JP7534611B2 - 発光装置 - Google Patents

Description

本開示は、発光装置に関する。

従来より、励起光を出射する発光素子と、励起光の照射によって蛍光を発する蛍光体と、を備える発光装置が提案されている。そのような発光装置は、例えば、自動車などの移動体用ヘッドランプ、または照明器具などの光源に利用されている。

特許文献１には、そのような発光装置の構成例として、複数の励起光源を対向して配置し、励起光源の間に設けられた蛍光部材に斜め上方に出射された励起光の反射光を照射して、上方から光を取り出す光源装置が開示されている。

特開２０１５－０２２９５４号公報

特許文献１に開示される発光装置では、対向する励起光源の反射光を蛍光部材に照射させるため、蛍光部材のために確保すべき領域が大きくなり、装置が大型化する。一方で、発光装置には小型化が求められている。

本開示の発光装置は、一実施形態において、第１傾斜面、前記第１傾斜面の反対側に位置する第２傾斜面、および前記第１傾斜面と前記第２傾斜面との間に位置する頂部を有する基部と、前記第１傾斜面に配され、第１出射端面を有する１以上の第１半導体レーザ素子と、前記第２傾斜面に配され、第２出射端面を有する１以上の第２半導体レーザ素子と、前記頂部の上方に位置する入射面を有する波長変換部材と、を備え、前記第１半導体レーザ素子における前記第１出射端面、および前記第２半導体レーザ素子における前記第２出射端面は、前記波長変換部材における前記入射面が位置する方向を向く。

本発明によれば、発光装置の小型化を実現することができる。

図１は、本開示の実施形態１における例示的な発光装置の構成を模式的に示す斜視図である。 図２Ａは、図１の発光装置の分解斜視図である。 図２Ｂは、図２Ａの上中下に分離された構成要素のうち下側の構成要素の分解斜視図である。 図２Ｃは、図２Ｂの上下に分離された構成要素のうち上側の構成要素を下方から見た斜視図である。 図２Ｄは、図２Ａの上中下に分離された構成要素のうち下側の構成要素の上面図である。 図３Ａは、図１の発光装置のＹＺ平面に平行なＩＩＩＡ－ＩＩＩＡ線断面図である。 図３Ｂは、図１の発光装置のＸＺ平面に平行なＩＩＩＢ－ＩＩＩＢ線断面図である。 図４は、実施形態１の変形例における発光装置の分解斜視図である。 図５Ａは、図４の発光装置のＹＺ平面に平行なＶＡ－ＶＡ線断面図である。 図５Ｂは、図４の発光装置のＸＺ平面に平行なＶＢ－ＶＢ線断面図である。 図６は、本開示の実施形態２における例示的な発光装置の構成の分解斜視図である。 図７Ａは、図６の発光装置のＹＺ平面に平行なＶＩＩＡ－ＶＩＩＡ線断面図である。 図７Ｂは、図６の発光装置のＸＺ平面に平行なＶＩＩＢ－ＶＩＩＢ線断面図である。 図８は、実施形態２の変形例における発光装置の分解斜視図である。 図９Ａは、図８の発光装置のＹＺ平面に平行なＩＸＡ－ＩＸＡ線断面図である。 図９Ｂは、図８の発光装置のＸＺ平面に平行なＩＸＢ－ＩＸＢ線断面図である。 図１０は、本開示の実施形態３における例示的な発光装置の構成の分解斜視図である。

以下、図面を参照しながら、本開示の実施形態における発光装置を説明する。複数の図面に表れる同一符号の部分は同一の部分または部材を示す。

さらに以下は、本開示の技術思想を具体化するために例示しているのであって、本開示を以下に限定しない。また、構成要素の寸法、材質、形状、その相対的配置などについては、本開示の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、例示することを意図している。各図面が示す部材の大きさや位置関係などは、理解を容易にするなどのために誇張している場合がある。

本明細書または特許請求の範囲において、三角形や四角形などの多角形に関しては、多角形の隅に角丸め、面取り、角取り、丸取り等の加工が施された形状も含めて、多角形と呼ぶものとする。また、隅（辺の端）に限らず、辺の中間部分に加工が施された形状も同様に、多角形と呼ぶものとする。つまり、多角形をベースに残しつつ、部分的な加工が施された形状は、本明細書および特許請求の範囲で記載される“多角形”の解釈に含まれるものとする。

また、多角形に限らず、台形や円形や凹凸など、特定の形状を表す言葉についても同様である。また、その形状を形成する各辺を扱う場合も同様である。つまり、ある辺において、隅や中間部分に加工が施されていたとしても、“辺”の解釈には加工された部分も含まれる。なお、部分的な加工のない“多角形”や“辺”を、加工された形状と区別する場合は“厳密な”を付して、例えば、“厳密な四角形”などと記載するものとする。

また、本明細書または特許請求の範囲において、ある構成要素に関し、これに該当するものが複数あり、それぞれを区別して表現する場合に、その構成要素の頭に“第１”、“第２”と付記して区別することがある。また、本明細書と特許請求の範囲とで区別する対象や観点が異なる場合、本明細書と特許請求の範囲との間で、同一の付記が、同一の対象を指さない場合がある。

例えば、本明細書において“第１”、“第２”、“第３”と付記されて区別される対象があり、本明細書の“第１”および“第３”のみを対象として特許請求の範囲を記載する場合に、特許請求の範囲において“第１”、“第２”と付記された対象が、本明細書において“第１”“第３”と付記された対象を指すことがある。

（実施形態１）
まず、図１を参照して、本開示の実施形態１における発光装置の構成例を説明する。

図１は、本開示の実施形態１における例示的な発光装置１００の構成を模式的に示す斜視図である。図面には、参考のため、互いに直交するＸ方向、Ｙ方向、およびＺ方向が示されている。本明細書では、位置関係の把握のしやすさのため、Ｚ軸の矢印の方向を「上方」として説明する。この場合、Ｚ軸の矢印と反対の方向は「下方」となる。なお、ここでの「上方」は、発光装置１００の使用時における向きを制限するわけではなく、発光装置１００の向きは任意である。

発光装置１００は、図１に示すように、概略的に直方体の形状を有する。発光装置１００のＸ方向、Ｙ方向、およびＺ方向の各サイズは、例えば１ｍｍ以上１５ｍｍ以下であり得る。

発光装置１００は、基部１０と、基部１０内に収容される１または複数の半導体レーザ素子と、１または複数の半導体レーザ素子から出射された光の波長を変換する波長変換部材３０と、波長変換部材３０を支持する透光性部材４０とを備える。

また、発光装置１００は、半導体レーザ素子から出射された光と、波長変換部材３０において波長が変換された光との混合光を、波長変換部材３０における透光部３０ｔから出射する。また、半導体レーザ素子からの青色の光と、波長変換部材３０による黄色の光の混色による白色光を出射する。なお、波長が変換された光のみを出射してもよい。また、発光装置１００から出射される光は白色でなくてもよい。

