層１０ａによって特に好適に埋め込むことができる。
また、６０℃における保護層１０ａの粘度ηは、２，０００Ｐａ・ｓ以上であることが好ましく、５，０００Ｐａ・ｓ以上であることがより好ましく、１０，０００Ｐａ・ｓ以上であることがさらに好ましく、３０，０００Ｐａ・ｓ以上であることが特に好ましい。
６０℃における保護層１０ａの粘度ηが３０，０００Ｐａ・ｓ以上であることにより、電子部品などの保護対象面が周縁を有し斯かる周縁に沿うように保護層１０ａを貼り合わせたときに、保護層１０ａが上記周縁からはみ出ることが抑制される。よって、電子部品などを備える装置を製造するときに、斯かる装置が保護層１０ａの一部によって汚染されることを抑制できる。
６０℃における保護層１０ａの粘度ηが１５万Ｐａ・ｓ以下であることにより、バンプ電極及びピラー端子の少なくとも一方が半導体ウエハ本体の一方の面に高密度で配されている場合であっても、バンプ電極及びピラー端子の少なくとも一方を保護層１０ａによって特に好適に埋め込むことができる。
また、６０℃における保護層１０ａの粘度ηは、２，０００Ｐａ・ｓ以上であることが好ましく、５，０００Ｐａ・ｓ以上であることがより好ましく、１０，０００Ｐａ・ｓ以上であることがさらに好ましく、３０，０００Ｐａ・ｓ以上であることが特に好ましい。
６０℃における保護層１０ａの粘度ηが３０，０００Ｐａ・ｓ以上であることにより、電子部品などの保護対象面が周縁を有し斯かる周縁に沿うように保護層１０ａを貼り合わせたときに、保護層１０ａが上記周縁からはみ出ることが抑制される。よって、電子部品などを備える装置を製造するときに、斯かる装置が保護層１０ａの一部によって汚染されることを抑制できる。
保護層１０ａの６０℃における粘度ηは、例えば、保護層１０ａに含まれる水溶性高分子化合物の分子量を大きくすることによって、高めることができる。一方、保護層１０ａに含まれる水溶性高分子化合物の分子量を小さくすることによって、保護層１０ａの６０℃における粘度ηを低下させることができる。
保護層１０ａの粘度ηは、測定装置として、サーモフィッシャーサイエンティフィック社製の商品名「レオメータ Ｔｈｅｒｍｏ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ ＨＡＡＫＥ ＭＡＲＳ ＩＩＩ」を用いて測定できる。測定条件として以下の条件を採用できる。なお、厚さが３００μｍに満たない保護層を用いて粘度を測定する場合、保護層を積層させることによって厚さを３００μｍに調整した測定用サンプルを用いて粘度を測定する。
・測定試料：厚さ３００μｍの保護層
・プローブ径：８ｍｍ
・平板ギャップ：２５０μｍ
・周波数１Ｈｚ
・測定温度：６０℃
・測定試料：厚さ３００μｍの保護層
・プローブ径：８ｍｍ
・平板ギャップ：２５０μｍ
・周波数１Ｈｚ
・測定温度：６０℃
前記水溶性高分子化合物としては、例えば、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）、水溶性ポリエステル（ＰＥＳ）、又は、エチレンオキシドに由来する構成単位を有する重合体などが挙げられる。
前記水溶性高分子化合物としては、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、水溶性ポリエステル、エチレンオキシドに由来する構成単位を有する重合体などを単独で用いてもよく、これらを組み合わせて用いてもよい。
前記水溶性高分子化合物は、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、および、水溶性ポリエステルからなる群から選ばれる少なくとも１種と、エチレンオキシドに由来する構成単位を有する重合体とを含むことが好ましい。
また、前記水溶性高分子化合物は、ポリビニルアルコール及び水溶性ポリエステルの少なくとも一方と、エチレンオキシドに由来する構成単位を有する重合体とを含むことがより好ましい。
前記水溶性高分子化合物としては、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、水溶性ポリエステル、エチレンオキシドに由来する構成単位を有する重合体などを単独で用いてもよく、これらを組み合わせて用いてもよい。
前記水溶性高分子化合物は、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、および、水溶性ポリエステルからなる群から選ばれる少なくとも１種と、エチレンオキシドに由来する構成単位を有する重合体とを含むことが好ましい。
また、前記水溶性高分子化合物は、ポリビニルアルコール及び水溶性ポリエステルの少なくとも一方と、エチレンオキシドに由来する構成単位を有する重合体とを含むことがより好ましい。
前記水溶性高分子化合物において、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、および、水溶性ポリエステルからなる群から選ばれる少なくとも１種が占める質量割合をＷ１とし、エチレンオキシドに由来する構成単位を有する重合物が占める質量割合をＷ２としたときに、質量割合Ｗ１は、５０質量％以上であることが好ましい。前記質量割合Ｗ１は、６０質量％以上であってもよく、７０質量％以上であってもよく、８０質量％以上であってもよい。前記質量割合Ｗ１は、９５質量％以下であってもよく、９０質量％以下であってもよい。
また、前記質量割合Ｗ２は、５質量％以上であってもよく、１０質量％以上であってもよい。前記質量割合Ｗ２は、５０質量％以下であってもよく、４０質量％以下であってもよく、３０質量％以下であってもよく、２０質量％以下であってもよい。
また、前記質量割合Ｗ２は、５質量％以上であってもよく、１０質量％以上であってもよい。前記質量割合Ｗ２は、５０質量％以下であってもよく、４０質量％以下であってもよく、３０質量％以下であってもよく、２０質量％以下であってもよい。
前記ポリビニルアルコールのけん化度［モル％］は、５０以上９８以下であることが好ましく、６０以上９０以下であることがより好ましい。
けん化度が上記数値範囲内であることにより、ポリビニルアルコールが十分な水溶性を示す。また、保護層１０ａを形成するための保護層形成用組成物がポリビニルアルコールを含む場合、はく離ライナー上への保護層形成用組成物の塗布を作業性良く実施できる。
前記ポリビニルアルコールのけん化度は、プロトン磁気共鳴分光法（１Ｈ－ＮＭＲ測定法）によって測定できる。
なお、測定試料が添加剤を含むこと等によって、添加剤由来のピークとけん化度の算出に用いるピークとが重なる場合には、測定試料に対してメタノール抽出処理等を施して添加剤を除去した後に、ポリビニルアルコールのけん化度を測定する。
前記ポリビニルアルコールのけん化度は、以下のような条件で測定できる。
＜測定条件＞
・分析装置 FT-NMR : Bruker Biospin , AVANCE III-400
・観測周波数 400MHz(1H)
・測定溶媒 重水、又は、重ジメチルスルホキシド（重DMSO）
・測定温度 80℃
・化学シフト基準 外部標準TSP-d4(0.00ppm)（重水測定時）
測定溶媒(2.50ppm)（重DMSO測定時）
前記ポリビニルアルコールのけん化度は、ビニルアルコールユニット（ＶＯＨ）のメチレン基由来のピーク（重水；２．０～１．０ｐｐｍ、重ＤＭＳＯ；１．９～１．０ｐｐｍ）と、酢酸ビニルユニット（ＶＡｃ）のアセチル基由来のピーク（重水；２．１ｐｐｍ付近、重ＤＭＳＯ；２．０ｐｐｍ付近）とを用いて、以下の式に基づいて算出する。
以下の式において、［ＶＯＨ（－ＣＨ２）－］は、ビニルアルコールユニット中の－ＣＨ２－由来のピークの強度を意味し、［ＶＡｃ（ＣＨ３ＣＯ－）］は、酢酸ビニルユニット中のＣＨ３ＣＯ－由来のピーク強度を意味する。
けん化度が上記数値範囲内であることにより、ポリビニルアルコールが十分な水溶性を示す。また、保護層１０ａを形成するための保護層形成用組成物がポリビニルアルコールを含む場合、はく離ライナー上への保護層形成用組成物の塗布を作業性良く実施できる。
前記ポリビニルアルコールのけん化度は、プロトン磁気共鳴分光法（１Ｈ－ＮＭＲ測定法）によって測定できる。
なお、測定試料が添加剤を含むこと等によって、添加剤由来のピークとけん化度の算出に用いるピークとが重なる場合には、測定試料に対してメタノール抽出処理等を施して添加剤を除去した後に、ポリビニルアルコールのけん化度を測定する。
前記ポリビニルアルコールのけん化度は、以下のような条件で測定できる。
＜測定条件＞
・分析装置 FT-NMR : Bruker Biospin , AVANCE III-400
・観測周波数 400MHz(1H)
・測定溶媒 重水、又は、重ジメチルスルホキシド（重DMSO）
・測定温度 80℃
・化学シフト基準 外部標準TSP-d4(0.00ppm)（重水測定時）
測定溶媒(2.50ppm)（重DMSO測定時）
前記ポリビニルアルコールのけん化度は、ビニルアルコールユニット（ＶＯＨ）のメチレン基由来のピーク（重水；２．０～１．０ｐｐｍ、重ＤＭＳＯ；１．９～１．０ｐｐｍ）と、酢酸ビニルユニット（ＶＡｃ）のアセチル基由来のピーク（重水；２．１ｐｐｍ付近、重ＤＭＳＯ；２．０ｐｐｍ付近）とを用いて、以下の式に基づいて算出する。
以下の式において、［ＶＯＨ（－ＣＨ２）－］は、ビニルアルコールユニット中の－ＣＨ２－由来のピークの強度を意味し、［ＶＡｃ（ＣＨ３ＣＯ－）］は、酢酸ビニルユニット中のＣＨ３ＣＯ－由来のピーク強度を意味する。
前記ポリビニルアルコールの質量平均分子量Ｍｗは、１，０００以上であることが好ましく、２，０００以上であることがより好ましく、３，０００以上であることがさらに好ましく、４，０００以上であることが特に好ましい。
斯かる質量平均分子量Ｍｗは、１５，０００以下であってもよく、１０，０００以下であってもよく、８，０００以下であってもよく、６，０００以下であってもよい。
質量平均分子量Ｍｗが上記数値範囲内であることにより、保形性が良好な保護層１０ａをより均一に近い厚さで形成できる。
前記ポリビニルアルコールの平均重合度は、５０以上であることが好ましく、７０以上であることがより好ましく、９０以上であることがさらに好ましい。斯かる平均重合度は、１，０００以下であってもよく、８００以下であってもよく、６００以下であってもよく、４００以下であってもよく、２００以下であってもよく、１５０以下であってもよい。
平均重合度が上記数値範囲内であることにより、ポリビニルアルコールが十分な水溶性を示す。また、保護層１０ａを形成するための保護層形成用組成物がポリビニルアルコールを含む場合、はく離ライナー上への保護層形成用組成物の塗布を作業性良く実施できる。
前記ポリビニルアルコールの質量平均分子量Ｍｗおよび平均重合度は、水系でのゲルパーミエーションクロマトグラフィ（水系ＧＰＣ）によって測定できる。ポリビニルアルコールの質量平均分子量Ｍｗおよび平均重合度は、以下の条件で測定できる。
＜測定条件＞
・分析装置 Agilent, 1260Infinity
・カラム TSKgel G6000PWXL(東ソー社製)及びTSKgel G3000PWXL(東ソー社製)
上記２本のカラムは直列接続する。
・カラム温度 40℃
・溶離液 0.2Mの硝酸ナトリウム水溶液
・注入量 100μL
・検出器 示差屈折計(RI)
・標準試料 PEG標準試料及びPVA標準試料
具体的には以下のようにして測定を行う。
（１）ＰＥＧ標準試料を用いたＧＰＣ測定によって、被測定試料（ＰＶＡ）及びＰＶＡ標準試料の質量平均分子量Ｍｗをそれぞれ算出する。なお、ＰＶＡ標準試料の平均重合度は既知である。
（２）ＰＶＡ標準試料の平均重合度、及び、算出したＰＶＡ標準試料の質量平均分子量Ｍｗを用いて検量線を作成する。
（３）作成した検量線を用いて、被測定試料（ＰＶＡ）の質量平均分子量Ｍｗから被測定試料（ＰＶＡ）の平均重合度を求める。
斯かる質量平均分子量Ｍｗは、１５，０００以下であってもよく、１０，０００以下であってもよく、８，０００以下であってもよく、６，０００以下であってもよい。
質量平均分子量Ｍｗが上記数値範囲内であることにより、保形性が良好な保護層１０ａをより均一に近い厚さで形成できる。
前記ポリビニルアルコールの平均重合度は、５０以上であることが好ましく、７０以上であることがより好ましく、９０以上であることがさらに好ましい。斯かる平均重合度は、１，０００以下であってもよく、８００以下であってもよく、６００以下であってもよく、４００以下であってもよく、２００以下であってもよく、１５０以下であってもよい。
平均重合度が上記数値範囲内であることにより、ポリビニルアルコールが十分な水溶性を示す。また、保護層１０ａを形成するための保護層形成用組成物がポリビニルアルコールを含む場合、はく離ライナー上への保護層形成用組成物の塗布を作業性良く実施できる。
前記ポリビニルアルコールの質量平均分子量Ｍｗおよび平均重合度は、水系でのゲルパーミエーションクロマトグラフィ（水系ＧＰＣ）によって測定できる。ポリビニルアルコールの質量平均分子量Ｍｗおよび平均重合度は、以下の条件で測定できる。
＜測定条件＞
・分析装置 Agilent, 1260Infinity
・カラム TSKgel G6000PWXL(東ソー社製)及びTSKgel G3000PWXL(東ソー社製)
上記２本のカラムは直列接続する。
・カラム温度 40℃
・溶離液 0.2Mの硝酸ナトリウム水溶液
・注入量 100μL
・検出器 示差屈折計(RI)
・標準試料 PEG標準試料及びPVA標準試料
具体的には以下のようにして測定を行う。
（１）ＰＥＧ標準試料を用いたＧＰＣ測定によって、被測定試料（ＰＶＡ）及びＰＶＡ標準試料の質量平均分子量Ｍｗをそれぞれ算出する。なお、ＰＶＡ標準試料の平均重合度は既知である。
（２）ＰＶＡ標準試料の平均重合度、及び、算出したＰＶＡ標準試料の質量平均分子量Ｍｗを用いて検量線を作成する。
（３）作成した検量線を用いて、被測定試料（ＰＶＡ）の質量平均分子量Ｍｗから被測定試料（ＰＶＡ）の平均重合度を求める。
前記水溶性高分子としてポリビニルアルコールを用いる場合、けん化度が互いに異なる複数のポリビニルアルコールを組み合わせて用いてもよく、平均重合度が互いに異なる複数のポリビニルアルコールを組み合わせて用いてもよい。
前記水溶性ポリエステルは、多価カルボン酸の残基とポリオールの残基とを有する。水溶性ポリエステルは、例えば、多価カルボン酸とポリオールとを含むモノマー混合物の重合生成物である。前記水溶性ポリエステルが水溶性を有することは、技術常識に基づいて判断できる。
前記水溶性ポリエステルは、以下の（１）～（４）のうちの少なくとも１つを満たすことが好ましい。
