JP2024022575A - 発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 円形や正方形などの形状の光取出面から効率的に光を取り出すことのできる発光装置を実現する。【解決手段】 第１の光を出射する第１半導体レーザ素子と、第１半導体レーザ素子に近い順に、少なくとも４つの光反射面が連結して設けられた第１光反射部材と、第２の光を出射する第２半導体レーザ素子と、第２半導体レーザ素子に近い順に、少なくとも４つの光反射面が連結して設けられた第２光反射部材と、反射された第１の光と反射された第２の光が入射する入射面を有する波長変換部材と、を備え、入射面における第１の光及び第２の光の速軸方向の光強度分布は、各半導体レーザ素子のファーフィールドパターンにおける速軸方向の光強度分布よりも均一化されており、入射面において第１の光と第２の光が合わさった状態で、入射面上の０．５ｍｍ四方の領域内に、第１の光の光出力と第２の光の光出力の和の９３％以上が照射される、発光装置。【選択図】 図３

Description

本発明は、発光装置に関する。

特許文献１には、半導体レーザ素子と、それぞれ傾斜角が異なる３つの領域を有する光反射面が設けられた光反射部と、蛍光部と、を備える発光装置が開示されている。この発光装置では、半導体レーザ素子から出射された光が、光反射面によって反射され、蛍光部へと照射される。また、光反射面の３つの領域によって、蛍光部に照射される光の光強度分布がより均一に近付くように光が反射される。

特開２０１９－３６６３８

発光装置の光取出面を、円形や正方形といった長短のない形状に近付けたいというニーズがある。

実施形態に開示される発光装置は、速軸方向の拡がり角が１５度以上９０度未満であり、遅軸方向の拡がり角が０度を超え８度以下である第１の光を出射する第１半導体レーザ素子と、前記第１半導体レーザ素子に近い順に、少なくとも４つの光反射面が連結して設けられた第１光反射部材と、速軸方向の拡がり角が１５度以上９０度未満であり、遅軸方向の拡がり角が０度を超え８度以下である第２の光を出射する第２半導体レーザ素子と、前記第２半導体レーザ素子に近い順に、少なくとも４つの光反射面が連結して設けられた第２光反射部材と、前記第１光反射部材によって反射された前記第１の光と前記第２光反射部材によって反射された前記第２の光が入射する入射面を有する波長変換部材と、を備え、前記第１半導体レーザ素子から出射された前記第１の光の主要部分であって、前記第１光反射部材に照射される光は全て、前記第１光反射部材の前記４つの光反射面に照射され、前記第２半導体レーザ素子から出射された前記第２の光の主要部分であって、前記第２光反射部材に照射される光は全て、前記第２光反射部材の前記４つの光反射面に照射され、前記入射面における前記第１の光の速軸方向の光強度分布は、前記第１半導体レーザ素子のファーフィールドパターンにおける速軸方向の光強度分布よりも均一化されており、前記入射面における前記第２の光の速軸方向の光強度分布は、前記第２半導体レーザ素子のファーフィールドパターンにおける速軸方向の光強度分布よりも均一化されており、前記入射面において前記第１の光と第２の光が合わさった状態で、前記入射面上の０．５ｍｍ四方の領域内に、前記第１の光の光出力と前記第２の光の光出力の和の９３％以上が照射される。

実施形態によって開示される１または複数の発明の少なくとも一つを実施することにより、円形や正方形などの形状の光取出面から効率的に光を取り出すことのできる発光装置を実現できる。

図１は、実施形態に係る発光装置の斜視図である。 図２は、図１に対応する上面図である。 図３は、図２のIII-III線における発光装置の断面図である。 図４Ａは、実施形態に係る発光装置の内部構造を説明するための上面図である。 図４Ｂは、実施形態に係る発光装置の半導体レーザ素子、光反射部材、波長変換部材の位置関係を示す拡大上面図である。 図５Ａは、実施形態に係る第１半導体レーザ素子から出射された光の速軸方向のＦＦＰである。 図５Ｂは、実施形態に係る第１半導体レーザ素子から出射された光の遅軸方向のＦＦＰである。 図５Ｃは、実施形態に係る第２半導体レーザ素子から出射された光の速軸方向のＦＦＰである。 図５Ｄは、実施形態に係る第２半導体レーザ素子から出射された光の遅軸方向のＦＦＰである。 図６は、実施形態に係る発光装置において、波長変換部材の入射面における合成光の光強度分布をシミュレーションした図である。 図７Ａは、図６のＸ方向における光強度分布を示す図である。 図７Ｂは、図６のＹ方向における光強度分布を示す図である。 図８Ａは、実施形態に係る発光装置において、波長変換部材の入射面における第１の光の光強度分布をシミュレーションした図である。 図８Ｂは、実施形態に係る発光装置において、波長変換部材の入射面における第２の光の光強度分布をシミュレーションした図である。 図９Ａは、実施形態に係る発光装置において、波長変換部材の入射面における第１の光の第１部分光の光強度分布をシミュレーションして測定した図である。 図９Ｂは、実施形態に係る発光装置において、波長変換部材の入射面における第２の光の第１部分光の光強度分布をシミュレーションした図である。 図１０Ａは、実施形態に係る発光装置において、波長変換部材の入射面における第１の光の第２部分光の光強度分布をシミュレーションした図である。 図１０Ｂは、実施形態に係る発光装置において、波長変換部材の入射面における第２の光の第２部分光の光強度分布をシミュレーションした図である。 図１１Ａは、実施形態に係る発光装置において、波長変換部材の入射面における第１の光の第３部分光の光強度分布をシミュレーションした図である。 図１１Ｂは、実施形態に係る発光装置において、波長変換部材の入射面における第２の光の第３部分光の光強度分布をシミュレーションした図である。 図１２Ａは、実施形態に係る発光装置において、波長変換部材の入射面における第１の光の第４部分光の光強度分布をシミュレーションした図である。 図１２Ｂは、実施形態に係る発光装置において、波長変換部材の入射面における第２の光の第４部分光の光強度分布をシミュレーションした図である。

本明細書または特許請求の範囲において、三角形や四角形などの多角形に関しては、多角形の隅に角丸め、面取り、角取り、丸取り等の加工が施された形状も含めて、多角形と呼ぶものとする。また、隅（辺の端）に限らず、辺の中間部分に加工が施された形状も同様に、多角形と呼ぶものとする。つまり、多角形をベースに残しつつ、部分的な加工が施された形状は、本明細書及び特許請求の範囲で記載される“多角形”の解釈に含まれるものとする。

また、多角形に限らず、台形や円形や凹凸など、特定の形状を表す言葉についても同様である。また、その形状を形成する各辺を扱う場合も同様である。つまり、ある辺において、隅や中間部分に加工が施されていたとしても、“辺”の解釈には加工された部分も含まれる。なお、部分的な加工のない“多角形”や“辺”を、加工された形状と区別する場合は“厳密な”を付して、例えば、“厳密な四角形”などと記載するものとする。

また、本明細書または特許請求の範囲において、上下、左右、表裏、前後、手前と奥などの記載は、相対的な位置、向き、方向などの関係を述べるに過ぎず、使用時における関係と一致していなくてもよい。

また、図面においてＸ方向、Ｙ方向、及び、Ｚ方向などの方向を、矢印を用いて示すことがある。この矢印の方向は、同じ実施形態に係る複数の図面間で整合が取られている。

また、本明細書において、例えば構成要素などを説明するときに「部材」や「部」と記載することがある。「部材」は、物理的に単体で扱う対象を指すものとする。物理的に単体で扱う対象とは、製造の工程で一つの部品として扱われる対象ということもできる。一方で、「部」は、物理的に単体で扱われなくてもよい対象を指すものとする。例えば、１つの部材の一部を部分的に捉えるときに「部」が用いられる。