波長変換部材３０および透光性部材４０は、それぞれ、プレート形状を有している。図１に示す例では、プレート形状の厚さ方向がＺ方向に平行になるように配置されている。１または複数の半導体レーザ素子は、発光装置１００の内部に気密に封止されている。気密封止によって、集塵の影響を低減できる。なお、実施形態における発光装置は、半導体レーザ素子が配置される空間が気密封止されていなくてもよい。

さらに、図２Ａから図２Ｄを参照して、発光装置１００の構成を説明する。図２Ａは、図１の発光装置１００の分解斜視図である。図２Ｂは、図２Ａの上中下に分離された構成要素のうち下側の構成要素の分離斜視図である。図２Ｃは、図２Ｂの上下に分離された構成要素のうち上側の構成要素を下方から見た斜視図である。図２Ｄは、図２Ａの上中下に分離された構成要素のうち下側の構成要素の上面図である。

発光装置１００は、図２Ａに示すように、第１半導体レーザ素子２０_１および第２半導体レーザ素子２０_２を備える。つまり、発光装置１００が備える１または複数の半導体レーザ素子には、第１半導体レーザ素子２０_１および第２半導体レーザ素子２０_２を含むことができる。

基部１０は、図２Ａに示すように、第１半導体レーザ素子２０_１および第２半導体レーザ素子２０_２を支持する底部１０ｂと、第１半導体レーザ素子２０_１および第２半導体レーザ素子２０_２を囲む側壁１０ｗと、を有する。基部１０における底部１０ｂおよび側壁１０ｗは、図２Ｂに示すように、別々に作製される。なお、一体的に作成されてもよい。

基部１０における底部１０ｂは、ＸＹ平面に平行である下面１０ｂＬおよび上面１０ｂｕを有する。また、底部１０ｂは、下面１０ｂＬおよび上面１０ｂｕと交わる側面を有する。また、底部１０ｂは、上面１０ｂｕから突出する凸部１０ｐを有する。

凸部１０ｐは、上面１０ｂｕに沿ってＸ方向に延びたリッジ形状を有する。凸部１０ｐは、第１傾斜面１０ｐ_１および第２傾斜面１０ｐ_２を有する。第１傾斜面１０ｐ_１および第２傾斜面１０ｐ_２は、上面視でＹ方向に並ぶ。

第１傾斜面１０ｐ_１には第１半導体レーザ素子２０_１が配される。第２傾斜面１０ｐ_２には第２半導体レーザ素子２０_２が配される。また、第１半導体レーザ素子２０_１および第２半導体レーザ素子２０_２は、凸部１０ｐを２等分するＸＺ平面に平行な対称面に対して対称に配される。また、第１半導体レーザ素子２０_１および第２半導体レーザ素子２０_２はそれぞれ、第１サブマウント２２_１および第２サブマウント２２_２を介して配される。なお、第１半導体レーザ素子２０_１または第２半導体レーザ素子２０_２は、サブマウントを介さずに配されてもよい。基部１０の底部１０ｂは、第１半導体レーザ素子２０_１および第２半導体レーザ素子２０_２を直接あるいは間接的に支持している。

第１半導体レーザ素子２０_１と第１サブマウント２２_１は、例えばＡｕＳｎ、Ａｕ、Ａｇなどの接合材料で接合される。同様に、第１サブマウント２２_１と第１傾斜面１０ｐ_１は、例えばＡｕＳｎ、Ａｕ、Ａｇなどの接合材料で接合される。第１サブマウント２２_１を介さない場合、第１半導体レーザ素子２０_１は、当該接合材料で第１傾斜面１０ｐ_１に接合される。第２半導体レーザ素子２０_２が第２サブマウント２２_２を介して、または第２サブマウント２２_２を介さずに第２傾斜面１０ｐ_２に配される場合についても同様である。

凸部１０ｐは、第１傾斜面１０ｐ_１と第２傾斜面１０ｐ_２との間に位置する頂部１０ｐ_３を有する。頂部１０ｐ_３は、Ｘ方向に延びた矩形形状を有する。頂部１０ｐ_３は、上面視でＸ方向に延びる。凸部１０ｐを２等分するＸＺ平面に平行な対称面は、頂部１０ｐ_３と交わる。また、当該対称面は、第１傾斜面１０ｐ_１および第２傾斜面１０ｐ_２とは交わらない。

頂部１０ｐ_３の外縁は、Ｘ方向に平行な一対の第１辺を含んで構成される。また、頂部１０ｐ_３の外縁は、Ｙ方向に平行な一対の第２辺を含んで構成される。また、一対の第１辺は同じ長さ有し、一対の第２辺は同じ長さを有する。第１辺は第２辺よりも長い。また、一対の第１辺のうち、一方は第１傾斜面１０ｐ_１に交わり、他方は第２傾斜面１０ｐ_２に交わる。一対の第２辺はいずれも、一対の第１辺に交わる。言い換えれば、頂部１０ｐ_３の外縁を構成する複数の辺に関し、第１辺の隣の辺が第２辺である。また、第１辺の両隣の辺が第２辺である。また、第２辺の両隣の辺が第１辺である。

上面視で、頂部１０ｐ_３のＹ方向の長さは、第１傾斜面１０ｐ_１のＹ方向の長さよりも小さい。なお、「頂部１０ｐ_３のＹ方向の長さ」を「第２辺の長さ」と置き換えても同様のことが言える。また、「第１傾斜面１０ｐ_１」を「第２傾斜面１０ｐ_２」と置き換えても同様のことが言える。

また、上面視で、頂部１０ｐ_３のＹ方向の長さは、第１半導体レーザ素子２０_１のＹ方向の長さよりも小さい。なお、「頂部１０ｐ_３のＹ方向の長さ」を「第２辺の長さ」と置き換えても同様のことが言える。また、「第１半導体レーザ素子２０_１」を「第２半導体レーザ素子２０_２」と置き換えても同様のことが言える。

また、頂部１０ｐ_３のＹ方向の長さは、第１サブマウント２２_１の上面のうちの最短の辺の長さよりも小さい。なお、「頂部１０ｐ_３のＹ方向の長さ」を「第２辺の長さ」と置き換えても同様のことが言える。また、「第１サブマウント２２_１」を「第２サブマウント２２_２」と置き換えても同様のことが言える。

また、第１半導体レーザ素子２０_１と第２半導体レーザ素子２０_２の間の距離は、第１傾斜面１０ｐ_１のＹ方向の長さよりも小さい。なお、「第１傾斜面１０ｐ_１」を「第２傾斜面１０ｐ_２」と置き換えても同様のことが言える。

なお、頂部１０ｐ_３は凸部または凹部を有していてもよい。またあるいは、頂部１０ｐ_３は、線形状であってもよい。例えば、第１傾斜面１０ｐ_１と第２傾斜面１０ｐ_２とが交わる辺であってもよい。頂部１０ｐ_３が線であれば、第１半導体レーザ素子２０_１および第２半導体レーザ素子２０_２の間隔を狭めることができ、発光装置１００を小型化することができる。