（１）前記水溶性ポリエステルで形成された厚さ２０μｍの薄膜の表面全体に常温（２３±２℃）の水を０．００５ＭＰａの噴霧圧で２０分間噴霧すると、この薄膜が全て水に溶解する。
（２）前記水溶性ポリエステルで形成された厚さ２０μｍの薄膜の表面全体に５０℃の水を０．００５ＭＰａの噴霧圧で１０分間噴霧すると、この薄膜が全て水に溶解する。
（３）前記水溶性ポリエステルの粉末と常温の水とを、水溶性ポリエステルの粉末：常温の水＝１：５の質量比で混合して混合液を得て、該混合液に超音波を２０分間照射すると、水溶性ポリエステルが水に全て溶解する。
（４）前記水溶性ポリエステルの粉末と５０℃の水とを、水溶性ポリエステルの粉末：５０℃の水＝１：５の質量比で混合して混合液を得て、該混合液に超音波を１０分間照射すると、水溶性ポリエステルが水に全て溶解する。
（１）前記水溶性ポリエステルで形成された厚さ２０μｍの薄膜の表面全体に常温（２３±２℃）の水を０．００５ＭＰａの噴霧圧で２０分間噴霧すると、この薄膜が全て水に溶解する。
（２）前記水溶性ポリエステルで形成された厚さ２０μｍの薄膜の表面全体に５０℃の水を０．００５ＭＰａの噴霧圧で１０分間噴霧すると、この薄膜が全て水に溶解する。
（３）前記水溶性ポリエステルの粉末と常温の水とを、水溶性ポリエステルの粉末：常温の水＝１：５の質量比で混合して混合液を得て、該混合液に超音波を２０分間照射すると、水溶性ポリエステルが水に全て溶解する。
（４）前記水溶性ポリエステルの粉末と５０℃の水とを、水溶性ポリエステルの粉末：５０℃の水＝１：５の質量比で混合して混合液を得て、該混合液に超音波を１０分間照射すると、水溶性ポリエステルが水に全て溶解する。
前記水溶性ポリエステルの質量平均分子量Ｍｗは、４０，０００（４万）以下であることが好ましい。
前記保護層形成用組成物が上記数値範囲内の質量平均分子量Ｍｗを有する水溶性ポリエステルを含むことにより、保護層１０ａを膜状に形成し易くなる。電子部品又は電子部品連結体の保護対象面に形成された膜状の保護層１０ａは、保護対象面に微細な異物が付着することを十分に抑制できる。
上記数値範囲内の質量平均分子量Ｍｗを有する水溶性ポリエステルを含むことにより、保護層１０ａの水溶性がより良好となる。
前記水溶性ポリエステルの質量平均分子量Ｍｗは、３０，０００（３万）以下であることがより好ましく、２０，０００（２万）以下であることがより好ましく、１５，０００以下であることがさらに好ましい。
また、前記水溶性ポリエステルの質量平均分子量Ｍｗは、５，０００以上であってもよく、７，０００以上であってもよく、１０，０００以上であってもよい。
前記保護層形成用組成物が上記数値範囲内の質量平均分子量Ｍｗを有する水溶性ポリエステルを含むことにより、保護層１０ａを膜状に形成し易くなる。電子部品又は電子部品連結体の保護対象面に形成された膜状の保護層１０ａは、保護対象面に微細な異物が付着することを十分に抑制できる。
上記数値範囲内の質量平均分子量Ｍｗを有する水溶性ポリエステルを含むことにより、保護層１０ａの水溶性がより良好となる。
前記水溶性ポリエステルの質量平均分子量Ｍｗは、３０，０００（３万）以下であることがより好ましく、２０，０００（２万）以下であることがより好ましく、１５，０００以下であることがさらに好ましい。
また、前記水溶性ポリエステルの質量平均分子量Ｍｗは、５，０００以上であってもよく、７，０００以上であってもよく、１０，０００以上であってもよい。
前記水溶性ポリエステルの質量平均分子量は、上述したポリビニルアルコールの質量平均分子量の測定方法と同様の方法（ＧＰＣ測定法）によって測定する。
前記エチレンオキシドに由来する構成単位を有する重合体は、エチレンオキシド（ＥＯ）の単独重合体であってもよく、エチレンオキシドとエチレンオキシド以外のアルキレンオキシドとの共重合体であってもよい。共重合体は、ランダム共重合体であってもよく、ブロック共重合体であってもよい。前記エチレンオキシド以外のアルキレンオキシドとしては、例えば、プロピレンオキシド（ＰＯ）、ブチレンオキシド（ＢＯ）などが挙げられる。
本実施形態に係る保護シート１０の保護層１０ａが、エチレンオキシドに由来する構成単位を有する重合体を含むことにより、保護層１０ａの粘度ηを５０万Ｐａ・ｓ以下に調整し易くなる。
本実施形態に係る保護シート１０の保護層１０ａが、エチレンオキシドに由来する構成単位を有する重合体を含むことにより、保護層１０ａの粘度ηを５０万Ｐａ・ｓ以下に調整し易くなる。
前記エチレンオキシド（ＥＯ）の単独重合体としては、質量平均分子量が２万未満のポリエチレングリコール（ＰＥＧ）、又は、質量平均分子量が２万以上のポリエチレンオキシド（ＰＥＯ）が挙げられる。上述した保護層１０ａのはみ出しを抑制するという点では、ポリエチレンオキシド（ＰＥＯ）が好ましい。
前記エチレンオキシドに由来する構成単位を有する重合体の質量平均分子量は、上述したポリビニルアルコールの質量平均分子量の測定方法と同様の方法（ＧＰＣ測定法）によって測定する。ただし、標準物質として、ＰＥＧ標準試料を使用する。
前記エチレンオキシドに由来する構成単位を有する重合体は、共重合体であることが好ましく、共重合体の中でも、エチレンオキシド（ＥＯ）とプロピレンオキシド（ＰＯ）との二元共重合体であることがより好ましい。
特に、保護層１０ａが、エチレンオキシドに由来する構成単位を有する重合体としてエチレンオキシド（ＥＯ）とプロピレンオキシド（ＰＯ）との二元共重合体を含む場合、保護層１０ａの粘度ηをより一層５０万Ｐａ・ｓ以下に調整し易くなる。
特に、保護層１０ａが、エチレンオキシドに由来する構成単位を有する重合体としてエチレンオキシド（ＥＯ）とプロピレンオキシド（ＰＯ）との二元共重合体を含む場合、保護層１０ａの粘度ηをより一層５０万Ｐａ・ｓ以下に調整し易くなる。
前記エチレンオキシドに由来する構成単位を有する重合体がエチレンオキシド（ＥＯ）とプロピレンオキシド（ＰＯ）との二元共重合体である場合、該二元共重合体においては、エチレンオキシド（ＥＯ）に由来する構成単位のモル比率ＭＲＥＯが、プロピレンオキシド（ＰＯ）に由来する構成単位のモル比率ＭＲＰＯよりも高い方が好ましい。
前記二元共重合体において、エチレンオキシド（ＥＯ）に由来する構成単位のモル比率ＭＲＥＯは、５５モル％以上であることが好ましく、６０モル％以上であることがより好ましく、７０モル％以上あることがさらに好ましく、８０モル％以上であることが特に好ましい。
前記二元共重合体におけるエチレンオキシド（ＥＯ）に由来する構成単位のモル比率ＭＲＥＯの上限値は、例えば、９０モル％である。
前記二元共重合体において、プロピレンオキシド（ＰＯ）に由来する構成単位のモル比率ＭＲＰＯは、４５モル％以下であることが好ましく、４０モル％以下であることがより好ましく、３０モル％以下であることがさらに好ましく、２０モル％以下であることが特に好ましい。
前記二元共重合体におけるプロピレンオキシド（ＰＯ）に由来する構成単位のモル比率ＭＲＰＯの下限値は、例えば、１０モル％である。
前記二元共重合体において、エチレンオキシド（ＥＯ）に由来する構成単位のモル比率ＭＲＥＯは、５５モル％以上であることが好ましく、６０モル％以上であることがより好ましく、７０モル％以上あることがさらに好ましく、８０モル％以上であることが特に好ましい。
前記二元共重合体におけるエチレンオキシド（ＥＯ）に由来する構成単位のモル比率ＭＲＥＯの上限値は、例えば、９０モル％である。
前記二元共重合体において、プロピレンオキシド（ＰＯ）に由来する構成単位のモル比率ＭＲＰＯは、４５モル％以下であることが好ましく、４０モル％以下であることがより好ましく、３０モル％以下であることがさらに好ましく、２０モル％以下であることが特に好ましい。
前記二元共重合体におけるプロピレンオキシド（ＰＯ）に由来する構成単位のモル比率ＭＲＰＯの下限値は、例えば、１０モル％である。
前記エチレンオキシドに由来する構成単位を有する重合体の質量平均分子量Ｍｗは、１０万以上であってもよく、２０万以上であってもよく、３０万以上であってもよく、４０万以上であってもよい。
また、前記エチレンオキシドに由来する構成単位を有する重合体の質量平均分子量Ｍｗは、１００万以下であってもよく、９０万以下であってもよく、８０万以下であってもよく、７０万以下であってもよく、６０万以下であってもよい。
前記エチレンオキシドに由来する構成単位を有する重合体の質量平均分子量は、上述したポリビニルアルコールの質量平均分子量Ｍｗと同様にして測定できる。
また、前記エチレンオキシドに由来する構成単位を有する重合体の質量平均分子量Ｍｗは、１００万以下であってもよく、９０万以下であってもよく、８０万以下であってもよく、７０万以下であってもよく、６０万以下であってもよい。
前記エチレンオキシドに由来する構成単位を有する重合体の質量平均分子量は、上述したポリビニルアルコールの質量平均分子量Ｍｗと同様にして測定できる。
前記エチレンオキシドに由来する構成単位を有する重合体を含む水溶液の粘度は、２５℃における２質量％濃度で、２０ｍＰａ・ｓ以上であることが好ましく、３０ｍＰａ・ｓ以上であることがより好ましく、４０ｍＰａ・ｓ以上であることがさらに好ましい。
また、２５℃における２質量％濃度での水溶液の粘度は、５００ｍＰａ・ｓ以下であってもよく、４００ｍＰａ・ｓ以下であってもよく、３００ｍＰａ・ｓ以下であってもよい。
上記の粘度は、測定装置として、英弘精機社製のデジタル粘度計（製品名「ＤＶ－１ Ｐｒｉｍｅ」）を用い、ＬＶ－３スピンドルを使用して、回転数５０ｒｐｍという条件で測定できる。
また、２５℃における２質量％濃度での水溶液の粘度は、５００ｍＰａ・ｓ以下であってもよく、４００ｍＰａ・ｓ以下であってもよく、３００ｍＰａ・ｓ以下であってもよい。
上記の粘度は、測定装置として、英弘精機社製のデジタル粘度計（製品名「ＤＶ－１ Ｐｒｉｍｅ」）を用い、ＬＶ－３スピンドルを使用して、回転数５０ｒｐｍという条件で測定できる。
本実施形態に係る保護シート１０において、保護層１０ａは、第１水溶性高分子化合物と、該第１水溶性高分子化合物よりも質量平均分子量Ｍｗが大きい第２水溶性高分子化合物とを水溶性高分子化合物として含んでもよい。
前記第１水溶性高分子化合物は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ測定（上記のＧＰＣ測定）に基づく質量平均分子量Ｍｗのピーク解析において、質量平均分子量ＭｗのピークトップＰ１が１，０００以上２０，０００以下の範囲内に存在することが好ましい。
前記第２水溶性高分子化合物は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ測定（上記のＧＰＣ測定）に基づく質量平均分子量Ｍｗのピーク解析において、質量平均分子量ＭｗのピークトップＰ２が１０万以上１００万以下の範囲内に存在することが好ましい。
前記第１水溶性高分子化合物は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ測定（上記のＧＰＣ測定）に基づく質量平均分子量Ｍｗのピーク解析において、質量平均分子量ＭｗのピークトップＰ１が１，０００以上２０，０００以下の範囲内に存在することが好ましい。
前記第２水溶性高分子化合物は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ測定（上記のＧＰＣ測定）に基づく質量平均分子量Ｍｗのピーク解析において、質量平均分子量ＭｗのピークトップＰ２が１０万以上１００万以下の範囲内に存在することが好ましい。
ピークトップＰ１は、２，０００以上１５，０００以下の範囲に存在することがより好ましく、３，０００以上８，０００以下の範囲に存在することがさらに好ましく、４，０００以上６，０００以下の範囲に存在することが特に好ましい。
前記第１水溶性高分子化合物の質量平均分子量ＭｗのピークトップＰ１が上記の数値範囲内であることにより、半導体ウエハの保護対象面に保護層１０ａを特に良好に密着させることができる。
また、保護層１０ａを形成するための保護層形成用組成物中に第１水溶性高分子化合物を特に良好に溶解させることができる。
上記の数値範囲内にピークトップＰ１を有する第１水溶性高分子化合物としては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、又は、水溶性ポリエステルなどが挙げられる。
前記第１水溶性高分子化合物の質量平均分子量ＭｗのピークトップＰ１が上記の数値範囲内であることにより、半導体ウエハの保護対象面に保護層１０ａを特に良好に密着させることができる。
また、保護層１０ａを形成するための保護層形成用組成物中に第１水溶性高分子化合物を特に良好に溶解させることができる。
上記の数値範囲内にピークトップＰ１を有する第１水溶性高分子化合物としては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、又は、水溶性ポリエステルなどが挙げられる。
ピークトップＰ２は、２０万以上８０万以下の範囲に存在することがより好ましく、３０万以上７０万以下の範囲に存在することがより好ましく、４０万以上６０万以下の範囲に存在することがさらに好ましい。
前記第２水溶性高分子化合物の質量平均分子量ＭｗのピークトップＰ２が上記の数値範囲内であることにより、保護層１０ａは、機械的強度及び延性の両物性をバランス良く有することができる。すなわち、保護層１０ａが十分な靭性を有することができる。
上記の数値範囲内にピークトップＰ２を有する第２水溶性高分子化合物としては、例えば、エチレンオキシドに由来する構成単位を有する重合体などが挙げられる。
前記第２水溶性高分子化合物の質量平均分子量ＭｗのピークトップＰ２が上記の数値範囲内であることにより、保護層１０ａは、機械的強度及び延性の両物性をバランス良く有することができる。すなわち、保護層１０ａが十分な靭性を有することができる。
上記の数値範囲内にピークトップＰ２を有する第２水溶性高分子化合物としては、例えば、エチレンオキシドに由来する構成単位を有する重合体などが挙げられる。
保護層１０ａにおいて、第１水溶性高分子化合物及び第２水溶性高分子化合物の合計量に占める第１水溶性高分子化合物の割合は、９０質量％未満であることが好ましく、８０質量％以下であることがより好ましい。また、上記の第１水溶性高分子化合物の割合は、５質量％以上であることが好ましく、１０質量％以上であることがより好ましく、３０質量％以上であることがさらに好ましい。
第１水溶性高分子化合物及び第２水溶性高分子化合物の合計量に占める第１水溶性高分子化合物の割合が上記の範囲内であることにより、保護層１０ａからのはく離ライナー（第１はく離ライナー１０ｄ又は第２はく離ライナー１０ｅ）の良好なはく離性と、保護層１０ａの良好な埋め込み性とを両立することができる。