なお、上述の「部材」と「部」の書き分けは、均等論の解釈において権利範囲を意識的に限定するという意思を示すものではない。つまり、特許請求の範囲において「部材」と記載された構成要素があったとしても、そのことのみを以って、この構成要素を物理的に単体で扱うことが本発明の適用に必要不可欠であると出願人が認識しているわけではない。

また、本明細書または特許請求の範囲において、ある構成要素が複数あり、それぞれを区別して表現する場合に、その構成要素の頭に“第１”、“第２”と付記して区別することがある。また、本明細書と特許請求の範囲とで区別する対象が異なる場合があり得る。そのため、特許請求の範囲において本明細書と同一の付記がされた構成要素が記載されていても、この構成要素によって特定される対象が、本明細書と特許請求の範囲との間で一致しないことがあり得る。

例えば、本明細書において“第１”、“第２”、“第３”と付記されて区別される構成要素があり、本明細書において“第１”及び“第３”が付記された構成要素を特許請求の範囲に記載する場合に、見易さの観点から特許請求の範囲においては“第１”、“第２”と付記して構成要素を区別することがある。この場合、特許請求の範囲において“第１”、“第２”と付記された構成要素はそれぞれ、本明細書において“第１”“第３”と付記された構成要素を指すことになる。なお、このルールの適用対象は構成要素に限らず、その他の対象に対しても、合理的かつ柔軟に適用される。

以下に、本発明を実施するための形態を説明する。またさらに、図面を参照しながら、本発明を実施するための具体的な形態を説明する。なお、本発明を実施するための形態は、この具体的な形態に限定されない。つまり、図示される実施形態は、本発明が実現される唯一の形態ではない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、理解の便宜を図るために誇張していることがある。

＜実施形態＞
図１乃至図１２Ｂは、実施形態に係る発光装置１を説明するための図である。図１は、発光装置１の斜視図である。図２は、発光装置１の上面図である。図３は、図２のIII-III線における発光装置１の断面図である。図４Ａは、発光装置１の内部構造を説明するための上面図である。図４Ｂは、発光装置１における半導体レーザ素子２０、光反射部材４０、及び、波長変換部材８１の配置を示す拡大上面図である。図４Ｂでは、上面視で波長変換部材８１が位置する領域をハッチングで記している。また、４つの仮想直線Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４をそれぞれ点線で記している。図５Ａ及び図５Ｂはそれぞれ、第１半導体レーザ素子２０Ａから出射された光の速軸方向及び遅軸方向のＦＦＰである。図５Ｃ及び図５Ｄは、第２半導体レーザ素子２０Ｂから出射された光の速軸方向及び遅軸方向のＦＦＰである。図６は、発光装置１において、波長変換部材８１の入射面８３における合成光の光強度分布をシミュレーションした図である。図７Ａは、図６のＸ方向における光強度分布を示す図である。図７Ｂは、図６のＸ方向における光強度分布を示す図である。図８Ａは、発光装置１において、波長変換部材８１の入射面８３における第１の光の光強度分布をシミュレーションした図である。図８Ｂは、発光装置１において、波長変換部材８１の入射面８３における第２の光の光強度分布をシミュレーションした図である。図９Ａ、図１０Ａ、図１１Ａ、及び、図１２Ａは順に、波長変換部材８１の入射面８３における第１の光の第１部分光、第２部分光、第３部分光、及び、第４部分光の光強度分布をシミュレーションした図である。図９Ｂ、図１０Ｂ、図１１Ｂ、及び、図１２Ｂは順に、波長変換部材８１の入射面８３における第２の光の第１部分光、第２部分光、第３部分光、及び、第４部分光の光強度分布をシミュレーションした図である。

発光装置１の構成要素には、基体１０、複数の半導体レーザ素子２０、１または複数のサブマウント３０、複数の光反射部材４０、波長変換部材８１、透光性部材８２、及び、遮光部材９０が含まれる。また、発光装置１は、さらに他の構成要素を有していてもよい。

次に、各構成要素について説明する。
（基体１０）
基体１０は、上面１１、実装面１２、下面１３、１または複数の内側面１４、及び、１または複数の外側面１５を有している。基体１０は、上方から下方に向かって窪んだ凹形状を有する。また、基体１０は、上面視における外形が矩形である。

実装面１２は、他の構成要素が配置される実装面である。また、実装面１２は、上面１１と同じ側を向いており、上面１１と下面１３の間にある。また、上面１１及び実装面１２には、それぞれ１または複数の金属膜が設けられる。

基体１０は、セラミックスを主材料として形成することができる。例えば、セラミックスとして、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、炭化ケイ素を用いることができる。なお、セラミックスに限らず、絶縁性を有する他の材料を主材料に用いて形成してもよい。

（半導体レーザ素子２０）
半導体レーザ素子２０は、光を出射する光出射面を有する。半導体レーザ素子２０は、上面、下面、複数の側面を有する。半導体レーザ素子２０の側面が、光出射面となる。半導体レーザ素子２０は、側面から側方に光を出射する。

半導体レーザ素子２０の上面の形状は、長辺と短辺を有する矩形である。この矩形の短辺を含む側面が、光出射面となり得る。なお、半導体レーザ素子２０の上面の形状は、矩形でなくてもよい。

半導体レーザ素子２０は、光の発光ピーク波長が、３２０ｎｍ～５３０ｎｍの範囲、典型的には、４３０ｎｍ～４８０ｎｍの範囲にある光を出射する。このような光を出射する半導体レーザ素子２０としては、窒化物半導体を含む半導体レーザ素子が挙げられる。窒化物半導体としては、例えば、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、及びＡｌＧａＮを用いることができる。なお、半導体レーザ素子２０から出射される光は、このような波長範囲に限らなくてよい。

半導体レーザ素子２０はレーザ光を出射する。拡がりを有する発散光が半導体レーザ素子２０の光出射面（出射端面）から出射される。半導体レーザ素子２０から出射される光は、光の光出射面と平行な面において楕円形状のファーフィールドパターン（以下「ＦＦＰ」という。）を形成する。ＦＦＰとは、光出射面から離れた位置における出射光の形状や光強度分布である。

ここで、ＦＦＰの楕円形状の中心を通る光、言い換えると、ＦＦＰの光強度分布においてピーク強度の光を、光軸を進む光、あるいは、光軸を通る光と呼ぶものとする。また、ＦＦＰの光強度分布において、ピーク強度値に対して１／ｅ^２以上の強度を有する光を、主要部分の光と呼ぶものとする。

半導体レーザ素子２０から出射される光のＦＦＰの形状は、光の光出射面と平行な面において、積層方向の方が、積層方向に垂直な方向よりも長い楕円形状である。積層方向とは、半導体レーザ素子２０において活性層を含む複数の半導体層が積層される方向のことである。積層方向に垂直な方向は、半導体層の面方向ということもできる。また、ＦＦＰの楕円形状の長径方向を半導体レーザ素子２０の速軸方向、短径方向を半導体レーザ素子２０の遅軸方向ということもできる。

ＦＦＰの光強度分布に基づきピーク光強度の１／ｅ^２の光強度の光が拡がる角度を、半導体レーザ素子２０の光の拡がり角とする。光の拡がり角は、ピーク光強度の１／ｅ^２の光強度の他に、例えば、ピーク光強度の半値の光強度から求められることもある。本明細書の説明において、単に「光の拡がり角」というときは、ピーク光強度の１／ｅ^２の光強度における光の拡がり角を指すものとする。なお、速軸方向の拡がり角の方が、遅軸方向の拡がり角よりも大きいといえる。

