JP7578360B2 - 除電方法及びプラズマ処理システム - Google Patents

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Description

本開示は、除電方法及びプラズマ処理システムに関する。
静電チャックに吸着された基板を脱離させる際に、吸着電極を接地すると共に除電プラズマを発生させる技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００４－１４８６８号公報
本開示は、異常放電の発生を抑制しつつ電圧降下時間を調整できる技術を提供する。
本開示の一態様による除電方法は、静電チャックに内蔵された吸着電極に吸着電圧を印加することにより前記静電チャックに吸着された基板を処理プラズマで処理した後に前記静電チャック及び前記基板を除電する方法であって、（ａ）前記処理の後、除電プラズマを生成する工程と、（ｂ）前記工程（ａ）の後、前記除電プラズマを維持しながら、前記吸着電極に印加された前記吸着電圧を停止する工程と、（ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記吸着電極を、抵抗部を介して接地された接地ラインに接続する工程であり、前記抵抗部は少なくとも第１の抵抗値と該第１の抵抗値よりも小さい第２の抵抗値とのいずれかに抵抗値を設定可能である、工程と、（ｄ）前記工程（ｃ）の前に、前記抵抗部の抵抗値を選択する工程と、（ｅ）前記工程（ｄ）と前記工程（ｃ）との間において、前記抵抗部の抵抗値を、前記工程（ｄ）において選択された前記抵抗値に設定する工程と、を有する。
本開示によれば、異常放電の発生を抑制しつつ電圧降下時間を調整できる。
実施形態のプラズマ処理システムの一例を示す概略図 実施形態の除電方法の一例を示す図 実施形態の除電方法の別の一例を示す図 シミュレーション条件を説明するための図 放電抵抗と電圧降下時間との関係のシミュレーション結果を示す図 実施例における吸着電極の電圧の時間変化を示す図 比較例における吸着電極の電圧の時間変化を示す図 実施形態のプラズマ処理システムの別の一例を示す概略図
以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。
〔プラズマ処理システム〕
図１を参照し、実施形態のプラズマ処理システムの一例について説明する。図１に示されるように、プラズマ処理システム１は、接地電位に接続された、例えばアルミニウム又はステンレス製の処理容器１０を備える。
処理容器１０は、内部が減圧可能な真空容器である。処理容器１０の側面には、プラズマ処理される基板を受け渡すための搬入出口１１が設けられている。基板は、例えば矩形のガラス基板Ｇであってよい。搬入出口１１には、搬入出口を開閉するゲートバルブ１２が設けられている。処理容器１０の下方の底面には、排気口１３が開口している。排気口１３には、排気配管１４を介して真空排気部１５が設けられている。真空排気部１５は、例えば真空ポンプ、圧力調整弁を含む。排気口１３は複数個所に設けられてもよい。
処理容器１０の内部には、平面形状が矩形である角柱状の載置台３が設けられている。載置台３には、ガラス基板Ｇが載置される。載置台３の詳細については後述する。
処理容器１０の上方には、載置台３と対向するように、金属窓２を介してプラズマ生成部である渦巻き状若しくは環状の誘導結合アンテナ７０が設けられている。金属窓２の上方には、誘導結合アンテナ７０を収納する不図示のアンテナ室が設けられている。誘導結合アンテナ７０には、プラズマを生成するためのソース電源７２が整合器７１を介して接続されている。ソース電源７２から誘導結合アンテナ７０にソース電力（プラズマを発生させるための高周波電力）を供給することで、処理容器１０内にプラズマ発生用の電界を発生させることができる。