第１水溶性高分子化合物及び第２水溶性高分子化合物の合計量に占める第１水溶性高分子化合物の割合が上記の範囲内であることにより、保護層１０ａからのはく離ライナー（第１はく離ライナー１０ｄ又は第２はく離ライナー１０ｅ）の良好なはく離性と、保護層１０ａの良好な埋め込み性とを両立することができる。
基材層１０ｂは、粘着剤層１０ｃを支持している。基材層１０ｂは、金属箔、繊維シート、ゴムシート、又は、樹脂フィルムなどを用いて作製される。
前記繊維シートは、例えば、紙、織布、又は、不織布などによって構成されている。
樹脂フィルムの材質としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン－プロピレン共重合体などのポリオレフィン；エチレン－酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン－（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸エステルランダム共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸エステル交互共重合体などのエチレンの共重合体；ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレートなどのポリエステル；ポリアクリレート；ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）；ポリウレタン；ポリカーボネート；ポリフェニレンスルフィド；脂肪族ポリアミド、全芳香族ポリアミド（アラミド）などのポリアミド；ポリエーテルエーテルケトン；ポリイミド；ポリエーテルイミド；ポリ塩化ビニリデン；ＡＢＳ（アクリロニトリル－ブタジエン－スチレン共重合体）；セルロース又はセルロース誘導体；含シリコーン高分子；含フッ素高分子などが挙げられる。
これらは、１種のみが単独で採用されてもよく、２種以上が組み合わされて採用されてもよい。
これらは、１種のみが単独で採用されてもよく、２種以上が組み合わされて採用されてもよい。
基材層１０ｂが樹脂フィルムによって作製される場合、基材層１０ｂは、無延伸成形によって得られてもよく、延伸成形によって得られてもよいが、延伸成形によって得られることが好ましい。
基材層１０ｂにおける粘着剤層１０ｃが積層される側の面（以下、単に表面ともいう）には、粘着剤層１０ｃとの密着性を高める観点から、表面処理が施されていてもよい。
表面処理では、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理などの化学的方法、又は、物理的方法などが採用されてもよい。
また、表面処理として、アンカーコーティング剤、プライマー、接着剤などのコーティング剤によるコーティング処理が採用されてもよい。
表面処理では、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理などの化学的方法、又は、物理的方法などが採用されてもよい。
また、表面処理として、アンカーコーティング剤、プライマー、接着剤などのコーティング剤によるコーティング処理が採用されてもよい。
基材層１０ｂにおける粘着剤層１０ｃが積層されない側の面（以下、単に裏面ともいう）には、剥離性を高めるために、シリコーン樹脂又はフッ素樹脂などの離型剤（剥離剤）などによって、コーティング処理が施されてもよい。
基材層１０ｂの厚さは、保護シート１０の使用態様によって、適宜調整されている。
例えば、保護シート１０がダイシング工程に用いられるダイシングテープとして使用される場合、基材層１０ｂの厚さは、５５μｍ以上であってもよく、６０μｍ以上であってもよい。基材層１０ｂの厚さは、１９５μｍ以下であってもよく、１９０μｍ以下であってもよく、１７０μｍ以下であってもよく、１６０μｍ以下であってもよい。
基材層１０ｂの厚さが上記範囲であることにより、基材層１０ｂと粘着剤層１０ｃとの積層シート体を効率良く製造できる。
基材層１０ｂの厚さは、例えば、ダイアルゲージ（ＰＥＡＣＯＣＫ社製、型式Ｒ－２０５）を用いて、ランダムに選んだ５箇所の厚さを測定し、これらの測定値を算術平均することによって求めることができる。
例えば、保護シート１０がダイシング工程に用いられるダイシングテープとして使用される場合、基材層１０ｂの厚さは、５５μｍ以上であってもよく、６０μｍ以上であってもよい。基材層１０ｂの厚さは、１９５μｍ以下であってもよく、１９０μｍ以下であってもよく、１７０μｍ以下であってもよく、１６０μｍ以下であってもよい。
基材層１０ｂの厚さが上記範囲であることにより、基材層１０ｂと粘着剤層１０ｃとの積層シート体を効率良く製造できる。
基材層１０ｂの厚さは、例えば、ダイアルゲージ（ＰＥＡＣＯＣＫ社製、型式Ｒ－２０５）を用いて、ランダムに選んだ５箇所の厚さを測定し、これらの測定値を算術平均することによって求めることができる。
本実施形態に係る保護シート１０において、粘着剤層１０ｃは、粘着性（感圧接着性）を有し、粘着力によって保護層１０ａ及び基材層１０ｂをそれぞれ保持できる。粘着剤層１０ｃは、上記のような粘着性を発揮するために、粘着剤を含有する。
前記粘着剤は、例えば、保護シート１０の使用過程において外部からの作用により粘着力が低減するもの（以下、粘着低減型粘着剤とも称する）であってもよい。
粘着剤として粘着低減型粘着剤を用いる場合、保護シート１０の使用過程において、粘着剤層１０ｃは、比較的高い粘着力を示す状態（以下、高粘着状態という）、及び、比較的低い粘着力を示す状態（以下、低粘着状態という）の両方の状態となり得る。例えば、保護シート１０の保護層１０ａに貼付された半導体ウエハが割断されるときに、粘着剤層１０ｃは、高粘着状態であり、該半導体ウエハの割断によって個片化された複数の半導体チップが、粘着剤層１０ｃから浮き上がったり剥離したりすることを抑制できる。
これに対し、半導体ウエハの割断後に、個片化された複数の半導体チップをピックアップするときに、粘着剤層１０ｃは、低粘着状態であり、複数の半導体チップが粘着剤層１０ｃからピックアップし易くなる。
これに対し、半導体ウエハの割断後に、個片化された複数の半導体チップをピックアップするときに、粘着剤層１０ｃは、低粘着状態であり、複数の半導体チップが粘着剤層１０ｃからピックアップし易くなる。
前記粘着低減型粘着剤は、例えば、保護シート１０の使用過程において活性エネルギー線の照射によって硬化させることが可能な粘着剤（以下、活性エネルギー線硬化粘着剤とも称する）である。この場合、前記粘着低減型粘着剤は、活性エネルギー線の照射によって硬化する硬化成分を含む。
前記活性エネルギー線硬化粘着剤としては、例えば、電子線、紫外線、α線、β線、γ線、又はＸ線の照射によって硬化する粘着剤が挙げられる。これらの中でも、紫外線照射によって硬化する粘着剤（紫外線硬化粘着剤）が好ましい。
前記活性エネルギー線硬化粘着剤は、例えば、主成分としてのベースポリマーと、活性エネルギー線重合性の炭素－炭素二重結合等の官能基を有する活性エネルギー線重合性モノマー成分若しくは活性エネルギー線重合性オリゴマー成分とを含む。
前記ベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーが好ましい。前記ベースポリマーは、活性エネルギー線照射によって重合反応を起こし、粘着剤層１０ｃを硬化させることで、粘着剤層１０ｃの粘着力を低下させるものであってもよい。
前記ベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーが好ましい。前記ベースポリマーは、活性エネルギー線照射によって重合反応を起こし、粘着剤層１０ｃを硬化させることで、粘着剤層１０ｃの粘着力を低下させるものであってもよい。
前記アクリル系ポリマーとしては、（メタ）アクリル酸エステルに由来するモノマー単位を含むものが挙げられる。（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸直鎖状アルキルエステル、（メタ）アクリル酸分岐鎖状アルキルエステル、（メタ）アクリル酸環状アルキルエステル、及び、（メタ）アクリル酸アリールエステル等が挙げられる。
前記（メタ）アクリル酸エステルに由来するモノマー単位としては、例えば、２－ヒドロキシエチルアクリレート（ＨＥＡ）、エチルアクリレート（ＥＡ）、ブチルアクリレート（ＢＡ）、２－エチルヘキシルアクリレート（２ＥＨＡ）、イソノニルアクリレート（ｉＮＡ）、ラウリルアクリレート（ＬＡ）、４－アクリロイルモルホリン（ＡＭＣＯ）、２－イソシアナトエチル＝メタアクリレート（ＭＯＩ）等を用いることが好ましい。
前記（メタ）アクリル酸エステルに由来するモノマー単位は、単独の１種のみであってもよく、２種以上の組み合わせであってもよい。
前記アクリル系ポリマーは、前記（メタ）アクリル酸エステルに由来するモノマー単位として、２－エチルヘキシルアクリレート（２ＥＨＡ）と、２－ヒドロキシエチルアクリレート（ＨＥＡ）と、２－イソシアナトエチル＝メタアクリレート（ＭＯＩ）とを含むことが好ましい。なお、２－イソシアナトエチル＝メタアクリレート（ＭＯＩ）は、２－ヒドロキシエチルアクリレート（ＨＥＡ）とウレタン化反応して結合された状態であってもよい。
また、前記アクリル系ポリマーは、（メタ）アクリル酸エステルに由来するモノマー単位として、２ＥＨＡ、ＨＥＡ、及び、ＭＯＩに加えて、ラウリルアクリレート（ＬＡ）と、イソノニルアクリレート（ｉＮＡ）とを含んでいてもよい。
前記（メタ）アクリル酸エステルに由来するモノマー単位としては、例えば、２－ヒドロキシエチルアクリレート（ＨＥＡ）、エチルアクリレート（ＥＡ）、ブチルアクリレート（ＢＡ）、２－エチルヘキシルアクリレート（２ＥＨＡ）、イソノニルアクリレート（ｉＮＡ）、ラウリルアクリレート（ＬＡ）、４－アクリロイルモルホリン（ＡＭＣＯ）、２－イソシアナトエチル＝メタアクリレート（ＭＯＩ）等を用いることが好ましい。
前記（メタ）アクリル酸エステルに由来するモノマー単位は、単独の１種のみであってもよく、２種以上の組み合わせであってもよい。
前記アクリル系ポリマーは、前記（メタ）アクリル酸エステルに由来するモノマー単位として、２－エチルヘキシルアクリレート（２ＥＨＡ）と、２－ヒドロキシエチルアクリレート（ＨＥＡ）と、２－イソシアナトエチル＝メタアクリレート（ＭＯＩ）とを含むことが好ましい。なお、２－イソシアナトエチル＝メタアクリレート（ＭＯＩ）は、２－ヒドロキシエチルアクリレート（ＨＥＡ）とウレタン化反応して結合された状態であってもよい。
また、前記アクリル系ポリマーは、（メタ）アクリル酸エステルに由来するモノマー単位として、２ＥＨＡ、ＨＥＡ、及び、ＭＯＩに加えて、ラウリルアクリレート（ＬＡ）と、イソノニルアクリレート（ｉＮＡ）とを含んでいてもよい。
粘着剤層１０ｃは、外部架橋剤を含んでもよい。外部架橋剤は、ベースポリマー（例えば、アクリル系ポリマー）と反応して架橋構造を形成できるものであれば、特に限定されない。
このような外部架橋剤としては、例えば、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、ポリオール化合物、アジリジン化合物、又は、メラミン系架橋剤等が挙げられる。
このような外部架橋剤としては、例えば、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、ポリオール化合物、アジリジン化合物、又は、メラミン系架橋剤等が挙げられる。
前記活性エネルギー線重合性モノマー成分としては、例えば、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、又は、１，４－ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
前記活性エネルギー線重合性オリゴマー成分としては、例えば、ウレタン系オリゴマー、ポリエーテル系オリゴマー、ポリエステル系オリゴマー、ポリカーボネート系オリゴマー、ポリブタジエン系オリゴマーなどの各種オリゴマーが挙げられる。活性エネルギー線硬化粘着剤中の活性エネルギー線重合性モノマー成分又は活性エネルギー線重合性オリゴマー成分の含有割合は、粘着剤層１０ｃの粘着性を適切に低下させる範囲で選ばれる。
前記活性エネルギー線重合性オリゴマー成分としては、例えば、ウレタン系オリゴマー、ポリエーテル系オリゴマー、ポリエステル系オリゴマー、ポリカーボネート系オリゴマー、ポリブタジエン系オリゴマーなどの各種オリゴマーが挙げられる。活性エネルギー線硬化粘着剤中の活性エネルギー線重合性モノマー成分又は活性エネルギー線重合性オリゴマー成分の含有割合は、粘着剤層１０ｃの粘着性を適切に低下させる範囲で選ばれる。
前記活性エネルギー線硬化粘着剤は、光重合開始剤を含むことが好ましい。光重合開始剤としては、例えば、アゾ化合物、α－ケトール系化合物、アセトフェノン系化合物、ベンゾインエーテル系化合物、ケタール系化合物、芳香族スルホニルクロリド系化合物、光活性オキシム系化合物、ベンゾフェノン系化合物、チオキサントン系化合物、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド、又は、アシルホスフォナート等が挙げられる。
前記アゾ化合物としては、例えば、アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）が挙げられる。
前記アゾ化合物としては、例えば、アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）が挙げられる。
粘着剤層１０ｃが外部架橋剤を含む場合、粘着剤層１０ｃは、外部架橋剤を０．１質量％以上３．０質量％以下含むことが好ましい。
また、粘着剤層１０ｃが光重合開始剤を含む場合、粘着剤層１０ｃは、光重合開始剤を０．１質量％以上１０．０質量％以下含むことが好ましい。
また、粘着剤層１０ｃが光重合開始剤を含む場合、粘着剤層１０ｃは、光重合開始剤を０．１質量％以上１０．０質量％以下含むことが好ましい。
粘着剤層１０ｃは、上述した各成分の他に、架橋促進剤、粘着付与剤、老化防止剤、顔料、又は、染料などの着色剤等を含んでもよい。
粘着剤層１０ｃの厚さは、１μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、２μｍ以上３０μｍ以下であることがより好ましく、５μｍ以上２５μｍ以下であることがさらに好ましい。