半導体レーザ素子２０から出射される光の速軸方向の拡がり角は、１５度以上９０度未満となり得る。また、この光の遅軸方向の拡がり角は０度を超え８度以下となり得る。なお、光の拡がり角の角度は、光軸に対する角度で示すものとする。

（サブマウント３０）
サブマウント３０は、下面、上面、及び、１または複数の側面を有する。また、サブマウント３０は上下方向の幅が最も小さい。また、サブマウント３０は、直方体の形状で構成される。なお、形状は直方体に限らなくてよい。サブマウント３０は、例えば、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、又は炭化ケイ素を用いて形成される。なお、他の材料を用いてもよい。

（光反射部材４０）
光反射部材４０は、光を反射する複数の光反射面４１を有する。光反射部材４０は、少なくとも４つの光反射面４１を有する。これら４つの光反射面４１は連結して設けられている。これら４つの光反射面４１を区別するときは、第１光反射面４１Ａ、第２光反射面４１Ｂ、第３光反射面４１Ｃ，及び、第４光反射面４１Ｄと呼ぶ。各光反射面４１は、照射された光のピーク波長における光反射率が９０％以上となり得る。ここでの光反射率は１００％以下あるいは１００％未満とすることができる。

光反射部材４０は、下面を有する。また、光反射面４１は、光反射部材４０の下面に対して傾斜している。光反射面４１は、平面である。光反射面４１の傾斜角とは、光反射部材４０の下面に対する光反射面４１の傾斜角を指すものとする。４つの光反射面４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ，４１Ｄは、互いに異なる傾斜角を有する。

４つの光反射面４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ，４１Ｄのうち、第１光反射面４１Ａが最も下方に位置し、第４光反射面４１Ｄが最も上方に位置する。第１光反射面４１Ａと第２光反射面４１Ｂが連結し、第２光反射面４１Ｂと第３光反射面４１Ｃが連結し、第３光反射面４１Ｃと第４光反射面４１Ｄが連結することで、４つの光反射面４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ，４１Ｄが連結して設けられる。

各光反射面４１において、傾斜方向の光反射面４１の長さを、光反射面４１の幅と呼ぶものとする。４つの光反射面４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ，４１Ｄは、より下方に位置する光反射面４１ほど、光反射面４１の幅が小さい。ここで、光反射部材４０の下面に平行な仮想平面を光反射面４１と交差させたときの交線を通る方向を光反射面４１の平行方向というものとする。各光反射面４１において、光反射面４１の平行方向は、光反射面４１の傾斜方向に垂直である。以降、光反射面４１の平行方向を第１方向、傾斜方向を第２方向と呼ぶものとする。なお、傾斜角の異なる光反射面４１同士の第２方向は異なる。

各光反射面４１の傾斜角は、１０度以上８０度以下の範囲にある。第１光反射面４１Ａの傾斜角（以降、第１傾斜角と呼ぶ。）は、２０度以上３５度以下としてもよい。第２光反射面４１Ｂの傾斜角（以降、第２傾斜角と呼ぶ。）は、３０度以上４５度以下としてもよい。第３光反射面４１Ｃの傾斜角（以降、第３傾斜角と呼ぶ。）は、４５度以上６０度以下としてもよい。第４光反射面４１Ｄの傾斜角（以降、第４傾斜角と呼ぶ。）は、５５度以上７０度以下としてもよい。

第１傾斜角と第２傾斜角の差は、８度以上１４度以下となり得る。第２傾斜角と第３傾斜角の差は、９度以上１５度以下となり得る。第３傾斜角と第４傾斜角の差は、１０度以上１６度以下となり得る。

第１傾斜角と第２傾斜角の差の方が、第２傾斜角と第３傾斜角の差よりも小さい。第２傾斜角と第３傾斜角の差は、第１傾斜角と第２傾斜角の差よりも０．５度以上３度以下で大きい。第２傾斜角と第３傾斜角の差の方が、第３傾斜角と第４傾斜角の差よりも小さい。第３傾斜角と第４傾斜角の差は、第２傾斜角と第３傾斜角の差よりも０．５度以上３度以下で大きい。

光反射部材４０は、その外形を形成する主材料に、ガラスや金属などを用いることができる。主材料は熱に強い材料がよく、例えば、石英若しくはＢＫ７（硼珪酸ガラス）等のガラス、アルミニウム等の金属、又はＳｉを用いることができる。また、光反射面は、例えば、Ａｇ、Ａｌ等の金属やＴａ_２Ｏ_５／ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２／ＳｉＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ_５／ＳｉＯ_２等の誘電体多層膜を用いて形成することができる。

（波長変換部材８１）
波長変換部材８１は、上面と、下面と、１または複数の側面とを有する。波長変換部材８１は、光が入射する入射面８３を有する。また、波長変換部材８１は、光を出射する出射面８４を有する。出射面８４は、入射面８３の反対側にある。図示される波長変換部材８１では、波長変換部材８１の下面が入射面８３となり、波長変換部材８１の上面が出射面８４となっている。

波長変換部材８１は、入射面８３及び出射面８４を有する波長変換部８１１と、波長変換部８１１を囲む包囲部８１２とを有する。包囲部８１２は、入射面８３に垂直な方向からみた平面視で入射面８３を囲う第１面８５を有する。また、包囲部８１２は、出射面８４に垂直な方向からみた平面視で出射面８４を囲う第２面８６を有する。包囲部８１２は、波長変換部材８１の入射面８３及び出射面８４を有していない。

包囲部８１２の内側面と波長変換部８１１の側面とが接しており、波長変換部８１１の１または複数の側面が包囲部８１２によって囲われる。包囲部８１２の１または複数の外側面が波長変換部材８１の１または複数の側面に相当する。

波長変換部材８１は、蛍光体を含有する。波長変換部８１１は、この蛍光体を含有している。また、包囲部８１２には、蛍光体は含有されていない。

入射面８３の外形は、正方形である。なお、ここでの正方形は、正方形における互いに垂直な２つの辺の長さの比率が９５％以上１０５％以下である場合を含む。また、ここでの垂直は、５度以内の差を含む。なお、入射面８３の外形は正方形でなくてもよい。入射面８３の外形は、第１辺と第１辺に垂直な第２辺とを有する矩形であり、第１辺の長さが第２辺の長さの１．０倍以上１．５倍以下であってもよい。入射面８３は、一辺が０．７５ｍｍの正方形からはみ出ない大きさであってもよい。あるいは、入射面８３は、一辺が０．５５ｍｍの正方形からはみ出ない大きさであってもよい。

出射面８４の外形は、正方形である。なお、ここでの正方形は、正方形における互いに垂直な２つの辺の長さの比率が９５％以上１０５％以下である場合を含む。なお、出射面８４の外形は正方形でなくてもよい。出射面８４の外形は、入射面８３の外形と同一である。なお、出射面８４の外形は、入射面８３の外形と同一でなくてもよい。出射面８４は、一辺が０．７５ｍｍの正方形からはみ出ない大きさであってもよい。あるいは、出射面８４は、一辺が０．５５ｍｍの正方形からはみ出ない大きさであってもよい。

波長変換部材８１において、波長変換部８１１と包囲部８１２とは、一体的に形成されている。波長変換部８１１及び包囲部８１２は、光の照射により分解されにくい無機材料を主材料に用いて形成することができる。なお、無機材料でなくてもよい。

波長変換部８１１と包囲部８１２とを一体的に焼結した一体焼結体で、波長変換部材８１は形成されている。このような一体焼結体は、例えば、焼結体等の成形品からなる波長変換部８１１と、包囲部８１２を形成する粉粒の材料と、を一体的に成形して焼結し、波長変換部材８１の母材を形成することができる。焼結には、例えば、常圧焼結法、放電プラズマ焼結法（ＳＰＳ法）やホットプレス焼結法（ＨＰ法）等を用いることができる。

波長変換部８１１は、入射した光を異なる波長の光に変換する。また、波長変換部８１１は、異なる波長に変換した光を出射する。また、入射した光の一部は、波長変換部８１１によって変換されずに波長変換部８１１から出射する。

波長変換部８１１は、セラミックスを主材料とし、蛍光体を含有させて形成することができる。これに限らず、ガラスを主材料としてもよい。またあるいは、蛍光体単体の多結晶や、蛍光体の単結晶で形成するなどしてもよい。

例えば、波長変換部８１１の主材料にセラミックスを用いる場合、蛍光体と酸化アルミニウム等の透光性材料とを焼結させて形成することができる。蛍光体の含有量は、セラミックスの総体積に対して０．０５体積％～５０体積％とすることができる。また例えば、蛍光体の紛体を焼結させた、実質的に蛍光体のみからなるセラミックスを用いてもよい。

蛍光体としては、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット（ＬＡＧ）、ユウロピウム及び／又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ＣａＯ－Ａｌ₂Ｏ₃－ＳｉＯ₂）、ユウロピウムで賦活されたシリケート（（Ｓｒ，Ｂａ）₂ＳｉＯ₄）、αサイアロン蛍光体、βサイアロン蛍光体等が挙げられる。なかでも、耐熱性が良好であり、青色の励起光と組み合わせて白色光の発光が可能となる蛍光体であるＹＡＧ蛍光体を用いることが好ましい。

包囲部８１２は、直方体の平板の中央部分に貫通孔が設けられた形状である。貫通孔を塞ぐように波長変換部８１１が設けられる。包囲部８１２は、セラミックスを主材料に用いて形成することができる。また、これに限らず、金属や、セラミックスと金属の複合体などを用いてもよい。

（透光性部材８２）
透光性部材８２は、下面と、上面と、１または複数の側面とを有する。また、透光性部材８２は、光を透過する透光性を有する。ここで、透光性とは、光に対する透過率が８０％以上であることとする。また、透光性部材８２は、直方体の平板形状で形成される母材を有する。なお、形状は直方体に限らない。

透光性部材８２は、サファイアを主材料に用いて形成することができる。サファイアは、比較的透過率が高く、比較的強度も高い材料である。なお、主材料には、サファイアの他に、例えば、石英、炭化ケイ素、又は、ガラス等を用いることもできる。

（遮光部材９０）
遮光部材９０は、遮光性を有する樹脂によって形成される。ここで、遮光性とは光を透過しない性質を示し、光を遮る性質の他、吸収する性質や反射する性質などを利用して、遮光性を実現してもよい。例えば、樹脂に、光拡散材及び／又は光吸収材等のフィラーを含有させることで形成できる。

遮光部材９０を形成する樹脂としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、ＢＴレジン等が挙げられる。また、光吸収性のフィラーとしては、カーボンブラック等の暗色系の顔料等が挙げられる。

（発光装置１）
次に、発光装置１について説明する。
発光装置１において、複数の半導体レーザ素子２０が基体１０の実装面１２に配置される。複数の半導体レーザ素子２０はそれぞれ、サブマウント３０を介して実装面１２に配置される。

複数の半導体レーザ素子２０には、第１半導体レーザ素子２０Ａ及び第２半導体レーザ素子２０Ｂが含まれる。第１半導体レーザ素子２０Ａの光出射面と第２半導体レーザ素子２０Ｂの光出射面は平行である。なお、ここでの平行は、±５度の差を含む。

第２半導体レーザ素子２０Ｂは、第１半導体レーザ素子２０Ａの光出射面を通り、この光出射面に垂直な第１仮想直線Ｌ１上には配置されない。第１半導体レーザ素子２０Ａは、第２半導体レーザ素子２０Ｂの光出射面を通り、この光出射面に垂直な第２仮想直線Ｌ２上には配置されない。第１仮想直線Ｌ１と第２仮想直線Ｌ２は平行である。なお、ここでの平行は、±５度の差を含む。

発光装置１において、複数の光反射部材４０が基体１０の実装面１２に配置される。各光反射部材４０の下面が基体１０に接合される。実装面１２に対する光反射面４１の傾斜角は、光反射部材４０の下面に対する光反射面４１の傾斜角と同じである。ここでの「同じ」は、接合に際して実装面１２と光反射部材４０の下面が平行にならなかった場合の平行からのずれを含む。

複数の光反射部材４０には、第１光反射部材４０Ａ及び第２光反射部材４０Ｂが含まれる。第１光反射部材４０Ａは、第１半導体レーザ素子２０Ａから出射された光（以下、第１の光と呼ぶ。）を反射する。第２光反射部材４０Ｂは、第２半導体レーザ素子２０Ｂから出射された光（以下、第２の光と呼ぶ。）を反射する。第１光反射部材４０Ａは第１仮想直線Ｌ１上に配置され、第２光反射部材４０Ｂは第２仮想直線Ｌ２上に配置される。

上面視で、第１光反射部材４０Ａの第１方向及び第２方向はいずれも、第１仮想直線Ｌ１に対して垂直でも平行でもない。上面視で、第２光反射部材４０Ｂの第１方向及び第２方向はいずれも、第２仮想直線Ｌ２に対して垂直でも平行でもない。

上面視で、第１半導体レーザ素子２０Ａ及び第１光反射部材４０Ａと、第２半導体レーザ素子２０Ｂ及び第２光反射部材４０Ｂとは、対称配置となっている。第１半導体レーザ素子２０Ａと第２半導体レーザ素子２０Ｂの同じ箇所を結ぶ仮想直線と、第１光反射部材４０Ａと第２光反射部材４０Ｂの同じ箇所を結ぶ仮想直線とが交わる点を中心に、これらは点対称に配置されている。

第１光反射部材４０Ａは、第１半導体レーザ素子２０Ａから近い順に第１光反射面４１Ａ、第２光反射面４１Ｂ、第３光反射面４１Ｃ、及び、第４光反射面４１Ｄが位置するように配置される。従って、第１光反射部材４０Ａの４つの光反射面４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ，４１Ｄは、第１半導体レーザ素子２０Ａから遠い光反射面４１ほど光反射面の幅が大きいと言える。

第２光反射部材４０Ｂは、第２半導体レーザ素子２０Ｂから近い順に第１光反射面４１Ａ、第２光反射面４１Ｂ、第３光反射面４１Ｃ、及び、第４光反射面４１Ｄが位置するように配置される。従って、第２光反射部材４０Ｂの４つの光反射面４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ，４１Ｄは、第２半導体レーザ素子２０Ｂから遠い光反射面４１ほど光反射面の幅が大きいと言える。なお、第１光反射部材４０Ａの第１光反射面４１Ａ、第２光反射面４１Ｂ、第３光反射面４１Ｃ、及び、第４光反射面４１Ｄと区別するために、第２光反射部材４０Ｂの第１光反射面４１Ａ、第２光反射面４１Ｂ、第３光反射面４１Ｃ、及び、第４光反射面４１Ｄをそれぞれ、第５光反射面、第６光反射面、第７光反射面、及び、第８光反射面と呼んでもよい。

第１半導体レーザ素子２０Ａから出射された光の主要部分であって、第１光反射部材４０Ａに照射される光は全て、第１光反射部材４０Ａの４つの光反射面４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ，４１Ｄに照射される。第２半導体レーザ素子２０Ｂから出射された光の主要部分であって、第２光反射部材４０Ｂに照射される光は全て、第２光反射部材４０Ｂの４つの光反射面４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ，４１Ｄに照射される。

発光装置１において、波長変換部材８１が基体１０の上に配置される。波長変換部材８１は基体１０によって支持される。波長変換部材８１は、透光性部材８２を介して、基体１０に固定される。透光性部材８２が基体１０と接合し、波長変換部材８１は透光性部材と接合する。なお、透光性部材８２を介さず、波長変換部材８１を基体１０に接合させてもよい。波長変換部材８１は、実装面１２の上方に位置する。また、波長変換部材８１は、複数の半導体レーザ素子２０及び複数の光反射部材４０の上方に位置する。

波長変換部材８１の入射面８３は、上面視で、第１半導体レーザ素子２０Ａの光出射面上のある点と第２半導体レーザ素子２０Ｂの光出射面上のある点を結ぶ仮想直線が通過する位置に配置される。入射面８３は、上面視で、第１半導体レーザ素子２０Ａの光出射面に平行で、この光出射面を通る仮想直線Ｌ３と、第２半導体レーザ素子２０Ｂの光出射面に平行で、この光出射面を通る仮想直線Ｌ４と、第１仮想直線Ｌ１と、第２仮想直線Ｌ２とに囲まれる四角形の領域内に収まるように配置される。

波長変換部材８１の出射面８４は、上面視で、第１半導体レーザ素子２０Ａの光出射面上のある点と第２半導体レーザ素子２０Ｂの光出射面上のある点を結ぶ仮想直線が通過する位置に配置される。出射面８４は、上面視で、仮想直線Ｌ３と、仮想直線Ｌ４と、第１仮想直線Ｌ１と、第２仮想直線Ｌ２とに囲まれる四角形の領域内に収まるように配置される。

第１光反射部材４０Ａによって反射された第１の光と第２光反射部材４０Ｂによって反射された第２の光は入射面８３に入射する。複数の半導体レーザ素子２０のそれぞれから出射された光は入射面８３に入射する。複数の半導体レーザ素子２０のそれぞれから出射された光の主要部分が入射面８３に入射する。

波長変換部材８１の入射面８３に入射した光に基づき、波長変換された光が出射面８４から出射される。また、入射面８３に入射した光の一部は、波長変換されずに波長変換部材８１を通過し、出射面８４から出射され得る。例えば、発光装置１は、半導体レーザ素子２０から出射された青色の光が入射面８３に入射し、その一部が波長変換部材８１において黄色の光に波長変換され、青色光と黄色光が混ざった白色光を出射面８４から出射することができる。波長変換部材８１の出射面８４は、発光装置１の光取出面ということができる。

各光反射部材４０は、波長変換部８１１に入射するように半導体レーザ素子２０から出射された光を反射する。半導体レーザ素子２０から出射された光の主要部分のうちの９５％以上が波長変換部８１１に入射する。包囲部８１２の第１面８５は、入射した光のほとんどを遮光し、第２面８６から出射されないようにする。例えば、包囲部８１２は、第１面８５に入射した光の９０％以上を遮光する。

図８Ａ及び図８Ｂに例示されるように、各半導体レーザ素子２０から出射された光は、光反射部材４０により反射されることで、入射面８３に照射される光の分布形状がより矩形に近い形状となる（これを第１特性と呼ぶものとする。）。また、図８Ａ及び図８Ｂに示されるように、各半導体レーザ素子２０から出射された光は、光反射部材４０により反射されることで、より均一化されて入射面８３に照射される（これを第２特性と呼ぶものとする。）。

第１特性を満たすことで、より矩形に近い形状（矩形そのものも含む。）の入射面８３に光を効率的に入射させることができる。第２特性を満たすことで、波長変換部材８１における光の変換効率の低下の抑制、または、波長変換部材８１から出射される光の発光強度のむらの低減に寄与することができる。

図８Ａ及び図８Ｂに示される光の分布形状は、やや湾曲しているが、ＦＦＰの楕円形状よりは矩形に近い形状といえる。また、この分布形状を包含する最小の矩形（以下、包含矩形と呼ぶ。）において互いに垂直な二辺のうち、一方の辺（以下、第３辺と呼ぶ。）に平行な方向の光強度分布は、ＦＦＰの速軸方向の光強度分布と比べてより均一化されていることがわかる。ここで、第３辺は、半導体レーザ素子２０から出射された光のうちＦＦＰの速軸方向の両端を通る部分の２本の光（それぞれ第１端光及び第２端光と呼ぶ。）がそれぞれ入射面８３に照射される点を結ぶ第３仮想直線に対し、より平行に近い辺である。「より平行に近い」とは、二辺のうち、仮想直線と辺のなす角がより０度に近いことをいうものとする。また、第３仮想直線に平行な方向を、入射面８３における光の速軸方向と定義し、簡便的に仮想速軸方向と呼ぶものとする。なお、包含矩形は、主要部分の光であって４つの光反射面４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ，４１Ｄによって反射された光に基づいて特定することができる。

なお、ＦＦＰの速軸方向の両端を通る部分の光に代えて、ＦＦＰの速軸方向に関しＦＦＰの中心からプラス方向とマイナス方向の両方向において存在するピーク強度値の半値の光強度の光に基づいて第３仮想直線を求めてもよい。

第２特性は、半導体レーザ素子２０から出射された光に関し、仮想速軸方向の光強度分布が、半導体レーザ素子２０のＦＦＰにおける速軸方向の光強度分布よりも均一化されていることと言うこともできる。

ここで、第２特性に係る「より均一化された状態」を、光強度分布において、ピーク光強度の１／ｅ^２の光強度を示す両端の幅に対する、ピーク光強度の８０％の光強度を示す両端の幅の割合に基づき定義してもよい。

例えば、入射面８３に照射される光におけるこの割合が、半導体レーザ素子２０のＦＦＰにおけるこの割合よりも、２０％以上高いことを、第２特性に係る「より均一化された状態」としてもよい。また例えば、入射面８３に照射される光におけるこの割合が、半導体レーザ素子２０のＦＦＰにおけるこの割合よりも、４０％以上高いことを、第２特性に係る「より均一化された状態」としてもよい。

また例えば、入射面８３に照射される光におけるこの割合が、５０％以上であることを、第２特性に係る「より均一化された状態」としてもよい。また例えば、入射面８３に照射される光におけるこの割合が、７０％以上であることを、第２特性に係る「より均一化された状態」としてもよい。また例えば、入射面８３に照射される光におけるこの割合が、９０％以上であることを、第２特性に係る「より均一化された状態」としてもよい。

図示される発光装置１では、第３仮想直線と第３辺は平行である。従って、入射面８３における光の遅軸方向と、包含矩形の二辺のうちの他方の辺（以下、第４辺と呼ぶ。）は平行である。また、入射面８３の第１辺と、この第３辺とが平行である。従って、入射面８３の第２辺と第４辺とが平行である。

発光装置１において、第１辺と第３辺が平行であるか否かにかかわらず、第１辺と第３仮想直線とは平行となり得る。第２辺と第４辺が平行であるか否かにかかわらず、第２辺と第３仮想直線とは垂直となり得る。