金属窓２は、図１の例では、単一の部材により形成されているが、例えば複数の分割片により形成されていてもよい。金属窓２は、処理容器１０内に処理ガスを供給するためのシャワーヘッドとして機能する。金属窓２は、絶縁部１６を介して処理容器１０の上部を密閉し、アンテナ室の天井部から吊り下げられて支持されている。金属窓２の下面には、載置台３の載置面と対向するように多数のガス供給孔２１が形成されている。金属窓２は、内部にガス供給孔２１が接続されたガス分散室２０を有する。金属窓２の上面には、ガス分散室２０へ向けて処理ガスを供給するための処理ガス供給管２２が接続されている。処理ガス供給管２２には、処理ガス供給源２３、流量調整部Ｍ２２及びバルブＶ２２が、上流側からこの順で設けられている。処理ガス供給源２３は、例えばＣＦ４、Ｃｌ２等のエッチングガス、Ａｒ、Ｎ２、Ｏ２等の除電プラズマを生成するためのガスを含む処理ガスを、処理ガス供給管２２を介してガス分散室２０に供給する。
プラズマ処理システム１には、制御部９が設けられている。制御部９は、プラズマ処理システム１の各部を制御する。制御部９は、例えばコンピュータ９０を含む。コンピュータ９０は、例えばＣＰＵ９１、記憶部９２、通信インターフェース９３を含む。ＣＰＵ９１は、記憶部９２に格納されたプログラムに基づいて種々の制御動作を行うように構成され得る。記憶部９２は、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）、ＳＳＤ（Solid State Drive）等のような補助記憶装置からなるグループから選択される少なくとも１つのメモリタイプを含む。通信インターフェース９３は、ＬＡＮ（Local Area Network）等の通信回線を介してプラズマ処理システム１との間で通信してもよい。
なお、図１の例では、金属窓２を介して誘導結合アンテナ７０が設けられる場合を説明したが、これに限定されず、例えば誘電体窓を介して誘導結合アンテナ７０が設けられていてもよい。この場合、例えば誘電体窓の下方に、該誘電体窓とは別にシャワーヘッドを設けるようにしてもよい。
続いて、載置台３について説明する。載置台３は、スペーサ３５及びサセプタ３３を下方からこの順で積層し、スペーサ３５及びサセプタ３３の側面を例えばセラミック製のカバー３８により覆った構成となっている。載置台３は、絶縁層３９を介して処理容器１０の底面における中央部に設置されている。サセプタ３３には、配線７３を介してバイアス電源７５が接続されている。配線７３には、バイアス電力の整合を取るための整合器７４が介設されている。バイアス電源７５によりサセプタ３３に高周波電力であるバイアス電力を供給すると、ソース電力により処理容器１０内に生じた処理ガスのプラズマ中のイオンなどを載置台３に載置したガラス基板Ｇに引き込むことができる。
載置台３の内部には、伝熱ガス供給路３４が設けられ、その下流側の端部は、複数に分岐して、載置台３の上面に分散して開口することにより、複数の伝熱ガス供給口３４ａを構成している。伝熱ガス供給路３４の上流側は、処理容器１０の外部に設けられた伝熱ガス供給管６２に接続され、さらに伝熱ガス供給管６２の上流側は、流量調整部６３を介して伝熱ガス供給源６４に接続されている。
スペーサ３５の内部には、例えば周方向に延びる環状の冷媒流路３６が設けられている。冷媒流路３６には、チラーユニット（図示せず）により所定温度に調整された熱伝導媒体が循環供給され、熱伝導媒体の温度によってガラス基板Ｇの処理温度を制御できるように構成されている。