粘着剤層１０ｃの厚さは、例えば、ダイアルゲージ（ＰＥＡＣＯＣＫ社製、型式Ｒ－２０５）を用いて、ランダムに選んだ５箇所の厚さを測定し、これらの測定値を算術平均することによって求めることができる。
粘着剤層１０ｃの厚さは、例えば、ダイアルゲージ（ＰＥＡＣＯＣＫ社製、型式Ｒ－２０５）を用いて、ランダムに選んだ５箇所の厚さを測定し、これらの測定値を算術平均することによって求めることができる。
なお、上記の説明では、保護シート１０の使用過程において外部からの作用により粘着力が低減可能な粘着剤について説明した。このような粘着剤の具体例として、活性エネルギー線の照射によって硬化可能な粘着剤を挙げたが、粘着剤はこのようなものに限られない。例えば、粘着剤は、活性エネルギー線の照射によって硬化しない感圧性粘着剤であってもよい。
保護シート１０は、例えば、基材層１０ｂと粘着剤層１０ｃとが積層された積層シート体に、保護層１０ａを貼り合わせることにより作製できる。詳しくは、前記積層シート体の粘着剤層１０ｃに保護層１０ａを貼り合わせることにより作製できる。
前記積層シート体は、例えば、粘着剤層１０ｃを形成するための上記各成分を有機溶剤（例えば、トルエンなど）に溶解又は懸濁させた粘着剤組成物を基材層１０ｂに塗布することによって作製できる。詳しくは、アプリケータなどを用いて上記の粘着剤組成物を基材層１０ｂの一方の面に所定の厚さ（例えば、１０μｍ）で塗布する。その後、所定温度で所定時間（例えば、１２０℃で２分間）乾燥処理することによって、積層シート体を作製できる。
また、保護層１０ａは、はく離ライナーの片面上で作製できる。詳しくは、保護層１０ａを形成するための成分を水に溶解又は懸濁させた保護層形成用組成物を調製する。アプリケータなどを用いて、上記の保護層形成用組成物をはく離ライナーのはく離処理面に所定厚さ（例えば、４０μｍ）で塗布する。その後、所定温度で所定時間（例えば、１１５℃で９０秒間）乾燥処理することによって、保護層１０ａを作製できる。
そして、はく離ライナーのはく離処理面上に作製された保護層１０ａを、積層シート体の粘着剤層１０ｃに貼り合わせる。その後、保護層１０ａからはく離ライナーをはく離させることにより、基材層１０ｂ、粘着剤層１０ｃ、および、保護層１０ａが、この順に積層された保護シート１０を得ることができる。
また、保護層１０ａは、はく離ライナーの片面上で作製できる。詳しくは、保護層１０ａを形成するための成分を水に溶解又は懸濁させた保護層形成用組成物を調製する。アプリケータなどを用いて、上記の保護層形成用組成物をはく離ライナーのはく離処理面に所定厚さ（例えば、４０μｍ）で塗布する。その後、所定温度で所定時間（例えば、１１５℃で９０秒間）乾燥処理することによって、保護層１０ａを作製できる。
そして、はく離ライナーのはく離処理面上に作製された保護層１０ａを、積層シート体の粘着剤層１０ｃに貼り合わせる。その後、保護層１０ａからはく離ライナーをはく離させることにより、基材層１０ｂ、粘着剤層１０ｃ、および、保護層１０ａが、この順に積層された保護シート１０を得ることができる。
なお、上記の具体例は、基材層１０ｂ、粘着剤層１０ｃ、および、保護層１０ａが、この順に積層されて保護シート１０が構成される例（図１参照）であったが、保護シート１０はこのような例に限られない。
保護シート１０は、例えば図５に示すように、保護層１０ａと、保護層１０ａの一方の面に重なる第１はく離ライナー１０ｄと、保護層１０ａの他方の面に重なる第２はく離ライナー１０ｅとを備えてもよい。
すなわち、保護シート１０は、一対のはく離ライナー（第１はく離ライナー１０ｄ及び第２はく離ライナー１０ｅ）によって、保護層１０ａが両面側から挟持されるように構成されていてもよい。
一方、保護シート１０は、基材層１０ｂ、粘着剤層１０ｃ、第１はく離ライナー１０ｄ、および、第２はく離ライナー１０ｅなどを備えず、保護層１０ａのみを備えてもよい。換言すると、保護シート１０は、少なくとも保護層１０ａを備える。
第１はく離ライナー１０ｄとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等などの樹脂を用いて作製された基材シートに、離型処理を施したものが挙げられる。離型処理としては、シリコーン離型処理などが採用される。第２はく離ライナー１０ｅは、第１はく離ライナー１０ｄと同様であってもよい。
はく離ライナーとしては、例えば、三菱ケミカル社製の製品名「ＭＲＡ５０」などが挙げられる。
保護シート１０は、例えば図５に示すように、保護層１０ａと、保護層１０ａの一方の面に重なる第１はく離ライナー１０ｄと、保護層１０ａの他方の面に重なる第２はく離ライナー１０ｅとを備えてもよい。
すなわち、保護シート１０は、一対のはく離ライナー（第１はく離ライナー１０ｄ及び第２はく離ライナー１０ｅ）によって、保護層１０ａが両面側から挟持されるように構成されていてもよい。
一方、保護シート１０は、基材層１０ｂ、粘着剤層１０ｃ、第１はく離ライナー１０ｄ、および、第２はく離ライナー１０ｅなどを備えず、保護層１０ａのみを備えてもよい。換言すると、保護シート１０は、少なくとも保護層１０ａを備える。
第１はく離ライナー１０ｄとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等などの樹脂を用いて作製された基材シートに、離型処理を施したものが挙げられる。離型処理としては、シリコーン離型処理などが採用される。第２はく離ライナー１０ｅは、第１はく離ライナー１０ｄと同様であってもよい。
はく離ライナーとしては、例えば、三菱ケミカル社製の製品名「ＭＲＡ５０」などが挙げられる。
第１はく離ライナー１０ｄ及び第２はく離ライナー１０ｅの厚さは、それぞれ、１５μｍ以上７５μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上６０μｍ以下であることがより好ましい。
第１はく離ライナー１０ｄの厚さ及び第２はく離ライナー１０ｅの厚さは、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。
第１はく離ライナー１０ｄ及び第２はく離ライナー１０ｅの厚さは、上述した保護層１０ａの厚さと同様にして求めることができる。
第１はく離ライナー１０ｄの厚さ及び第２はく離ライナー１０ｅの厚さは、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。
第１はく離ライナー１０ｄ及び第２はく離ライナー１０ｅの厚さは、上述した保護層１０ａの厚さと同様にして求めることができる。
［保護シートの使用例］
本実施形態に係る保護シート１０は、例えば、電子部品連結体を研削して厚さを薄くするために電子部品連結体をバックグラインド加工するときに用いられる。
また、本実施形態に係る保護シート１０は、前記電子部品連結体を割断して複数の電子部品へと個片化（小片化）するために、電子部品連結体をダイシング加工するときにも用いられる。
以下では、まず、図６を参照しながら、本実施形態に係る保護シート１０をバックグランド加工時に用いる例について説明する。さらに、図８Ａ及び図８Ｂを参照しながら、本実施形態に係る保護シート１０をダイシング加工時に用いる例について説明する。
また、以下では、前記電子部品連結体として半導体ウエハを用いた例について説明する。具体的には、前記半導体ウエハとして、半導体ウエハ本体２０ａと、半導体ウエハ本体２０ａの一方の面に配置された複数の電極部２０ｂとを備える半導体ウエハ２０（図２参照）を用いた例について説明する。
なお、図２に示すように、複数の電極部２０ｂのそれぞれは、複数のバンプ電極２０ｂ１が狭い間隔を空けて配置されることによって構成されている。すなわち、複数の電極部２０ｂのそれぞれは、複数のバンプ電極２０ｂ１が高密度で配置されることによって構成されている。
本実施形態に係る保護シート１０は、例えば、電子部品連結体を研削して厚さを薄くするために電子部品連結体をバックグラインド加工するときに用いられる。
また、本実施形態に係る保護シート１０は、前記電子部品連結体を割断して複数の電子部品へと個片化（小片化）するために、電子部品連結体をダイシング加工するときにも用いられる。
以下では、まず、図６を参照しながら、本実施形態に係る保護シート１０をバックグランド加工時に用いる例について説明する。さらに、図８Ａ及び図８Ｂを参照しながら、本実施形態に係る保護シート１０をダイシング加工時に用いる例について説明する。
また、以下では、前記電子部品連結体として半導体ウエハを用いた例について説明する。具体的には、前記半導体ウエハとして、半導体ウエハ本体２０ａと、半導体ウエハ本体２０ａの一方の面に配置された複数の電極部２０ｂとを備える半導体ウエハ２０（図２参照）を用いた例について説明する。
なお、図２に示すように、複数の電極部２０ｂのそれぞれは、複数のバンプ電極２０ｂ１が狭い間隔を空けて配置されることによって構成されている。すなわち、複数の電極部２０ｂのそれぞれは、複数のバンプ電極２０ｂ１が高密度で配置されることによって構成されている。
＜バックグラインド加工での使用＞
本実施形態では、半導体ウエハ２０に対するバックグラインド加工は、図６に示すようなバックグラインド装置３００を用いて実施される。バックグラインド装置３００は、吸着プレート３１０と、吸着プレート３１０と対向するように配された研磨ヘッド３２０とを備える。吸着プレート３１０は、例えば、減圧によって対象物を吸着保持する真空チャックなどである。
本実施形態では、半導体ウエハ２０に対するバックグラインド加工は、図６に示すようなバックグラインド装置３００を用いて実施される。バックグラインド装置３００は、吸着プレート３１０と、吸着プレート３１０と対向するように配された研磨ヘッド３２０とを備える。吸着プレート３１０は、例えば、減圧によって対象物を吸着保持する真空チャックなどである。
本実施形態では、図６に示すように、保護シート１０の保護層１０ａによって半導体ウエハ本体２０ａの一方の面が保護された半導体ウエハ２０を、吸着プレート３１０に吸着保持する。図６に示すように、半導体ウエハ本体２０ａの他方の面（電極部２０ｂが配置されている側の面と反対側の面）が研削面となる。
また、保護層１０ａによる半導体ウエハ本体２０ａの一方の面は、半導体ウエハ本体２０ａの一方の面から突設された電極部２０ｂを埋設させるように、６０℃の温度環境下にて、保護層１０ａによって保護される。
上述したように、本実施形態に係る保護シート１０において、保護層１０ａの粘度ηは、６０℃において５０万Ｐａ・ｓ以下という比較的低い値となっている。従って、半導体ウエハ本体２０ａの一方の面に配置された複数の電極部２０ｂのそれぞれにおいて、複数のバンプ電極２０ｂ１が高密度に配置されていても、保護層１０ａの内部に複数の電極部２０ｂを十分に埋設できる。
また、保護層１０ａによる半導体ウエハ本体２０ａの一方の面は、半導体ウエハ本体２０ａの一方の面から突設された電極部２０ｂを埋設させるように、６０℃の温度環境下にて、保護層１０ａによって保護される。
上述したように、本実施形態に係る保護シート１０において、保護層１０ａの粘度ηは、６０℃において５０万Ｐａ・ｓ以下という比較的低い値となっている。従って、半導体ウエハ本体２０ａの一方の面に配置された複数の電極部２０ｂのそれぞれにおいて、複数のバンプ電極２０ｂ１が高密度に配置されていても、保護層１０ａの内部に複数の電極部２０ｂを十分に埋設できる。
図６に示すように、研磨ヘッド３２０は、研磨ヘッド本体３２０ａと、研磨ヘッド本体３２０ａの一方の面から突設された複数の砥粒３２０ｂとを備える。
そして、半導体ウエハ２０に対するバックグラインド加工では、研磨ヘッド本体３２０ａの砥粒３２０ｂによって半導体ウエハ本体２０ａを研削しつつ、半導体ウエハ本体２０ａを所定の厚さとなるまで薄くする。
そして、半導体ウエハ２０に対するバックグラインド加工では、研磨ヘッド本体３２０ａの砥粒３２０ｂによって半導体ウエハ本体２０ａを研削しつつ、半導体ウエハ本体２０ａを所定の厚さとなるまで薄くする。
研削後の半導体ウエハ２０は、半導体ウエハ本体２０ａの一方の面に保護シート１０を被着させた状態で、吸着プレート３１０から取り外される。粘着剤層１０ｃが活性エネルギー線の照射によって硬化させることが可能な粘着剤で構成されている場合、保護シート１０の基材層１０ｂ側から活性エネルギー線を照射する。斯かる照射により、粘着剤層１０ｃを低粘着状態とさせる。粘着剤層１０ｃから保護層１０ａをはく離して、図７に示すように、保護層１０ａのみが被着した状態の半導体ウエハ２０を得る。
なお、以下では、図７に示す半導体ウエハ２０を保護層１０ａ付の半導体ウエハ２０と称する。
なお、以下では、図７に示す半導体ウエハ２０を保護層１０ａ付の半導体ウエハ２０と称する。
＜ダイシング加工での使用例＞
本実施形態では、半導体ウエハ２０のダイシング加工は、図８Ａに示すようなブレードダイシング装置４００を用いて実施される。図８Ａに示すように、ブレードダイシング装置４００は、ステージＳＴと、液体噴霧部ＳＰと、ダイシングブレードＤＢとを備える。
なお、以下では、図７に示すような保護層１０ａ付の半導体ウエハ２０を用いてダイシング加工を実施する例について説明する。
本実施形態では、半導体ウエハ２０のダイシング加工は、図８Ａに示すようなブレードダイシング装置４００を用いて実施される。図８Ａに示すように、ブレードダイシング装置４００は、ステージＳＴと、液体噴霧部ＳＰと、ダイシングブレードＤＢとを備える。
なお、以下では、図７に示すような保護層１０ａ付の半導体ウエハ２０を用いてダイシング加工を実施する例について説明する。
保護層１０ａ付の半導体ウエハ２０のダイシング加工では、図８Ａに示すように、ブレードダイシング装置４００のステージＳＴと、半導体ウエハ２０の露出面（保護層１０ａが被着した面の反対面）とが当接するように、ステージＳＴ上に保護層１０ａ付の半導体ウエハ２０を載置する。
次に、図８Ｂに示すように、ブレードダイシング装置４００において、液体噴霧部ＳＰから冷却水を噴霧させて、保護層１０ａ付の半導体ウエハを水で洗浄しながら、ダイシングブレードＤＢにて、保護層１０ａ付の半導体ウエハを分割する。分割後の個片が少なくとも１つの電極部２０ｂを備えるように、保護層１０ａ付の半導体ウエハを分割する。
具体的には、図８Ａに示す割断線Ｌ’’に沿ってダイシングブレードＤＢによって保護層１０ａ付の半導体ウエハ２０を割断して個片化する。
なお、図８Ｂに示す例では、半導体ウエハ２０は、分割後の個片が１つの電極部２０ｂを備えるように分割される。
