JP7728865B2 - クリーニング方法およびプラズマ処理方法 - Google Patents

クリーニング方法およびプラズマ処理方法

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Description

本開示の例示的実施形態は、クリーニング方法およびプラズマ処理方法に関する。
基板処理装置のチャンバ内に設けられ基板を載置する静電チャックの外周部に付着した堆積物を除去する技術として、特許文献１に記載されたクリーニング方法がある。
特開２０１１－０５４８２５号公報
本開示は、プラズマ処理装置における載置台をクリーニングする技術を提供する。
本開示の一つの例示的実施形態よれば、プラズマ処理装置におけるクリーニング方法が提供される。前記プラズマ処理装置は、チャンバと、前記チャンバ内に設けられており、基板が載置される載置領域を有する載置台と、前記載置領域に対向して設けられた電極とを備え、前記クリーニング方法は、第１のクリーニング工程及び第２のクリーニング工程を含み、前記第１のクリーニング工程は、第１の処理ガスを前記チャンバ内に供給する工程と、前記載置領域と前記電極とで規定される空間において、前記第１の処理ガスから第１のプラズマを生成して前記載置台における前記載置領域を含む領域をクリーニングする工程とを含み、前記第２のクリーニング工程は、前記載置領域から所定の距離にある所定の位置において、前記載置領域に対向するように前記ダミー基板を保持する工程と、第２の処理ガスを前記チャンバ内に供給する工程と、前記所定の位置に保持された前記ダミー基板と前記電極とで規定される空間において、前記第２の処理ガスから第２のプラズマを生成して、前記載置台における前記載置領域の周囲を含む領域をクリーニングする工程とを含む。
本開示の一つの例示的実施形態よれば、プラズマ処理装置におけるクリーニング方法が提供される。前記プラズマ処理装置は、チャンバと、前記チャンバ内に設けられており、基板が載置される載置領域を有する載置台と、前記載置領域に対向して設けられた電極とを備え、前記クリーニング方法は、前記チャンバ内にダミー基板を搬入する工程と、前記載置領域から所定の距離にある位置において、前記載置領域に対向するように前記ダミー基板を保持する工程と、処理ガスを前記チャンバ内に供給する工程と、前記所定の位置に保持された前記ダミー基板と前記電極とで規定される空間において、前記処理ガスからプラズマを生成して前記載置台における前記載置領域を含む領域をクリーニングする工程とを含む。
本開示の一つの例示的実施形態によれば、プラズマ処理装置におけるプラズマ処理方法が提供される。前記プラズマ処理装置は、チャンバと、前記チャンバ内に設けられており、基板が載置される載置領域を有する載置台と、前記載置領域に対向して設けられた電極とを備え、前記処理方法は、エッチング工程及びクリーニング工程を含み、前記エッチング工程は、被エッチング層及び前記被エッチング層上に形成された、所定のパターンを有するマスク層を有するパターン基板を準備する工程と、前記載置台の前記載置領域に前記パターン基板を載置する工程と、エッチングガスを前記チャンバ内に供給する工程と、前記載置台又は前記電極に高周波電力を供給して、前記パターン基板と前記電極とで規定される空間において、前記エッチングガスからプラズマを生成して前記パターン基板をエッチングする工程と、前記パターン基板を前記チャンバから搬出する工程とを含み、前記クリーニング工程は、前記パターン基板と異なるダミー基板を前記チャンバに搬入する工程と、前記載置領域から所定の距離にある位置において、前記載置領域に対向するように前記ダミー基板を保持する工程と、処理ガスを前記チャンバ内に供給する工程と、前記所定の位置に保持された前記ダミー基板と前記電極とで規定される空間において、前記処理ガスからプラズマを生成して、前記載置台における前記載置領域の周囲を含む領域をクリーニングする工程とを含む。
本開示の一つの例示的実施形態によれば、プラズマ処理装置における載置台をクリーニングする技術を提供することができる。
一実施形態に係るプラズマ処理装置１０の構成を示す概略断面図である。 １つの例示的実施形態に係る基板処理システムＰＳを概略的に示す図である。 一実施形態に係るプラズマ処理方法を示すフローチャートである。 工程ＳＴ１においてエッチングされるパターン基板ＰＷの一例を示す断面図である。 工程ＳＴ２における、チャンバ１の内部を模式的に示した図である。 工程ＳＴ５における、チャンバ１の内部を模式的に示した図である。 工程ＳＴ６における、チャンバ１の内部を模式的に示した図である。 各実施例において、ダミー基板ＤＷの面内位置とフォトレジスト層のエッチングレートとの関係をプロットしたグラフである。
以下、本開示の各実施形態について説明する。
一つの例示的実施形態において、クリーニング方法が提供される。
クリーニング方法は、プラズマ処理装置におけるクリーニング方法であって、プラズマ処理装置は、チャンバと、チャンバ内に設けられており、基板が載置される載置領域を有する載置台と、載置領域に対向して設けられた電極とを備え、クリーニング方法は、第１のクリーニング工程及び第２のクリーニング工程を含み、第１のクリーニング工程は、第１の処理ガスをチャンバ内に供給する工程と、載置領域と電極とで規定される空間において、第１の処理ガスから第１のプラズマを生成して載置台における載置領域を含む領域をクリーニングする工程とを含み、第２のクリーニング工程は、載置領域から所定の距離にある所定の位置において、載置領域に対向するようにダミー基板を保持する工程と、第２の処理ガスをチャンバ内に供給する工程と、所定の位置に保持されたダミー基板と電極とで規定される空間において、第２の処理ガスから第２のプラズマを生成して、載置台における載置領域の周囲を含む領域をクリーニングする工程とを含む。
一つの例示的実施形態において、第１の処理ガスは、酸素含有ガスを含む。
一つの例示的実施形態において、酸素含有ガスは、Ｏ２ガスである。
一つの例示的実施形態において、第２の処理ガスは、フッ素含有ガスを含む。
一つの例示的実施形態において、フッ素含有ガスは、ＮＦ３ガスを含む。
一つの例示的実施形態において、フッ素含有ガスは、ＣｘＦｙ（ｘ及びｙは正の整数）ガスを含む。
一つの例示的実施形態において、第２の処理ガスは、Ｏ２ガスを含む。
一つの例示的実施形態において、第１のクリーニング工程と第２のクリーニング工程との間に実行される改質工程をさらに含み、改質工程は、チャンバ内に第３の処理ガスを供給する工程と、載置領域と電極とで規定される空間において、第３の処理ガスから第３のプラズマを生成して、載置台における載置領域を含む領域を改質する工程とを含む。
一つの例示的実施形態において、第３の処理ガスは、窒素ガスであり、載置台における載置領域を含む領域は、窒素ガスから生成された第３のプラズマによって窒化される。
一つの例示的実施形態において、ダミー基板をクリーニングするダミー基板処理工程をさらに含み、ダミー基板処理工程は、チャンバ内にダミー基板を搬入する工程と、ダミー基板を載置領域に載置する工程と、載置領域に載置されたダミー基板と電極とで規定される空間において、第４の処理ガスから第４のプラズマを生成して、少なくともダミー基板をクリーニングする工程とを含み、第２のクリーニング工程は、ダミー基板処理工程の後に実行される。
一つの例示的実施形態において、第３の処理ガスは、フッ素含有ガスを含む。
一つの例示的実施形態において、フッ素含有ガスは、ＮＦ３ガスを含む。
一つの例示的実施形態において、フッ素含有ガスは、ＣｘＦｙ（ｘ及びｙは正の整数）ガスを含む。
一つの例示的実施形態において、第３の処理ガスは、Ｏ２ガスを含む。
一つの例示的実施形態においてダミー基板処理工程は、載置台又は電極に、第１の周波数を有する高周波及び第２の周波数を有する高周波を供給して第４のプラズマを生成する工程を含む。
一つの例示的実施形態において、ダミー基板を保持する工程は、載置領域に載置されたダミー基板を所定の位置に移動する工程を含む。
