JP7537654B1 - 硫化物固体電解質の製造方法 - Google Patents
硫化物固体電解質の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7537654B1 JP7537654B1 JP2024529844A JP2024529844A JP7537654B1 JP 7537654 B1 JP7537654 B1 JP 7537654B1 JP 2024529844 A JP2024529844 A JP 2024529844A JP 2024529844 A JP2024529844 A JP 2024529844A JP 7537654 B1 JP7537654 B1 JP 7537654B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid electrolyte
- raw material
- sulfide solid
- sulfide
- producing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002203 sulfidic glass Substances 0.000 title claims abstract description 100
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 135
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 73
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 48
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 9
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 claims description 45
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- 229910018091 Li 2 S Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 28
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 claims description 23
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 11
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 11
- 229910007354 Li2Sx Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 68
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 28
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 20
- GLNWILHOFOBOFD-UHFFFAOYSA-N lithium sulfide Chemical compound [Li+].[Li+].[S-2] GLNWILHOFOBOFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 18
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 18
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 17
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 17
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 16
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 14
- -1 sulfide ions Chemical class 0.000 description 12
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 11
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 9
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 9
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- AMXOYNBUYSYVKV-UHFFFAOYSA-M lithium bromide Chemical compound [Li+].[Br-] AMXOYNBUYSYVKV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 7
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 6
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 6
- CYQAYERJWZKYML-UHFFFAOYSA-N phosphorus pentasulfide Chemical group S1P(S2)(=S)SP3(=S)SP1(=S)SP2(=S)S3 CYQAYERJWZKYML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M Lithium hydroxide Chemical compound [Li+].[OH-] WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- VKCLPVFDVVKEKU-UHFFFAOYSA-N S=[P] Chemical compound S=[P] VKCLPVFDVVKEKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N copper(II) sulfide Chemical compound [S-2].[Cu+2] OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 5