これにより、保護層１０ａの分割片が被着した半導体チップ２０’を複数得る。すなわち、ダイシングブレードＤＢによって、半導体ウエハ２０とともに、保護層１０ａもチップ相当サイズに分割される。
なお、上記のように、冷却水を噴霧しながらブレードダイシング加工を実施することにより、保護層１０ａの各分割片の少なくとも一部が、溶解され得る。
具体的には、図８Ａに示す割断線Ｌ’’に沿ってダイシングブレードＤＢによって保護層１０ａ付の半導体ウエハ２０を割断して個片化する。
なお、図８Ｂに示す例では、半導体ウエハ２０は、分割後の個片が１つの電極部２０ｂを備えるように分割される。
これにより、保護層１０ａの分割片が被着した半導体チップ２０’を複数得る。すなわち、ダイシングブレードＤＢによって、半導体ウエハ２０とともに、保護層１０ａもチップ相当サイズに分割される。
なお、上記のように、冷却水を噴霧しながらブレードダイシング加工を実施することにより、保護層１０ａの各分割片の少なくとも一部が、溶解され得る。
上記のように、半導体ウエハ本体２０ａの一方の面（電極部２０ｂが配置された面）を保護しつつ、半導体ウエハ２０のダイシング加工を実施することにより、ダイシング加工によって生じる切削屑などの微細な異物が、半導体ウエハ本体２０ａの一方の面に付着することを抑制できる。
なお、半導体ウエハ２０が複数の半導体チップ２０’へと個片化された後に、保護層１０ａの分割片に対してさらに水洗浄（冷水洗浄又は温水洗浄）を実施することにより、複数の半導体チップ２０’から、保護層１０ａの分割片を除去できる。
なお、半導体ウエハ２０が複数の半導体チップ２０’へと個片化された後に、保護層１０ａの分割片に対してさらに水洗浄（冷水洗浄又は温水洗浄）を実施することにより、複数の半導体チップ２０’から、保護層１０ａの分割片を除去できる。
本明細書によって開示される事項は、以下のものを含む。
（１）
電子部品の保護対象面、又は、前記電子部品の複数が連結された電子部品連結体の保護対象面に被着されて用いられる保護層を備え、
前記保護層が、水溶性高分子化合物を含み、
前記保護層の粘度ηが、６０℃において５０万Ｐａ・ｓ以下である、
保護シート。
電子部品の保護対象面、又は、前記電子部品の複数が連結された電子部品連結体の保護対象面に被着されて用いられる保護層を備え、
前記保護層が、水溶性高分子化合物を含み、
前記保護層の粘度ηが、６０℃において５０万Ｐａ・ｓ以下である、
保護シート。
（２）
前記保護層は、前記水溶性高分子化合物として、第１水溶性高分子化合物と、該第１水溶性高分子化合物よりも質量平均分子量が大きい第２水溶性高分子化合物とを含み、
ゲルパーミエーションクロマトグラフィ測定に基づく質量分子量分布のピーク解析において、前記第１水溶性高分子化合物の質量平均分子量のピークトップが１０００以上２万以下の範囲内に存在し、前記第２水溶性高分子化合物の質量平均分子量のピークトップが１０万以上１００万以下の範囲内に存在する、
上記（１）に記載の保護シート。
前記保護層は、前記水溶性高分子化合物として、第１水溶性高分子化合物と、該第１水溶性高分子化合物よりも質量平均分子量が大きい第２水溶性高分子化合物とを含み、
ゲルパーミエーションクロマトグラフィ測定に基づく質量分子量分布のピーク解析において、前記第１水溶性高分子化合物の質量平均分子量のピークトップが１０００以上２万以下の範囲内に存在し、前記第２水溶性高分子化合物の質量平均分子量のピークトップが１０万以上１００万以下の範囲内に存在する、
上記（１）に記載の保護シート。
（３）
電子部品の保護対象面、又は、前記電子部品の複数が連結された電子部品連結体の保護対象面に被着されて用いられる保護層を備え、
前記保護層が、ポリビニルアルコールおよび水溶性ポリエステルのうち少なくとも一方と、エチレンオキシドに由来する構成単位を有する重合体と、を水溶性高分子化合物として含む、
保護シート。
電子部品の保護対象面、又は、前記電子部品の複数が連結された電子部品連結体の保護対象面に被着されて用いられる保護層を備え、
前記保護層が、ポリビニルアルコールおよび水溶性ポリエステルのうち少なくとも一方と、エチレンオキシドに由来する構成単位を有する重合体と、を水溶性高分子化合物として含む、
保護シート。
（４）
前記保護層の一方の面と対向するように配された基材層と、
前記保護層と前記基材層との間に配された粘着剤層と、を備え、
前記粘着剤層の両面が、前記保護層及び前記基材層にそれぞれ剥離可能に粘着している、
上記（１）乃至（３）のいずれかに記載の保護シート。
前記保護層の一方の面と対向するように配された基材層と、
前記保護層と前記基材層との間に配された粘着剤層と、を備え、
前記粘着剤層の両面が、前記保護層及び前記基材層にそれぞれ剥離可能に粘着している、
上記（１）乃至（３）のいずれかに記載の保護シート。
なお、本発明に係る保護シートは、上記の実施形態に限定されるものではない。また、本発明に係る保護シートは、上述した作用効果によって限定されるものでもない。本発明に係る保護シートは、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
例えば、上記の実施形態では、保護シート１０の使用例において、保護層１０ａの被着対象が電子部品連結体である半導体ウエハ２０である例について説明したが、被着対象はこれに限られない。
前記被着対象は、例えば、電子部品連結体としてのウエハレベルパッケージ１００（図３参照）であってもよく、イメージセンサパッケージ用積層体２００’（図４Ｂ参照）であってもよい。
すなわち、保護シート１０は、ウエハレベルパッケージ１００の回路基板１１０をバックグラインド加工したり、ウエハレベルパッケージ１００を複数の半導体パッケージ１２０へと個片化したりするときに使用されてもよい。また、保護シート１０は、イメージセンサパッケージ用積層体２００’のセンサウエハ本体２１０’をバックグラインド加工したり、イメージセンサパッケージ用積層体２００’を複数のイメージセンサパッケージ２００へと個片化したりするときに使用されてもよい。
前記被着対象は、例えば、電子部品連結体としてのウエハレベルパッケージ１００（図３参照）であってもよく、イメージセンサパッケージ用積層体２００’（図４Ｂ参照）であってもよい。
すなわち、保護シート１０は、ウエハレベルパッケージ１００の回路基板１１０をバックグラインド加工したり、ウエハレベルパッケージ１００を複数の半導体パッケージ１２０へと個片化したりするときに使用されてもよい。また、保護シート１０は、イメージセンサパッケージ用積層体２００’のセンサウエハ本体２１０’をバックグラインド加工したり、イメージセンサパッケージ用積層体２００’を複数のイメージセンサパッケージ２００へと個片化したりするときに使用されてもよい。
次に、実施例を挙げて本発明についてさらに具体的に説明する。以下の実施例は本発明をさらに詳しく説明するためのものであり、本発明の範囲を限定するものではない。
＜使用した原料＞
［ＰＶＡ－１］
日本酢ビ・ポバール社製の商品名「ＪＭＲ－３Ｍ」（質量平均分子量Ｍｗ５，０００、けん化度６０モル％、平均重合度１００）
［ＰＶＡ－２］
日本酢ビ・ポバール社製の商品名「ＪＭＲ－８Ｍ」（質量平均分子量Ｍｗ１０，０００、けん化度６０モル％、平均重合度２００）
［ＰＥＳ］
水溶性ポリエステル
互応化学社製の商品名「Ｚ－２２１」（質量平均分子量Ｍｗ１４，０００）
［ＥＯ／ＰＯ共重合体－１］
エチレンオキシド（ＥＯ）とプロピレンオキシド（ＰＯ）との二元共重合体（ＥＯ／ＰＯ二元共重合体）
明成化学工業社製の商品名「アルコックス（登録商標）ＥＰ１５５０Ｈ」（ＥＯのモル比率：８５％、ＰＯのモル比率：１５％、質量平均分子量Ｍｗ５０万）
［ＥＯ／ＰＯ共重合体－２］
エチレンオキシド（ＥＯ）とプロピレンオキシド（ＰＯ）との二元共重合体（ＥＯ／ＰＯ二元共重合体）
明成化学工業社製の商品名「アルコックス（登録商標）ＥＰ１０１０Ｎ」（ＥＯのモル比率：８５％、ＰＯのモル比率：１５％、質量平均分子量Ｍｗ１０万）
［ＰＥＯ］
ポリエチレンオキシド
明成化学工業社製の商品名「アルコックス（登録商標）Ｒ－１５０」（質量平均分子量Ｍｗ１５万）
［ＰＥＧ６００］
ポリエチレングリコール（質量平均分子量Ｍｗ６００）市販製品
［ＰＥＧ２０００］
ポリエチレングリコール（質量平均分子量Ｍｗ２，０００）市販製品
［ＰＶＡ－１］
日本酢ビ・ポバール社製の商品名「ＪＭＲ－３Ｍ」（質量平均分子量Ｍｗ５，０００、けん化度６０モル％、平均重合度１００）
［ＰＶＡ－２］
日本酢ビ・ポバール社製の商品名「ＪＭＲ－８Ｍ」（質量平均分子量Ｍｗ１０，０００、けん化度６０モル％、平均重合度２００）
［ＰＥＳ］
水溶性ポリエステル
互応化学社製の商品名「Ｚ－２２１」（質量平均分子量Ｍｗ１４，０００）
［ＥＯ／ＰＯ共重合体－１］
エチレンオキシド（ＥＯ）とプロピレンオキシド（ＰＯ）との二元共重合体（ＥＯ／ＰＯ二元共重合体）
明成化学工業社製の商品名「アルコックス（登録商標）ＥＰ１５５０Ｈ」（ＥＯのモル比率：８５％、ＰＯのモル比率：１５％、質量平均分子量Ｍｗ５０万）
［ＥＯ／ＰＯ共重合体－２］
エチレンオキシド（ＥＯ）とプロピレンオキシド（ＰＯ）との二元共重合体（ＥＯ／ＰＯ二元共重合体）
明成化学工業社製の商品名「アルコックス（登録商標）ＥＰ１０１０Ｎ」（ＥＯのモル比率：８５％、ＰＯのモル比率：１５％、質量平均分子量Ｍｗ１０万）
［ＰＥＯ］
ポリエチレンオキシド
明成化学工業社製の商品名「アルコックス（登録商標）Ｒ－１５０」（質量平均分子量Ｍｗ１５万）
［ＰＥＧ６００］
ポリエチレングリコール（質量平均分子量Ｍｗ６００）市販製品
［ＰＥＧ２０００］
ポリエチレングリコール（質量平均分子量Ｍｗ２，０００）市販製品
（実施例１）
容器内において、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、及び、エチレンオキシド（ＥＯ）とプロピレンオキシド（ＰＯ）との二元共重合体（ＥＯ／ＰＯ二元共重合体）を、水に分散させて水分散溶液を調製した。なお、ＰＶＡ：ＥＯ／ＰＯ二元共重合体＝９０：１０の質量比率となるように水分散溶液を調製した。
ポリビニルアルコールとしては、上記の「ＰＶＡ－１」を用いた。ＥＯ／ＰＯ二元共重合体としては、上記の「ＥＯ／ＰＯ共重合体－１」を用いた。
容器内において、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、及び、エチレンオキシド（ＥＯ）とプロピレンオキシド（ＰＯ）との二元共重合体（ＥＯ／ＰＯ二元共重合体）を、水に分散させて水分散溶液を調製した。なお、ＰＶＡ：ＥＯ／ＰＯ二元共重合体＝９０：１０の質量比率となるように水分散溶液を調製した。
ポリビニルアルコールとしては、上記の「ＰＶＡ－１」を用いた。ＥＯ／ＰＯ二元共重合体としては、上記の「ＥＯ／ＰＯ共重合体－１」を用いた。
次に、上記の水分散溶液が入った容器を９０℃の水浴中に入れ、水分散溶液を撹拌することによってポリビニルアルコールを水に溶解させて、保護層形成用組成物を得た。
続いて、シリコーン離型処理が施された面を有するＰＥＴはく離ライナー（三菱ケミカル社製の製品名「ＭＲＡ５０」厚さ５０μｍ）の離型処理面上に、アプリケータを用いて、乾燥後の厚さが３０μｍとなるように保護層形成用組成物を塗布した。
さらに、ＰＥＴはく離ライナー上の保護層形成用組成物を１１５℃で９０秒間乾燥処理することにより、厚さ３０μｍの保護層をＰＥＴはく離ライナー上に形成した。
最後に、保護層の露出面に、別のＰＥＴはく離ライナー（上記と同じ製品）の離型処理面側を貼り合せた。
これにより、厚さ３０μｍの保護層を備える保護シートを製造した。すなわち、斯かる保護シートは、ＰＥＴはく離ライナー、厚さ３０μｍの保護層、及び、ＰＥＴはく離ライナーがこの順で積層されたものであった。
続いて、シリコーン離型処理が施された面を有するＰＥＴはく離ライナー（三菱ケミカル社製の製品名「ＭＲＡ５０」厚さ５０μｍ）の離型処理面上に、アプリケータを用いて、乾燥後の厚さが３０μｍとなるように保護層形成用組成物を塗布した。
さらに、ＰＥＴはく離ライナー上の保護層形成用組成物を１１５℃で９０秒間乾燥処理することにより、厚さ３０μｍの保護層をＰＥＴはく離ライナー上に形成した。
最後に、保護層の露出面に、別のＰＥＴはく離ライナー（上記と同じ製品）の離型処理面側を貼り合せた。
これにより、厚さ３０μｍの保護層を備える保護シートを製造した。すなわち、斯かる保護シートは、ＰＥＴはく離ライナー、厚さ３０μｍの保護層、及び、ＰＥＴはく離ライナーがこの順で積層されたものであった。
別途、厚さが１００μｍの保護層を３つ積層させることによって、厚さ３００μｍの保護層を作製した。詳しくは、上記と同様にしてＰＥＴはく離ライナー（同上）の離型処理面上に、アプリケータを用いて、乾燥後の厚さが１００μｍとなるように、上記の保護層形成用組成物を塗布した。
次に、１３０℃で３００秒間乾燥処理することにより、ＰＥＴはく離ライナー上に厚さ１００μｍを有する保護層を形成した。このような操作を合計３回繰り返して、３つの保護層付ＰＥＴはく離ライナーを得た。
続いて、１つ目の保護層付ＰＥＴはく離ライナーの保護層の露出面に、２つ目の保護層付ＰＥＴはく離ライナーを重ね合わせて積層体を得た。すなわち、２層の保護層が積層された積層体を得た。
さらに、斯かる積層体において、２つ目の保護層付ＰＥＴはく離ライナーからＰＥＴはく離ライナーを剥離させて保護層を露出させた後、露出面に、３つ目の保護層付ＰＥＴはく離ライナーの保護層を重ね合わせてさらなる積層体を得た。すなわち、３層の保護層が積層された積層体を得た。
そして、ラミネータを用いて斯かる積層体を温度９０℃で熱処理した。
これにより、厚さ３００μｍの保護層を備える保護シートを製造した。
すなわち、斯かる保護シートは、ＰＥＴはく離ライナー、厚さ３００μｍの保護層、及び、ＰＥＴはく離ライナーがこの順に積層されたものであった。
次に、１３０℃で３００秒間乾燥処理することにより、ＰＥＴはく離ライナー上に厚さ１００μｍを有する保護層を形成した。このような操作を合計３回繰り返して、３つの保護層付ＰＥＴはく離ライナーを得た。
続いて、１つ目の保護層付ＰＥＴはく離ライナーの保護層の露出面に、２つ目の保護層付ＰＥＴはく離ライナーを重ね合わせて積層体を得た。すなわち、２層の保護層が積層された積層体を得た。
さらに、斯かる積層体において、２つ目の保護層付ＰＥＴはく離ライナーからＰＥＴはく離ライナーを剥離させて保護層を露出させた後、露出面に、３つ目の保護層付ＰＥＴはく離ライナーの保護層を重ね合わせてさらなる積層体を得た。すなわち、３層の保護層が積層された積層体を得た。
そして、ラミネータを用いて斯かる積層体を温度９０℃で熱処理した。