一つの例示的実施形態において、ダミー基板を搬入する工程において、ダミー基板は基板ストレージからチャンバ内に搬入され、ダミー基板を保持する工程において、基板ストレージからチャンバ内に搬入されたダミー基板が所定の位置に保持され、第２のクリーニング工程は、載置台における載置領域の周囲を含む領域をクリーニングする工程の後に、ダミー基板をチャンバ内から基板ストレージに搬出する工程をさらに含む。
一つの例示的実施形態において、所定の距離は、所定の位置に保持されたダミー基板と載置領域とで規定される空間においてプラズマが生成されない距離である。
一つの例示的実施形態において、所定の距離は、載置領域から０．０１ｍｍ以上１ｍｍ以下である。
一つの例示的実施形態において、第２のクリーニング工程において、第２のプラズマが生成される時間は、１０秒以上１００秒以下である。
一つの例示的実施形態において、電極は複数のガス通流孔を有し、第２の処理ガスをチャンバ内に供給する工程において、第２の処理ガスは、ガス通流孔からチャンバ内に供給される。
一つの例示的実施形態において、第２のプラズマは、０．１Ｗ／ｃｍ２以上１０Ｗ／ｃｍ２以下のエネルギー密度を有する。
一つの例示的実施形態において、第２のプラズマは、第１のプラズマよりもエネルギー密度が高い。
一つの例示的実施形態において、第１のクリーニング工程は、載置台又は電極に第１の電力を有する高周波を供給して第１のプラズマを生成する工程を含み、第２のクリーニング工程は、載置台又は電極に第１の電力よりも高い第２の電力を有する高周波を供給して第２のプラズマを生成する工程を含む。
一つの例示的実施形態において、第２の電力は、５０Ｗ以上１０，０００Ｗ以下である。
一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置におけるクリーニング方法であって、プラズマ処理装置は、チャンバと、チャンバ内に設けられており、基板が載置される載置領域を有する載置台と、載置領域に対向して設けられた電極とを備え、クリーニング方法は、チャンバ内にダミー基板を搬入する工程と、載置領域から所定の距離にある位置において、載置領域に対向するようにダミー基板を保持する工程と、処理ガスをチャンバ内に供給する工程と、所定の位置に保持されたダミー基板と電極とで規定される空間において、処理ガスからプラズマを生成して載置台における載置領域を含む領域をクリーニングする工程とを含む。
一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置におけるプラズマ処理方法であって、プラズマ処理装置は、チャンバと、チャンバ内に設けられており、基板が載置される載置領域を有する載置台と、載置領域に対向して設けられた電極とを備え、処理方法は、エッチング工程及びクリーニング工程を含み、エッチング工程は、被エッチング層及び被エッチング層上に形成された、所定のパターンを有するマスク層を有するパターン基板を準備する工程と、載置台の載置領域にパターン基板を載置する工程と、エッチングガスをチャンバ内に供給する工程と、載置台又は電極に高周波電力を供給して、パターン基板と電極とで規定される空間において、エッチングガスからプラズマを生成してパターン基板をエッチングする工程と、パターン基板をチャンバから搬出する工程とを含み、クリーニング工程は、パターン基板と異なるダミー基板をチャンバに搬入する工程と、載置領域から所定の距離にある位置において、載置領域に対向するようにダミー基板を保持する工程と、処理ガスをチャンバ内に供給する工程と、所定の位置に保持されたダミー基板と電極とで規定される空間において、処理ガスからプラズマを生成して、載置台における載置領域の周囲を含む領域をクリーニングする工程とを含む。
以下、図面を参照して、本開示の各実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一または同様の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づいて上下左右等の位置関係を説明する。図面の寸法比率は実際の比率を示すものではなく、また、実際の比率は図示の比率に限られるものではない。
＜プラズマ処理装置の構成＞
図１は、一実施形態に係るプラズマ処理装置１０の構成を示す概略断面図である。プラズマ処理装置１０は、気密に構成され、電気的に接地電位とされたチャンバ１を有している。チャンバ１は、プラズマが生成される処理空間を規定する。チャンバ１内には、基板Ｗを支持する載置台２が設けられている。載置台２は、基材（ベース）２ａ及び静電チャック（ＥＳＣ:Electrostatic chuck）６を含んで構成されている。基材２ａは、導電性の金属、例えばアルミニウム等で構成されており、下部電極としての機能を有する。静電チャック６は、基板Ｗを静電吸着するための機能を有する。静電チャック６は、基材２ａの上面に配置される。載置台２は、支持台４に支持されている。支持台４は、例えば石英等からなる支持部材３に支持されている。
載置台２の上方の外周には、例えば単結晶シリコンで形成されたフォーカスリング５が設けられている。具体的には、フォーカスリング５は、環状の形状を有しており、載置台２における基板Ｗの載置面（静電チャック６の上面）の外周を囲むように基材２ａの上面に配置される。さらに、チャンバ１内には、載置台２及び支持台４の周囲を囲むように、例えば石英等からなる円筒状の内壁部材３ａが設けられている。
基材２ａには、第１の整合器１１ａを介して第１のＲＦ電源１０ａが接続される。また、第２の整合器１１ｂを介して第２のＲＦ電源１０ｂが接続されている。第１のＲＦ電源１０ａは、プラズマ発生用の電源である。この第１のＲＦ電源１０ａは、所定の周波数の高周波電力を載置台２の基材２ａに供給するように構成されている。また、第２のＲＦ電源１０ｂは、イオン引き込み用（バイアス用）の電源である。この第２のＲＦ電源１０ｂは、第１のＲＦ電源１０ａが供給する高周波電力より低い所定周波数の高周波電力を載置台２の基材２ａに供給するように構成されている。このように、載置台２は電圧印加可能に構成されている。一方、載置台２の上方には、載置台２と平行に対向するように、シャワーヘッド１６が設けられている。シャワーヘッド１６は、上部電極としての機能を有する。シャワーヘッド１６と載置台２は、一対の電極（上部電極と下部電極）として機能する。
静電チャック６は、その上面が基板を載置する載置面６ｅとして構成されている。載置面６ｅは、平坦な円盤形状を有する。静電チャック６は、絶縁体６ｂと絶縁体６ｂの内部に設けられた電極６ａとを有して構成される。電極６ａには直流電源１２が接続されている。そして、電極６ａに直流電源１２から直流電圧が印加されることにより、クーロン力によって基板Ｗが載置面６ｅに吸着されるよう構成されている。
なお、本実施形態では、一例として、載置面６ｅ及び基板Ｗは円形状を有しており、載置面６ｅの径は、基板Ｗの径よりも小さい。
載置台２の内部には、温調媒体流路２ｄが設けられている。温調媒体流路２ｄには、入口配管２ｂ、出口配管２ｃが接続されている。そして、温調媒体流路２ｄの中に適宜の温調媒体、例えば冷却水等を循環させることによって、載置台２の温度が制御され得る。また、載置台２には、基板Ｗの裏面にヘリウムガス等の冷熱伝達用ガス（バックサイドガス）を供給するためのガス供給管３０が設けられている。ガス供給管３０は、図示しないガス供給源に接続されている。これらの構成によって、静電チャック６により載置面６ｅに吸着保持された基板Ｗが、所定の温度に制御され得る。
載置台２には、複数、例えば３つのピン用貫通孔２００が設けられている（図１には１つのみ示す。）。これらのピン用貫通孔２００の内部には、夫々リフター６１が設けられている。リフター６１は、アクチュエータ６２に接続されている。アクチュエータ６２は、リフター６１を上昇又は下降させて、リフター６１を載置面６ｅから突出させることができる。基板Ｗを載置面６ｅに載置した状態でリフター６１を上昇させると、リフター６１の先端が静電チャック６の載置面６ｅから突出し、静電チャック６の載置面６ｅから所定の距離において基板Ｗが保持された状態となる。一方、リフター６１を下降させると、リフター６１の先端がピン用貫通孔２００内に収容され、基板Ｗが静電チャック６の載置面６ｅに載置される。このように、アクチュエータ６２は、リフター６１により、静電チャック６の載置面６ｅに対する基板Ｗの位置（載置面６ｅに対して垂直方向における位置）を制御することができる。