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 5
- 238000012887 quadratic function Methods 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N Sulphur dioxide Chemical compound O=S=O RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 4
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 4
- 229910005839 GeS 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 3
- HSZCZNFXUDYRKD-UHFFFAOYSA-M lithium iodide Chemical compound [Li+].[I-] HSZCZNFXUDYRKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000012768 molten material Substances 0.000 description 3
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 3
- 239000007773 negative electrode material Substances 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007774 positive electrode material Substances 0.000 description 3
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021592 Copper(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021617 Indium monochloride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- FOBPTJZYDGNHLR-UHFFFAOYSA-N diphosphorus Chemical compound P#P FOBPTJZYDGNHLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M indium(1+);chloride Chemical compound [In]Cl APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000921 lithium phosphorous sulfides (LPS) Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBMLMWLHJBBADN-UHFFFAOYSA-N Ferrous sulfide Chemical compound [Fe]=S MBMLMWLHJBBADN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005829 GeS Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001216 Li2S Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910012007 Li4P2S6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010848 Li6PS5Cl Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017435 S2 In Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020346 SiS 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- YFRNYWVKHCQRPE-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diene;prop-2-enoic acid Chemical compound C=CC=C.OC(=O)C=C YFRNYWVKHCQRPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNLOHLDVJGPUFR-UHFFFAOYSA-L calcium;3,4,5,6-tetrahydroxy-2-oxohexanoate Chemical compound [Ca+2].OCC(O)C(O)C(O)C(=O)C([O-])=O.OCC(O)C(O)C(O)C(=O)C([O-])=O NNLOHLDVJGPUFR-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(I) oxide Inorganic materials [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N cuprous oxide Chemical compound [O-2].[Cu+].[Cu+] KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QHGJSLXSVXVKHZ-UHFFFAOYSA-N dilithium;dioxido(dioxo)manganese Chemical compound [Li+].[Li+].[O-][Mn]([O-])(=O)=O QHGJSLXSVXVKHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910021385 hard carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001483 high-temperature X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011244 liquid electrolyte Substances 0.000 description 1
- XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L lithium carbonate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]C([O-])=O XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000002642 lithium compounds Chemical class 0.000 description 1
- BDKWOJYFHXPPPT-UHFFFAOYSA-N lithium dioxido(dioxo)manganese nickel(2+) Chemical compound [Mn](=O)(=O)([O-])[O-].[Ni+2].[Li+] BDKWOJYFHXPPPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- INHCSSUBVCNVSK-UHFFFAOYSA-L lithium sulfate Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-]S([O-])(=O)=O INHCSSUBVCNVSK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000010450 olivine Substances 0.000 description 1
- 229910052609 olivine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003018 phosphorus compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920000447 polyanionic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021384 soft carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 1
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 1
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 description 1
- RBTVSNLYYIMMKS-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 3-aminoazetidine-1-carboxylate;hydrochloride Chemical compound Cl.CC(C)(C)OC(=O)N1CC(N)C1 RBTVSNLYYIMMKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K trisodium phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])([O-])=O RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B25/00—Phosphorus; Compounds thereof
- C01B25/14—Sulfur, selenium, or tellurium compounds of phosphorus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
- H01M10/05—Accumulators with non-aqueous electrolyte
- H01M10/056—Accumulators with non-aqueous electrolyte characterised by the materials used as electrolytes, e.g. mixed inorganic/organic electrolytes
- H01M10/0561—Accumulators with non-aqueous electrolyte characterised by the materials used as electrolytes, e.g. mixed inorganic/organic electrolytes the electrolyte being constituted of inorganic materials only
- H01M10/0562—Solid materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/62—Selection of inactive substances as ingredients for active masses, e.g. binders, fillers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Secondary Cells (AREA)
Abstract
Description
従来、リチウムイオン二次電池においては液体の電解質が使用されてきたが、液漏れや発火等が懸念され、安全設計のためにケースを大型化する必要があった。また、電池寿命の短さ、動作温度範囲の狭さについても改善が望まれていた。
一方で、高いリチウムイオン伝導率を実現すべく、高品質のL2Sを高純度で使用しようとすると、硫化物化合物はそもそも高価であることもあり、コストが増大する。