載置台３には、外部の搬送アームとの間でガラス基板Ｇを受け渡すための昇降ピン（図示せず）が、載置台３及び処理容器１０の底板を垂直方向に貫通し、載置台３の表面から突没するように設けられている。
サセプタ３３の上面には、誘電体層３１が設けられている。誘電体層３１には、水平方向に拡がる金属からなる吸着電極３２が埋設されている。誘電体層３１及び吸着電極３２は、静電チャックを構成する。吸着電極３２は、電圧調整用の抵抗４２が介設された配線４１を介して電源ユニット１００に接続されている。
電源ユニット１００は、電源ライン１１０及び接地ライン１２０を含む。電源ライン１１０及び接地ライン１２０は、電圧調整用の抵抗４２を介して配線４１に接続されている。
電源ライン１１０には、直流電源１１１、スイッチ１１２及び抵抗１１３が直列に接続されている。直流電源１１１は、制御部９から入力される電圧設定値に基づき、吸着電極３２に、例えば０Ｖ～６０００Ｖの範囲内の予め設定された直流電圧を印加する。スイッチ１１２は、直流電源１１１から吸着電極３２に印加される直流電圧のオン（供給）・オフ（停止）を切り替える。
接地ライン１２０は、電源ライン１１０に対して並列に接続されている。接地ライン１２０は、電圧調整用の抵抗４２と抵抗１１３との間において電源ライン１１０から分岐し、スイッチ１２１、ロータリスイッチ１２２及び抵抗部１２３を介して接地されている。ロータリスイッチ１２２は、接点を切り替えることで、接地ライン１２０の抵抗値を変更する。抵抗部１２３は、４つの抵抗器１２３ａ～１２３ｄを含む。４つの抵抗器１２３ａ～１２３ｄは、異なる抵抗値を有する。例えば、抵抗器１２３ａは１ＭΩの抵抗値を有し、抵抗器１２３ｂは５００ｋΩの抵抗値を有し、抵抗器１２３ｃは２５０ｋΩの抵抗値を有し、抵抗器１２３ｄは１００ｋΩの抵抗値を有する。
なお、図１に示される例では、抵抗部１２３が４つの抵抗器１２３ａ～１２３ｄを含む場合を説明したが、これに限定されない。例えば、抵抗部１２３は、２つ又は３つの抵抗器を含む形態であってもよく、５つ以上の抵抗器を含む形態であってもよい。
また、図１に示される例では、電源ユニット１００内に接地ライン１２０が設けられる場合を説明したが、これに限定されない。例えば、接地ライン１２０は、電源ユニット１００外に設けられていてもよい。
〔除電方法〕
図２を参照し、実施形態の除電方法の一例について説明する。以下では、プラズマ処理システム１において、静電チャックに内蔵された吸着電極３２に吸着電圧を印加することにより静電チャックに吸着されたガラス基板Ｇを処理プラズマで処理した後に静電チャック及びガラス基板Ｇを除電する方法を例に挙げて説明する。なお、図２に示される処理の開始時点において、スイッチ１１２はオンされており、スイッチ１２１はオフされているものとする。
工程Ｓ１１では、制御部９は、抵抗部１２３の抵抗値を選択する。例えば、制御部９は、予め記憶部９２に記憶された、抵抗部１２３の抵抗値と、吸着電極３２が所定の電圧まで降下する時間（以下「電圧降下時間」という。）と、が対応付けされた対応情報に基づいて、抵抗部１２３の抵抗値を選択する。例えば、電圧降下時間を相対的に短くしたい場合、制御部９は現在設定されている抵抗部１２３の抵抗値よりも小さい抵抗値を選択する。
工程Ｓ１２では、制御部９は、工程Ｓ１１にて選択した抵抗値を、抵抗部１２３の抵抗値として設定する。例えば、制御部９は、ロータリスイッチ１２２を制御して、工程Ｓ１１にて選択した抵抗値となるように接点を切り替える。
工程Ｓ１３では、制御部９は、除電プラズマをオンにする。例えば、制御部９は、処理ガス供給源２３から処理容器１０内にＡｒ、Ｎ２、Ｏ２等の除電プラズマを生成するためのガスを供給し、ソース電源７２から誘導結合アンテナ７０にソース電力を供給することで、処理容器１０内に除電プラズマを生成する。
工程Ｓ１４では、制御部９は、吸着電圧をオフにする。例えば、制御部９は、処理容器１０内に除電プラズマを生成してから所定の時間が経過した後、スイッチ１１２をオフに制御することにより、直流電源１１１から吸着電極３２に印加される直流電圧（吸着電圧）をオフにする。
工程Ｓ１５では、制御部９は、吸着電極３２を接地ラインに接続する。例えば、制御部９は、スイッチ１２１をオンに制御することにより、吸着電極３２を、抵抗部１２３を介して接地する。このとき、抵抗部１２３の抵抗値は、工程Ｓ１１にて選択された抵抗値に設定されているので、選択された抵抗値に応じた時間で吸着電極３２の電圧が降下する。例えば、工程Ｓ１１にて小さい抵抗値が選択されているほど、静電チャックに残留する電荷が接地ライン１２０を介して放電されやすいので、電圧降下時間が短くなる。工程Ｓ１５の後、制御部９は処理を終了する。
図３を参照し、実施形態の除電方法の別の一例について説明する。図３に示される実施形態の除電方法は、吸着電圧をオフにした後に抵抗部１２３の抵抗値を選択し、設定する点で、図２に示される除電方法と異なる。なお、図３に示される処理の開始時点において、スイッチ１１２はオンされており、スイッチ１２１はオフされているものとする。
工程Ｓ２１では、制御部９は、除電プラズマをオンにする。例えば、制御部９は、処理ガス供給源２３から処理容器１０内にＡｒ、Ｎ２、Ｏ２等の除電プラズマを生成するためのガスを供給し、ソース電源７２から誘導結合アンテナ７０にソース電力を供給することで、処理容器１０内に除電プラズマを生成する。
工程Ｓ２２では、制御部９は、吸着電圧をオフにする。例えば、制御部９は、処理容器１０内に除電プラズマを生成してから所定の時間が経過した後、スイッチ１１２をオフに制御することにより、直流電源１１１から吸着電極３２に印加される直流電圧（吸着電圧）をオフにする。
工程Ｓ２３では、制御部９は、抵抗部１２３の抵抗値を選択する。例えば、制御部９は、予め記憶部９２に記憶された、抵抗部１２３の抵抗値と電圧降下時間とが対応付けされた対応情報に基づいて、抵抗部１２３の抵抗値を選択する。例えば、電圧降下時間を相対的に短くしたい場合、制御部９は現在設定されている抵抗部１２３の抵抗値よりも小さい抵抗値を選択する。
工程Ｓ２４では、制御部９は、工程Ｓ２３にて選択した抵抗値を、抵抗部１２３の抵抗値として設定する。例えば、制御部９は、ロータリスイッチ１２２を制御して、工程Ｓ２３にて選択した抵抗値となるように接点を切り替える。
工程Ｓ２５では、制御部９は、吸着電極３２を接地ラインに接続する。例えば、制御部９は、スイッチ１２１をオンに制御することにより、吸着電極３２を、抵抗部１２３を介して接地する。このとき、抵抗部１２３の抵抗値は、工程Ｓ２３にて選択された抵抗値に設定されているので、選択された抵抗値に応じた時間で吸着電極３２の電圧が降下する。例えば、工程Ｓ２３にて小さい抵抗値が選択されているほど、静電チャックに残留する電荷が接地ライン１２０を介して放電されやすいので、電圧降下時間が短くなる。工程Ｓ２５の後、制御部９は処理を終了する。
以上に説明したように、実施形態の除電方法によれば、除電プラズマをオンにした後に吸着電圧をオフにする。これにより、除電プラズマの際に異常放電が生じることを抑制できる。
また、実施形態の除電方法によれば、吸着電極３２を接地ライン１２０に接続する前に、接地ライン１２０の途中に設けられている抵抗部１２３の抵抗値を変更する。これにより、電圧降下時間を調整できる。例えば、抵抗部１２３の抵抗値を小さくすることにより、電圧降下時間を相対的に短くできる。
なお、図２及び図３に示される実施形態の除電方法では、静電チャックに吸着されたガラス基板Ｇを処理プラズマで処理した後に、抵抗部１２３の抵抗値を選択し、選択した抵抗値を設定する場合を説明したが、これに限定されない。例えば、静電チャックに吸着されたガラス基板Ｇを処理プラズマで処理する前に、予め抵抗部１２３の抵抗値を選択し、選択した抵抗値を設定してもよい。また、図２及び図３に示される実施形態の除電方法では、工程Ｓ１２及び工程Ｓ２４において制御部９により抵抗部１２３の抵抗値を設定したが、手動により、例えばロータリスイッチ１２２の接点を切り替えるなどして、抵抗値を設定してもよい。
〔シミュレーション結果〕
抵抗部１２３の抵抗値を変更したときの電圧降下時間をシミュレーションにより解析した。シミュレーションでは、図４に示されるように、電源ユニット１００に含まれる抵抗部１２３の抵抗値を１ＭΩ、５００ｋΩ、２５０ｋΩ、１００ｋΩに変更したときに、吸着電極３２の電圧が１００Ｖに降下するまでの時間がどのように変化するかを解析した。
図５は、抵抗部１２３の抵抗値（放電抵抗）と電圧降下時間との関係のシミュレーション結果を示す図である。図５に示されるように、放電抵抗を１ＭΩ、５００ｋΩ、２５０ｋΩ、１００ｋΩに設定したときの、吸着電極３２の電圧が１００Ｖに降下するまでの時間は、それぞれ８．９７秒、５．０３秒、１．９３秒、０．３４秒であった。この結果から、放電抵抗を小さくすることにより、電圧降下時間を短くできることが示された。
図５に示される放電抵抗と電圧降下時間とが対応付けされた対応情報は、例えば記憶部９２に記憶され、前述の実施形態の除電方法において抵抗部１２３の抵抗値を選択する際に利用される。
〔実施例〕
実施形態のプラズマ処理システム１において、除電プラズマをオンにした後に吸着電圧をオフにし、吸着電極３２を、抵抗部１２３を介して接地された接地ライン１２０に接続したときの電圧降下時間を測定した（実施例）。実施例では、抵抗部１２３の抵抗値（放電抵抗）を１ＭΩ、５００ｋΩ、２５０ｋΩ、１００ｋΩに変更して実験を行った。
図６は、実施例における吸着電極３２の電圧の時間変化を示す図である。図６中、横軸は時間［秒］を示し、左側の縦軸は吸着電極３２の電圧［Ｖ］を示し、右側の縦軸はソース電源７２から誘導結合アンテナ７０に供給されるソース電力［Ｗ］を示す。図６において、実線、破線、点線及び一点鎖線はそれぞれ放電抵抗が１ＭΩ、５００ｋΩ、２５０ｋΩ及び１００ｋΩであるときの電圧を示し、太い実線はソース電力を示す。
図６に示されるように、放電抵抗を小さくするほど、吸着電圧をオフにした後の吸着電極３２の電圧が短時間で低下していることが分かる。具体的には、放電抵抗を１ＭΩ、５００ｋΩ、２５０ｋΩ、１００ｋΩに設定したときの、吸着電極３２の電圧が１００Ｖに降下するまでの時間は、それぞれ２２．２秒、１４．４秒、７．５秒、０．５秒であった。この結果から、実施形態のプラズマ処理システム１を用いた実験においても、シミュレーション結果と同様の傾向を示すことが確認できた。すなわち、放電抵抗を小さくすることにより、電圧降下時間を短くできることが示された。
また、図６に示される放電抵抗と電圧降下時間とが対応付けされた対応情報は、例えば記憶部９２に記憶され、前述の実施形態の除電方法において抵抗部１２３の抵抗値を選択する際に利用される。
比較のために、実施形態のプラズマ処理システム１において、吸着電圧をオフにし、吸着電極３２を、抵抗部１２３を介して接地された接地ライン１２０に接続した後に、除電プラズマをオンにした時の電圧降下時間を測定した（比較例）。比較例では、抵抗部１２３の抵抗値（放電抵抗）を１ＭΩに設定するとともに、吸着電圧をオフにすると同時にサセプタ３３を接地して実験を行った。比較例は、従来しばしば用いられる除電方法と同等の条件であり、吸着電圧をオフにすると同時にサセプタ３３を接地することにより除電を早めることができるが、本発明の実施形態においては、吸着電圧をオフにした時点ではすでに除電プラズマが形成されており、別の異常放電を引き起こす恐れがあるためサセプタ３３を接地することはできない。
図７は、比較例における吸着電極３２の電圧の時間変化を示す図である。図７中、横軸は時間［秒］を示し、左側の縦軸は吸着電極３２の電圧［Ｖ］を示し、右側の縦軸はソース電源７２から誘導結合アンテナ７０に供給されるソース電力［Ｗ］を示す。図７において、実線は放電抵抗が１ＭΩであるときの電圧を示し、太い実線はソース電力を示す。
図７に示されるように、吸着電極３２の電圧が１００Ｖに降下するまでの時間は６．８秒であった。
以上の実施例及び比較例の結果から、放電抵抗が１ＭΩの場合には比較例の方が１００Ｖに降下するまでの時間が短いが、除電プラズマをオンにした後に吸着電圧をオフにした実施例の場合でも、放電抵抗を小さくする（例えば２５０ｋΩ）ことで、吸着電圧をオフにした後に除電プラズマをオンにした比較例の場合と同等の電圧降下時間を実現できることが示された。また、除電プラズマをオンにした後に吸着電圧をオフにした実施例の場合でも、放電抵抗を更に小さくする（例えば１００ｋΩ）ことで、吸着電圧をオフにした後に除電プラズマをオンにした比較例の場合よりも電圧降下時間を短縮できることが示された。なお、比較例の場合においては、放電抵抗を小さくすると吸着電圧をオフにした際に急激な電圧変化が生じ、例えば、基板上に形成されている半導体素子を破壊するなどの異常放電が生じる恐れがあるため、放電抵抗を小さくすることはできない。
〔プラズマ処理システムの変形例〕
図８を参照し、実施形態のプラズマ処理システムの変形例について説明する。変形例のプラズマ処理システム１Ｍは、抵抗部が可変抵抗器である点で、図１に示される実施形態のプラズマ処理システム１と異なる。以下、異なる点を中心に説明する。
電源ユニット１００Ｍは、電源ライン１１０及び接地ライン１２０を含む。電源ライン１１０及び接地ライン１２０は、電圧調整用の抵抗４２を介して配線４１に接続されている。
電源ライン１１０には、直流電源１１１、スイッチ１１２及び抵抗１１３が直列に接続されている。直流電源１１１は、制御部９から入力される電圧設定値に基づき、吸着電極３２に、例えば０Ｖ～６０００Ｖの範囲内の予め設定された直流電圧を印加するように構成されている。スイッチ１１２は、直流電源１１１から吸着電極３２に印加される直流電圧のオン・オフを切り替える。
接地ライン１２０は、電源ライン１１０に対して並列に接続されている。接地ライン１２０は、電圧調整用の抵抗４２と抵抗１１３との間において電源ライン１１０から分岐し、スイッチ１２１及び抵抗部１２３Ｍを介して接地されている。抵抗部１２３Ｍは、複数の異なる抵抗値を設定可能な可変抵抗器である。
なお、図８に示される例では、抵抗部１２３Ｍが可変抵抗器である場合を説明したが、これに限定されない。例えば、抵抗部１２３Ｍは、可変抵抗器及び異なる抵抗値を有する複数の抵抗器を含んでいてもよい。
また、図８に示される例では、電源ユニット１００Ｍ内に接地ライン１２０が設けられる場合を説明したが、これに限定されない。例えば、接地ライン１２０は、電源ユニット１００Ｍ外に設けられていてもよい。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
３１ 誘電体層
３２ 吸着電極
１２３、１２３Ｍ 抵抗部
Ｇ ガラス基板

Claims (7)

  1. 静電チャックに内蔵された吸着電極に吸着電圧を印加することにより前記静電チャックに吸着された基板を処理プラズマで処理した後に前記静電チャック及び前記基板を除電する方法であって、
    （ａ）前記処理の後、除電プラズマを生成する工程と、
    （ｂ）前記工程（ａ）の後、前記除電プラズマを維持しながら、前記吸着電極に印加された前記吸着電圧を停止する工程と、
    （ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記吸着電極を、抵抗部を介して接地された接地ラインに接続する工程であり、前記抵抗部は少なくとも第１の抵抗値と該第１の抵抗値よりも小さい第２の抵抗値とのいずれかに抵抗値を設定可能である、工程と、
    （ｄ）前記工程（ｃ）の前に、前記抵抗部の抵抗値を選択する工程と、
    （ｅ）前記工程（ｄ）と前記工程（ｃ）との間において、前記抵抗部の抵抗値を、前記工程（ｄ）において選択された前記抵抗値に設定する工程と、
    を有する、除電方法。
  2. 前記工程（ｄ）において、前記吸着電極の電圧降下時間を相対的に短くしたい場合には前記第２の抵抗値を選択する、
    請求項１に記載の除電方法。
  3. 静電チャックに内蔵された吸着電極に吸着電圧を印加することにより前記静電チャックに吸着された基板を処理プラズマで処理した後に前記静電チャック及び前記基板を除電する方法であって、
    （ａ）前記処理の後、除電プラズマを生成する工程と、
    （ｂ）前記工程（ａ）の後、前記吸着電極に印加された前記吸着電圧を停止する工程と、
    （ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記吸着電極を、抵抗部を介して接地された接地ラインに接続する工程であり、前記抵抗部は少なくとも第１の抵抗値と該第１の抵抗値よりも小さい第２の抵抗値とのいずれかに抵抗値を設定可能である、工程と、
    （ｄ）前記工程（ｃ）の前に、前記抵抗部の抵抗値を選択する工程と、
    （ｅ）前記工程（ｄ）と前記工程（ｃ）との間において、前記抵抗部の抵抗値を、前記工程（ｄ）において選択された前記抵抗値に設定する工程と、
    を有し、
    前記工程（ｄ）において、前記抵抗部の抵抗値と前記吸着電極の電圧降下時間とが対応付けされた対応情報に基づいて、前記抵抗部の抵抗値を選択する、
    除電方法。
  4. 基板に処理プラズマにより処理を施す処理容器と、
    前記処理プラズマを生成するプラズマ生成部と、
    前記処理容器内に設けられ、前記基板を吸着する静電チャックを含む載置台と、
    前記静電チャックに内蔵された吸着電極と、
    前記吸着電極に接続され、前記基板を吸着する吸着電圧を印加する直流電源と、
    前記直流電源と並列に前記吸着電極に接続され、抵抗部を介して接地される接地ラインと、
    前記処理容器内に除電プラズマを発生し維持しながら前記吸着電極への前記吸着電圧の印加を停止する工程を実施する制御部と、
    を備え、
    前記抵抗部は、少なくとも第１の抵抗値と、該第１の抵抗値よりも小さい第２の抵抗値とのいずれかに抵抗値を設定可能である、
    プラズマ処理システム。
  5. 前記抵抗部は、前記第１の抵抗値を有する第１の抵抗器と、前記第２の抵抗値を有する第２の抵抗器とを含み、
    前記第１の抵抗器と前記第２の抵抗器とは、並列に設けられ、切り替え可能である、
    請求項４に記載のプラズマ処理システム。
  6. 前記抵抗部は、可変抵抗器を含む、
    請求項４又は５に記載のプラズマ処理システム。
  7. 前記プラズマ生成部は、除電プラズマを生成する、
    請求項４乃至６のいずれか一項に記載のプラズマ処理システム。
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