シャワーヘッド１６は、チャンバ１設けられている。シャワーヘッド１６は、本体部１６ａと電極板として機能する上部天板１６ｂとを備える。シャワーヘッド１６は、絶縁性部材９５を介してチャンバ１の上部に支持される。本体部１６ａは、導電性材料、例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウムからなる。本体部１６ａは、その下部に上部天板１６ｂを着脱自在に支持できるように構成されている。ガス導入口１６ｇには、ガス供給配管１５ａの一端が接続されている。このガス供給配管１５ａの他端には、処理ガスを供給するガス供給源（ガス供給部）１５が接続される。ガス供給配管１５ａには、上流側から順にマスフローコントローラ（ＭＦＣ）１５ｂ、及び開閉弁Ｖ２が設けられている。ガス拡散室１６ｃには、ガス供給配管１５ａを介して、ガス供給源１５からプラズマエッチングのための処理ガスが供給される。チャンバ１内には、ガス拡散室１６ｃからガス通流孔１６ｄ及びガス導入孔１６ｅを介して、シャワー状に分散されて処理ガスが供給される。
シャワーヘッド１６には、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）７１を介して可変直流電源７２が電気的に接続されている。この可変直流電源７２は、オン・オフスイッチ７３により給電のオン・オフが可能に構成されている。可変直流電源７２の電流・電圧ならびにオン・オフスイッチ７３のオン・オフは、後述する制御部１００によって制御される。なお、後述のように、第１のＲＦ電源１０ａ、第２のＲＦ電源１０ｂから高周波が載置台２に印加されて処理空間にプラズマが発生する際には、必要に応じて制御部１００によりオン・オフスイッチ７３がオンされる。これにより、上部電極としてのシャワーヘッド１６に所定の直流電圧が印加される。
チャンバ１の側壁からシャワーヘッド１６の高さ位置よりも上方に延びるように円筒状の接地導体１ａが設けられている。この円筒状の接地導体１ａは、その上部に天壁を有している。
チャンバ１の底部には、排気口８１が設けられている。排気口８１には、排気管８２を介して第１排気装置８３が接続されている。第１排気装置８３は、真空ポンプを有しており、この真空ポンプを作動させることによりチャンバ１内を減圧して所定の圧力にすることができる。一方、チャンバ１内の側壁には、基板Ｗの搬入出口８４が設けられており、この搬入出口８４には、当該搬入出口８４を開閉するゲートバルブ８５が設けられている。
チャンバ１の側部内側には、内壁面に沿ってデポシールド８６が設けられている。デポシールド８６は、チャンバ１にエッチング副生成物（デポ）が付着することを防止する。このデポシールド８６の基板Ｗと略同じ高さ位置には、グランドに対する電位が制御可能に接続された導電性部材（ＧＮＤブロック）８９が設けられており、これにより異常放電が防止される。また、デポシールド８６の下端部に対向するように、デポシールド８７が内壁部材３ａの周囲に設けられている。デポシールド８６及び８７は、着脱自在である。
上記構成のプラズマ処理装置１０は、制御部１００によって、その動作が統括的に制御される。制御部１００には、ＣＰＵを備えプラズマ処理装置１０の各部を制御するプロセスコントローラ１０１と、ユーザインターフェース１０２と、記憶部１０３とが設けられている。
ユーザインターフェース１０２は、工程管理者がプラズマ処理装置１０を管理するためにコマンドの入力操作を行うキーボードや、プラズマ処理装置１０の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等から構成されている。
記憶部１０３には、プラズマ処理装置１０で実行される各種処理をプロセスコントローラ１０１の制御にて実現するための制御プログラム（ソフトウェア）や処理条件データ等が記憶されたレシピが格納されている。そして、必要に応じて、ユーザインターフェース１０２からの指示等にて任意のレシピを記憶部１０３から呼び出してプロセスコントローラ１０１に実行させることで、プロセスコントローラ１０１の制御下で、プラズマ処理装置１０での所望の処理が行われる。また、制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータで読取り可能なコンピュータ記憶媒体（例えば、ハードディスク、ＣＤ、フレキシブルディスク、半導体メモリ等）などに格納された状態のものを利用することも可能である。また、制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで使用することも可能である。
＜基板処理システムＰＳの構成＞
図２は、１つの例示的実施形態に係る基板処理システムＰＳを概略的に示す図である。基板処理システムＰＳは、基板処理室ＰＭ１～ＰＭ６（以下、総称して「基板処理モジュールＰＭ」ともいう。）と、搬送モジュールＴＭと、ロードロックモジュールＬＬＭ１及びＬＬＭ２（以下、総称して「ロードロックモジュールＬＬＭ」ともいう。）と、ローダーモジュールＬＭ、ロードポートＬＰ１からＬＰ３（以下、総称して「ロードポートＬＰ」ともいう。）とを有する。制御部ＣＴは、基板処理システムＰＳの各構成を制御して、基板Ｗに所定の処理を実行する。
基板処理モジュールＰＭは、その内部において、基板Ｗに対して、エッチング処理、トリミング処理、成膜処理、アニール処理、ドーピング処理、リソグラフィ処理、クリーニング処理、アッシング処理等の処理を実行する。基板処理モジュールＰＭの一部は、測定モジュールであってよく、基板Ｗ上に形成された層の厚さや、基板Ｗ上に形成されたパターンの寸法等を測定してもよい。図１に示すプラズマ処理装置１０は、基板処理モジュールＰＭの一例である。
搬送モジュールＴＭは、基板Ｗを搬送する搬送装置を有し、基板処理モジュールＰＭ間又は基板処理モジュールＰＭとロードロックモジュールＬＬＭとの間で、基板Ｗを搬送する。基板処理モジュールＰＭ及びロードロックモジュールＬＬＭは、搬送モジュールＴＭに隣接して配置されている。搬送モジュールＴＭと基板処理モジュールＰＭ及びロードロックモジュールＬＬＭは、開閉可能なゲートバルブによって空間的に隔離又は連結される。
ロードロックモジュールＬＬＭ１及びＬＬＭ２は、搬送モジュールＴＭとローダーモジュールＬＭとの間に設けられている。ロードロックモジュールＬＬＭは、その内部の圧力を、大気圧又は真空に切り替えることができる。ロードロックモジュールＬＬＭは、大気圧であるローダーモジュールＬＭから真空である搬送モジュールＴＭへ基板Ｗを搬送し、また、真空である搬送モジュールＴＭから大気圧であるローダーモジュールＬＭへ搬送する。
ローダーモジュールＬＭは、基板Ｗを搬送する搬送装置を有し、ロードロックモジュールＬＬＭとロードポートＬＰとの間で基板Ｗを搬送する。ロードポートＬＰ内の内部には、例えば２５枚の基板Ｗが収納可能なＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）または空のＦＯＵＰが載置できる。ローダーモジュールＬＭは、ロードポートＬＰ内のＦＯＵＰから基板Ｗを取り出して、ロードロックモジュールＬＬＭに搬送する。また、ローダーモジュールＬＭは、ロードロックモジュールＬＬＭから基板Ｗを取り出して、ロードポートＬＰ内のＦＯＵＰに搬送する。複数のロードポートＬＰのうち少なくとも１つは、ダミー基板を収納するＦＯＵＰを有してもよい。
制御部ＣＴは、基板処理システムＰＳの各構成を制御して、基板Ｗに所定の処理を実行する。制御部ＣＴは、プロセスの手順、プロセスの条件、搬送条件等が設定されたレシピを格納しており、当該レシピに従って、基板Ｗに所定の処理を実行するように、基板処理システムＰＳの各構成を制御する。制御部ＣＴは、図１に示すプラズマ処理装置１０の制御部１００の一部又は全部の機能を兼ねてもよい。
＜プラズマ処理＞