[1] 硫化物固体電解質の製造方法であって、
Li元素を含む原材料、P元素を含む原材料及びS元素を含む原材料を混合して原料混合物を得ること、並びに前記原料混合物を加熱処理することを含み、
前記S元素を含む原材料としてLi2Sx(0.05≦x≦0.95)を用い、
前記加熱処理はS元素を含むガスを導入して行い、
前記原料混合物の質量に対する、前記S元素を含むガスにおけるS元素の積算導入量Y(質量%)は、前記Li2Sxにおける前記xに対して、
Y≧x2-6.5x+5.8
の関係を満たす、硫化物固体電解質の製造方法。
[2] 前記加熱処理により前記原料混合物の溶融物を得て、
次いで前記溶融物を冷却し、結晶を析出することをさらに含む、前記[1]に記載の硫化物固体電解質の製造方法。
[3] 前記加熱処理により結晶を析出する、前記[1]に記載の硫化物固体電解質の製造方法。
[4] 前記原料混合物は、さらにHa元素を含む原材料を含み、
前記Ha元素はF、Cl、Br及びIからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素であり、
前記硫化物固体電解質は、アルジロダイト型の結晶構造を含む、前記[1]~[3]のいずれか1に記載の硫化物固体電解質の製造方法。
[5] 前記アルジロダイト型の結晶構造の格子定数は9.70~10.50Åである、前記[4]に記載の硫化物固体電解質の製造方法。
[6] 前記Li2Sxにおける前記xは0.05≦x≦0.90である、前記[1]~[5]のいずれか1に記載の硫化物固体電解質の製造方法。
[7] 前記S元素を含むガスとして硫黄ガスを含む、前記[1]~[6]のいずれか1に記載の硫化物固体電解質の製造方法。
[8] 前記S元素を含むガスにおける前記S元素の積算導入量Yは2質量%以上である、前記[1]~[7]のいずれか1に記載の硫化物固体電解質の製造方法。
[9] 前記硫化物固体電解質のリチウムイオン伝導率は2mS/cm以上である、前記[1]~[8]のいずれか1に記載の硫化物固体電解質の製造方法。
本明細書において、「質量」とは「重量」と同義であり、また、「質量%」とは「重量%」と同義である。
本実施形態に係る硫化物固体電解質の製造方法は図1に示すように、下記ステップS1及びステップS2を順に含む。
ステップS1は、Li元素を含む原材料、P元素を含む原材料及びS元素を含む原材料を混合して原料混合物を得る工程である。
ステップS2は、ステップS1で得られた原料混合物を加熱処理する工程である。
ステップS1では、Li元素を含む原材料、P元素を含む原材料及びS元素を含む原材料を混合して原料混合物を得る。
アルジロダイト型の結晶構造を含む硫化物固体電解質を得る場合には、原材料はLi元素を含む原材料、P元素を含む原材料、及びS元素を含む原材料に加え、さらにHa元素を含む原材料を含む。本明細書において、Ha元素とは、F、Cl、Br及びIからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素である。
他の元素として、例えば、Si元素、Al元素、Sn元素、In元素、Cu元素、Sb元素、Ge元素、O元素等が挙げられる。
具体的には、Li単体やLiを含む化合物、P単体やPを含む化合物、所望によりSを含む化合物、及び所望によりHaを含む化合物を適宜組み合わせて使用できる。さらにO元素を含む場合には、上記化合物として酸化物を使用してもよい。
例えば、S元素を含む原材料である上記Li2SxはS元素を含む原材料とLi元素を含む原材料を兼ねる化合物である。これは、Li元素を含む原材料として、Li2Sx以外の化合物をさらに用いることを何ら排除するものではなく、さらにLi単体や、他のLiを含む化合物を併用してもよい。
他の例として、P元素を含む原材料とS元素を含む原材料を兼ねる化合物として五硫化二リン(P2S5)等が挙げられる。また、Li元素を含む原材料とHa元素を含む原材料を兼ねる化合物として、ハロゲン化リチウムが挙げられる。
任意成分として、Al元素を含む原材料としては、例えば、Al2S3、Al2O3、AlCl3が挙げられる。中でも、リチウムイオン伝導率の観点からは、Al2S3、AlCl3が好ましく、Al2S3がより好ましい。これらの化合物は単独で用いてもよく、2種以上を組合わせて用いてもよい。
任意成分として、Sn元素を含む原材料としては、例えば、SnS、SnS2、SnO、SnO2、SnCl2が挙げられる。中でも、リチウムイオン伝導率の観点からは、SnS2、SnCl2が好ましく、SnS2がより好ましい。これらの化合物は単独で用いてもよく、2種以上を組合わせて用いてもよい。
任意成分として、In元素を含む原材料としては、例えば、In2O3、In2S3、InCl3が挙げられる。中でも、リチウムイオン伝導率の観点からは、In2S3、InCl3が好ましく、In2S3がより好ましい。これらの化合物は単独で用いてもよく、2種以上を組合わせて用いてもよい。
任意成分として、Cu元素を含む原材料としては、例えば、Cu2O、CuO、Cu2S、CuS、CuCl2が挙げられる。中でも、リチウムイオン伝導率の観点からは、CuS、CuCl2が好ましく、CuSがより好ましい。これらの化合物は単独で用いてもよく、2種以上を組合わせて用いてもよい。
任意成分として、Sb元素を含む原材料としては、例えば、Sb2O3、Sb2S3、SbCl3が挙げられる。中でも、リチウムイオン伝導率の観点からは、Sb2S3、SbCl3が好ましく、Sb2S3がより好ましい。これらの化合物は単独で用いてもよく、2種以上を組合わせて用いてもよい。
任意成分として、Ge元素を含む原材料としては、例えば、GeO2、GeS、GeS2、GeCl2が挙げられる。中でも、リチウムイオン伝導率の観点からは、GeS2、GeCl2が好ましく、GeS2がより好ましい。これらの化合物は単独で用いてもよく、2種以上を組合わせて用いてもよい。
特に後述するステップS2bにより加熱焼結して硫化物固体電解質を得る場合には、ステップS1における混合により、硫化物固体電解質の前駆体とすべく、非晶質化することが好ましい。この場合には、原材料をメディアを用いて混合することが好ましく、中でも、より混合力や粉砕力の高い遊星ボールミルやアトライタ(登録商標)、ビーズミルがより好ましい。