これにより、厚さ３００μｍの保護層を備える保護シートを製造した。
すなわち、斯かる保護シートは、ＰＥＴはく離ライナー、厚さ３００μｍの保護層、及び、ＰＥＴはく離ライナーがこの順に積層されたものであった。
ＰＶＡの質量平均分子量Ｍｗ、けん化度、および、平均重合度を、上記の実施形態の項で説明した方法に準じてそれぞれ測定した。
また、ＥＯ／ＰＯ二元共重合体の質量平均分子量Ｍｗを、上記の実施形態の項で説明した方法に準じてそれぞれ測定した。
なお、ＥＯ／ＰＯ二元共重合体において、ＥＯのモル比率及びＰＯのモル比率は、重合開始時のモル比率である。
さらに、厚さ３００μｍの保護層を用いて、６０℃における保護層の粘度ηを測定した。粘度ηは、上記の実施形態の項で説明した方法に準じて測定した。結果を表１に示す。
また、ＥＯ／ＰＯ二元共重合体の質量平均分子量Ｍｗを、上記の実施形態の項で説明した方法に準じてそれぞれ測定した。
なお、ＥＯ／ＰＯ二元共重合体において、ＥＯのモル比率及びＰＯのモル比率は、重合開始時のモル比率である。
さらに、厚さ３００μｍの保護層を用いて、６０℃における保護層の粘度ηを測定した。粘度ηは、上記の実施形態の項で説明した方法に準じて測定した。結果を表１に示す。
（実施例２）
質量比率がＰＶＡ：ＥＯ／ＰＯ二元共重合体＝５０：５０となるように、ＰＶＡとＥＯ／ＰＯ二元共重合体とを水に分散させて水分散液を調製した点以外は、実施例１と同様にして保護層形成用組成物を得た。斯かる保護層形成用組成物を用いて、実施例１と同様にして、厚さ３０μｍの保護層を有する保護シート、及び、厚さ３００μｍの保護層を有する保護シートをそれぞれ得た。
すなわち、ＰＥＴはく離ライナー、厚さ３０μｍの保護層、及び、ＰＥＴはく離ライナーがこの順に積層された保護シートと、ＰＥＴはく離ライナー、厚さ３００μｍの保護層、及び、ＰＥＴはく離ライナーがこの順に積層された保護シートとをそれぞれ製造した。
さらに、厚さ３００μｍの保護シートを用いて、６０℃における保護層の粘度ηを測定した。粘度ηは、上記の実施形態の項で説明した方法に準じて測定した。結果を表１に示す。
質量比率がＰＶＡ：ＥＯ／ＰＯ二元共重合体＝５０：５０となるように、ＰＶＡとＥＯ／ＰＯ二元共重合体とを水に分散させて水分散液を調製した点以外は、実施例１と同様にして保護層形成用組成物を得た。斯かる保護層形成用組成物を用いて、実施例１と同様にして、厚さ３０μｍの保護層を有する保護シート、及び、厚さ３００μｍの保護層を有する保護シートをそれぞれ得た。
すなわち、ＰＥＴはく離ライナー、厚さ３０μｍの保護層、及び、ＰＥＴはく離ライナーがこの順に積層された保護シートと、ＰＥＴはく離ライナー、厚さ３００μｍの保護層、及び、ＰＥＴはく離ライナーがこの順に積層された保護シートとをそれぞれ製造した。
さらに、厚さ３００μｍの保護シートを用いて、６０℃における保護層の粘度ηを測定した。粘度ηは、上記の実施形態の項で説明した方法に準じて測定した。結果を表１に示す。
（実施例３）
ＰＶＡに代えて水溶性ポリエステル（ＰＥＳ）を用いた点以外は、実施例２と同様にして、保護層形成用組成物を得た。ＰＥＳとしては、上記の製品を用いた。また、斯かる保護層形成用組成物を用いて、実施例１と同様にして、厚さ３０μｍの保護層を有する保護シート、及び、厚さ３００μｍの保護層を有する保護シートをそれぞれ得た。
すなわち、ＰＥＴはく離ライナー、厚さ３０μｍの保護層、及び、ＰＥＴはく離ライナーがこの順に積層された保護シートと、ＰＥＴはく離ライナー、厚さ３００μｍの保護層、及び、ＰＥＴはく離ライナーがこの順に積層された保護シートとをそれぞれ製造した。
さらに、厚さ３００μｍの保護層を用いて、６０℃における保護層の粘度ηを測定した。粘度ηは、上記の実施形態の項で説明した方法に準じて測定した。結果を表１に示す。
ＰＶＡに代えて水溶性ポリエステル（ＰＥＳ）を用いた点以外は、実施例２と同様にして、保護層形成用組成物を得た。ＰＥＳとしては、上記の製品を用いた。また、斯かる保護層形成用組成物を用いて、実施例１と同様にして、厚さ３０μｍの保護層を有する保護シート、及び、厚さ３００μｍの保護層を有する保護シートをそれぞれ得た。
すなわち、ＰＥＴはく離ライナー、厚さ３０μｍの保護層、及び、ＰＥＴはく離ライナーがこの順に積層された保護シートと、ＰＥＴはく離ライナー、厚さ３００μｍの保護層、及び、ＰＥＴはく離ライナーがこの順に積層された保護シートとをそれぞれ製造した。
さらに、厚さ３００μｍの保護層を用いて、６０℃における保護層の粘度ηを測定した。粘度ηは、上記の実施形態の項で説明した方法に準じて測定した。結果を表１に示す。
（実施例４）
実施例２におけるＰＶＡとＥＯ／ＰＯ二元共重合体との質量比率と同じ質量比率で、保護層形成用組成物を得た。次に、斯かる保護層形成用組成物を用いて、実施例１と同様にして、ＰＥＴはく離ライナー上に乾燥後の厚さが５μｍとなるように保護層を形成してはく離ライナー付の保護層を得た。別途、ＰＥＴはく離ライナー上に乾燥後の厚さが６０μｍとなるように保護層を形成して別のはく離ライナー付の保護層を得た。
続いて、ダイシングテープを準備した。詳しくは、ダイシングテープとして、日東電工社製の製品名「ＵＢ－３２００Ｆ」（基材層厚さ１００μｍ、粘着剤層厚さ１００μｍ）を準備した。
さらに、はく離ライナー付の保護層（厚さ６０μｍ）を用いて、６０℃における保護層の粘度ηを測定した。粘度ηは、上記の実施形態の項で説明した方法に準じて測定した。結果を表１に示す。
実施例２におけるＰＶＡとＥＯ／ＰＯ二元共重合体との質量比率と同じ質量比率で、保護層形成用組成物を得た。次に、斯かる保護層形成用組成物を用いて、実施例１と同様にして、ＰＥＴはく離ライナー上に乾燥後の厚さが５μｍとなるように保護層を形成してはく離ライナー付の保護層を得た。別途、ＰＥＴはく離ライナー上に乾燥後の厚さが６０μｍとなるように保護層を形成して別のはく離ライナー付の保護層を得た。
続いて、ダイシングテープを準備した。詳しくは、ダイシングテープとして、日東電工社製の製品名「ＵＢ－３２００Ｆ」（基材層厚さ１００μｍ、粘着剤層厚さ１００μｍ）を準備した。
さらに、はく離ライナー付の保護層（厚さ６０μｍ）を用いて、６０℃における保護層の粘度ηを測定した。粘度ηは、上記の実施形態の項で説明した方法に準じて測定した。結果を表１に示す。
次に、はく離ライナー付の保護層（厚さ５μｍ）の露出面にダイシングテープの粘着剤層の露出面を重ね合わせて積層シート体を得た。その後、ラミネートロールを用いて、温度２５℃、速度１０ｍｍ／ｓの条件で積層シート体を処理することにより、厚さ５μｍの保護層を備える保護シートを得た。すなわち、斯かる保護シートは、基材層、粘着剤層、厚さ５μｍの保護層、及び、ＰＥＴはく離ライナーがこの順で積層されたものであった。
別途、はく離ライナー付の保護層（厚さ６０μｍ）の露出面にダイシングテープの粘着剤層の露出面を重ね合わせて別の積層シート体を得た。その後、ラミネートロールを用いて、上記と同様にして別の積層シート体を処理することにより、厚さ６０μｍの保護層を備える保護シートを得た。すなわち、斯かる保護シートは、基材層、粘着剤層、厚さ６０μｍの保護層、及び、ＰＥＴはく離ライナーがこの順で積層されたものであった。
別途、はく離ライナー付の保護層（厚さ６０μｍ）の露出面にダイシングテープの粘着剤層の露出面を重ね合わせて別の積層シート体を得た。その後、ラミネートロールを用いて、上記と同様にして別の積層シート体を処理することにより、厚さ６０μｍの保護層を備える保護シートを得た。すなわち、斯かる保護シートは、基材層、粘着剤層、厚さ６０μｍの保護層、及び、ＰＥＴはく離ライナーがこの順で積層されたものであった。
（比較例１）
ＰＶＡのみを水に分散させた点以外は、実施例１と同様にして、保護層形成用組成物を得た。また、斯かる保護層形成用組成物を用いて、実施例１と同様にして、厚さ３０μｍの保護層を備える保護シートを得た。別途、同様にして厚さ３００μｍの保護層を備える保護シートを得た。すなわち、厚さ３０μｍの保護層の一方の面にＰＥＴはく離ライナーが付着した保護シートと、厚さ３００μｍの保護層の一方の面にＰＥＴはく離ライナーが付着した保護シートとをそれぞれ製造した。
さらに、厚さ３００μｍの保護層を用いて、６０℃における保護層の粘度ηを測定した。粘度ηは、上記の実施形態の項で説明した方法に準じて測定した。結果を表１に示す。
ＰＶＡのみを水に分散させた点以外は、実施例１と同様にして、保護層形成用組成物を得た。また、斯かる保護層形成用組成物を用いて、実施例１と同様にして、厚さ３０μｍの保護層を備える保護シートを得た。別途、同様にして厚さ３００μｍの保護層を備える保護シートを得た。すなわち、厚さ３０μｍの保護層の一方の面にＰＥＴはく離ライナーが付着した保護シートと、厚さ３００μｍの保護層の一方の面にＰＥＴはく離ライナーが付着した保護シートとをそれぞれ製造した。
さらに、厚さ３００μｍの保護層を用いて、６０℃における保護層の粘度ηを測定した。粘度ηは、上記の実施形態の項で説明した方法に準じて測定した。結果を表１に示す。
（実施例５）
質量比率がＰＶＡ：ＥＯ／ＰＯ二元共重合体＝７５：２５となるように、ＰＶＡとＥＯ／ＰＯ二元共重合体とを水に分散させて水分散液を調製した点、ＰＶＡとして上記の「ＰＶＡ－２」を用いた点、ＥＯ／ＰＯ二元共重合体として上記の「ＥＯ／ＰＯ共重合体－２」を用いた点以外は、実施例１と同様にして保護層形成用組成物を得た。
さらに、実施例１と同様にして、厚さ３０μｍの保護層を有する保護シート、及び、厚さ３００μｍの保護層を有する保護シートをそれぞれ得た。
すなわち、ＰＥＴはく離ライナー、厚さ３０μｍの保護層、及び、ＰＥＴはく離ライナーがこの順に積層されたも保護シートと、ＰＥＴはく離ライナー、厚さ３００μｍの保護層、及び、ＰＥＴはく離ライナーがこの順に積層された保護シートとをそれぞれ製造した。
さらに、厚さ３００μｍの保護層を用いて、６０℃における保護層の粘度ηを測定した。粘度ηは、上記の実施形態の項で説明した方法に準じて測定した。結果を表２に示す。
質量比率がＰＶＡ：ＥＯ／ＰＯ二元共重合体＝７５：２５となるように、ＰＶＡとＥＯ／ＰＯ二元共重合体とを水に分散させて水分散液を調製した点、ＰＶＡとして上記の「ＰＶＡ－２」を用いた点、ＥＯ／ＰＯ二元共重合体として上記の「ＥＯ／ＰＯ共重合体－２」を用いた点以外は、実施例１と同様にして保護層形成用組成物を得た。
さらに、実施例１と同様にして、厚さ３０μｍの保護層を有する保護シート、及び、厚さ３００μｍの保護層を有する保護シートをそれぞれ得た。
すなわち、ＰＥＴはく離ライナー、厚さ３０μｍの保護層、及び、ＰＥＴはく離ライナーがこの順に積層されたも保護シートと、ＰＥＴはく離ライナー、厚さ３００μｍの保護層、及び、ＰＥＴはく離ライナーがこの順に積層された保護シートとをそれぞれ製造した。
さらに、厚さ３００μｍの保護層を用いて、６０℃における保護層の粘度ηを測定した。粘度ηは、上記の実施形態の項で説明した方法に準じて測定した。結果を表２に示す。
（実施例６）
質量比率がＰＥＳ：ＥＯ／ＰＯ二元共重合体＝７５：２５となるように、ＰＥＳとＥＯ／ＰＯ二元共重合体とを水に分散させて水分散液を調製した点、ＥＯ／ＰＯ二元共重合体として上記の「ＥＯ／ＰＯ共重合体－２」を用いた点以外は、実施例１と同様にして保護層形成用組成物を得た。
さらに、実施例１と同様にして、厚さ３０μｍの保護層を有する保護シート、及び、厚さ３００μｍの保護層を有する保護シートをそれぞれ得た。
すなわち、ＰＥＴはく離ライナー、厚さ３０μｍの保護層、及び、ＰＥＴはく離ライナーがこの順に積層された保護シートと、ＰＥＴはく離ライナー、厚さ３００μｍの保護層、及び、ＰＥＴはく離ライナーがこの順に積層された保護シートとをそれぞれ製造した。
さらに、厚さ３００μｍの保護層を用いて、６０℃における保護層の粘度ηを測定した。粘度ηは、上記の実施形態の項で説明した方法に準じて測定した。結果を表２に示す。
質量比率がＰＥＳ：ＥＯ／ＰＯ二元共重合体＝７５：２５となるように、ＰＥＳとＥＯ／ＰＯ二元共重合体とを水に分散させて水分散液を調製した点、ＥＯ／ＰＯ二元共重合体として上記の「ＥＯ／ＰＯ共重合体－２」を用いた点以外は、実施例１と同様にして保護層形成用組成物を得た。
さらに、実施例１と同様にして、厚さ３０μｍの保護層を有する保護シート、及び、厚さ３００μｍの保護層を有する保護シートをそれぞれ得た。
すなわち、ＰＥＴはく離ライナー、厚さ３０μｍの保護層、及び、ＰＥＴはく離ライナーがこの順に積層された保護シートと、ＰＥＴはく離ライナー、厚さ３００μｍの保護層、及び、ＰＥＴはく離ライナーがこの順に積層された保護シートとをそれぞれ製造した。
さらに、厚さ３００μｍの保護層を用いて、６０℃における保護層の粘度ηを測定した。粘度ηは、上記の実施形態の項で説明した方法に準じて測定した。結果を表２に示す。
（実施例７）
質量比率がＰＥＳ：ポリエチレンオキシド＝７５：２５となるように、ＰＥＳとポリエチレンオキシドとを水に分散させて水分散液を調製した点、ポリエチレンオキシドとして上記の「ＰＥＯ」を用いた点以外は、実施例１と同様にして保護層形成用組成物を得た。
さらに、実施例１と同様にして、厚さ３０μｍの保護層を有する保護シート、及び、厚さ３００μｍの保護層を有する保護シートをそれぞれ得た。
すなわち、ＰＥＴはく離ライナー、厚さ３０μｍの保護層、及び、ＰＥＴはく離ライナーがこの順に積層された保護シートと、ＰＥＴはく離ライナー、厚さ３００μｍの保護層、及び、ＰＥＴはく離ライナーがこの順に積層された保護シートとをそれぞれ製造した。
さらに、厚さ３００μｍの保護層を用いて、６０℃における保護層の粘度ηを測定した。粘度ηは、上記の実施形態の項で説明した方法に準じて測定した。結果を表２に示す。
質量比率がＰＥＳ：ポリエチレンオキシド＝７５：２５となるように、ＰＥＳとポリエチレンオキシドとを水に分散させて水分散液を調製した点、ポリエチレンオキシドとして上記の「ＰＥＯ」を用いた点以外は、実施例１と同様にして保護層形成用組成物を得た。
さらに、実施例１と同様にして、厚さ３０μｍの保護層を有する保護シート、及び、厚さ３００μｍの保護層を有する保護シートをそれぞれ得た。
すなわち、ＰＥＴはく離ライナー、厚さ３０μｍの保護層、及び、ＰＥＴはく離ライナーがこの順に積層された保護シートと、ＰＥＴはく離ライナー、厚さ３００μｍの保護層、及び、ＰＥＴはく離ライナーがこの順に積層された保護シートとをそれぞれ製造した。
さらに、厚さ３００μｍの保護層を用いて、６０℃における保護層の粘度ηを測定した。粘度ηは、上記の実施形態の項で説明した方法に準じて測定した。結果を表２に示す。
（参考例８）