図３は、一実施形態に係るプラズマ処理方法を示すフローチャートである。図３の各工程に示す処理は、主に制御部１００の制御に従ってプラズマ処理装置１０が動作することにより実現される。図３に示すプラズマ処理方法は、パターン基板ＰＷをエッチングする工程（ＳＴ１）、載置台２をクリーニングする第１のクリーニング工程（ＳＴ２）、静電チャック６の載置面６ｅを改質する工程（ＳＴ３）、ダミー基板ＤＷを搬入する工程（ＳＴ４）、ダミー基板ＤＷをクリーニングする工程（ＳＴ５）及び載置台２をクリーニングする第２のクリーニング工程（ＳＴ６）を有する。
なお、本実施形態に係るプラズマ処理方法において、図３に示す全ての工程が必須ではない。すなわち、図３に示す工程の一部が省略されてよい。また、図３に示す工程を実行する順番を入れ替えてよい。以下、各図を参照しつつ、図３に示す各工程における処理の一例について説明する。
図４は、工程ＳＴ１においてエッチングされるパターン基板ＰＷの一例を示す断面図である。パターン基板ＰＷは、下地層ＵＦ、被エッチング膜ＥＦ及びマスク膜ＭＫが積層された構造を有する。下地膜ＵＦは、例えば、シリコンウェハやシリコンウェハ上（シリコンウェハの表面に形成される場合及びシリコンウェハ上に形成された他の膜の表面に形成される場合の双方を含む。）に形成された有機層、誘電体層、金属層、半導体層等でよい。下地層ＵＦは、複数の層が積層されて構成されてよい。被エッチング層ＥＦは、例えば、有機層や誘電体層である。有機層は、例えば、スピンオンカーボン層（ＳＯＣ）、フォトレジスト層、アモルファスカーボンである。誘電体層は、例えば、シリコン酸化層、シリコン窒化層、Ｓｉ-ＡＲＣ、ＳｉＯＮである。
マスク層ＭＫは、例えばフォトレジスト等、被エッチング層ＥＦのエッチングにおいてマスクとして機能する層である。マスク層ＭＫは、少なくとも１つの側壁を有するように形成される。当該側壁は、被エッチング層ＥＦ上において少なくとも１つの凹部ＯＰを規定する。凹部ＯＰは、被エッチング層ＥＦ上の空間であって、側壁に囲まれている。すなわち、図４において、被エッチング層ＥＦは、マスク層ＭＫによって覆われた領域と、凹部ＯＰの底部において露出した領域とを有する。
工程ＳＴ１において、まず、パターン基板ＰＷがプラズマ処理装置１０のチャンバ１内に搬送される。また、パターン基板ＰＷは、リフター６１によって、載置台２載置面６ｅに載置される。そして、チャンバ１内に所定の処理ガスが供給された後に、下部電極である載置台２に高周波電力が供給される。これにより、パターン基板ＰＷと上部電極として機能するシャワーヘッド１６との間の空間において、当該処理ガスから生成されたプラズマが生成される。そして、当該プラズマ中の活性種がパターン基板ＰＷに引き込まれることにより、被エッチング層ＥＦのうち、マスク層ＭＫの凹部ＯＰにおいて露出した部分がエッチングされる。パターン基板ＰＷのエッチングが終了すると、当該パターン基板ＰＷは、チャンバ１の外に搬出される。なお、被エッチング層ＥＦをエッチングする過程において、エッチングの副生成物が生成されてよい。当該副生成物は、例えば、静電チャック６における載置面６ｅの周囲に付着又は堆積する。
図５は、工程ＳＴ２における、チャンバ１の内部を模式的に示した図である。図５に示すように、工程ＳＴ２において、静電チャック６の少なくとも一部がクリーニングされる。
すなわち、まず、基板が載置台２に載置されていない状態（すなわち、載置面６ｅがシャワーヘッド１６に対して露出した状態）で、チャンバ１内に所定の処理ガスが供給される。このとき、チャンバ１内の圧力は、所定の圧力に減圧される。当該処理ガスは、パターン基板ＰＷをエッチングする工程（ＳＴ１）において生成された副生成物に応じて、適宜選択されてよい。例えば、当該副生成物がＣＦ系のポリマーである場合、当該処理ガスはＯ２ガスであってよい。また、当該処理ガスは、Ｏ２ガスに限らず、ＣＯガス、ＣＯ２ガス、Ｏ３ガス等の他の酸素含有ガスであってよい。また、副生成物として、ＣＦ系のポリマーに加えて、シリコンや金属が含まれている場合、当該処理ガスとして、酸素含有ガスに、例えばハロゲン含有ガスが添加されてよい。ハロゲン含有ガスは、例えば、ＣＦ４ガス、ＮＦ３ガス等のフッ素系のガスである。また、ハロゲン含有ガスは、Ｃｌ２ガス等の塩素系ガス、ＨＢｒガス等の臭素系ガスであってもよい。
次に、下部電極として機能する載置台２に高周波電力が供給される。制御部１００が、第１のＲＦ電源１０ａを制御して高周波電力を発生させることにより、高周波電力を載置台２の基材２ａに供給する。これにより、静電チャック６の載置面６ｅと上部電極として機能するシャワーヘッド１６とで規定される空間において、チャンバ１内に供給された処理ガスからプラズマが生成される。なお、第１のＲＦ電源１０ａが発生させる高周波電力の周波数は、例えば、１０ＭＨｚ以上１００ＭＨｚ以下であってもよく、４０ＭＨｚ以上１００ＭＨｚ以下であってもよい。また、当該高周波電力は、例えば、５０Ｗ以上１０，０００Ｗ以下であってよく、１００Ｗ以上７，０００Ｗ以下であってもよく、２００Ｗ以上２，０００Ｗ以下であってもよい。
載置面６ｅとシャワーヘッド１６とで規定される空間においてプラズマが生成されると、当該プラズマによって、静電チャック６の少なくとも一部がクリーニングされる。当該クリーニングは、例えば、パターン基板ＰＷをエッチングする工程（ＳＴ１）において、静電チャック６の肩部６ｃに付着又は堆積した副生成物を除去することであってよい。また、当該クリーニングは、当該副生成物の一部を除去するクリーニングであってよく、また、当該副生成物の全部を除去するクリーニングであってもよい。また、載置面６ｅとシャワーヘッド１６とで規定される空間において生成されたプラズマによって、チャンバ１の内壁に付着又は堆積した副生成物が除去されてもよい。
次に、工程ＳＴ３において、静電チャック６の載置面６ｅが改質される。工程ＳＴ３において、まず、載置台２に基板が載置されていない状態で、チャンバ１内に所定の処理ガスが供給される。このとき、チャンバ１内の圧力は、所定の圧力に減圧される。当該処理ガスは、例えば不活性ガスであってよい。本実施形態において、当該処理ガスは、Ｎ２ガスである。
下部電極として機能する載置台２に高周波電力が供給される。制御部１００が、第１のＲＦ電源１０ａを制御して高周波電力を発生させることにより、高周波電力を載置台２の基材２ａに供給する。これにより、静電チャック６の載置面６ｅと上部電極として機能するシャワーヘッド１６とで規定される空間において、チャンバ１内に供給された処理ガスからプラズマが生成される。なお、第１のＲＦ電源１０ａが発生させる高周波電力の周波数は、例えば、１０ＭＨｚ以上１００ＭＨｚ以下であってもよく、４０ＭＨｚ以上１００ＭＨｚ以下であってもよい。また、当該高周波電力は、例えば、５０Ｗ以上１０，０００Ｗ以下であってもよく、１００Ｗ以上７，０００Ｗ以下であってもよく、２００Ｗ以上２，０００Ｗ以下であってもよい。
載置面６ｅとシャワーヘッド１６とで規定される空間においてプラズマが生成されると、当該プラズマによって、静電チャック６の表面の少なくとも一部が改質される。本実施形態において、当該プラズマはＮ２ガスから生成されたプラズマであり、当該プラズマによって、静電チャック６の載置面６ｅが窒化される。これにより、載置面６ｅに付着したフッ素が除去される。
次に、工程ＳＴ４において、ダミー基板ＤＷがチャンバ１内に搬入される。ダミー基板ＤＷは、例えばシリコン基板等、その表面にパターンが形成された層を有しない基板である。ダミー基板ＤＷは、例えば、ロードポートＬＰ（図２参照）のＦＯＵＰ（ストレージの一例である）から搬出されて、チャンバ１内に搬入されてよい。また、ロードポートＬＰから搬出されるダミー基板ＤＷは、後述する工程ＳＴ６において用いられたダミー基板ＤＷであってよい。すなわち、工程ＳＴ４においてチャンバ１内に搬入されるダミー基板ＤＷは、前回のサイクルの工程ＳＴ６において用いられた後にロードポートＬＰに搬出されたダミー基板ＤＷであってよい。
図６は、工程ＳＴ５における、チャンバ１の内部を模式的に示した図である。図６に示すように、工程ＳＴ５において、ダミー基板ＤＷがクリーニングされる。工程ＳＴ５は、載置面６ｅにダミー基板ＤＷを載置する工程（ＳＴ５１）及びダミー基板ＤＷをクリーニングする工程（ＳＴ５２）を含む。