第１の光の入射面８３での分布形状に基づく包含矩形において、第３辺の長さは第４辺の長さの１．０倍以上１．５倍以下である。好ましくは１．０倍以上１．３倍以下である。これにより、入射面８３をより長短のない形状に形成することができ、発光装置の光取出面を長短のない形状に近付けることができる。

第２の光の入射面８３での分布形状に基づく包含矩形において、第３辺の長さは第４辺の長さの１．０倍以上１．５倍以下である。好ましくは１．０倍以上１．３倍以下である。これにより、入射面８３をより長短のない形状に形成することができ、発光装置の光取出面を長短のない形状に近付けることができる。

入射面８３において第１の光および第２の光が合わさった状態の光（以下、合成光と呼ぶ。）に関し、合成光の分布形状に基づく包含矩形において、第３辺の長さは第４辺の長さの１．０倍以上１．５倍以下である。好ましくは１．０倍以上１．２倍以下である。これにより、入射面８３の形状をより長短のない形状に近付けることができ、発光装置の光取出面を長短のない形状に近付けることができる。

例えば、半導体レーザ素子２０から出射される楕円形状の光を扱う場合、均一性を要求しつつ、長短のない形状に近い入射面及び光取出面を設けようとすると、光反射面の数によって、長短の無い形状にどの程度近付けられるかが異なる。例えば、本発明者がシミュレーションを行ったところ、発光装置１の半導体レーザ素子２０と同じ半導体レーザ素子を用いて、光反射部材を特開２０１９－３６６３８に例示されるようなそれぞれが平面の３つの光反射面で構成した場合、第３辺の長さは第４辺の長さの２倍以上となり、１．５倍以下の形状とすることが困難であった。

発光装置１において、入射面８３上の０．５ｍｍ四方の領域内に、合成光の光出力[Ｗ]（第１の光の光出力[Ｗ]と第２の光の光出力[Ｗ]の和）の９３％以上が照射される。これにより、発光装置の光取出面を長短のない形状に近付けることができる。また、０．５ｍｍ四方の領域に効率的に光を取り込むことができ、０．５ｍｍ程度四方の小さいサイズの光取出面から光を出射させることができる。なお、入射面８３及び出射面８４のサイズは０．５ｍｍ四方より大きくてもよい。

より多くの光が入射面８３上の０．５ｍｍ四方の領域内に照射されることが好ましい。発光装置１は、入射面８３上の０．５ｍｍ四方の領域内に、合成光の光出力[Ｗ]（第１の光の光出力[Ｗ]と第２の光の光出力[Ｗ]の和）の９５％以上を照射させることができる。あるいは、発光装置１は、入射面８３上の０．５ｍｍ四方の領域内に、合成光の光出力[Ｗ]（第１の光の光出力[Ｗ]と第２の光の光出力[Ｗ]の和）の９８％以上を照射させることができる。

発光装置１によれば、特開２０１９－３６６３８に例示されるようなそれぞれが平面の３つの光反射面で構成される場合に１．０ｍｍ四方の領域に取り込むことのできる光出力を０．５ｍｍ四方の領域に取り込むことができる。

なお、各半導体レーザ素子２０の全てが、これら２つの特性を満たしていなくてもよい。例えば、第１半導体レーザ素子２０Ａ及び第２半導体レーザ素子２０Ｂは少なくとも第１特性を満たし得る。また例えば、第１半導体レーザ素子２０Ａ及び第２半導体レーザ素子２０Ｂは少なくとも第２特性を満たし得る。また例えば、第１半導体レーザ素子２０Ａは少なくとも第１特性を満たし、第２半導体レーザ素子２０Ｂは少なくとも第２特性を満たし得る。図示される発光装置１では、第１半導体レーザ素子２０Ａ及び第２半導体レーザ素子２０Ｂはいずれも、第１特性及び第２特性を満たしている。

発光装置１では、第１傾斜角と第２傾斜角の差と、第２傾斜角と第３傾斜角の差とが、３度以下の差に収まっていることで、より小さな領域内で第２特性を満たすことができる。また同様に、第２傾斜角と第３傾斜角の差と、第３傾斜角と第４傾斜角の差とが、３度以下の差に収まっていることで、より小さな領域内で第２特性を満たすことができる。

ここで、４つの光反射面４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ，４１Ｄによって反射され入射面８３に照射される光のうち、第１光反射面４１Ａによって反射され入射面８３に照射される部分を第１部分光、第２光反射面４１Ｂによって反射され入射面８３に照射される部分を第２部分光、第３光反射面４１Ｃによって反射され入射面８３に照射される部分を第３部分光、第４光反射面４１Ｄによって反射され入射面８３に照射される部分を第４部分光と呼ぶものとする。

第１部分光の光出力[Ｗ]は、半導体レーザ素子２０から出射された光の光出力[Ｗ]の５％以上２０％以下となり得る。第２部分光の光出力[Ｗ]は、半導体レーザ素子２０から出射された光の光出力[Ｗ]の３０％以上４５％以下となり得る。第３部分光の光出力[Ｗ]は、半導体レーザ素子２０から出射された光の光出力[Ｗ]の３０％以上４５％以下となり得る。第４部分光の光出力[Ｗ]は、半導体レーザ素子２０から出射された光の光出力[Ｗ]の５％以上２０％以下となり得る。

第１の光における主要部分の光のうち第１部分光が入射面８３に照射される領域（以下、第１領域と呼ぶ。）と、第２の光における主要部分の光のうち第１部分光が入射面８３に照射される領域とが重なる面積は、第１領域の面積の０％以上６０％以下となり得る。あるいは、この重なる面積は、第１領域の面積の０％以上４０％以下となり得る。

第１の光における主要部分の光のうち第２部分光が入射面８３に照射される領域（以下、第２領域と呼ぶ。）と、第２の光における主要部分の光のうち第２部分光が入射面８３に照射される領域とが重なる面積は、第２領域の面積の７５％以上１００％未満となり得る。あるいは、この重なる面積は、第２領域の面積の９０％以上１００％未満となり得る。

第１の光における主要部分の光のうち第３部分光が入射面８３に照射される領域（以下、第３領域と呼ぶ。）と、第２の光における主要部分の光のうち第３部分光が入射面８３に照射される領域とが重なる面積は、第３領域の面積の７５％以上１００％未満となり得る。あるいは、この重なる面積は、第３領域の面積の９０％以上１００％未満となり得る。また、この重なる面積は、第２領域の面積の９０％以上１００％未満となり得る。

第１の光における主要部分の光のうち第４部分光が入射面８３に照射される領域（以下、第４領域と呼ぶ。）と、第２の光における主要部分の光のうち第４部分光が入射面８３に照射される領域とが重なる面積は、第４領域の面積の０％以上６０％以下となり得る。あるいは、この重なる面積は、第４領域の面積の０％以上４０％以下となり得る。また、この重なる面積は、第１領域の面積の０％以上４０％以下となり得る。

このように，発光装置１では、入射面８３において第１の光と第２の光が重なる面積に関し、第１部分光同士が重なる面積は、第２部分光同士が重なる面積よりも小さい。また、第４部分光同士が重なる面積は、第３部分光同士が重なる面積よりも小さい。