質量比率がＰＶＡ：ポリエチレングリコール＝７５：２５となるように、ＰＶＡとポリエチレングリコールとを水に分散させて水分散液を調製した点、ＰＶＡとして上記の「ＰＶＡ－２」を用いた点、ポリエチレングリコールとして上記の「ＰＥＧ６００」を用いた点以外は、実施例１と同様にして保護層形成用組成物を得た。
さらに、実施例１と同様にして、厚さ３０μｍの保護層を有する保護シート、及び、厚さ３００μｍの保護層を有する保護シートをそれぞれ得た。
すなわち、ＰＥＴはく離ライナー、厚さ３０μｍの保護層、及び、ＰＥＴはく離ライナーがこの順に積層された保護シートと、ＰＥＴはく離ライナー、厚さ３００μｍの保護層、及び、ＰＥＴはく離ライナーがこの順に積層された保護シートとをそれぞれ製造した。
さらに、厚さ３００μｍの保護層を用いて、６０℃における保護層の粘度ηを測定した。粘度ηは、上記の実施形態の項で説明した方法に準じて測定した。結果を表２に示す。
質量比率がＰＶＡ：ポリエチレングリコール＝７５：２５となるように、ＰＶＡとポリエチレングリコールとを水に分散させて水分散液を調製した点、ＰＶＡとして上記の「ＰＶＡ－２」を用いた点、ポリエチレングリコールとして上記の「ＰＥＧ６００」を用いた点以外は、実施例１と同様にして保護層形成用組成物を得た。
さらに、実施例１と同様にして、厚さ３０μｍの保護層を有する保護シート、及び、厚さ３００μｍの保護層を有する保護シートをそれぞれ得た。
すなわち、ＰＥＴはく離ライナー、厚さ３０μｍの保護層、及び、ＰＥＴはく離ライナーがこの順に積層された保護シートと、ＰＥＴはく離ライナー、厚さ３００μｍの保護層、及び、ＰＥＴはく離ライナーがこの順に積層された保護シートとをそれぞれ製造した。
さらに、厚さ３００μｍの保護層を用いて、６０℃における保護層の粘度ηを測定した。粘度ηは、上記の実施形態の項で説明した方法に準じて測定した。結果を表２に示す。
（参考例９）
質量比率がＰＥＳ：ポリエチレングリコール＝７５：２５となるように、ＰＥＳとポリエチレングリコールとを水に分散させて水分散液を調製した点、ポリエチレングリコールとして上記の「ＰＥＧ２０００」を用いた点以外は、実施例１と同様にして保護層形成用組成物を得た。
さらに、実施例１と同様にして、厚さ３０μｍの保護層を有する保護シート、及び、厚さ３００μｍの保護層を有する保護シートをそれぞれ得た。
すなわち、ＰＥＴはく離ライナー、厚さ３０μｍの保護層、及び、ＰＥＴはく離ライナーがこの順に積層された保護シートと、ＰＥＴはく離ライナー、厚さ３００μｍの保護層、及び、ＰＥＴはく離ライナーがこの順に積層された保護シートとをそれぞれ製造した。
さらに、厚さ３００μｍの保護層を用いて、６０℃における保護層の粘度ηを測定した。粘度ηは、上記の実施形態の項で説明した方法に準じて測定した。結果を表２に示す。
質量比率がＰＥＳ：ポリエチレングリコール＝７５：２５となるように、ＰＥＳとポリエチレングリコールとを水に分散させて水分散液を調製した点、ポリエチレングリコールとして上記の「ＰＥＧ２０００」を用いた点以外は、実施例１と同様にして保護層形成用組成物を得た。
さらに、実施例１と同様にして、厚さ３０μｍの保護層を有する保護シート、及び、厚さ３００μｍの保護層を有する保護シートをそれぞれ得た。
すなわち、ＰＥＴはく離ライナー、厚さ３０μｍの保護層、及び、ＰＥＴはく離ライナーがこの順に積層された保護シートと、ＰＥＴはく離ライナー、厚さ３００μｍの保護層、及び、ＰＥＴはく離ライナーがこの順に積層された保護シートとをそれぞれ製造した。
さらに、厚さ３００μｍの保護層を用いて、６０℃における保護層の粘度ηを測定した。粘度ηは、上記の実施形態の項で説明した方法に準じて測定した。結果を表２に示す。
（参考例１０）
質量比率がＰＥＳ：ポリエチレングリコール＝７５：２５となるように、ＰＥＳとポリエチレングリコールとを水に分散させて水分散液を調製した点、ポリエチレングリコールとして上記の「ＰＥＧ６００」を用いた点以外は、実施例１と同様にして保護層形成用組成物を得た。
さらに、実施例１と同様にして、厚さ３０μｍの保護層を有する保護シート、及び、厚さ３００μｍの保護層を有する保護シートをそれぞれ得た。
すなわち、ＰＥＴはく離ライナー、厚さ３０μｍの保護層、及び、ＰＥＴはく離ライナーがこの順に積層された保護シートと、ＰＥＴはく離ライナー、厚さ３００μｍの保護層、及び、ＰＥＴはく離ライナーがこの順に積層された保護シートとをそれぞれ製造した。
さらに、厚さ３００μｍの保護層を用いて、６０℃における保護層の粘度ηを測定した。粘度ηは、上記の実施形態の項で説明した方法に準じて測定した。結果を表２に示す。
質量比率がＰＥＳ：ポリエチレングリコール＝７５：２５となるように、ＰＥＳとポリエチレングリコールとを水に分散させて水分散液を調製した点、ポリエチレングリコールとして上記の「ＰＥＧ６００」を用いた点以外は、実施例１と同様にして保護層形成用組成物を得た。
さらに、実施例１と同様にして、厚さ３０μｍの保護層を有する保護シート、及び、厚さ３００μｍの保護層を有する保護シートをそれぞれ得た。
すなわち、ＰＥＴはく離ライナー、厚さ３０μｍの保護層、及び、ＰＥＴはく離ライナーがこの順に積層された保護シートと、ＰＥＴはく離ライナー、厚さ３００μｍの保護層、及び、ＰＥＴはく離ライナーがこの順に積層された保護シートとをそれぞれ製造した。
さらに、厚さ３００μｍの保護層を用いて、６０℃における保護層の粘度ηを測定した。粘度ηは、上記の実施形態の項で説明した方法に準じて測定した。結果を表２に示す。
（はく離ライナーのはく離性評価）
上記の各保護シートについて、温度２５℃の環境下にて、保護層からのＰＥＴはく離ライナーのはく離性を評価した。はく離性の評価基準は、以下の通りである。はく離性の評価結果を表１に示す。
優：はく離後のＰＥＴはく離ライナーの表面に、目視にて保護層の付着が全く認められない。
不可：はく離後のＰＥＴはく離ライナーの表面に、目視にて保護層の付着がわずかであっても認められる。
上記の各保護シートについて、温度２５℃の環境下にて、保護層からのＰＥＴはく離ライナーのはく離性を評価した。はく離性の評価基準は、以下の通りである。はく離性の評価結果を表１に示す。
優：はく離後のＰＥＴはく離ライナーの表面に、目視にて保護層の付着が全く認められない。
不可：はく離後のＰＥＴはく離ライナーの表面に、目視にて保護層の付着がわずかであっても認められる。
（埋め込み性の評価１）
上記の各保護シートについて、一方の面に複数個のバンプ電極を備える半導体チップ（以下、バンプ電極付半導体チップという）に対する埋め込み性を評価した（埋め込み性の評価１）。
以下のようにして、半導体ウエハ（以下、バンプ電極付半導体ウエハとも称する）を分割して複数のバンプ電極付半導体チップを得た。詳しくは、分割前のバンプ電極付半導体ウエハは、上面視における直径（バンプ径）が４５μｍである複数のバンプ電極を隣り合うバンプ電極どうしの間隔（バンプピッチ）が１５０μｍとなるように配した領域（３ｍｍ×３ｍｍの領域）を一方の面に複数有していた。このバンプ電極付半導体ウエハから、前記複数の領域のうちの一の領域を含むように、しかも５ｍｍ×５ｍｍの平面寸法となるように各バンプ電極付半導体チップを切り出した。
埋め込み性の評価１では、ＰＥＴはく離ライナーをはく離させた後の保護層を用いた。また、各バンプ電極は、半導体ウエハが備える半導体ウエハ本体の一方の面から先端までの高さが４０μｍとなるように設けた。
上記の各保護シートについて、一方の面に複数個のバンプ電極を備える半導体チップ（以下、バンプ電極付半導体チップという）に対する埋め込み性を評価した（埋め込み性の評価１）。
以下のようにして、半導体ウエハ（以下、バンプ電極付半導体ウエハとも称する）を分割して複数のバンプ電極付半導体チップを得た。詳しくは、分割前のバンプ電極付半導体ウエハは、上面視における直径（バンプ径）が４５μｍである複数のバンプ電極を隣り合うバンプ電極どうしの間隔（バンプピッチ）が１５０μｍとなるように配した領域（３ｍｍ×３ｍｍの領域）を一方の面に複数有していた。このバンプ電極付半導体ウエハから、前記複数の領域のうちの一の領域を含むように、しかも５ｍｍ×５ｍｍの平面寸法となるように各バンプ電極付半導体チップを切り出した。
埋め込み性の評価１では、ＰＥＴはく離ライナーをはく離させた後の保護層を用いた。また、各バンプ電極は、半導体ウエハが備える半導体ウエハ本体の一方の面から先端までの高さが４０μｍとなるように設けた。
埋め込み性の評価１のために、圧力（ラミネート圧）０．４ＭＰａ、ローラ温度６０℃の条件で、上記の各保護シートの保護層を半導体ウエハ本体の一方の面に被着させた。
埋め込み性の評価１は、デジタルマイクロスコープによる観察によって、以下の基準に従って行った。埋め込み性の評価１の評価結果を表１に示す。
優：光学的干渉が確認されない。すなわち、保護層の内部に各バンプ電極の全体が十分に埋め込まれている。
良：各バンプ電極の外周部分にやや光学的干渉が確認される。すなわち、保護層の内部に各バンプ電極の頂部近傍は十分に埋め込まれているが、各バンプ電極の外周部分は十分に埋め込まれていない。
不可：各バンプ電極の外周部分に明らかな空隙が認められる。すなわち、保護層の内部に各バンプ電極の頂部近傍すら十分に埋め込まれていない。
埋め込み性の評価１は、デジタルマイクロスコープによる観察によって、以下の基準に従って行った。埋め込み性の評価１の評価結果を表１に示す。
優：光学的干渉が確認されない。すなわち、保護層の内部に各バンプ電極の全体が十分に埋め込まれている。
良：各バンプ電極の外周部分にやや光学的干渉が確認される。すなわち、保護層の内部に各バンプ電極の頂部近傍は十分に埋め込まれているが、各バンプ電極の外周部分は十分に埋め込まれていない。
不可：各バンプ電極の外周部分に明らかな空隙が認められる。すなわち、保護層の内部に各バンプ電極の頂部近傍すら十分に埋め込まれていない。
（埋め込み性の評価２）
平面寸法及び厚さが互いに異なる２枚のベアウエハを厚さ方向に積層させて段差を有する試験体を作製した。その後、上記の各保護シートについて、前記段差を有する試験体に対する埋め込み性を評価した（埋め込み性の評価２）。
段差を有する試験体は、外径１０ｍｍ、厚さ７００μｍを有する第１ベアウエハと、外径５ｍｍ、厚さ３００μｍを有する第２ベアウエハとを、厚さ１０μｍのダイボンドフィルムを介在させて積層させることにより作製した。すなわち、段差を有する試験体は、高さ３１０μｍの段差を有していた。埋め込みの評価２でも、ＰＥＴはく離ライナーをはく離させた後の保護層を用いた。
平面寸法及び厚さが互いに異なる２枚のベアウエハを厚さ方向に積層させて段差を有する試験体を作製した。その後、上記の各保護シートについて、前記段差を有する試験体に対する埋め込み性を評価した（埋め込み性の評価２）。
段差を有する試験体は、外径１０ｍｍ、厚さ７００μｍを有する第１ベアウエハと、外径５ｍｍ、厚さ３００μｍを有する第２ベアウエハとを、厚さ１０μｍのダイボンドフィルムを介在させて積層させることにより作製した。すなわち、段差を有する試験体は、高さ３１０μｍの段差を有していた。埋め込みの評価２でも、ＰＥＴはく離ライナーをはく離させた後の保護層を用いた。
埋め込み性の評価２のために、圧力（ラミネート圧）０．４ＭＰａ、ローラ温度６０℃の条件で、上記の各保護シートの保護層を、段差を有する試験体の一方の面（段差を有する面）に被着させた。
埋め込み性の評価２では、第２ベアウエハの周縁が第１ベアウエハの片面に接する角部と、該角部に対向する保護層との間の水平距離ＨＤを、デジタルマイクロスコープを用いて測定した。以下の評価基準に従って評価を実施した。埋め込み性の評価２の評価結果を表１に示す。
優：水平距離ＨＤが１．０ｍｍ以下である。
良：水平距離ＨＤが１．０ｍｍを超えて２．０ｍｍ以下である。
不可：水平距離ＨＤが２．０ｍｍを超えているか、又は、保護層が破損している。
埋め込み性の評価２では、第２ベアウエハの周縁が第１ベアウエハの片面に接する角部と、該角部に対向する保護層との間の水平距離ＨＤを、デジタルマイクロスコープを用いて測定した。以下の評価基準に従って評価を実施した。埋め込み性の評価２の評価結果を表１に示す。
優：水平距離ＨＤが１．０ｍｍ以下である。
良：水平距離ＨＤが１．０ｍｍを超えて２．０ｍｍ以下である。
不可：水平距離ＨＤが２．０ｍｍを超えているか、又は、保護層が破損している。
表１及び表２から把握されるように、実施例の各保護シートでは、埋め込み性の評価１の結果が、「優」又は「良」であった。また、埋め込み性の評価２の結果が、「優」又は「良」であった。
これに対し、比較例に係る保護シートでは、埋め込み性の評価１の結果、及び、評価２の結果がいずれも「不可」であった。
上記の結果から把握されるように、本実施形態に係る保護シートを用いることで、半導体ウエハの一方の面に設けられた電極部を保護層の内部に十分に埋設させることができる。
従って、本実施形態に係る保護シートを用いて半導体ウエハに対してバックグラインド加工するときに、半導体ウエハが備える半導体ウエハ本体に厚さのばらつきが生じることを抑制できると考えられる。
なお、上記の「はく離ライナーのはく離性の評価」を実施した評価結果は、いずれも「優」であった。
また、被着体であるシリコンウエハ（保護対象面）における縁と、保護層の縁とが重なるように保護対象面に保護層を貼り合わせ、保護層が縁からはみ出すか否かを観察した。その結果、実施例８乃至１０の各保護層でははみ出しが観察されたが、その他の保護層でははみ出しが観察されなかった。
これに対し、比較例に係る保護シートでは、埋め込み性の評価１の結果、及び、評価２の結果がいずれも「不可」であった。
上記の結果から把握されるように、本実施形態に係る保護シートを用いることで、半導体ウエハの一方の面に設けられた電極部を保護層の内部に十分に埋設させることができる。
従って、本実施形態に係る保護シートを用いて半導体ウエハに対してバックグラインド加工するときに、半導体ウエハが備える半導体ウエハ本体に厚さのばらつきが生じることを抑制できると考えられる。
なお、上記の「はく離ライナーのはく離性の評価」を実施した評価結果は、いずれも「優」であった。
また、被着体であるシリコンウエハ（保護対象面）における縁と、保護層の縁とが重なるように保護対象面に保護層を貼り合わせ、保護層が縁からはみ出すか否かを観察した。その結果、実施例８乃至１０の各保護層でははみ出しが観察されたが、その他の保護層でははみ出しが観察されなかった。
（参考例）
質量比率がＰＶＡ：ＥＯ／ＰＯ二元共重合体＝５：９５となるように、ＰＶＡとＥＯ／ＰＯ二元共重合体とを水に分散させて水分散液を調製した。ＰＶＡとして上記の「ＰＶＡ－１」を使用し、ＥＯ／ＰＯ二元共重合体として上記の「ＥＯ／ＰＯ共重合体－１」を使用した。その後、実施例１と同様にして、保護層形成用組成物を得た。