まず、工程４においてチャンバ１内に搬入されたダミー基板ＤＷが、工程ＳＴ５１において、載置面６ｅに載置される。具体的には、ダミー基板ＤＷは、リフター６１が載置面６ｅから突出した状態において、リフター６１の先端に載置される。そして、リフター６１が下降することにより、ダミー基板ＤＷが載置面６ｅに載置される。そして、静電チャック６の電極６ａに所定の電圧が印加されると、ダミー基板ＤＷが載置面６ｅに静電吸着される。
次に、工程ＳＴ５２において、ダミー基板ＤＷがクリーニングされる。まず、ダミー基板ＤＷが載置面６ｅに載置された状態で、チャンバ１内に所定の処理ガスが供給される。このとき、チャンバ１内の圧力は、所定の圧力に減圧される。当該所定の圧力は、工程ＳＴ２における圧力及び／又は工程ＳＴ３における圧力よりも低くてよい。当該処理ガスは、パターン基板ＰＷをエッチングする工程（ＳＴ１）において生成され、静電チャック６の肩部６ｃに付着又は堆積した副生成物に応じて、適宜選択されてよい。例えば、当該副生成物がＣＦ系のポリマーである場合、例えばＮＦ３やＣＦ４等のフッ素含有ガスであってよい。また、当該処理ガスは、Ｏ２ガスを含んでよい。また、当該処理ガスは、Ｏ２ガスに限らず、ＣＯガス、ＣＯ２ガス、Ｏ３ガス等の他の酸素含有ガスであってよい。また、副生成物として、ＣＦ系のポリマーに加えて、シリコンや金属が含まれている場合、当該処理ガスとして、例えばハロゲン含有ガスが添加されてよい。また、ハロゲン含有ガスは、Ｃｌ２ガス等の塩素系ガス、ＨＢｒガス等の臭素系ガスであってよい。また、当該処理ガスは、例えばＡｒガス等の不活性ガスをさらに含んでよい。
次に、下部電極である載置台２に高周波電力が供給される。制御部１００が、第１のＲＦ電源１０ａおよび第２のＲＦ電源１０ｂを制御して高周波電力を発生させることにより、第１の高周波電力および第２の高周波電力を載置台２の基材２ａに供給する。これにより、載置面６ｅに載置されたダミー基板ＤＷと上部電極として機能するシャワーヘッド１６とで規定される空間において、チャンバ１内に供給された処理ガスからプラズマが生成される。なお、第１のＲＦ電源１０ａが発生させる高周波電力の周波数は、例えば、１０ＭＨｚ以上１００ＭＨｚ以下であってもよく、４０ＭＨｚ以上１００ＭＨｚ以下であってもよい。また、当該高周波電力は、例えば、５０Ｗ以上１０，０００Ｗ以下であってもよく、１００Ｗ以上７，０００Ｗ以下であってもよく、５００Ｗ以上７，０００Ｗ以下であってもよい。また、第２のＲＦ電源１０ｂが発生される高周波電力の周波数は、例えば、１００ｋＨｚ以上５０ＭＨｚ以下であってもよく、４００ｋＨｚ以上１３．５６ＭＨｚ以下であってもよい。また、当該高周波電力は、例えば、０Ｗ以上２５，０００Ｗ以下であってよく、１００Ｗ以上２５，０００Ｗ以下であってよく、５００Ｗ以上５，０００Ｗ以下であってもよい。
載置面６ｅに載置されたダミー基板ＤＷとシャワーヘッド１６とで規定される空間においてプラズマが生成されると、当該プラズマによって、少なくともダミー基板ＤＷがクリーニングされる。当該クリーニングは、前回のサイクルの工程ＳＴ６において、静電チャック６の肩部６ｃからダミー基板ＤＷに付着した副生成物を除去することであってよい。
図７は、工程ＳＴ６における、チャンバ１の内部を模式的に示した図である。図７に示すように、工程ＳＴ６において、載置面６ｅから所定の距離ｄにある位置において、ダミー基板ＤＷを保持しつつ、載置台２の少なくとも一部がクリーニングされる。工程ＳＴ６は、ダミー基板ＤＷをリフトする工程（ＳＴ６１）、載置台２をクリーニングする工程（ＳＴ６２）及びダミー基板ＤＷを搬出する工程（ＳＴ６３）を含む。
まず、工程ＳＴ６１において、ダミー基板ＤＷをリフター６１によって上昇させる。具体的には、図７に示すように、リフター６１の先端が載置面６ｅから突出するように、リフター６１をシャワーヘッド１６に向かう方向に移動させる。これにより、リフター６１によってダミー基板ＤＷが載置面６ｅから持ち上げられて、ダミー基板ＤＷが載置面６ｅから所定の距離ｄにある位置で保持される。ダミー基板ＤＷは、載置面６ｅに対して平行に保持されてよい。
ダミー基板ＤＷと載置面６ｅとの距離ｄは、例えば、後述する載置台２をクリーニングする工程（ＳＴ６２）において、ダミー基板ＤＷと載置面６ｅとの間においてプラズマが生成されない距離であってよい。この場合において、図７に示すように、ダミー基板ＤＷとシャワーヘッド１６とで規定される空間において生成されたプラズマＰが、ダミー基板ＤＷと静電チャック６（載置面６ｅ及び／又は肩部６ｃを含む）との間に拡散してもよい。また、距離ｄは、例えば、０．０１ｍｍ以上１ｍｍ以下であってよい。また、距離ｄは、０．２ｍｍ以上０．７ｍｍ以下であってよい。ダミー基板ＤＷと静電チャック６との距離ｄを、これらの距離に保つことにより、図７に示すように、載置面６ｅがプラズマによってダメージを受けることを抑制しつつ、ダミー基板ＤＷと静電チャック６との間に拡散したプラズマＰによって、肩部６ｃに付着又は堆積した副生成物を除去することができる。
次に、工程ＳＴ６２において、載置台２の少なくとも一部がクリーニングされる。まず、載置面６ｅから所定の距離ｄにある位置でダミー基板ＤＷが保持された状態で、チャンバ１内に所定の処理ガスが供給される。このとき、チャンバ１内の圧力は、所定の圧力に減圧される。当該所定の圧力は、工程ＳＴ２における圧力及び／又は工程ＳＴ３における圧力よりも高くてよい。当該処理ガスは、パターン基板ＰＷをエッチングする工程（ＳＴ１）において生成され、静電チャック６の肩部６ｃに付着又は堆積した副生成物に応じて、適宜選択されてよい。例えば、当該副生成物がＣＦ系のポリマーである場合、例えばＮＦ３やＣＦ４等のフッ素含有ガスであってよい。また、当該処理ガスは、Ｏ２ガスを含んでよい。また、当該処理ガスは、Ｏ２ガスに限らず、ＣＯガス、ＣＯ２ガス、Ｏ３ガス等の他の酸素含有ガスであってよい。また、副生成物として、ＣＦ系のポリマーに加えて、シリコンや金属が含まれている場合、当該処理ガスとして、例えばハロゲン含有ガスが添加されてよい。また、ハロゲン含有ガスは、Ｃｌ２ガス等の塩素系ガス、ＨＢｒガス等の臭素系ガスであってよい。
次に、下部電極である載置台２に高周波電力が供給される。制御部１００が、第１のＲＦ電源１０ａを制御して高周波電力を発生させることにより、高周波電力を載置台２の基材２ａに供給する。これにより、載置面６ｅに載置されたダミー基板ＤＷと上部電極として機能するシャワーヘッド１６とで規定される空間において、チャンバ１内に供給された処理ガスからプラズマが生成される。なお、第１のＲＦ電源１０ａが発生させる高周波電力の周波数は、例えば、１０ＭＨｚ以上１００ＭＨｚ以下であってもよく、４０ＭＨｚ以上１００ＭＨｚ以下であってもよい。工程ＳＴ６２における高周波電力は、例えば、５０Ｗ以上１０，０００Ｗ以下であってもよく、１００Ｗ以上７，０００Ｗ以下であってもよく、２００Ｗ以上５，０００Ｗ以下であってもよい。また、工程ＳＴ６２におけるプラズマＰのエネルギー密度は、工程ＳＴ２におけるプラズマＰのエネルギー密度よりも高くてよい。工程ＳＴ６２におけるプラズマＰのエネルギー密度は、例えば、０．１０Ｗ／ｃｍ２以上１０Ｗ／ｃｍ２以下であってもよく、０．１１Ｗ／ｃｍ２以上９Ｗ／ｃｍ２以下であってもよく、０．１４Ｗ／ｃｍ２以上８Ｗ／ｃｍ２以下であってもよい。また、工程ＳＴ６２において、プラズマＰが生成される時間は、例えば、１０秒以上１００秒以下である。
ダミー基板ＤＷとシャワーヘッド１６とで規定される空間においてプラズマＰが生成されると、当該空間に拡散したプラズマＰによって、静電チャック６における載置面６ｅの周囲を含む領域がクリーニングされる。当該領域は、例えば、肩部６ｃを含んでよい。また、当該クリーニングよって静電チャック６から除去された副生成物は、ダミー基板ＤＷに付着又は堆積してよい。
次に、工程ＳＴ６３において、ダミー基板ＤＷがチャンバ１から搬出される。ダミー基板ＤＷは、チャンバ１から搬出され、ロードポートＬＰのＦＯＵＰに格納されてよい。ロードポートＬＰに格納されたダミー基板ＤＷは、パターン基板ＰＷをエッチングする工程（ＳＴ１）が新たに実行された後、ダミー基板ＤＷを搬入する工程（ＳＴ４）において、再びチャンバ１内に搬入されてよい。また、当該ダミー基板ＤＷは、工程ＳＴ５において、再びクリーニングされてよい。これにより、第２のクリーニング工程（ＳＴ６）において使用するダミー基板ＤＷを効率よくクリーニングできる。