底部１０ｂは、熱伝導率が比較的高い材料から形成されていることが望ましい。その結果、第１半導体レーザ素子２０_１および第２半導体レーザ素子２０_２から発せられた熱を効率的に外部に伝えることができる。底部１０ｂの主材料としては、例えば、Ｃｕ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｏなどの金属、または、ＡｌＮ、ＳｉＣなどのセラミックスが挙げられる。例えば、銅プレートをプレス加工することにより、凸部１０ｐが一体的に形成される底部１０ｂを作製することができる。

底部１０ｂが金属から形成される場合、第１半導体レーザ素子２０_１および第２半導体レーザ素子２０_２から発せられた熱を、それぞれ、底部１０ｂが有する第１傾斜面１０ｐ_１および第２傾斜面１０ｐ_２から下面１０ｂＬに亘って効率的に伝えることができる。基部１０全体としてみれば、基部１０は、少なくとも一部に、金属から形成された金属部を含む、といえる。また、金属部は、第１傾斜面１０ｐ_１、第２傾斜面１０ｐ_２、および下面１０ｂＬを有する部分であるのが好ましいといえる。また、金属部は、底部１０ｂのうちの凸部１０ｐからその直下の下面１０ｂＬに到達するまでの部分を含むのが好ましいといえる。

基部１０における側壁１０ｗは、図２Ａに示すように、底部１０ｂによって支持された第１半導体レーザ素子２０_１および第２半導体レーザ素子２０_２を囲む。側壁１０ｗは、第１上面１０ｕ_１を有する。また、側壁１０ｗは、さらに第２上面１０ｕ_２を有する。また、側壁１０ｗは、さらに第３上面ｕ_３を有する。第１上面１０ｕ_１は、側壁１０ｗの最上面である。第２上面１０ｕ_２は第１上面１０ｕ_１よりも低い位置にある。第３上面１０ｕ_３は第２上面１０ｕ_２よりも低い位置にある。側壁１０ｗにおいて、第１上面１０ｕ_１から第２上面１０ｕ_２へと続く段差が形成される。また、第２上面１０ｕ_２から第３上面１０ｕ_３へと続く段差が形成される。

第１上面１０ｕ_１は第１半導体レーザ素子２０_１および第２半導体レーザ素子２０_２よりも上方に位置する。また、第２上面１０ｕ_２は、第１半導体レーザ素子２０_１および第２半導体レーザ素子２０_２よりも上方に位置する。また、第３上面は、第１半導体レーザ素子２０_１および第２半導体レーザ素子２０_２の光の出射端面よりも下方に位置する。

第１上面１０ｕ_１は、外部の制御回路に電気的に接続される第１導電領域５０_１を有する。第２上面１０ｕ_２は、透光性部材４０が接合される接合領域６０を有する。第３上面１０ｕ_３は、第１半導体レーザ素子２０_１および第２半導体レーザ素子２０_２に電気的に接続された第２導電領域５０_２を有する。

側壁１０ｗは、第１導電領域５０_１、第２導電領域５０_２、およびビアによって構成される導電性部材を有する。ビアは、側壁１０ｗの内部を通り、第１導電領域５０_１および第２導電領域５０_２に電気的に接続されている。第１導電領域５０_１は封止空間の外側に、第２導電領域５０_２は封止空間内に、それぞれ設けられる。また、側壁１０ｗの導電性部材を除く部分は、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＡｌＯ_３などのセラミックスから形成されている。外部の制御回路は、導電性部材を介して、第１半導体レーザ素子２０_１および第２半導体レーザ素子２０_２に電力を供給する。

図２Ｂに示すように、側壁１０ｗは開口１０оを有する。第３上面１０ｕ_３は、上面視で、開口１０оを囲む。図２Ｃに示すように、側壁１０ｗは、第１下面１０ｗＬ_１、および第２下面１０ｗＬ_２を有する。第１下面１０ｗＬ_１は、側壁１０ｗの最下面である。第２下面１０ｗＬ_２は、第１上面１０ｕ_１よりも低い位置にある。側壁１０ｗにおいて、第１下面１０ｗＬ_１から第２下面１０ｗＬ_２へと続く段差が形成される。下面視で、第１下面１０ｗＬ_１は、第２下面１０ｗＬ_２を囲む。

下面側の段差によって形成された窪み１０ｒは、下面視で、開口１０оを囲む。基部１０における底部１０ｂは、凸部１０ｐを開口１０оにはめ込んだ状態で側壁１０ｗにおける窪み１０ｒに固定される。上面視で、凸部１０ｐは、開口１０оに重なる。つまり、底部１０ｂは、下面側の開口１０оを塞ぐ。底部１０ｂのＸ方向におけるサイズは、開口１０оのＸ方向におけるサイズと同じか、または開口１０оのＸ方向におけるサイズよりも大きい。同様に、底部１０ｂのＹ方向におけるサイズは、開口１０оのＹ方向におけるサイズと同じか、または開口１０оのＹ方向におけるサイズよりも大きい。

底部１０ｂの下面１０ｂＬは、側壁１０ｗの第１下面１０ｗＬ_１と同じ高さに位置する、または、側壁１０ｗの第１下面１０ｗＬ_１よりも下方に位置する。したがって、例えば、ヒートシンク上に発光装置１００を配置する場合には、基部１０における底部１０ｂの下面１０ｂＬを、ヒートシンクに接触させやすくなる。その結果、第１半導体レーザ素子２０_１および第２半導体レーザ素子２０_２から発せられた熱を、底部１０ｂを介して効率的にヒートシンクに伝えることができる。

第１半導体レーザ素子２０_１は第１出射端面２０ｅ_１を有し、第２半導体レーザ素子２０_２は第２出射端面２０ｅ_２を有する。第１半導体レーザ素子２０_１および第２半導体レーザ素子２０_２は、それぞれ、第１出射端面２０ｅ_１および第２出射端面２０ｅ_２から光を出射する。また、第１出射端面２０ｅ_１および第２出射端面２０ｅ_２から出射された光は、波長変換部材３０における透光部３０ｔに向かって進む。透光部３０ｔがＹＡＧ蛍光体を含む場合、半導体レーザ素子から青色の光、例えばピーク波長が４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲にある光が出射される形態が考えられる。なお、蛍光体の種類や、半導体レーザ素子から出射される光は、発光装置１００から外部へと出射される光に応じて適宜選択される。

第１サブマウント２２_１の上面には、第１半導体レーザ素子２０_１に電気的に接続される導電領域が設けられ、第２サブマウント２２_２の上面には、第２半導体レーザ素子２０_２に電気的に接続される導電領域が設けられる。図２Ｄに示すように、第１半導体レーザ素子２０_１および第２半導体レーザ素子２０_２は、ワイヤ２０ｗを介して、第３上面１０ｕ_３上の第２導電領域５０_２に電気的に接続される。