ステップS2では、ステップS1で得られた原料混合物を加熱処理する。ステップS2は、ステップS2aとして加熱溶融により溶融物を得てもよく、ステップS2bとして加熱焼結により硫化物固体電解質を得てもよいが、いずれにおいても加熱処理はS元素を含むガスを導入して行う。上記のうち、より短時間で所望する硫化物固体電解質を得る観点から、ステップS2aとして加熱溶融により溶融物を得る方法を採用することが好ましい。
原料混合物の質量に対するS元素を含むガスにおけるS元素の積算導入量Y(質量%)は、S元素を含む原材料であるLi2Sxにおけるxに対して、
Y≧x2-6.5x+5.8
の関係を満たす。
Y≧x2-6.5x+6.2
の関係を満たすことが好ましい。これも、Y≧x2-6.5x+5.8の関係式と同様、実際の評価結果をもとに、上記各係数を決定したものである。
Y≦x2-6.5x+16.5
の関係を満たすことも好ましく、
Y≦x2-6.5x+12.5
の関係を満たすことがより好ましい。上記式も、実際の評価結果をもとに、不純物生成によるリチウムイオン伝導率低下の観点から、各係数を決定したものである。
xが0.50である場合には、原料混合物の質量に対するS元素を含むガスにおけるS元素の積算導入量Yは2.80質量%以上であればよく、S原子の欠損をより抑制する観点から、3.20質量%以上がより好ましい。積算導入量Yは、不純物生成によるリチウムイオン伝導率低下の観点から、13.50質量%以下が好ましく、9.50質量%以下がより好ましい。
xが0.30である場合には、原料混合物の質量に対するS元素を含むガスにおけるS元素の積算導入量Yは3.94質量%以上であればよく、S原子の欠損をより抑制する観点から、4.34質量%以上がより好ましい。積算導入量Yは、不純物生成によるリチウムイオン伝導率低下の観点から、14.64質量%以下が好ましく、10.64質量%以下がより好ましい。ただし、xの値は上記に限定されるものでなく、0.05~0.95の範囲内であればよい。
また、S元素を含むガスとして、単体硫黄粉末を添加し、加熱処理時の加熱により単体硫黄粉末を気化させることで、S元素を含むガスの導入としてもよい。単体硫黄粉末は、原材料を混合して原料混合物を得る際に原材料と共に添加してもよく、原料混合物を得た後に別途添加してもよい。ただし、単体硫黄粉末を、原料混合物を得る際に原材料と共に添加する場合には、得られた原料混合物の質量に、上記単体硫黄粉末の質量は含まれない。
S元素を含むガスとして、上記の硫黄ガス、硫化水素ガス、二酸化硫黄ガス等を導入すると共に、単体硫黄粉末の添加によるS元素を含むガスを併せて導入してもよい。
例えば、原材料を混合して得られた原料混合物が100gである場合には、硫黄分がYgとなるようなS元素を含むガスを導入する。このとき、S元素を含むガスは、混合ガス中のS元素の濃度や、加熱処理を行う容器中のS元素の濃度ではなく、原料混合物の質量に対するS元素の積算導入量が所望する値になるように、所定量導入する。
ステップS2としてステップS2aを経た場合には、次いでステップS3aとして溶融物を冷却し、結晶を析出する工程をさらに含むことにより、本実施形態における硫化物固体電解質が得られる。
冷却速度は、所望する結晶が析出すれば特に限定されないが、5~2000℃/分が好ましく、10~1000℃/分がより好ましく、30~300℃/分がさらに好ましい。ここで、冷却速度は、生産性の観点から、5℃/分以上が好ましく、10℃/分以上がより好ましく、30℃/分以上がさらに好ましい。また、冷却速度は、結晶化率を高める観点から、2000℃/分以下が好ましく、1000℃/分以下がより好ましく、300℃/分以下がさらに好ましい。
上記<硫化物固体電解質の製造方法>で得られる硫化物固体電解質は、アルジロダイト型の結晶構造を含むことが好ましい。ここで、アルジロダイト型の結晶構造とは、組成式Ag8GeS6で表される鉱物に由来する化合物群が有する結晶構造である。
5/2・Li2S+1/2・P2S5+LiCl→Li6PS5Cl
これに対して、S原子欠損のあるLi2Sx(0.05≦x≦0.95)を原材料として用いると、
5/2・Li2Sx+1/2・P2S5+LiCl→Li6PS5-1/2xCl
で表されるように、Li2Sxのxの値の1/2の量が欠損したアルジロダイト型の硫化物固体電解質が製造される。
しかしながら、本実施形態に係る製造方法では、S元素を含むガスを導入することで、S原子欠損のあるLi2Sx(0.05≦x≦0.95)を原材料として用いても、Li6PS5Clで表されるアルジロダイト型の硫化物固体電解質、又はそれに近いS原子の欠損が抑制された硫化物固体電解質が得られるようになる。
すなわち、aについて、5以上が好ましく、5.1超がより好ましく、5.2超がさらに好ましく、また、7以下が好ましく、6.3未満がより好ましく、6.2未満がさらに好ましい。bについて、4以上が好ましく、4超がより好ましく、4.1超がさらに好ましく、また、6以下が好ましく、5.3未満がより好ましく、5.2未満がさらに好ましい。cについて、1.3以上が好ましく、1.4以上がより好ましく、1.5以上がさらに好ましく、また、2以下が好ましく、1.9以下がより好ましく、1.8以下がさらに好ましい。
なお、リチウムイオン伝導率は、交流インピーダンス法により測定できる。
すなわち、上記電極合剤は、リチウムイオン二次電池に用いられ、上記固体電解質と活物質とを含む。
また、上記固体電解質層は、リチウムイオン二次電池に用いられ、上記固体電解質を含む。
また、上記全固体リチウム二次電池は、上記固体電解質を含む。
例えば、正極活物質としては、リチウムイオンの吸蔵及び放出、リチウムイオンの脱離及び挿入(インターカレーション)、又は、該リチウムイオンのカウンターアニオンのドープ及び脱ドープを可逆的に進行できれば特に限定されない。具体的には、コバルト酸リチウム、ニッケル酸リチウム、マンガン酸リチウム、ニッケルマンガン酸リチウム、複合金属酸化物、ポリアニオンオリビン型正極等が挙げられる。
バインダーは従来公知の物を使用できるが、例えば、ブタジエンゴム、アクリレートブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム、ポリフッ化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレン等が挙げられる。固体電解質層におけるバインダーの含有量も、従来公知の範囲内にすればよい。
正極の活物質は電極合剤において記載した正極活物質と同様のものを使用でき、正極は、必要に応じて正極集電体やバインダー、導電助剤等をさらに含んでもよい。正極集電体はアルミニウムやそれらの合金、ステンレス等の金属薄板等を使用できる。
例1~例4は実施例であり、例5及び例6は比較例である。
ドライ窒素ガス雰囲気下で、Li5.4PS4.4Cl0.8Br0.8の組成比となるように、硫化リチウム粉末(Sigma社製、純度99.98%)、五硫化二リン粉末(Sigma社製、純度99%)、塩化リチウム粉末(Sigma社製、純度99.99%)、及び臭化リチウム粉末(Sigma社製、純度99.995%)を秤量し、乳鉢で混合することで原料混合物を得た。なお、硫化リチウム粉末は、使用前にX線粉末回折(XRD)装置を用いて測定し、その組成がLi2SではなくLi2S0.33となっており、長期保管によってS原子が欠損していることを確認した。
得られた原料混合物を同雰囲気下で耐熱性容器に入れ、電気炉にて750℃で1時間加熱し、完全溶解した溶融物を得た。その状態のままS元素を含むガスを導入し、1時間保持した後、室温まで150℃/分にて冷却することで硫化物固体電解質を得た。
S元素を含むガスは、硫黄ガスと窒素ガスとの混合ガスとし、原料混合物の質量に対するS元素の積算導入量は4質量%とした。
線源:CuKα線(λ=1.5418Å)、管球電圧:45kV、管球電流:200mA、走査角度:10~100°、走査速度:5°/分、ステップ数:0.01°/ステップ。
XRDパターンより、得られた硫化物固体電解質はアルジロダイト型の結晶構造を有することが確認された。
原料混合物の質量に対するS元素の積算導入量を8質量%とした以外は、例1と同様にして、アルジロダイト型の結晶構造を有する硫化物固体電解質を得た。
得られた硫化物固体電解質のXRDパターンを図5に示す。
硫化リチウム粉末として、組成がLi2S0.81のものを使用した以外は、例1と同様にして、アルジロダイト型の結晶構造を有する硫化物固体電解質を得た。
得られた硫化物固体電解質のXRDパターンを図6に示す。
硫化リチウム粉末として、組成がLi2S0.86のものを使用した以外は、例1と同様にして、アルジロダイト型の結晶構造を有する硫化物固体電解質を得た。
得られた硫化物固体電解質のXRDパターンを図7に示す。
S元素を含むガスである混合ガスに代えて、S元素を含まない窒素ガスを用いた以外は、例1と同様にして、アルジロダイト型の結晶構造を有する硫化物固体電解質を得た。
得られた硫化物固体電解質のXRDパターンを図8に示す。
S元素を含むガスである混合ガスに代えて、S元素を含まない窒素ガスを用いた以外は、例3と同様にして、アルジロダイト型の結晶構造を有する硫化物固体電解質を得た。
得られた硫化物固体電解質のXRDパターンを図9に示す。
この測定サンプルに対し、交流インピーダンス測定装置(Bio-Logic Sciences Instruments社製、ポテンショスタット/ガルバノスタット VSP)を用いてリチウムイオン伝導率を測定した。
測定条件は、測定周波数:100Hz~1MHz、測定電圧:100mV、測定温度:25℃とした。
このことから例5、例6のように、S原子が欠損した低品質な硫化物原料を用いて硫化物固体電解質を得ると、硫化物固体電解質でもS原子が欠損する結果、リチウムイオン伝導率が低くなるものと考えられる。
Claims (9)
- 硫化物固体電解質の製造方法であって、
Li元素を含む原材料、P元素を含む原材料及びS元素を含む原材料を混合して原料混合物を得ること、並びに前記原料混合物を加熱処理することを含み、
前記S元素を含む原材料としてLi2Sx(0.05≦x≦0.95)を用い、
前記加熱処理はS元素を含むガスを導入して行い、
前記原料混合物の質量に対する、前記S元素を含むガスにおけるS元素の積算導入量Y(質量%)は、前記Li2Sxにおける前記xに対して、
Y≧x2-6.5x+5.8
の関係を満たす、硫化物固体電解質の製造方法。 - 前記加熱処理により前記原料混合物の溶融物を得て、
次いで前記溶融物を冷却し、結晶を析出することをさらに含む、請求項1に記載の硫化物固体電解質の製造方法。 - 前記加熱処理により結晶を析出する、請求項1に記載の硫化物固体電解質の製造方法。
- 前記原料混合物は、さらにHa元素を含む原材料を含み、
前記Ha元素はF、Cl、Br及びIからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素であり、
前記硫化物固体電解質は、アルジロダイト型の結晶構造を含む、請求項2又は3に記載の硫化物固体電解質の製造方法。 - 前記アルジロダイト型の結晶構造の格子定数は9.70~10.50Åである、請求項4に記載の硫化物固体電解質の製造方法。
- 前記Li2Sxにおける前記xは0.05≦x≦0.90である、請求項2又は3に記載の硫化物固体電解質の製造方法。
- 前記S元素を含むガスとして硫黄ガスを含む、請求項2又は3に記載の硫化物固体電解質の製造方法。
- 前記S元素を含むガスにおける前記S元素の積算導入量Yは2質量%以上である、請求項2又は3に記載の硫化物固体電解質の製造方法。
- 前記硫化物固体電解質のリチウムイオン伝導率は2mS/cm以上である、請求項2又は3に記載の硫化物固体電解質の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022178441 | 2022-11-07 | ||
JP2022178441 | 2022-11-07 | ||
PCT/JP2023/037944 WO2024101110A1 (ja) | 2022-11-07 | 2023-10-19 | 硫化物固体電解質の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP7537654B1 true JP7537654B1 (ja) | 2024-08-21 |
Family
ID=91032751