＜実施例＞
工程ＳＴ６２において、静電チャック６の載置面６ｅからのダミー基板ＤＷの距離ｄを０．０ｍｍから１．０ｍｍまで０．１ｍｍ単位で変化させて、ダミー基板ＤＷの裏面（載置面６ｅと対向する面）に形成されたフォトレジスト層をエッチングした（以下、距離ｄを変化させた各例を総称して「各実施例」ともいう。）。ダミー基板ＤＷに対するエッチングの実施条件は以下の通りである。
高周波電力ＨＦの周波数：４０．６８ＭＨｚ
高周波電力ＨＦの出力：２７００Ｗ
高周波電力ＬＦの出力：０Ｗ
圧力：５００ｍＴｏｒｒ
処理ガス：Ｏ２ガス（９００ｓｃｃｍ）、ＣＦ４ガス（５０ｓｃｃｍ）
距離ｄ：グラフ中に記載
図８は、各実施例において、ダミー基板ＤＷの面内位置とフォトレジスト層のエッチングレートとの関係をプロットしたグラフである。ダミー基板ＤＷは、直径３００ｍｍのシリコンウェハであり、表面にフォトレジスト層が形成されている。図８において、横軸はダミー基板ＤＷの面内位置、すなわち、ダミー基板ＤＷの中心からの位置を示す。また、縦軸はフォトレジスト層のエッチングレート比を示す。当該エッチングレート比は、工程ＳＴ２におけるエッチングレートに対する、各実施例におけるエッチングレートの比率である（図８では、工程ＳＴ２のエッチングレートを１として、各実施例におけるエッチングレートを規格化した。）。また、工程ＳＴ２におけるエッチングレートは、ダミー基板ＤＷを載置面６ｅに載置した状態で、工程ＳＴ２において載置台２をクリーニングする条件でダミー基板ＤＷの表面（シャワーヘッド１６と対向する面）に形成されたフォトレジスト層をエッチングしたエッチングレートである。
本実施形態によれば、図８に示すように、ダミー基板ＤＷの外周部分（例えば、ダミー基板ＤＷにおける１４８ｍｍより外側部分）、すなわち、静電チャック６の載置面６ｅの周囲（例えば、肩部６ｃ）において高いエッチングレートを得る一方で、静電チャック６の載置面６ｅの縁（例えば、ダミー基板ＤＷの１４５ｍｍ近傍に対応する部分）においてはエッチングレートを抑えることができた。例えば、距離ｄが０．０ｍｍ（すなわち、ダミー基板ＤＷが載置面６ｅに接触している状態）である場合、ダミー基板ＤＷの外周部分、例えば、１４８ｍｍの位置におけるフォトレジスト層のエッチングレートは低い。すなわち、当該外周部分において、フォトレジスト層又は副生成物は、効率よく除去されないと考えられる。他方で、距離ｄを０．１ｍｍにした場合、ダミー基板ＤＷの外周部分、例えば、１４８ｍｍの位置におけるフォトレジスト層のエッチングレートは、距離ｄが０．０ｍｍのエッチングレートの約８倍となった。同様に、距離ｄを０．２ｍｍにした場合、１４８ｍｍの位置におけるフォトレジスト層のエッチングレートは、距離ｄが０．１ｍｍのエッチングレートの約３倍となった。また、ダミー基板ＤＷの外周部分（例えば、１４５ｍｍの位置より外側の部分）におけるフォトレジスト層のエッチングレートは、距離ｄの増加に伴い増加することが確認された。距離ｄが０．２ｍｍから０．７ｍｍの間において、エッチングレートの増加が顕著であった。また、図３に示すとおり、各実施例は、工程ＳＴ２との比較においても、特にダミー基板ＤＷの外周部分におけるフォトレジスト層又は副生成物の除去について有効であることが確認された。
以上のとおり、本実施形態では、ダミー基板ＤＷと載置面６ｅとの距離ｄを適切な距離にすることにより、載置面６ｅをダミー基板ＤＷで保護しつつ、拡散したプラズマＰによって載置面６ｅの周囲（例えば、肩部６ｃ）をクリーニングすることができる。また、本実施形態では、載置面６ｅをダミー基板ＤＷで保護できるので、工程ＳＴ６２において高周波電力を高くすることができ、また、例えばフッ素含有ガス等の処理ガスを使用できるので、拡散したプラズマＰによって載置面６ｅの周囲（例えば、肩部６ｃ）を、さらに効率よくクリーニングすることができる。従って、工程ＳＴ２において載置面６ｅへのダメージを抑制しつつ載置面６ｅを効率的にクリーニングする一方で、工程ＳＴ６において、載置面６ｅへのダメージを抑制しつつ、載置面６ｅの周囲を効率的にクリーニングすることができるので、載置台２のメンテナンスの効率を上げることができる。ひいては、載置台２のメンテナンス時間を大幅に短縮できるので、エッチング処理のスループットを向上させることができる。
なお、図３に示す例において、工程ＳＴ１から工程ＳＴ６までの処理をこの順番で説明したが、各工程を実行する順番はこれに限られない。一例として、工程ＳＴ５及び／又は工程ＳＴ６を実行した後に、工程ＳＴ２及び／又は工程ＳＴ３を実行してもよい。例えば、図３に示す各工程が、工程ＳＴ１、工程ＳＴ４、工程ＳＴ５、工程ＳＴ６、工程ＳＴ２、工程ＳＴ３の順番で実行されてよい。これにより、工程ＳＴ１で発生した副生成物が、工程ＳＴ５及び／又は工程ＳＴ６で除去又は低減された後に、静電チャック６の載置面６ｅをクリーニングすることができる。
また、工程ＳＴ４及び工程ＳＴ６を実行した後に、工程ＳＴ５が実行されてもよい。これにより、工程ＳＴ６において、ダミー基板ＤＷに副生成物が堆積又は付着した場合であっても、工程ＳＴ５において、ダミー基板ＤＷの当該副生成物を除去又は低減することができる。
以上の各実施形態は、説明の目的で説明されており、本開示の範囲及び趣旨から逸脱することなく種々の変形をなし得る。例えば、容量結合型のプラズマ処理装置１０以外にも、誘導結合型プラズマやマイクロ波プラズマ等、任意のプラズマ源を用いた基板処理装置を用いてもよい。
また、本開示における実施形態は、以下の（１）から（２７）の態様を含んでよい。
（１）プラズマ処理装置におけるクリーニング方法であって、
前記プラズマ処理装置は、
チャンバと、
前記チャンバ内に設けられており、基板が載置される載置領域を有する載置台と、
前記載置領域に対向して設けられた電極と
を備え、
前記クリーニング方法は、第１のクリーニング工程及び第２のクリーニング工程を含み、
前記第１のクリーニング工程は、
第１の処理ガスを前記チャンバ内に供給する工程と、
前記載置領域と前記電極とで規定される空間において、前記第１の処理ガスから第１のプラズマを生成して前記載置台における前記載置領域を含む領域をクリーニングする工程と
を含み、
前記第２のクリーニング工程は、
前記載置領域から所定の距離にある所定の位置において、前記載置領域に対向するように前記ダミー基板を保持する工程と、
第２の処理ガスを前記チャンバ内に供給する工程と、
前記所定の位置に保持された前記ダミー基板と前記電極とで規定される空間において、前記第２の処理ガスから第２のプラズマを生成して、前記載置台における前記載置領域の周囲を含む領域をクリーニングする工程と
を含む、クリーニング方法。
（２）前記第１の処理ガスは、酸素含有ガスを含む、（１）記載のクリーニング方法。
（３）
前記酸素含有ガスは、Ｏ２ガスである、（２）記載のクリーニング方法。
（４）
前記第２の処理ガスは、フッ素含有ガスを含む、（１）から（３）のいずれか１項記載のクリーニング方法。
（５）
前記フッ素含有ガスは、ＮＦ３ガスを含む、（４）記載のクリーニング方法。
（６）
前記フッ素含有ガスは、ＣｘＦｙ（ｘ及びｙは正の整数）ガスを含む、（４）又は（５）記載のクリーニング方法。
（７）
前記第２の処理ガスは、Ｏ２ガスを含む、（４）から（６）のいずれか１項記載のクリーニング方法。
（８）
前記第１のクリーニング工程と前記第２のクリーニング工程との間に実行される改質工程をさらに含み、
前記改質工程は、
前記チャンバ内に不活性ガスを供給する工程と、
前記載置領域と前記電極とで規定される空間において、前記不活性ガスからプラズマを生成して、前記載置台における前記載置領域を含む領域を改質する工程と
を含む、（１）から（７）のいずれか１項記載のクリーニング方法。
（９）
前記不活性ガスは、窒素ガスであり、
前記載置台における前記載置領域を含む領域は、前記窒素ガスから生成されたプラズマによって窒化される、（８）記載のクリーニング方法。
（１０）
前記ダミー基板をクリーニングするダミー基板処理工程をさらに含み、
前記ダミー基板処理工程は、
前記チャンバ内に前記ダミー基板を搬入する工程と、
前記ダミー基板を前記載置領域に載置する工程と、
前記載置領域に載置された前記ダミー基板と前記電極とで規定される空間において、前記第３の処理ガスから第３のプラズマを生成して、少なくとも前記ダミー基板をクリーニングする工程と
を含み、
前記第２のクリーニング工程は、前記ダミー基板処理工程の後に実行される、（１）から（９）のいずれか１項記載のクリーニング方法。
（１１）
前記第３の処理ガスは、フッ素含有ガスを含む、（１０）記載のクリーニング方法。
（１２）
前記フッ素含有ガスは、ＮＦ３ガスを含む、（１１）記載のクリーニング方法。
（１３）
前記フッ素含有ガスは、ＣｘＦｙ（ｘ及びｙは正の整数）ガスを含む、（１１）又は（１２）記載のクリーニング方法。
（１４）
前記第３の処理ガスは、Ｏ２ガスを含む、（１１）から（１３）のいずれか１項記載のクリーニング方法。
（１５）
前記ダミー基板処理工程は、前記載置台又は前記電極に、第１の周波数を有する高周波及び第２の周波数を有する高周波を供給して前記第４のプラズマを生成する工程を含む、（１０）から（１４）のいずれか１項記載のクリーニング方法。
（１６）
前記ダミー基板を保持する工程は、前記載置領域に載置された前記ダミー基板を前記所定の位置に移動する工程を含む、（１０）から（１５）のいずれか１項記載のクリーニング方法。
（１７）
前記ダミー基板を搬入する工程において、前記ダミー基板は基板ストレージから前記チャンバ内に搬入され、
前記ダミー基板を保持する工程において、前記基板ストレージから前記チャンバ内に搬入された前記ダミー基板が前記所定の位置に保持され、
前記第２のクリーニング工程は、前記載置台における前記載置領域の周囲を含む領域をクリーニングする工程の後に、前記ダミー基板を前記チャンバ内から前記基板ストレージに搬出する工程をさらに含む、（１０）から（１５）のいずれか１項記載のクリーニング方法。
（１８）
前記所定の距離は、前記所定の位置に保持された前記ダミー基板と前記載置領域とで規定される空間においてプラズマが生成されない距離である、（１）から（１７）のいずれか１項記載のクリーニング方法。
（１９）
前記所定の距離は、前記載置領域から０．０１ｍｍ以上１ｍｍ以下である、（１）から（１７）のいずれか１項記載のクリーニング方法。
（２０）
前記第２のクリーニング工程において、前記第２のプラズマが生成される時間は、１０秒以上１００秒以下である、（１）から（１９）のいずれか１項記載のクリーニング方法。
（２１）
前記電極は前記複数のガス通流孔を有し、
前記第２の処理ガスを前記チャンバ内に供給する工程において、前記第２の処理ガスは、前記ガス通流孔から前記チャンバ内に供給される、（１）から（２０）のいずれか１項記載のクリーニング方法。
（２２）
前記第２のプラズマは、０．１Ｗ／ｃｍ２以上１０Ｗ／ｃｍ２以下のエネルギー密度を有する、（１）から（２１）のいずれか１項記載のクリーニング方法。
（２３）
前記第２のプラズマは、前記第１のプラズマよりもエネルギー密度が高い、（１）から（２２）のいずれか１項記載のクリーニング方法。
（２４）
前記第１のクリーニング工程は、前記載置台又は前記電極に第１の電力を有する高周波を供給して前記第１のプラズマを生成する工程を含み、
前記第２のクリーニング工程は、前記載置台又は前記電極に前記第１の電力よりも高い第２の電力を有する高周波を供給して前記第２のプラズマを生成する工程を含む、（２３）記載のクリーニング方法。
（２５）
前記第２の電力は、５０Ｗ以上１０，０００Ｗ以下である、（２４）記載のクリーニング方法。
（２６）
プラズマ処理装置におけるクリーニング方法であって、
前記プラズマ処理装置は、
チャンバと、
前記チャンバ内に設けられており、基板が載置される載置領域を有する載置台と、
前記載置領域に対向して設けられた電極と
を備え、
前記クリーニング方法は、
前記チャンバ内にダミー基板を搬入する工程と、
前記載置領域から所定の距離にある位置において、前記載置領域に対向するように前記ダミー基板を保持する工程と、
処理ガスを前記チャンバ内に供給する工程と、
前記所定の位置に保持された前記ダミー基板と前記電極とで規定される空間において、前記処理ガスからプラズマを生成して前記載置台における前記載置領域を含む領域をクリーニングする工程と
を含む、クリーニング方法。
（２７）
プラズマ処理装置におけるプラズマ処理方法であって、
前記プラズマ処理装置は、
チャンバと、
前記チャンバ内に設けられており、基板が載置される載置領域を有する載置台と、
前記載置領域に対向して設けられた電極と
を備え、
前記処理方法は、エッチング工程及びクリーニング工程を含み、
前記エッチング工程は、
被エッチング膜及び前記被エッチング膜上に形成された、所定のパターンを有するマスク膜を有するパターン基板を準備する工程と、
前記載置台の前記載置領域に前記パターン基板を載置する工程と、
エッチングガスを前記チャンバ内に供給する工程と、
前記載置台又は前記電極に高周波電力を供給して、前記パターン基板と前記電極とで規定される空間において、前記エッチングガスからプラズマを生成して前記パターン基板をエッチングする工程と、
前記パターン基板を前記チャンバから搬出する工程と
を含み、
前記クリーニング工程は、
前記パターン基板と異なるダミー基板を前記チャンバに搬入する工程と、
前記載置領域から所定の距離にある位置において、前記載置領域に対向するように前記ダミー基板を保持する工程と、
処理ガスを前記チャンバ内に供給する工程と、
前記所定の位置に保持された前記ダミー基板と前記電極とで規定される空間において、前記処理ガスからプラズマを生成して、前記載置台における前記載置領域の周囲を含む領域をクリーニングする工程と
を含む、プラズマ処理方法。
１…チャンバ、２…載置台、３…支持部材、４…支持台、５…フォーカスリング、６…静電チャック、６ａ…電極、６ｂ…絶縁体、６ｃ…肩部、６ｅ…載置面、１０…プラズマ処理装置、１０ａ…第１のＲＦ電源、１０ｂ…第２のＲＦ電源、１１ａ…第１の整合器、１１ｂ…第２の整合器、１２…直流電源、１５…ガス供給源（ガス供給部）、１５…ガス供給源、１５ａ…ガス供給配管、１６…シャワーヘッド、３０…ガス供給管、６１…リフター、６２…アクチュエータ、７２…可変直流電源、７３…オン・オフスイッチ、８１…排気口、８２…排気管、８３…第１排気装置、８４…搬入出口、８５…ゲートバルブ、８６…デポシールド、８７…デポシールド、８９…導電性部材（ＧＮＤブロック）、９５…絶縁性部材、１００…制御部、１０１…プロセスコントローラ、１０２…ユーザインターフェース、１０３…記憶部、２００…ピン用貫通孔

Claims (12)

  1. プラズマ処理装置におけるクリーニング方法であって、
    前記プラズマ処理装置は、
    チャンバと、
    前記チャンバ内に設けられており、基板が載置される載置領域を有する載置台と、
    前記載置領域に対向して設けられた電極と
    を備え、
    前記クリーニング方法は、第１のクリーニング工程及び第２のクリーニング工程を含み、
    前記第１のクリーニング工程は、
    第１の処理ガスを前記チャンバ内に供給する工程と、
    前記載置領域と前記電極とで規定される空間において、前記第１の処理ガスから第１のプラズマを生成して前記載置台における前記載置領域を含む領域をクリーニングする工程と
    を含み、
    前記第２のクリーニング工程は、
    前記載置領域から所定の距離にある所定の位置において、前記載置領域に対向するようにダミー基板を保持する工程と、
    第２の処理ガスを前記チャンバ内に供給する工程と、
    前記所定の位置に保持された前記ダミー基板と前記電極とで規定される空間において、前記第２の処理ガスから第２のプラズマを生成して、前記載置台における前記載置領域の周囲を含む領域をクリーニングする工程と
    を含み、