波長変換部材３０は、図２Ａに示すように、蛍光体を含む透光部３０ｔ、および透光部３０ｔを囲む反射部３０ｒを含む。波長変換部材３０における透光部３０ｔは、上面視で第１傾斜面１０ｐ_１および第２傾斜面１０ｐ_２が並ぶＹ方向に長手方向を有する。透光部３０ｔは、頂部１０ｐ_３の上方に位置し、第１半導体レーザ素子２０_１および第２半導体レーザ素子２０_２から出射された光が入射する入射面３０ｓ_１を有する。入射面３０ｓ_１は、入射した光を透過させる。透光部３０ｔは、入射面３０ｓ_１とは反対側の面に出射面３０ｓ_２を有する。入射した光の一部によって励起された蛍光体から発せられた蛍光は出射面３０ｓ_２から出射される。また、入射した光の一部は出射面３０ｓ_２から出射される。波長変換部材３０における反射部３０ｒは、透光部３０ｔから入射した光を反射する。

波長変換部材３０における透光部３０ｔは、例えば、蛍光体を含むセラミックス、すなわち蛍光体セラミックスであり得る。蛍光体セラミックスは、例えば、無機材料の結着材および蛍光体から形成されている。反射部３０ｒは、例えば、セラミックスから形成され得る。透光部３０ｔは、ＹＡＧ蛍光体およびＡｌ_２Ｏ_３の結着材を主材料として形成され、反射部３０ｒは、Ａｌ_２Ｏ_３を主材料として形成され得る。同じＡｌ_２Ｏ_３を含む透光部３０ｔおよび反射部３０ｒは、高い密着性を有する。

透光性部材４０は、第２上面１０ｕ_２における接合領域６０に、例えば、ＡｕＳｎ、Ａｕ、Ａｇなどの接合材料で接合される。透光性部材４０の下面には、接合領域６０と接合する接合領域が設けられる。透光性部材４０は、波長変換部材３０を支持する。波長変換部材３０は、透光性部材４０上に配されている。透光性部材４０のＸ方向およびＹ方向におけるサイズは、それぞれ、波長変換部材３０のＸ方向およびＹ方向におけるサイズよりも大きい。透光性部材４０は、基部１０とともに、第１半導体レーザ素子２０_１および第２半導体レーザ素子２０_２が配された空間を気密封止する。

透光性部材４０は、図２Ａに示すように、波長変換部材３０の側の表面上に、透光領域４０ｔと、透光領域４０ｔとを囲む遮光領域４０ｓとを有する。透光領域４０ｔは、第１半導体レーザ素子２０_１および第２半導体レーザ素子２０_２から出射される光を透過させる。透光領域４０ｔの少なくとも一部は、波長変換部材３０の透光部３０ｔにおける入射面３０ｓ_１全体の直下に位置する。透光領域４０ｔ全体は、波長変換部材３０の一部で覆われている。遮光領域４０ｓのうち、上面視で波長変換部材３０に重ならない部分は露出している。遮光領域４０ｓは、遮光領域４０ｓに入射する光を反射および／または吸収するので、遮光領域４０ｓが露出した部分から意図しない光が漏れることを抑制または防ぐことができる。遮光領域４０ｓは、例えば、透光性部材４０の表面に金属膜を設けることによって形成され得る。

次に、図３Ａおよび図３Ｂを参照して、第１半導体レーザ素子２０_１および第２半導体レーザ素子２０_２から出射された光で透光部３０ｔの入射面３０ｓ_１が照射される様子を説明する。図３Ａは、図１の発光装置１００のＹＺ平面に平行なＩＩＩＡ－ＩＩＩＡ線断面図である。図３Ｂは、図１の発光装置１００のＸＺ平面に平行なＩＩＩＢ－ＩＩＩＢ線断面図である。図３Ａおよび図３Ｂにおいて、破線によって表された領域は、第１半導体レーザ素子２０_１および第２半導体レーザ素子２０_２から出射された光が拡がりながら進行する様子を表している。図３Ｂにおいて、本来見えない第１半導体レーザ素子２０_１および第１傾斜面１０ｐ_１が記載されている。これは、破線によって表された領域と半導体レーザ素子との関係を明確にするためである。なお、図５Ｂ、図７Ｂ、及び、図９Ｂの断面図においても、同様の理由から、本来見えない半導体レーザ素子および斜面が記載されている。

第１半導体レーザ素子２０_１における第１出射端面２０ｅ_１、および第２半導体レーザ素子２０_２における第２出射端面２０ｅ_２は、波長変換部材３０における入射面３０ｓ_１が位置する方向を向く。入射面３０ｓ_１には、第１半導体レーザ素子２０_１および第２半導体レーザ素子２０_２から出射された光の少なくとも主要部分が入射する。第１出射端面２０ｅ_１から出射された光軸を通る光は、入射面３０ｓ_１へと入射する。

頂部１０ｐ_３のＹ方向の長さは、上面視で、第１出射端面２０ｅ_１から出射された光軸を通る光が入射面３０ｓ_１に入射する位置と、第１出射端面２０ｅ_１における出射位置との間の距離の２倍よりも小さい。なお、「頂部１０ｐ_３のＹ方向の長さ」を「第２辺の長さ」と置き換えても同様のことが言える。また、「第１半導体レーザ素子２０_１」を「第２半導体レーザ素子２０_２」と置き換えても同様のことが言える。

また、底部１０ｂの上面１０ｂｕから第１出射端面２０ｅ_１における出射位置までの高さは、底部１０ｂの上面１０ｂｕから頂部１０ｐ_３までの高さよりも大きい。なお、底部１０ｂの上面１０ｂｕから第１出射端面２０ｅ_１における出射位置までの高さは、底部１０ｂの上面１０ｂｕから頂部１０ｐ_３までの高さと同じであってもよい。

また、頂部１０ｐ_３のＹ方向の長さは、上面視で、第１出射端面２０ｅ_１から出射された光軸を通る光が入射面３０ｓ_１に入射する位置と、第１出射端面２０ｅ_１における出射位置との間の距離と、第２出射端面２０ｅ_２から出射された光軸を通る光が入射面３０ｓ_１に入射する位置と、第２出射端面２０ｅ_２における出射位置との間の距離と、の和よりも小さい。

また、第１出射端面２０ｅ_１から出射された光軸を通る光が入射面３０ｓ_１で全反射された場合に、その反射光は頂部１０ｐ_３には入射しない。また、その反射光は、頂部１０ｐ_３の上方を通過し、頂部１０ｐ_３の外側へと進む。なお、「第１出射端面２０ｅ_１」を「第２出射端面２０ｅ_２」と置き換えても同様のことが言える。

つまり、頂部１０ｐ_３は、第１傾斜面１０ｐ_１と第２傾斜面１０ｐ_２との間に位置し、かつ、第１半導体レーザ素子２０_１から出射される光軸を通る光が入射面３０ｓ_１において全反射したと仮定した場合の反射光の進路上に位置していない。またさらに、第２半導体レーザ素子２０_２から出射される光軸を通る光が入射面３０ｓ_１において全反射したと仮定した場合の反射光の進路上にも位置していない。

第１傾斜面１０ｐ_１および第２傾斜面１０ｐ_２の各々と、波長変換部材３０における入射面３０ｓ_１とがなす角度は、４０度以上８０度以下であり得る。別の言い方をすれば、第１傾斜面１０ｐ_１および第２傾斜面１０ｐ_２の各々と、基部１０における底部１０ｂの下面１０ｂＬとがなす角度が、４０度以上８０度以下であり得る。当該角度は、第１傾斜面１０ｐ_１および第２傾斜面１０ｐ_２の各々を含む平面と、入射面３０ｓ_１または底部１０ｂの下面１０ｂＬを含む平面とが交差して形成される鋭角によって規定される。当該角度は、第１傾斜面１０ｐ_１および第２傾斜面１０ｐ_２の各々の、入射面３０ｓ_１を基準とした傾斜角に相当する。傾斜角が４０度以上である場合、第１半導体レーザ素子２０_１および第２半導体レーザ素子２０_２から出射された光は入射面３０ｓ_１では反射されにくくなる。入射面３０ｓ_１に対する光の入射角が小さくなるからである。一方、傾斜角が８０度以下である場合、凸部１０ｐの高さが低くなるために、基部１０の高さを低くすることができる。その結果、発光装置１００を小型化することができる。

第１半導体レーザ素子２０_１から出射された光の主要部分の一部と、第２半導体レーザ素子２０_２から出射された光の主要部分の一部とは、透光部３０ｔの入射面３０ｓ_１において重なる。また、第１半導体レーザ素子２０_１から出射された主要部分の光は、透光部３０ｔの入射面３０ｓ_１において、第２半導体レーザ素子２０_２から出射された主要部分の光と重ならない部分を有する。また、第２半導体レーザ素子２０_２から出射された主要部分の光は、透光部３０ｔの入射面３０ｓ_１において、第１半導体レーザ素子２０_１から出射された主要部分の光と重ならない部分を有する。

なお、第１半導体レーザ素子２０_１から出射された主要部分の光の全てが、透光部３０ｔの入射面３０ｓ_１において、第２半導体レーザ素子２０_２から出射された光と重なってもよい。また、第２半導体レーザ素子２０_２から出射された主要部分の光の全てが、透光部３０ｔの入射面３０ｓ_１において、第１半導体レーザ素子２０_１から出射された光と重なってもよい。

次に、発光装置１００の各構成要素の形状、材料、および構造の詳細を説明する。

［基部１０］
基部１０の底部１０ｂのうち、凸部１０ｐ以外の部分は、直方体の形状を有する。この直方体のＸ方向におけるサイズは、例えば２ｍｍ以上１０ｍｍ以下であり、Ｙ方向におけるサイズは、例えば２ｍｍ以上１０ｍｍ以下であり、Ｚ方向におけるサイズは、例えば０．１ｍｍ以上３．０ｍｍ以下であり得る。

凸部１０ｐは、波長変換部材３０における入射面３０ｓ_１に垂直な平面に対して対称である。凸部１０ｐのＸ方向におけるサイズは、例えば１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であり、凸部１０ｐのＹＺ平面に平行な断面における概略的に台形形状の下底は、例えば１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であり、頂部１０ｐ_３と上面１０ｂｕとのＺ方向における間隔は、例えば１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であり得る。

凸部１０ｐにおける頂部１０ｐ_３の第２辺の長さは、例えば、第１サブマウント２２_１または第２サブマウント２２_２の１つの上面のうちの最短の辺よりも短くてもよい。第２対辺の長さは、例えば、０．１ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であり得る。

側壁１０ｗのＹＺ平面に平行な一対の外壁面のＸ方向における間隔は、例えば２ｍｍ以上１０ｍｍ以下である。側壁１０ｗのＸＺ平面に平行な一対の外壁面のＹ方向における間隔は、例えば２ｍｍ以上１０ｍｍ以下である。第１上面１０ｕ_１と第１下面１０ｗＬ_１とのＺ方向における間隔、は、例えば１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であり得る。

［第１半導体レーザ素子２０_１および第２半導体レーザ素子２０_２］
第１半導体レーザ素子２０_１および第２半導体レーザ素子２０_２は、青色の光を出射する。青色光の発光ピーク波長は、４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲内にあることが望ましく、４４０ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の範囲内にあることがより望ましい。青色の光を出射するレーザダイオードとしては、窒化物半導体を含む半導体レーザ素子が挙げられる。窒化物半導体としては、例えば、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、およびＡｌＧａＮを用いることができる。なお、青色以外の色の光を出射してもよい。窒化物半導体を含む半導体レーザ素子から出射される光の波長は、組成を変えることによって紫外領域から可視領域まで選択することが可能である。

次に、半導体レーザ素子の構成を説明する。半導体レーザ素子は、例えば、ｎ型半導体層、活性層、およびｐ型半導体層をこの順にＺ方向に積層した構造を備える。半導体レーザ素子は、ｎ型半導体層側に位置する電極と、ｐ型半導体側に位置する電極とをさらに備える。本明細書では、ｎ型半導体層側に位置する電極を「ｎ側の電極」と称し、ｐ型半導体側に位置する電極を「ｐ側の電極」と称する。ｎ側の電極とｐ側の電極とに電圧を印加してしきい値以上の電流を流すことにより、活性層の出射端面から光が出射される。

半導体レーザ素子から出射される光は拡がりを有し、光の出射端面と平行な面において楕円形状のファーフィールドパターン（以下「ＦＦＰ」という。）を形成する。ＦＦＰとは、出射端面から離れた位置における出射光の形状や光強度分布である。この光強度分布において、ピーク強度値に対して１／ｅ^２以上の強度を有する光を、主要部分の光とする。

半導体レーザ素子から出射される光のＦＦＰの形状は、活性層の出射端面が延びる方向よりも、活性層を含む複数の半導体層の積層方向の方が長い楕円形状である。活性層の出射端面が延びる方向をＦＦＰの水平方向、積層方向をＦＦＰの垂直方向とする。

また、ＦＦＰの光強度分布に基づいて、光強度分布の半値全幅に相当する角度を、その半導体レーザ素子の光の拡がり角とする。ＦＦＰの垂直方向における光の拡がり角を垂直方向の拡がり角、ＦＦＰの水平方向における光の拡がり角を水平方向の拡がり角とする。

［第１サブマウント２２_１および第２サブマウント２２_２］
第１サブマウント２２_１は、下面と、上面と、側面とを有し、その形状は直方体である。第１サブマウント２２_１は、それぞれ、上下方向の幅が最も小さい。第１サブマウント２２_１の形状は直方体に限らなくてよい。第１サブマウント２２_１は、例えば、ＳｉＮ、ＡｌＮ、およびＳｉＣの少なくとも１つから形成され得る。また、サブマウント２２の上面、および、下面には、金属膜が設けられ得る。第２サブマウント２２_２についても第１サブマウント２２_１と同様である。

［波長変換部材３０］
波長変換部材３０は下面と、上面と、側面とを有し、その形状は直方体である。波長変換部材３０における透光部３０ｔの入射面３０ｓ_１および出射面３０ｓ_２は矩形形状を有しているが、多角形状、円形状、楕円形状、またはこれらに近似する形状を有していてもよい。