第１半導体レーザ素子２０Ａ、第２半導体レーザ素子２０Ｂ、第１光反射部材４０Ａ、及び、第２光反射部材４０Ｂの配置の対称性から、第１半導体レーザ素子２０Ａと第２半導体レーザ素子２０Ｂの第１部分光同士も入射面８３において対称性のある分布となる。これは第２部分光同士、第３部分光同士、及び、第４部分光同士についても同様である。なお、ここでの対称性は、厳密な意味での対称に限定されない。また、第１部分光と第４部分光は、第２部分光や第３部分光と比べて、光強度の低い光であり、ＦＦＰの光強度分布からもわかるように、光の拡がる角度の変化に対する光強度の変化も緩やかである。このように、対称性と光の強度分布の性質を考慮すると、第１部分光や第４部分光は、重なる面積の割合が大きすぎない方が、第１部分光の合成光の均一性や第４部分光の合成光の均一性が向上し得る。一方で、第２部分光や第３部分光は、重なる面積の割合を大きくすることで、第２部分光の合成光の均一性や第３部分光の合成光の均一性が向上し得る。

このことは、第１部分光や第４部分光の分布形状が、矩形よりも三角形に近いことと、第２部分光や第３部分光の分布形状が、三角形よりも矩形に近いことが影響し得る。光強度の変化が緩やかであるならば、重ね過ぎないという方法の他に、なるべく全部を重ねるという方法も考え得るが、対称性を考慮すると、三角形は、なるべく全部を重ね合わせるという方法に適さないことがある。

第１の光の第１部分光の入射面８３における分布形状を包含する最小の三角形（以下、包含三角形）は、直角三角形に近い形状である。また、この包含三角形は、第１の光に基づく包含矩形の第３辺と第４辺を有する直角三角形に近い形状である。このような分布形状であることで、第１半導体レーザ素子２０Ａの第１部分光と第２半導体レーザ素子２０Ｂの第１部分光を重ね過ぎないように入射面８３に照射させて、第１部分光の合成光の均一性が向上され得る。具体的には、この包含三角形において、第３辺と最も平行に近い辺と、第４辺と最も平行に近い辺とが成す角度が７５度以上１０５度以下であり、かつ。包含三角形における３つの内角のうちこの角度が最も大きい、という条件が満たされる。なお、第２の光の第１部分光、第１の光の第４部分光、及び、第２の光の第４部分光も、同様の条件を満たし得る。

発光装置１において、複数の半導体レーザ素子２０は、発光装置１の閉空間に配置される。基体１０と透光性部材８２とが接合して、この閉空間が出来上がる。透光性部材８２は蓋部材としての役割を果たすことができる。図示される発光装置１の例では、この閉空間は気密封止された状態で形成される。気密封止されることで、半導体レーザ素子の光出射面に有機物等が集塵することを抑制できる。

発光装置１において、遮光部材９０が、基体１０と波長変換部材８１の隙間を埋めるようにして形成される。遮光部材９０は、例えば、熱硬化性の樹脂を流し込み、これを熱で硬化させることで形成できる。遮光部材９０を設けることで、光取出面以外からの光の漏れを抑制する。

遮光部材９０は、波長変換部材８１の上面には達さない。これにより、光取出面である波長変換部８１１を避けつつ、隙間を埋めるようにして遮光部材９０を設けることができ、光取出面以外からの光の漏れを低減することができる。

以上、本発明に係る実施形態を説明してきたが、本発明に係る発光装置は、実施形態の発光装置に厳密に限定されるものではない。つまり、本発明は、実施形態により開示された発光装置の外形や構造に限定されなければ実現できないものではない。本発明は、全ての構成要素を必要十分に備えることを必須とせずに適用され得るものである。例えば、特許請求の範囲に、実施形態により開示された発光装置の構成要素の一部が記載されていなかった場合、その一部の構成要素については、代替、省略、形状の変形、材料の変更などの当業者による設計の自由度を認め、その上で特許請求の範囲に記載された発明が適用されることを特定するものである。

本明細書でこれまで説明してきた内容を通し、以下の技術事項が開示される。
（項１）
速軸方向の拡がり角が１５度以上９０度未満であり、遅軸方向の拡がり角が０度を超え８度以下である第１の光を出射する第１半導体レーザ素子と、
前記第１半導体レーザ素子に近い順に、少なくとも４つの光反射面が連結して設けられた第１光反射部材と、
速軸方向の拡がり角が１５度以上９０度未満であり、遅軸方向の拡がり角が０度を超え８度以下である第２の光を出射する第２半導体レーザ素子と、
前記第２半導体レーザ素子に近い順に、少なくとも４つの光反射面が連結して設けられた第２光反射部材と、
前記第１光反射部材によって反射された前記第１の光と前記第２光反射部材によって反射された前記第２の光が入射する入射面を有する波長変換部材と、
を備え、
前記第１半導体レーザ素子から出射された前記第１の光の主要部分であって、前記第１光反射部材に照射される光は全て、前記第１光反射部材の前記４つの光反射面に照射され、
前記第２半導体レーザ素子から出射された前記第２の光の主要部分であって、前記第２光反射部材に照射される光は全て、前記第２光反射部材の前記４つの光反射面に照射され、
前記入射面における前記第１の光の速軸方向の光強度分布は、前記第１半導体レーザ素子のファーフィールドパターンにおける速軸方向の光強度分布よりも均一化されており、
前記入射面における前記第２の光の速軸方向の光強度分布は、前記第２半導体レーザ素子のファーフィールドパターンにおける速軸方向の光強度分布よりも均一化されており、
前記入射面において前記第１の光と第２の光が合わさった状態で、前記入射面上の０．５ｍｍ四方の領域内に、前記第１の光の光出力と前記第２の光の光出力の和の９３％以上が照射される、発光装置。
（項２）
前記第１光反射部材の前記少なくとも４つの光反射面において、前記第１半導体レーザ素子から遠い光反射面ほど光反射面の幅が大きく、
前記第２光反射部材の前記少なくとも４つの光反射面において、前記第２半導体レーザ素子から遠い光反射面ほど光反射面の幅が大きい項１に記載の発光装置。
（項３）
前記第１光反射部材の前記少なくとも４つの光反射面は、前記第１半導体レーザ素子から近い順に、第１光反射面、第２光反射面、第３光反射面、及び、第４光反射面を有しており、
前記第１光反射面の傾斜角と、前記第２光反射面の傾斜角の差は、８度以上１４度以下であり、
前記第２光反射面の傾斜角と、前記第３光反射面の傾斜角の差は、９度以上１５度以下であり、
前記第３光反射面の傾斜角と、前記第４光反射面の傾斜角の差は、１０度以上１６度以下である、項１または項２に記載の発光装置。
（項４）
前記第１光反射部材の前記少なくとも４つの光反射面は、前記第１半導体レーザ素子から近い順に、第１光反射面、第２光反射面、第３光反射面、及び、第４光反射面を有しており、
前記第１光反射面の傾斜角と前記第２光反射面の傾斜角の差の方が、前記第２光反射面の傾斜角と前記第３光反射面の傾斜角の差よりも小さい、項１乃至項３のいずれか一項に記載の発光装置。
（項５）
前記波長変換部材は、
前記入射面と、前記入射面の反対側にある出射面とを有し、蛍光体を含有する波長変換部と、
前記入射面に垂直な方向からみた平面視で前記入射面を囲う第１面と、前記出射面に垂直な方向からみた平面視で前記出射面を囲う第２面と、を有する包囲部と、
を備え、
前記入射面は、０．７５ｍｍの正方形からはみ出ない大きさである、項１乃至項４のいずれか一項に記載の発光装置。
（項６）
前記入射面の外形は、第１辺と前記第１辺に垂直な第２辺とを有する矩形であり、第１辺の長さは第２辺の長さの１．０倍以上１．５倍以下である、項１乃至項５のいずれか一項に記載の発光装置。
（項７）
前記第１半導体レーザ素子から出射される前記第１の光のファーフィールドパターンにおいて速軸方向の両端を通る第１端光及び第２端光がそれぞれ前記入射面に照射される点と点を結んだ仮想直線は、前記第１辺と平行である、項６に記載の発光装置。
（項８）
前記第１光反射部材の前記少なくとも４つの光反射面は、前記第１半導体レーザ素子から近い順に、第１光反射面、第２光反射面、第３光反射面、及び、第４光反射面を有しており、
前記第２光反射部材の前記少なくとも４つの光反射面は、前記第１半導体レーザ素子から近い順に、第５光反射面、第６光反射面、第７光反射面、及び、第８光反射面を有しており、
前記第１の光における主要部分の光のうち、前記第１光反射面に反射された部分の光が前記入射面に照射される第１領域と、前記第２の光における主要部分の光のうち、前記第５光反射面に反射された部分の光が前記入射面に照射される領域とが重なる面積は、前記第１領域の面積の０％以上６０％以下である、項１乃至項７のいずれか一項に記載の発光装置。
（項９）
前記第１の光における主要部分の光のうち、前記第２光反射面に反射された部分の光が前記入射面に照射される第２領域と、前記第２の光における主要部分の光のうち、前記第６光反射面に反射された部分の光が前記入射面に照射される領域とが重なる面積は、前記第２領域の面積の７５％以上１００％未満である、項８に記載の発光装置。

実施形態に記載の発光装置は、車載ヘッドライト、ヘッドマウントディスプレイ、照明、プロジェクタ、ディスプレイ等に使用することができる。

１ 発光装置
１０ 基体
１１ 上面
１２ 実装面
１３ 下面
１４ 内側面
１５ 外側面
２０ 半導体レーザ素子
２０Ａ 第１半導体レーザ素子
２０Ｂ 第２半導体レーザ素子
３０ サブマウント
４０ 光反射部材
４０Ａ 第１光反射部材
４０Ｂ 第２光反射部材
４１ 光反射面
４１Ａ 第１光反射面
４１Ｂ 第２光反射面
４１Ｃ 第３光反射面
４１Ｄ 第４光反射面
８１ 波長変換部材
８３ 入射面
８４ 出射面
８５ 第１面
８６ 第２面
８１１ 波長変換部
８１２ 包囲部
８２ 透光性部材
９０ 遮光部材

Claims (9)

1. 速軸方向の拡がり角が１５度以上９０度未満であり、遅軸方向の拡がり角が０度を超え８度以下である第１の光を出射する第１半導体レーザ素子と、
   前記第１半導体レーザ素子に近い順に、少なくとも４つの光反射面が連結して設けられた第１光反射部材と、
   速軸方向の拡がり角が１５度以上９０度未満であり、遅軸方向の拡がり角が０度を超え８度以下である第２の光を出射する第２半導体レーザ素子と、
   前記第２半導体レーザ素子に近い順に、少なくとも４つの光反射面が連結して設けられた第２光反射部材と、
   前記第１光反射部材によって反射された前記第１の光と前記第２光反射部材によって反射された前記第２の光が入射する入射面を有する波長変換部材と、
   を備え、
   前記第１半導体レーザ素子から出射された前記第１の光の主要部分であって、前記第１光反射部材に照射される光は全て、前記第１光反射部材の前記４つの光反射面に照射され、
   前記第２半導体レーザ素子から出射された前記第２の光の主要部分であって、前記第２光反射部材に照射される光は全て、前記第２光反射部材の前記４つの光反射面に照射され、
   前記入射面における前記第１の光の速軸方向の光強度分布は、前記第１半導体レーザ素子のファーフィールドパターンにおける速軸方向の光強度分布よりも均一化されており、
   前記入射面における前記第２の光の速軸方向の光強度分布は、前記第２半導体レーザ素子のファーフィールドパターンにおける速軸方向の光強度分布よりも均一化されており、
   前記入射面において前記第１の光と第２の光が合わさった状態で、前記入射面上の０．５ｍｍ四方の領域内に、前記第１の光の光出力と前記第２の光の光出力の和の９３％以上が照射される、発光装置。
2. 前記第１光反射部材の前記少なくとも４つの光反射面において、前記第１半導体レーザ素子から遠い光反射面ほど光反射面の幅が大きく、
   前記第２光反射部材の前記少なくとも４つの光反射面において、前記第２半導体レーザ素子から遠い光反射面ほど光反射面の幅が大きい請求項１に記載の発光装置。
3. 前記第１光反射部材の前記少なくとも４つの光反射面は、前記第１半導体レーザ素子から近い順に、第１光反射面、第２光反射面、第３光反射面、及び、第４光反射面を有しており、
   前記第１光反射面の傾斜角と、前記第２光反射面の傾斜角の差は、８度以上１４度以下であり、
   前記第２光反射面の傾斜角と、前記第３光反射面の傾斜角の差は、９度以上１５度以下であり、
   前記第３光反射面の傾斜角と、前記第４光反射面の傾斜角の差は、１０度以上１６度以下である、請求項１に記載の発光装置。
4. 前記第１光反射部材の前記少なくとも４つの光反射面は、前記第１半導体レーザ素子から近い順に、第１光反射面、第２光反射面、第３光反射面、及び、第４光反射面を有しており、
   前記第１光反射面の傾斜角と前記第２光反射面の傾斜角の差の方が、前記第２光反射面の傾斜角と前記第３光反射面の傾斜角の差よりも小さい、請求項１に記載の発光装置。
5. 前記波長変換部材は、
   前記入射面と、前記入射面の反対側にある出射面とを有し、蛍光体を含有する波長変換部と、
   前記入射面に垂直な方向からみた平面視で前記入射面を囲う第１面と、前記出射面に垂直な方向からみた平面視で前記出射面を囲う第２面と、を有する包囲部と、
   を備え、
   前記入射面は、一辺が０．７５ｍｍの正方形からはみ出ない大きさである、請求項１に記載の発光装置。
6. 前記入射面の外形は、第１辺と前記第１辺に垂直な第２辺とを有する矩形であり、第１辺の長さは第２辺の長さの１．０倍以上１．５倍以下である、請求項５に記載の発光装置。
7. 前記第１半導体レーザ素子から出射される前記第１の光のファーフィールドパターンにおいて速軸方向の両端を通る第１端光及び第２端光がそれぞれ前記入射面に照射される点と点を結んだ仮想直線は、前記第１辺と平行である、請求項６に記載の発光装置。
8. 前記第１光反射部材の前記少なくとも４つの光反射面は、前記第１半導体レーザ素子から近い順に、第１光反射面、第２光反射面、第３光反射面、及び、第４光反射面を有しており、
   前記第２光反射部材の前記少なくとも４つの光反射面は、前記第１半導体レーザ素子から近い順に、第５光反射面、第６光反射面、第７光反射面、及び、第８光反射面を有しており、
   前記第１の光における主要部分の光のうち、前記第１光反射面に反射された部分の光が前記入射面に照射される第１領域と、前記第２の光における主要部分の光のうち、前記第５光反射面に反射された部分の光が前記入射面に照射される領域とが重なる面積は、前記第１領域の面積の０％以上６０％以下である、請求項１に記載の発光装置。
9. 前記第１の光における主要部分の光のうち、前記第２光反射面に反射された部分の光が前記入射面に照射される第２領域と、前記第２の光における主要部分の光のうち、前記第６光反射面に反射された部分の光が前記入射面に照射される領域とが重なる面積は、前記第２領域の面積の７５％以上１００％未満である、請求項８に記載の発光装置。

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