次に、実施例１と同様にして、ＰＥＴはく離ライナー上に厚さ３０μｍの保護層を形成した。すなわち、ＰＥＴはく離ライナー、厚さ３０μｍの保護層、及び、ＰＥＴはく離ライナーがこの順で積層された保護シートを得た。
別途、実施例１と同様にして、ＰＥＴはく離ライナー上に厚さ３００μｍの保護層を形成した。すなわち、ＰＥＴはく離ライナー、厚さ３００μｍの保護層、及び、ＰＥＴはく離ライナーがこの順で積層された保護シートをさらに得た。
質量比率がＰＶＡ：ＥＯ／ＰＯ二元共重合体＝５：９５となるように、ＰＶＡとＥＯ／ＰＯ二元共重合体とを水に分散させて水分散液を調製した。ＰＶＡとして上記の「ＰＶＡ－１」を使用し、ＥＯ／ＰＯ二元共重合体として上記の「ＥＯ／ＰＯ共重合体－１」を使用した。その後、実施例１と同様にして、保護層形成用組成物を得た。
次に、実施例１と同様にして、ＰＥＴはく離ライナー上に厚さ３０μｍの保護層を形成した。すなわち、ＰＥＴはく離ライナー、厚さ３０μｍの保護層、及び、ＰＥＴはく離ライナーがこの順で積層された保護シートを得た。
別途、実施例１と同様にして、ＰＥＴはく離ライナー上に厚さ３００μｍの保護層を形成した。すなわち、ＰＥＴはく離ライナー、厚さ３００μｍの保護層、及び、ＰＥＴはく離ライナーがこの順で積層された保護シートをさらに得た。
参考例の保護シート（保護層の厚さが３０μｍ）について、上記の方法と同様の方法によって、埋め込み性の評価１を実施した。結果を表３に示す。
また、参考例の保護シート（保護層の厚さが３００μｍ）について、上記の方法と同様の方法によって、埋め込み性の評価２を実施した。結果を表３に示す。
また、参考例の保護シート（保護層の厚さが３００μｍ）について、上記の方法と同様の方法によって、埋め込み性の評価２を実施した。結果を表３に示す。
表３から把握されるように、参考例に係る保護シートでは、埋め込み性評価１及び埋め込み性評価２の結果がいずれも「優」であった。
本発明の保護シートは、例えば、半導体装置などの電子部品装置を製造するときの補助用具として、好適に使用される。本発明の電子部品装置の製造方法は、例えば、半導体装置などの電子部品装置を製造するときに、好適に使用される。
１０：保護シート、
１０ａ：保護層、 １０ｂ：基材層、 １０ｃ：粘着剤層、 １０ｄ：第１はく離ライナー、 １０ｅ：第２はく離ライナー、
２０：半導体ウエハ、
２０ａ：半導体ウエハ本体、 ２０ｂ：電極部、 ２０ｂ１：バンプ電極、
２０’：半導体チップ、
１００：ウエハレベルパッケージ、 １１０：回路基板、 １２０：半導体パッケージ、
１２０ａ：ガラス片、
２００：イメージセンサパッケージ、 ２１０：センサチップ本体、 ２２０：接着層、 ２３０：ガラス片、
２００’：イメージセンサパッケージ用積層体、 ２１０’：センサウエハ本体、 ２２０’：接着層、 ２３０’：ガラス板、
３００：バックグラインド装置、 ３１０：吸着プレート、 ３２０：研磨ヘッド、
３２０ａ：研磨ヘッド本体、 ３２０ｂ：砥粒、
４００：ブレードダイシング装置、
ＤＢ：ダイシングブレード、 ＳＰ：液体噴霧部、 ＳＴ：ステージ。
１０ａ：保護層、 １０ｂ：基材層、 １０ｃ：粘着剤層、 １０ｄ：第１はく離ライナー、 １０ｅ：第２はく離ライナー、
２０：半導体ウエハ、
２０ａ：半導体ウエハ本体、 ２０ｂ：電極部、 ２０ｂ１：バンプ電極、
２０’：半導体チップ、
１００：ウエハレベルパッケージ、 １１０：回路基板、 １２０：半導体パッケージ、
１２０ａ：ガラス片、
２００：イメージセンサパッケージ、 ２１０：センサチップ本体、 ２２０：接着層、 ２３０：ガラス片、
２００’：イメージセンサパッケージ用積層体、 ２１０’：センサウエハ本体、 ２２０’：接着層、 ２３０’：ガラス板、
３００：バックグラインド装置、 ３１０：吸着プレート、 ３２０：研磨ヘッド、
３２０ａ：研磨ヘッド本体、 ３２０ｂ：砥粒、
４００：ブレードダイシング装置、
ＤＢ：ダイシングブレード、 ＳＰ：液体噴霧部、 ＳＴ：ステージ。
Claims (2)
- 電子部品の保護対象面、又は、前記電子部品の複数が連結された電子部品連結体の保護対象面に被着されて用いられる保護層を備え、
前記保護層の粘度ηが、６０℃において２，０００Ｐａ・ｓ以上４５万Ｐａ・ｓ以下であり、
前記保護層が、水溶性高分子化合物として、第１水溶性高分子化合物と、該第１水溶性高分子化合物よりも質量平均分子量が大きい第２水溶性高分子化合物とを含み、
ゲルパーミエーションクロマトグラフィ測定に基づく質量分子量分布のピーク解析において、前記第１水溶性高分子化合物の質量平均分子量のピークトップが１０００以上２万以下の範囲内に存在し、前記第２水溶性高分子化合物の質量平均分子量のピークトップが１０万以上１００万以下の範囲内に存在し、
前記保護層が、前記第１水溶性高分子化合物としてポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、および、水溶性ポリエステルからなる群から選ばれる少なくとも１種と、前記第２水溶性高分子化合物としてのエチレンオキシドに由来する構成単位を有する重合体とを含む、保護シート。 - 前記保護層の一方の面と対向するように配された基材層と、
前記保護層と前記基材層との間に配された粘着剤層と、を備え、
前記粘着剤層の両面が、前記保護層及び前記基材層にそれぞれ剥離可能に粘着している、請求項１に記載の保護シート。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2023099188 | 2023-06-16 | ||
| JP2023099188 | 2023-06-16 | ||
| JP2023214696 | 2023-12-20 | ||
| JP2023214696 | 2023-12-20 | ||
| PCT/JP2024/021638 WO2024257849A1 (ja) | 2023-06-16 | 2024-06-14 | 保護シート |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2024257849A1 JPWO2024257849A1 (ja) | 2024-12-19 |
| JPWO2024257849A5 JPWO2024257849A5 (ja) | 2025-10-23 |
| JP7808237B2 true JP7808237B2 (ja) | 2026-01-28 |
Family
ID=93852215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2025528005A Active JP7808237B2 (ja) | 2023-06-16 | 2024-06-14 | 保護シート |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7808237B2 (ja) |
| KR (1) | KR20260025291A (ja) |
| CN (1) | CN121311561A (ja) |
| WO (1) | WO2024257849A1 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004253612A (ja) | 2003-02-20 | 2004-09-09 | Nitto Denko Corp | 半導体ウエハの仮固定方法及び電子部品、回路基板 |
| WO2019176554A1 (ja) | 2018-03-14 | 2019-09-19 | デクセリアルズ株式会社 | アンダーフィル材、及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08253757A (ja) * | 1995-03-17 | 1996-10-01 | Sekisui Chem Co Ltd | 水溶性粘着剤組成物及びマスキング用水溶性粘着テープ |
| EP3788954B1 (en) * | 2019-09-06 | 2022-04-13 | SmartMedics Sp. z o.o. | Layer structure with local reservoir |
-
2024
- 2024-06-14 JP JP2025528005A patent/JP7808237B2/ja active Active
- 2024-06-14 WO PCT/JP2024/021638 patent/WO2024257849A1/ja not_active Ceased
- 2024-06-14 CN CN202480037764.XA patent/CN121311561A/zh active Pending
- 2024-06-14 KR KR1020257031447A patent/KR20260025291A/ko active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004253612A (ja) | 2003-02-20 | 2004-09-09 | Nitto Denko Corp | 半導体ウエハの仮固定方法及び電子部品、回路基板 |
| WO2019176554A1 (ja) | 2018-03-14 | 2019-09-19 | デクセリアルズ株式会社 | アンダーフィル材、及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20260025291A (ko) | 2026-02-24 |
| TW202517745A (zh) | 2025-05-01 |
| WO2024257849A1 (ja) | 2024-12-19 |
| JPWO2024257849A1 (ja) | 2024-12-19 |
| CN121311561A (zh) | 2026-01-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102042598B1 (ko) | 표면 보호 시트 | |
| US10699933B2 (en) | Wafer-fixing tape, method of processing a semiconductor wafer, and semiconductor chip | |
| KR101849785B1 (ko) | 방사선 경화형 점착제 조성물 및 점착 시트 | |
| TWI477393B (zh) | Adhesive tape for processing semiconductor components | |
| US7201969B2 (en) | Pressure-sensitive adhesive film for the surface protection of semiconductor wafers and method for protection of semiconductor wafers with the film | |
| WO2009110426A1 (ja) | 粘着シート | |
| JP4674836B2 (ja) | ダイシング用粘着シート | |
| TWI686852B (zh) | 遮罩一體型表面保護帶 | |
| KR20150113829A (ko) | 다이 본드 필름, 다이싱·다이 본드 필름 및 적층 필름 | |
| TW201942969A (zh) | 半導體晶片之製造方法、表面保護膠帶 | |
| TWI814821B (zh) | 切晶黏晶膜及半導體裝置製造方法 | |
| US11056388B2 (en) | Mask-integrated surface protective tape | |
| US20070126129A1 (en) | Die bonding adhesive tape | |
| KR101766174B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프 및 반도체 웨이퍼의 가공 방법 | |
| JP2023043724A (ja) | 半導体加工用テープ、及び半導体チップの製造方法 | |
| EP2757576B1 (en) | Dicing sheet substrate film and dicing sheet | |
| JP7807971B2 (ja) | 電子部品装置の製造方法 | |
| JP7630397B2 (ja) | 半導体加工用テープ、及び半導体チップの製造方法 | |
| WO2023058481A1 (ja) | 電子部品装置の製造方法 | |
| WO2024257849A1 (ja) | 保護シート | |
| JP7731412B2 (ja) | 保護シート、及び、電子部品装置の製造方法 | |
| JP7802816B2 (ja) | 保護シート、電子部品の製造方法、及び、表示装置の表示面を構成するガラス片の製造方法 | |
| JP7814476B2 (ja) | 保護シート | |
| JP2024135137A (ja) | 保護シート、及び、電子部品装置の製造方法 | |
| JP2025068533A (ja) | ダイボンドフィルム及びダイシングダイボンドフィルム |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20250820 |
|
| A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20250905 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20251001 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20251024 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20251210 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20260106 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20260116 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7808237 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |