JP7657940B2 - 負極活物質、これを含む負極、これを含む二次電池、および負極活物質の製造方法 - Google Patents
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Description
本明細書の一実施態様による負極活物質は、SiOx(0<x<2)およびMg化合物またはLi化合物を含むシリコン系複合粒子;および前記シリコン系複合粒子上に備えられた炭素層を含む負極活物質であって、前記シリコン系複合粒子のBET比表面積が5m2/g~60m2/gであり、前記負極活物質のBET比表面積が2m2/g~15m2/gであり、1.4g/ccの粉体密度における粉体導電率が0.05S/cm~1S/cmであってもよい。
前述した実施態様による負極活物質は、SiOx(0<x<2)およびMg化合物またはLi化合物を含むシリコン系複合粒子を製造するステップ;および前記シリコン系複合粒子の表面に炭素層を具備させるステップを含む方法により製造することができる。
本明細書の一実施態様による負極は、前述した負極活物質を含んでもよい。具体的に、前記負極は、負極集電体、および前記負極集電体上に配置された負極活物質層を含んでもよい。前記負極活物質層は、前記負極活物質を含んでもよい。さらに、前記負極活物質層は、バインダーおよび/または導電材をさらに含んでもよい。
本明細書の一実施態様による二次電池は、上述した実施態様による負極を含んでもよい。具体的に、前記二次電池は、負極、正極、前記正極と負極との間に介在したセパレータ、および電解質を含んでもよく、前記負極は、上述した負極と同一である。前記負極については上述したため、具体的な説明は省略する。
実施例1:負極活物質の製造
(1)シリコン系複合粒子の製造
Si粉末およびSiO2粉末を1:1のモル比で均一に混合した粉末とMgを減圧雰囲気でそれぞれ1400℃と700℃で熱処理し、前記Si粉末、前記SiO2粉末、前記Mgを気化させた。気化した前記Si粉末、前記SiO2粉末、前記Mgが混合された混合気体を800℃の真空状態のチャンバーにて3時間熱処理した後、5℃/minの速度で減温して粒子を製造した。前記粒子をジェットミルで粉砕し、平均粒径(D50)が5μmであり、BET比表面積が29m2/gであるシリコン系複合粒子を形成した。
その後、Arガスを流して不活性雰囲気を維持しつつ、CVD装置のホットゾーン(hot zone)に前記シリコン系複合粒子を位置させ、キャリアガスとしてArを用いて、前記メタンを900℃のホットゾーンに吹き込んで3時間10-1torrで反応(炭素コーティング)させ、前記シリコン系複合粒子の表面に炭素層が形成された負極活物質を製造した。
シリコン系複合粒子の製造時に前記混合気体の熱処理を800℃で2時間行い、減温速度を50℃/minにし、負極活物質粒子の製造時に炭素コーティング時間を7時間にしたことを除いては、実施例1と同一の方法で負極活物質を製造した。
(1)シリコン系複合粒子の製造
Si粉末およびSiO2粉末を1:1のモル比で均一に混合した粉末とMgを減圧雰囲気でそれぞれ1400℃と700℃で熱処理し、前記Si粉末、前記SiO2粉末、前記Mgを気化させた。気化した前記Si粉末、前記SiO2粉末、前記Mgが混合された混合気体を800℃の真空状態のチャンバーにて2時間熱処理した後、50℃/minの速度で減温して粒子を製造した。前記粒子をジェットミルで粉砕し、平均粒径(D50)が5μmの予備シリコン系複合粒子を形成した。
その後、Arガスを流して不活性雰囲気を維持しつつ、CVD装置のホットゾーン(hot zone)に前記シリコン系複合粒子を位置させ、キャリアガスとしてArを用いて、前記メタンを900℃のホットゾーンに吹き込んで8時間10-1torrで反応させ、前記シリコン系複合粒子の表面に炭素層が形成された負極活物質を製造した。
シリコン系複合粒子の製造時に熱処理後の減温速度を10℃/minにし、負極活物質粒子の製造時に炭素コーティング時間を4時間にしたことを除いては、実施例1と同一の方法で負極活物質を製造した。
(1)シリコン系複合粒子の製造
Si粉末およびSiO2粉末を1:1のモル比で均一に混合した粉末とLiを減圧雰囲気でそれぞれ1400℃と800℃で熱処理し、前記Si粉末、前記SiO2粉末、前記Liを気化させた。気化した前記Si粉末、前記SiO2粉末、前記Liが混合された混合気体を700℃の真空状態のチャンバーにて3時間熱処理した後、5℃/minの速度で減温して粒子を製造した。前記粒子をジェットミルで粉砕し、平均粒径(D50)が5μmであり、BET比表面積が21m2/gである予備シリコン系複合粒子を形成した。
その後、Arガスを流して不活性雰囲気を維持しつつ、CVD装置のホットゾーン(hot zone)に前記シリコン系複合粒子を位置させ、キャリアガスとしてArを用いて、前記メタンを900℃のホットゾーンに吹き込んで3時間10-1torrで反応させ、前記シリコン系複合粒子の表面に炭素層が形成された負極活物質を製造した。
負極活物質粒子のLiの含量が9.1wt.%となるようにLiの含量を増量したことを除いては、実施例5と同一の方法で負極活物質を製造した。
シリコン系複合粒子の製造時に前記混合気体の熱処理を1100℃で3時間行ったことを除いては、実施例1と同一の方法で負極活物質を製造した。
シリコン系複合粒子の製造時に前記混合気体の熱処理を行わず減温速度を70℃/minにし、負極活物質粒子の製造時に炭素コーティング時間を8時間30分にしたことを除いては、実施例1と同一の方法で負極活物質を製造した。
シリコン系複合粒子の製造時に前記混合気体の熱処理を1100℃で4時間行い、負極活物質粒子の製造時に炭素コーティング時間を3時間30分にしたことを除いては、実施例1と同一の方法で負極活物質を製造した。
シリコン系複合粒子の製造時に熱処理を行わず減温速度を75℃/minにし、エッチング時間を1時間にし、負極活物質粒子の製造時に炭素コーティング時間を2時間にしたことを除いては、実施例3と同一の方法で負極活物質を製造した。
シリコン系複合粒子の製造時に熱処理を1100℃で4時間行い、負極活物質粒子の製造時に炭素コーティング時間を2時間にしたことを除いては、実施例1と同一の方法で負極活物質を製造した。
シリコン系複合粒子の製造時に熱処理を行わず減温速度を70℃/minにし、エッチング時間を1時間にし、負極活物質粒子の製造時に炭素コーティング時間を8時間30分にしたことを除いては、実施例3と同一の方法で負極活物質を製造した。
シリコン系複合粒子の製造時に熱処理を1100℃で3時間にし、負極活物質粒子の製造時に炭素コーティング時間を3時間30分にしたことを除いては、実施例5と同一の方法で負極活物質を製造した。
シリコン系複合粒子の製造時に熱処理を行わず減温速度を70℃/minにし、負極活物質粒子の製造時に炭素コーティング時間を8時間30分にしたことを除いては、実施例5と同一の方法で負極活物質を製造した。
負極活物質粒子の製造時に炭素コーティングソースをピッチ(pitch)に変更し、コーティング時間を4時間にしたことを除いては、実施例1と同一の方法で負極活物質を製造した。
負極活物質として実施例1で製造された負極活物質を、導電材としてカーボンブラックを、バインダーとしてリチウムポリアクリル酸(Li-PAA)を80:10:10の重量比で、溶媒である水(H2O)とともに混合して均一な負極スラリーを製造した。前記製造された負極スラリーを銅集電体の一面にコーティングし、乾燥および圧延した後に一定大きさにパンチングして負極を製造した。
充電条件:CC(定電流)/CV(定電圧)(5mV/0.005C current cut-off)
放電条件:CC(定電流)条件1.5V voltage cut-off
前記実施例1~6および比較例1~9の負極活物質および天然黒鉛を1:9の重量比で混合した混合負極活物質、導電材としてカーボンブラック、バインダーとしてカルボキシメチルセルロース(CMC)およびスチレンブタジエンゴム(SBR)を、混合負極活物質:導電材:バインダー(CMC):バインダー(スチレンブタジエン)=95.4:1:1.1:2.5の重量比で、溶媒である水とともに混合して負極スラリーを製造した(固形分含量は、負極スラリーの全重量に対して約49重量%)。前記負極スラリーを負極集電体である銅(Cu)金属薄膜に塗布および乾燥した後、一定大きさにパンチングして負極を製造した。
-充電条件:CC(定電流)/CV(定電圧)(5mV/0.005C current cut-off)
-放電条件:CC(定電流)条件1.5V voltage cut-off
容量維持率は、次のような計算により導出された。
-容量維持率(%)=(50回放電容量/1回放電容量)×100
Claims (14)
- SiOx(0<x<2)およびMg化合物またはLi化合物を含むシリコン系複合粒子;および前記シリコン系複合粒子上に備えられた炭素層を含む負極活物質であって、
前記シリコン系複合粒子のBET比表面積が5m2/g~60m2/gであり、
前記負極活物質のBET比表面積が2m2/g~15m2/gであり、
1.4g/ccの粉体密度における粉体導電率が0.1S/cm~0.8S/cmである、負極活物質。 - 前記シリコン系複合粒子のBET比表面積は20m2/g~60m2/gである、請求項1に記載の負極活物質。
- 前記負極活物質のBET比表面積は2m2/g~12m2/gである、請求項1に記載の負極活物質。
- 前記シリコン系複合粒子は、気孔をさらに含む、請求項1に記載の負極活物質。
- 前記気孔の大きさは2nm~45nmである、請求項4に記載の負極活物質。
- 前記Mg元素またはLi元素は、前記負極活物質の総100重量%を基準として0.1重量%~20重量%で含まれる、請求項1に記載の負極活物質。
- 前記Mg化合物は、Mgシリケート、Mgシリサイド、およびMg酸化物からなる群より選択される少なくともいずれか一つを含む、請求項1に記載の負極活物質。
- 前記Li化合物は、Liシリケート、Liシリサイド、およびLi酸化物からなる群より選択される少なくともいずれか一つを含む、請求項1に記載の負極活物質。
- 前記炭素層は、前記負極活物質の総100重量%を基準として1重量%~50重量%で含まれる、請求項1に記載の負極活物質。
- SiOx(0<x<2)およびMg化合物またはLi化合物を含むシリコン系複合粒子を製造するステップ;および
前記シリコン系複合粒子の表面に炭素層を具備させるステップ
を含む、請求項1~9のいずれか一項に記載の負極活物質の製造方法。 - 前記シリコン系複合粒子を製造するステップ以後に、前記シリコン系複合粒子を2℃/min~60℃/minの速度で常温まで減温するステップをさらに含む、請求項10に記載の負極活物質の製造方法。
- 請求項1~9のいずれか一項に記載の負極活物質を含む負極。
- 前記負極は、炭素系負極活物質をさらに含む、請求項12に記載の負極。
- 請求項12に記載の負極を含む二次電池。
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