波長変換部材３０における透光部３０ｔは、青色光によって励起されて黄色の蛍光を発するＹＡＧ蛍光体を含む。なお、これに限らず、他の蛍光体を含んでいてもよい、また、複数の蛍光体を含んでいてもよい。例えば、青色光によって励起されて黄色または緑色の蛍光を発する第１蛍光体および赤色の蛍光を発する第２蛍光体を含んでいてもよい。

波長変換部材３０における反射部３０ｒは、Ａｌ_２Ｏ_３の他に、ＺｒＯ_２、またはＴｉＯ_２を主材料として形成されていてもよい。反射部３０ｒは、光透過率を低下させるために、Ｙ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、Ｌｕ_２Ｏ_３、またはＬａ_２Ｏ_３などの添加剤を含んでいてもよい。反射部３０ｒがセラミックスである場合は、反射部３０ｒの空孔率が高いほど光反射率が向上する傾向にある。このため、反射部３０ｒのうち、透光部３０ｔの周辺における空孔率を、それより外側の部分の空孔率よりも高くしてもよい。これにより、透光部３０ｔ内で発せられ、反射部３０ｒに向かう蛍光を反射部３０ｒによって効率よく反射させることができる。反射部３０ｒは、セラミックスを主材料としてもよく、金属を主材料としてもよい。また、波長変換部材３０は、少なくとも透光部３０ｔを有していればよく、反射部３０ｒを設けなくてもよい。

波長変換部材３０における透光部３０ｔのＸ方向およびＹ方向におけるサイズは例えば０．１ｍｍ以上５ｍｍ以下であり、Ｚ方向における厚さは例えば０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下である。

波長変換部材３０のＸ方向のサイズは例えば０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であり、Ｙ方向におけるサイズは、例えば０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であり、Ｚ方向におけるサイズは、例えば０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であり得る。

［透光性部材４０］
透光性部材４０は下面と、上面４０ａと、側面とを有し、その形状は直方体である。透光性部材４０は、光を透過する透光性を有する。ここで、透光性とは、光に対する透過率が８０％以上であることとする。なお、形状は直方体に限らない。透光性部材４０は、少なくとも主要部分の光が通過する部分に透光性を有していればよく、それ以外の部分には透光性を有する必要はない。

透光性部材４０は、サファイアを母材として形成することができる。サファイアは、比較的屈折率が高く、比較的強度が高く、比較的熱伝導率が高い材料である。サファイアの高い熱伝導率により、光の照射によって透光部３０ｔにおいて発せられる熱を効率的に外部に伝えることができる。なお、母材には、サファイアの他に、例えばガラスまたはセラミックスなどを用いることもできる。

透光性部材４０のＸ方向におけるサイズは、例えば３ｍｍ以上１５ｍｍ以下であり、Ｙ方向におけるサイズは、例えば３ｍｍ以上１５ｍｍ以下であり、Ｚ方向におけるサイズは、例えば０．１ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であり得る。

（実施形態１の変形例）
次に、図４を参照して、本開示の実施形態１における発光装置１００の変形例を説明する。実施形態１による発光装置１００の説明と重複する説明は省略することがある。図４は、実施形態１の変形例における発光装置１１０の分解斜視図である。図４において、第１導電領域５０_１、第２導電領域５０_２、接合領域６０、およびワイヤ２０ｗの記載は、実施形態１による発光装置１００と重複するため省略されている。実施形態１の変形例における発光装置１１０は、実施形態１における発光装置１００とは以下の点で異なる。第１半導体レーザ素子２０_１および第２半導体レーザ素子２０_２は、ＸＺ平面に平行な平面に対して非対称に配されており、上面視で、頂部１０ｐ_３が延びる方向にずれて位置している。この配置は、図２Ａに示す第１半導体レーザ素子２０_１および第２半導体レーザ素子２０_２を、頂部１０ｐ_３が延びる方向に沿って互いに反対の方向にシフトさせた配置である。波長変換部材３０における透光部３０ｔは、上面視で、頂部１０ｐ_３が延びる方向に長手方向を有する。

次に、図５Ａおよび図５Ｂを参照して、第１半導体レーザ素子２０_１および第２半導体レーザ素子２０_２から出射された光で透光部３０ｔの入射面３０ｓ_１が照射される様子を説明する。図５Ａは、図４の発光装置１１０のＹＺ平面に平行なＶＡ－ＶＡ線断面図である。図５Ｂは、図４の発光装置１１０のＸＺ平面に平行なＶＢ－ＶＢ線断面図である。入射面３０ｓ_１におけるＸ方向に連続的に並ぶ２つの領域が、第１半導体レーザ素子２０_１および第２半導体レーザ素子２０_２から出射された２つの主要部分の光でそれぞれ照射される。当該２つの主要部分の光の一部は、当該２つの領域の境界で重なっていてもよい。当該２つの領域は等しい面積を有する。当該２つの領域は異なる面積を有してもよい。透光部３０ｔにおける入射面３０ｓ_１に形成される２つの照射スポットが、Ｘ方向に沿って隣接して並んでいる。一例として、第１半導体レーザ素子２０_１および第２半導体レーザ素子２０_２のＸ方向における中心間距離は、１つの照射スポットのＸ方向におけるサイズに等しい。

実施形態１の変形例における発光装置１１０によれば、実施形態１における発光装置１００とは異なり、２つの主要部分の光が、透光部３０ｔの入射面３０ｓ_１において重なる部分は存在しない、または十分に小さい。入射面３０ｓ_１における単位面積あたりの照射パワーは低減されるものの、透光部３０ｔにおける発熱が低減され、蛍光体の劣化を抑制することができる。実施形態１の変形例における発光装置１１０によれば、２つの重ならない主要部分の光で透光部３０ｔの入射面３０ｓ_１のほぼ全体を照射するので、より広い出射面３０ｓ_２から光（例えば、白色光）が出射される。

（実施形態２）
次に、図６を参照して、本開示の実施形態２における発光装置の基本的な構成例を説明する。図６は、本開示の実施形態２における例示的な発光装置２００の構成の分解斜視図である。実際には、分解された構成要素は接合されている。実施形態２における発光装置２００は、実施形態１における発光装置１００とは以下の点で異なる。２つの第１半導体レーザ素子２０_１が第１傾斜面１０ｐ_１に配され、２つの第２半導体レーザ素子２０_２が第２傾斜面１０ｐ_２に配されている。

２つの第１半導体レーザ素子２０_１は、波長変換部材３０に近づくにつれて２つの第１半導体レーザ素子２０_１の間隔が狭まるように配されている。第１半導体レーザ素子２０_１は、第１サブマウント２２_１上に設けられている。２つの第２半導体レーザ素子２０_２は、波長変換部材３０に近づくにつれて２つの第２半導体レーザ素子２０_２の間隔が狭まるように配されている。第２半導体レーザ素子２０_２は、第２サブマウント２２_２上に設けられている。

２つの第１半導体レーザ素子２０_１が延びる方向は平行ではない。２つの第２半導体レーザ素子２０_２が延びる方向は平行ではない。２つの第１半導体レーザ素子２０_１と、２つの第２半導体レーザ素子２０_２とは、ＸＺ平面に平行な平面に対して対称に配されている。なお、第１半導体レーザ素子２０_１の個数または第２半導体レーザ素子２０_２の個数は、２つ以上であってもよい。つまり、複数の第１半導体レーザ素子２０_１および複数の第２半導体レーザ素子２０_２がそれぞれ、第１傾斜面１０ｐ_１および第２傾斜面１０ｐ_２に配置される。

隣接する２つの第１半導体レーザ素子２０_１の最も近い部分の中心間距離は、例えば０．３５ｍｍ以上である。これにより、互いの発光素子が及ぼす発熱の影響を低減することができる。一方で、発光装置１００の小型化を考えれば、最も遠い部分の中心間距離は、例えば２．５ｍｍ以下であることが望ましい。２つの第２半導体レーザ素子２０_２の最も近い部分の距離および最も遠い部分の距離についても同様である。

次に、図７Ａおよび図７Ｂを参照して、２つの第１半導体レーザ素子２０_１および２つの第２半導体レーザ素子２０_２から出射された光で透光部３０ｔの入射面３０ｓ_１が照射される様子を説明する。図７Ａは、図６の発光装置２００のＹＺ平面に平行なＶＩＩＡ－ＶＩＩＡ線断面図である。図７Ｂは、図６の発光装置２００のＸＺ平面に平行なＶＩＩＢ－ＶＩＩＢ線断面図である。２つの第１半導体レーザ素子２０_１および２つの第２半導体レーザ素子２０_２の前述の配置により、一方の第１半導体レーザ素子２０_１から出射された光の主要部分の一部と、他方の第１半導体レーザ素子２０_１から出射された光の主要部分の一部と、一方の第２半導体レーザ素子２０_２から出射された光の主要部分の一部と、他方の第２半導体レーザ素子２０_２から出射された光の主要部分の一部とは、透光部３０ｔの入射面３０ｓ_１において重なる。上記の４つの主要部分を、順に「第１主要部分」、「第２主要部分」、「第３主要部分」、および「第４主要部分」と称する。第１主要部分の光は、透光部３０ｔの入射面３０ｓ_１において、第２主要部分、第３主要部分、および第４主要部分の光の少なくとも１つと重ならない部分を有する。第２主要部分の光は、透光部３０ｔの入射面３０ｓ_１において、第１主要部分、第３主要部分、および第４主要部分の光の少なくとも１つと重ならない部分を有する。第３主要部分の光は、透光部３０ｔの入射面３０ｓ_１において、第１主要部分、第２主要部分、および第４主要部分の光の少なくとも１つと重ならない部分を有する。第４主要部分の光は、透光部３０ｔの入射面３０ｓ_１において、第１主要部分、第２主要部分、および第３主要部分の光の少なくとも１つと重ならない部分を有する。実施形態２における発光装置２００によれば、第１主要部分の光の一部から第４主要部分の光の一部が透光部３０ｔの入射面３０ｓ_１において重なるので、出射面３０ｓ_２から出射される光の出力をさらに高めることができる。

（実施形態２の変形例）
次に、図８を参照して、実施形態２における発光装置２００の変形例を説明する。図８は、実施形態２の変形例における発光装置２１０の分解斜視図である。実施形態２の変形例における発光装置２１０は、実施形態２における発光装置２００とは以下の点で異なる。２つの第１半導体レーザ素子２０_１、および２つの第２半導体レーザ素子２０_２は、頂部１０ｐ_３が延びる方向にずれて位置する。２つの第１半導体レーザ素子２０_１および２つの第２半導体レーザ素子２０_２は、ＸＺ平面に平行な平面に対して非対称に配されている。２つの第１半導体レーザ素子２０_１が延びる方向は平行である。２つの第２半導体レーザ素子２０_２が延びる方向は平行である。波長変換部材３０における透光部３０ｔは、上面視で、頂部１０ｐ_３が延びる方向に長手方向を有する。

次に、図９Ａおよび図９Ｂを参照して、２つの第１半導体レーザ素子２０_１および２つの第２半導体レーザ素子２０_２から出射された光で透光部３０ｔの入射面３０ｓ_１が照射される様子を説明する。図９Ａは、図８の発光装置２１０のＹＺ平面に平行なＩＸＡ－ＩＸＡ線断面図である。図９Ｂは、図８の発光装置２１０のＸＺ平面に平行なＩＸＢ－ＩＸＢ線断面図である。入射面３０ｓ_１においてＸ方向に連続的に並ぶ４つの領域が、２つの第１半導体レーザ素子２０_１および２つの第２半導体レーザ素子２０_２から出射された４つの主要部分の光でそれぞれ照射される。互いに隣接する２つの主要部分の光の一部は、互いに隣接する２つの領域の境界で重なっていてもよい。当該４つの領域は、等しい面積を有し得る。当該４つの領域の少なくとも１つは、異なる面積を有していてもよい。透光部３０ｔにおける入射面３０ｓ_１に形成される４つの照射スポットがＸ方向に沿って隣接して並んでいる。一例として、最近接の第１半導体レーザ素子２０_１および第２半導体レーザ素子２０_２のＸ方向における間隔は、１つの照射スポットのＸ方向におけるサイズに等しい。

実施形態２の変形例における発光装置２１０によれば、実施形態２における発光装置２００とは異なり、４つの主要部分の光が透光部３０ｔの入射面３０ｓ_１において重なる部分は存在しない、または十分に小さい。したがって、透光部３０ｔにおける発熱が低減され、蛍光体の劣化を抑制することができる。実施形態２の変形例における発光装置２１０によれば、４つの重ならない主要部分の光で透光部３０ｔの入射面３０ｓ_１のほぼ全体を照射するので、より広い出射面３０ｓ_２から光が出射される。

（実施形態３）
次に、図１０を参照して、本開示の実施形態３における発光装置を説明する。図１０は、本開示の実施形態３における例示的な発光装置３００の構成の分解斜視図である。実際には、分解された構成要素は接合されている。実施形態３における発光装置３００は、実施形態２における発光装置２００とは以下の点で異なる。第２半導体レーザ素子２０_２が、基部１０内に配されていない。凸部１０ｐの片側の第１傾斜面１０ｐ_１にだけ２つの第１半導体レーザ素子２０_１が配されているので、凸部１０ｐは、底部１０ｂにおける下面１０ｂＬに対して傾斜する１の平面である第１傾斜面１０ｐ_１を有していればよく、第２傾斜面１０ｐ_２および頂部１０ｐ_３を有する必要はない。２つの第１半導体レーザ素子２０_１の配置については前述した通りである。実施形態３における発光装置３００によれば、一方の第１半導体レーザ素子２０_１から出射された光の主要部分の一部と、他方の第１半導体レーザ素子２０_１から出射された光の主要部分の一部とは、透光部３０ｔの入射面３０ｓ_１において重なるので、出射面３０ｓ_２から出射される光の出力を高めることができる。

本開示の発光装置は、自動車などの移動体用ヘッドランプ、照明器具、プロジェクタ光源、内視鏡用光源など、各種の光源に利用され得る。

１０ 基部
１０ｂ 底部
１０ｐ 凸部
１０ｐ_１ 第１傾斜面
１０ｐ_２ 第２傾斜面
１０ｐ_３ 頂部
１０ｒ 窪み
１０ｕ_１ 第１上面
１０ｕ_２ 第２上面
１０ｕ_３ 第３上面
１０о 開口
１０ｗ 側壁
１０ｗＬ_１ 第１下面
１０ｗＬ_２ 第２下面
２０_１ 第１半導体レーザ素子
２０_２ 第２半導体レーザ素子
２０ｅ_１ 第１出射端面
２０ｅ_２ 第２出射端面
２０ｗ ワイヤ
３０ 波長変換部材
３０ｒ 反射部
３０ｓ_１ 入射面
３０ｓ_２ 出射面
３０ｔ 透光部
４０ 透光性部材
４０ｓ 遮光領域
４０ｔ 透光領域
５０_１ 第１導電領域
５０_２ 第２導電領域
６０ 接合領域
２２_１ 第１サブマウント
２２_２ 第２サブマウント
１００、１１０、２００、２１０、３００ 発光装置

Claims (16)

1. 第１傾斜面、前記第１傾斜面の反対側に位置する第２傾斜面、および前記第１傾斜面と前記第２傾斜面との間に位置する頂部を有する基部と、
   前記第１傾斜面に配され、第１出射端面を有する１以上の第１半導体レーザ素子と、
   前記第２傾斜面に配され、第２出射端面を有する１以上の第２半導体レーザ素子と、
   前記頂部の上方に位置する入射面を有する波長変換部材と、
   を備え、
   前記第１半導体レーザ素子における前記第１出射端面、および前記第２半導体レーザ素子における前記第２出射端面は、前記波長変換部材における前記入射面が位置する方向を向く、発光装置。
2. 前記入射面は、前記第１半導体レーザ素子および前記第２半導体レーザ素子から出射された光を透過させる、請求項１に記載の発光装置。
3. 前記第１出射端面から出射された光軸を通る光は、前記第１出射端面における出射位置と、前記入射面における所定の位置と、を結ぶ直線上を進み、前記入射面へと入射する、請求項１または２に記載の発光装置。
4. 前記第１傾斜面および前記第２傾斜面の各々と、前記波長変換部材における前記入射面とがなす角度は、４０度以上８０度以下である、請求項１から３のいずれか一項に記載の発光装置。
5. 前記波長変換部材は、蛍光体を含む透光部、および前記透光部を囲む反射部を含み、
   前記透光部は、前記入射面を有し、
   前記第１半導体レーザ素子および前記第２半導体レーザ素子から出射された主要部分の光は、前記入射面に入射する、請求項１から４のいずれか一項に記載の発光装置。
6. 前記波長変換部材における前記透光部は、上面視で、前記第１傾斜面および前記第２傾斜面が並ぶ方向に長手方向を有する、請求項５に記載の発光装置。
7. 前記基部は、前記第１半導体レーザ素子および前記第２半導体レーザ素子を囲む側壁をさらに有する、請求項１から４のいずれか一項に記載の発光装置。
8. 前記側壁は、表面に設けられる第１導電領域および第２導電領域と、内部を通り前記第１導電領域から前記第２導電領域を結ぶビアと、で構成される導電性部材を有し、
   前記第１傾斜面および前記第２傾斜面にそれぞれ配された前記第１半導体レーザ素子および前記第２半導体レーザ素子は、前記側壁の前記導電性部材に電気的に接続される、請求項７に記載の発光装置。
9. 前記側壁の前記導電性部材を除く部分は、セラミックスから形成されている請求項８に記載の発光装置。
10. 前記側壁の上面に接合される透光性部材を備え、
    前記透光性部材が接合される前記側壁の上面は、前記第１半導体レーザ素子および前記第２半導体レーザ素子よりも上方に位置し、かつ、上面視で前記第１半導体レーザ素子および前記第２半導体レーザ素子を囲み、
    前記波長変換部材は、前記透光性部材の上に配され、
    前記基部と、前記透光性部材と、により気密封止された空間に前記第１半導体レーザ素子および前記第２半導体レーザ素子が配される、請求項７から９のいずれか一項に記載の発光装置。
11. 前記基部の少なくとも一部に金属で形成される金属部を有し、
    前記第１傾斜面および前記第２傾斜面は、前記金属部において形成される、請求項１から１０のいずれか一項に記載の発光装置。
12. 前記基部は、前記第１傾斜面、前記第２傾斜面、および前記頂部を有する凸部を含み、
    前記凸部は、前記波長変換部材における前記入射面に垂直な平面に対して対称であり、
    前記１以上の第１半導体レーザ素子、および前記１以上の第２半導体レーザ素子は、前記平面に対して対称に配されている、請求項１から１１のいずれか一項に記載の発光装置。
13. 前記基部は、前記第１傾斜面、前記第２傾斜面、および前記頂部を有する凸部を含み、前記頂部は、上面視で前記第１傾斜面および前記第２傾斜面が並ぶ方向に対して交差する方向に延びており、
    前記凸部は、前記波長変換部材における前記入射面に垂直な平面に対して対称であり、
    前記１以上の第１半導体レーザ素子、および前記１以上の第２半導体レーザ素子は、上面視で、前記頂部が延びる方向にずれて位置する、請求項１から１１のいずれか一項に記載の発光装置。
14. 前記頂部は、前記第１傾斜面と前記第２傾斜面との間に位置し、かつ、前記第１半導体レーザ素子から出射される光軸を通る光が前記入射面において全反射したと仮定した場合の反射光の進路上、および、前記第２半導体レーザ素子から出射される光軸を通る光が前記入射面において全反射したと仮定した場合の反射光の進路上に位置していない、請求項１から１３のいずれか一項に記載の発光装置。
15. 前記頂部の外縁を構成する複数の辺に関し、前記第１傾斜面と交わる辺は、前記第２傾斜面と交わる辺と同じ長さであり、かつ、前記第１傾斜面と交わる辺の隣の辺よりも長い、請求項１から１４のいずれか一項に記載の発光装置。
16. 前記１以上の第１半導体レーザ素子は、２つの第１半導体レーザ素子から構成されており、
    前記１以上の第２半導体レーザ素子は、２つの第２半導体レーザ素子から構成されており、
    前記２つの第１半導体レーザ素子は、前記波長変換部材に近づくにつれて前記２つの第１半導体レーザ素子の間隔が狭まるように配されており、
    前記２つの第２半導体レーザ素子は、前記波長変換部材に近づくにつれて前記２つの第２半導体レーザ素子の間隔が狭まるように配されている、請求項１から１５のいずれか一項に記載の発光装置。