    前記クリーニング方法は、前記第１のクリーニング工程と前記第２のクリーニング工程との間に実行される改質工程をさらに含み、
    前記改質工程は、
    前記チャンバ内にＮ 2 ガスを供給する工程と、
    前記載置領域と前記電極とで規定される空間において、前記Ｎ 2 ガスから第３のプラズマを生成して、前記載置台における前記載置領域を含む領域を窒化させる工程と
    を含む、
    クリーニング方法。
  2. 前記第１の処理ガスは、酸素含有ガスを含む、請求項１記載のクリーニング方法。
  3. 前記第２の処理ガスは、フッ素含有ガスを含む、請求項１又は２記載のクリーニング方法。
  4. 前記ダミー基板をクリーニングするダミー基板処理工程をさらに含み、
    前記ダミー基板処理工程は、
    前記チャンバ内に前記ダミー基板を搬入する工程と、
    前記ダミー基板を前記載置領域に載置する工程と、
    前記載置領域に載置された前記ダミー基板と前記電極とで規定される空間において、第４の処理ガスから第４のプラズマを生成して、少なくとも前記ダミー基板をクリーニングする工程と
    を含み、
    前記第２のクリーニング工程は、前記ダミー基板処理工程の後に実行される、請求項１から３のいずれか１項記載のクリーニング方法。
  5. 前記第４の処理ガスは、フッ素含有ガスを含む、請求項４記載のクリーニング方法。
  6. 前記第４の処理ガスは、Ｏ２ガスを含む、請求項５記載のクリーニング方法。
  7. 前記ダミー基板を保持する工程は、前記載置領域に載置された前記ダミー基板を前記所定の位置に移動する工程を含む、請求項４から６のいずれか１項記載のクリーニング方法。
  8. 前記ダミー基板を搬入する工程において、前記ダミー基板は基板ストレージから前記チャンバ内に搬入され、
    前記ダミー基板を保持する工程において、前記基板ストレージから前記チャンバ内に搬入された前記ダミー基板が前記所定の位置に保持され、
    前記第２のクリーニング工程は、前記載置台における前記載置領域の周囲を含む領域をクリーニングする工程の後に、前記ダミー基板を前記チャンバ内から前記基板ストレージに搬出する工程をさらに含む、請求項４から６のいずれか１項記載のクリーニング方法。
  9. 前記所定の距離は、前記所定の位置に保持された前記ダミー基板と前記載置領域とで規定される空間においてプラズマが生成されない距離である、請求項１から８のいずれか１項記載のクリーニング方法。
  10. 前記所定の距離は、前記載置領域から０．０１ｍｍ以上１ｍｍ以下である、請求項１から８のいずれか１項記載のクリーニング方法。
  11. プラズマ処理装置におけるクリーニング方法であって、
    前記プラズマ処理装置は、
    チャンバと、
    前記チャンバ内に設けられており、基板が載置される載置領域を有する載置台と、
    前記載置領域に対向して設けられた電極と
    を備え、
    前記クリーニング方法は、
    改質工程であって、前記改質工程は、
    前記チャンバ内にＮ 2 ガスを供給する工程と、
    前記載置領域と前記電極とで規定される空間において、前記Ｎ 2 ガスから第１のプラズマを生成して、前記載置台における前記載置領域を含む領域を窒化させる工程と
    を含む、改質工程と、
    前記チャンバ内にダミー基板を搬入する工程と、
    前記載置領域から所定の距離にある位置において、前記載置領域に対向するように前記ダミー基板を保持する工程と、
    処理ガスを前記チャンバ内に供給する工程と、
    前記所定の位置に保持された前記ダミー基板と前記電極とで規定される空間において、
    前記処理ガスから第２のプラズマを生成して前記載置台における前記載置領域を含む領域をクリーニングする工程と
    を含む、
    クリーニング方法。
  12. プラズマ処理装置におけるプラズマ処理方法であって、
    前記プラズマ処理装置は、
    チャンバと、
    前記チャンバ内に設けられており、基板が載置される載置領域を有する載置台と、
    前記載置領域に対向して設けられた電極と
    を備え、
    前記プラズマ処理方法は、エッチング工程及びクリーニング工程を含み、
    前記エッチング工程は、
    被エッチング層及び前記被エッチング層上に形成された、所定のパターンを有するマスク層を有するパターン基板を準備する工程と、
    前記載置台の前記載置領域に前記パターン基板を載置する工程と、
    エッチングガスを前記チャンバ内に供給する工程と、
    前記載置台又は前記電極に高周波電力を供給して、前記パターン基板と前記電極とで規定される空間において、前記エッチングガスからプラズマを生成して前記パターン基板をエッチングする工程と、
    前記パターン基板を前記チャンバから搬出する工程と
    を含み、
    前記クリーニング工程は、
    改質工程であって、前記改質工程は、
    前記チャンバ内にＮ 2 ガスを供給する工程と、
    前記載置領域と前記電極とで規定される空間において、前記Ｎ 2 ガスから第１のプラズマを生成して、前記載置台における前記載置領域を含む領域を窒化させる工程と
    を含む、改質工程と、
    前記パターン基板と異なるダミー基板を前記チャンバに搬入する工程と、
    前記載置領域から所定の距離にある位置において、前記載置領域に対向するように前記ダミー基板を保持する工程と、
    処理ガスを前記チャンバ内に供給する工程と、
    前記所定の位置に保持された前記ダミー基板と前記電極とで規定される空間において、前記処理ガスから第２のプラズマを生成して、前記載置台における前記載置領域の周囲を含む領域をクリーニングする工程と
    を含む、プラズマ処理方法。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002124511A (ja) 2001-07-13 2002-04-26 Hitachi Ltd プラズマ処理室のクリーニング方法
JP2006100705A (ja) 2004-09-30 2006-04-13 Hitachi High-Technologies Corp 半導体製造装置のクリーニング方法
JP2017054854A (ja) 2015-09-07 2017-03-16 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 プラズマ処理方法および電子部品の製造方法
JP2018049896A (ja) 2016-09-21 2018-03-29 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理方法
JP2019160816A (ja) 2018-03-07 2019-09-19 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5364514B2 (ja) 2009-09-03 2013-12-11 東京エレクトロン株式会社 チャンバ内クリーニング方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002124511A (ja) 2001-07-13 2002-04-26 Hitachi Ltd プラズマ処理室のクリーニング方法
JP2006100705A (ja) 2004-09-30 2006-04-13 Hitachi High-Technologies Corp 半導体製造装置のクリーニング方法
JP2017054854A (ja) 2015-09-07 2017-03-16 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 プラズマ処理方法および電子部品の製造方法
JP2018049896A (ja) 2016-09-21 2018-03-29 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理方法
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