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2024529844A Active JP7537654B1 (ja) | 2022-11-07 | 2023-10-19 | 硫化物固体電解質の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7537654B1 (ja) |
WO (1) | WO2024101110A1 (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020213340A1 (ja) | 2019-04-19 | 2020-10-22 | 三井金属鉱業株式会社 | 硫化物固体電解質の製造方法 |
WO2022025268A1 (ja) | 2020-07-31 | 2022-02-03 | Agc株式会社 | 硫化物系固体電解質の製造方法及び硫化物系固体電解質 |
-
2023
- 2023-10-19 JP JP2024529844A patent/JP7537654B1/ja active Active
- 2023-10-19 WO PCT/JP2023/037944 patent/WO2024101110A1/ja unknown
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020213340A1 (ja) | 2019-04-19 | 2020-10-22 | 三井金属鉱業株式会社 | 硫化物固体電解質の製造方法 |
WO2022025268A1 (ja) | 2020-07-31 | 2022-02-03 | Agc株式会社 | 硫化物系固体電解質の製造方法及び硫化物系固体電解質 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2024101110A1 (ja) | 2024-05-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6293383B1 (ja) | リチウム二次電池用硫化物系固体電解質 | |
JP5873533B2 (ja) | リチウムイオン電池用硫化物系固体電解質 | |
US10879562B2 (en) | Solid electrolyte, preparation method thereof, and all-solid-state battery employing the same | |
WO2020045634A1 (ja) | 硫化物固体電解質の製造方法、硫化物固体電解質、全固体電池、及び硫化物固体電解質の製造に用いる原料化合物の選択方法 | |
WO2015012042A1 (ja) | リチウムイオン電池用硫化物系固体電解質 | |
JP2021072288A (ja) | 固体イオン伝導体化合物、それを含む固体電解質、それを含む電気化学セル、及びその製造方法 | |
JP2024028433A (ja) | 硫化物系固体電解質の製造方法及び硫化物系固体電解質 | |
WO2022080435A1 (ja) | 硫化物系固体電解質及びその製造方法 | |
CN115803285A (zh) | 用于锂离子二次电池的硫化物系固体电解质及其制造方法、固体电解质层以及锂离子二次电池 | |
WO2023210604A1 (ja) | 硫化物系固体電解質の製造方法、ハロゲン化リチウム含有組成物、及び硫化リチウム含有組成物 | |
JP7537654B1 (ja) | 硫化物固体電解質の製造方法 | |
JP7031553B2 (ja) | 固体電解質 | |
US20240055653A1 (en) | Sulfide based solid electrolyte, solid electrolyte layer, and lithium ion secondary battery | |
WO2024014382A1 (ja) | 硫化物系固体電解質及びその製造方法、電極合剤、固体電解質層、並びに、全固体リチウムイオン二次電池 | |
WO2024085045A1 (ja) | 硫化物固体電解質及びその製造方法、電極合剤、固体電解質層、並びに、全固体リチウムイオン二次電池 | |
WO2020017500A1 (ja) | 固体電解質の製造方法 | |
WO2024143262A1 (ja) | 硫化物固体電解質複合体の製造方法、硫化物固体電解質複合体および複合体粉末の製造方法 | |
JP7415241B1 (ja) | 硫化物系固体電解質の製造方法及び製造装置 | |
WO2024157974A1 (ja) | 硫化物固体電解質粉末の製造方法 | |
WO2023219173A1 (ja) | 硫化物系固体電解質の製造方法及び製造装置 | |
WO2024181099A1 (ja) | 水酸化リチウムの製造方法、リチウムを含む硫化物固体電解質原料の製造方法、及び硫化物固体電解質の製造方法 | |
WO2024018976A1 (ja) | 硫化物固体電解質及びその製造方法 | |
JP7435926B2 (ja) | 硫化物系固体電解質の製造方法 | |
JP7435927B1 (ja) | 硫化物系固体電解質粉末、硫化物系固体電解質粉末の製造方法、硫化物系固体電解質層及びリチウムイオン二次電池 | |
WO2023053610A1 (ja) | 硫化物系固体電解質 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20240527 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20240527 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240709 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240722 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7537654 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |