JP7515418B2

JP7515418B2 - 配線基板および配線基板の製造方法

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Publication number: JP7515418B2
Application number: JP2021001208A
Authority: JP
Inventors: 孝有奈須
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: Niterra Co Ltd
Priority date: 2021-01-07
Filing date: 2021-01-07
Publication date: 2024-07-12
Anticipated expiration: 2041-01-07
Also published as: JP2022106325A

Description

本発明は、セラミック基板を備えている配線基板およびその製造方法に関する。

半導体素子等の電子部品が搭載される配線基板として、非導電性材料であるセラミックで形成されているセラミック基板と、セラミック基板の内部および表面に金属などの導電性材料を用いて形成されている導電性パターンとを備えているものがある。配線基板に形成される導電性パターンは、例えば、配線、ビア、接続端子などとして機能する。ビアは、セラミック基板内を貫通するように設けられており、例えば、基板の下層に形成されている配線層と、基板の上面に設けられている接続用端子（接続パッド）とを電気的に接続する。

このような配線基板において、配線とビアとを別の工程で形成すると、配線の形成位置とビアの形成位置との間にズレが発生し、配線とビアとの間で接続不良が発生することがある。このような接続不良は、配線を形成している導電性材料と、ビアを形成している導電性材料との間で、焼成時の収縮率が異なることに起因して発生し得る。そこで、特許文献１には、焼成による収縮が生じず、したがって、接続の信頼性が高い導体膜およびビアホール導体を備える、多層セラミック基板の製造方法が開示されている。

特開２００３－３４７７３１号公報

特許文献１には、支持体１６上で、導体膜１４となるシート状部分１８とビアホール導体１５となるバンプ部分１９とを一体的に備える金属箔１７を形成し、金属箔１７のバンプ部分１９をセラミックグリーンシート２０の厚み方向に突入させた状態とするように、金属箔１７を支持体１６からセラミックグリーンシート２０へ転移させ、その後、複数のセラミックグリーンシート２０を積層し、得られた生の積層体２３を焼成することによって、多層セラミック基板１１を得る、という多層セラミック基板の製造方法が開示されている。

しかし、この製造方法を用いてセラミックグリーンシートに金属箔のバンプを突入させることによって形成されたビアは、セラミック基板から脱落してしまう可能性があり、ビアの剥がれの原因となる。

そこで、本発明では、配線とビアとの位置ズレの発生を抑制できるとともに、セラミック基板からビアを抜けにくくすることのできる配線基板を提供することを目的とする。

本発明の一局面にかかる配線基板は、セラミック基板と、少なくとも一つの導電性のビアであって、前記セラミック基板に埋め込まれているビアと、前記セラミック基板の内部および表面の少なくとも何れかに設けられており、前記ビアと電気的に接続される配線部とを備える。この配線基板において、前記ビアは、前記セラミック基板の厚み方向における前記配線部との接続部において、前記厚み方向と直交する面方向の面積が前記配線部に向かうにつれて小さくなっている窄み部を有している。

上記の構成によれば、ビアは、セラミック基板に埋め込まれた状態となっており、セラミック基板の厚み方向における配線部との接続部には、窄み部が設けられている。これにより、セラミック基板に対するビアの密着性が向上し、ビアがセラミック基板から抜けにくい構成とすることができる。

上記の本発明の一局面にかかる配線基板において、前記配線部は、前記セラミック基板の表面に形成され、少なくとも一部が前記セラミック基板に埋め込まれており、前記配線部のうち、前記セラミック基板に埋め込まれている部位には、前記ビアに近づくにしたがって前記面方向の面積が小さくなる第２窄み部が設けられていてもよい。

上記の構成によれば、配線部の少なくとも一部がセラミック基板に埋め込まれた状態となっており、配線部のセラミック基板に埋め込まれている部位には、第２窄み部が設けられている。これにより、セラミック基板に対する配線部の密着性が向上し、配線部がセラミック基板から剥がれにくい構成とすることができる。

上記の本発明の一局面にかかる配線基板において、前記第２窄み部は、前記セラミック基板の前記厚み方向における前記ビアと隣接する部位に設けられていてもよい。

上記の構成によれば、ビアに設けられている窄み部と、配線部に設けられている第２窄み部とで、ビアと配線部との接合が実現できる。このような構成は、ビアと配線部とを１回の現像工程で形成するという方法で形成することができる。そのため、ビアと配線部との相対的な位置関係を容易に規定することができ、ビアと配線部との位置ずれを抑制することができる。

上記の本発明の一局面にかかる配線基板において、前記配線部の表面は、前記セラミック基板の前記表面と面一になっていてもよい。

上記の構成によれば、セラミック基板からより剥がれにくい配線部を得ることができる。

また、本発明のもう一つの局面にかかる配線基板の製造方法は、フィルム上に感光性の導電性ペーストを塗布し、導電性ペースト付着フィルム体を形成する、フィルム体形成工程と、前記フィルム側から前記フィルム体に対して露光を行う、第１露光工程と、前記第１露光工程の後に、前記導電性ペースト側から前記フィルム体に対して露光を行う、第２露光工程と、前記第１露光工程および前記第２露光工程を経た前記フィルム体を現像することによって、前記フィルムに近い側の前記導電性ペーストが配線部の導電性パターンとなり、前記フィルムから遠い側の前記導電性ペーストがビアの導電性パターンとなる、現像工程と、前記ビアが配置される箇所に少なくとも穴を有するセラミックシートに対して、前記現像工程を経た前記フィルム体を押し当てて、前記配線部および前記ビアの前記導電性パターンを前記セラミックシートに転写する、転写工程と、前記転写工程後の前記セラミックシートを焼成する、焼成工程とを含む。

上記の製造方法によれば、１枚のフィルム上に設けられた感光性の導電性ペーストから、ビアおよび配線部を形成することで、ビアと配線部との相対的な位置関係を容易に規定することができる。そのため、ビアと配線部とを、別々の導電性ペーストを用いて別々の現像工程によって形成する場合に起こり得るビアに対する配線パターンの位置ずれを抑制することができる。

また、上記の製造方法によれば、ビアと配線部との接続部において、窄み部を形成することができる。このような窄み部が形成されることで、ビアがセラミック基板から抜け出にくい構成とすることができる。

本発明の一局面にかかる配線基板によれば、ビアに窄み部が設けられていることで、セラミック基板からビアを抜けにくくすることができる。また、本発明のもう一つの局面にかかる配線基板の製造方法によれば、配線部とビアとの位置ズレの発生を抑制できるとともに、セラミック基板からビアを抜けにくくすることのできる配線基板を製造することができる。

本発明の一実施形態にかかる配線基板の一部分の構成を示す平面図である。図１に示す配線基板のＡ－Ａ線部分の内部構成を示す断面図である。図１に示す配線基板のＢ－Ｂ線部分の内部構成を示す断面図である。図１に示す配線基板のＣ－Ｃ線部分の内部構成を示す断面図である。本発明の一実施形態にかかる配線基板の製造工程を示すフローチャートである。導電パターン形成工程が行われる様子を工程順に示す模式図である。転写工程が行われる様子を工程順に示す模式図である。配線基板の製造工程中の露光工程および現像工程を説明する模式図である。図５に示す導電パターン形成工程によって形成される導電パターンの形状を示す断面模式図である。

以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。以下の説明では、同一の部品には同一の符号を付してある。それらの名称および機能も同じである。したがって、それらについての詳細な説明は繰り返さない。

（配線基板の構成）
本実施形態では、本発明にかかる配線基板の一例として、配線基板１を例に挙げて説明する。図１には、配線基板１の一部分の表面側の構成を示す平面模式図である。図２から図４には、図１に示す配線基板１の断面構成を模式的に示す。

本実施形態では、便宜上、略平板状の配線基板１においてビアが設けられている側の面を表面１１ａとし、その反対側の面を裏面１１ｂとする。但し、配線基板１の表面および裏面の定義はこれに限定はされず、任意に決めることができる。すなわち、配線基板１の表面１１ａおよび裏面１１ｂの両方が、セラミック基板１１の表面に相当し得る。また、図２から図４に示すように、セラミック基板１１の面方向をＸ方向とし、セラミック基板１１の厚み方向をＹ方向とする。

配線基板１は、主として、セラミック基板１１と、複数の導電性パターンとで構成されている。

セラミック基板１１は、配線基板１の土台となる部材である。セラミック基板１１は、例えば、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）を主成分とする高温焼成セラミックで形成することができる。また、別の実施態様では、セラミックシートは、焼結性を向上させたアルミナなどの中温焼成セラミック（ＭＴＣＣ）、または低温焼成セラミック（ＬＴＣＣ）で形成されていてもよい。

セラミック基板１１は、１つまたは複数のセラミックグリーンシートを焼成して得られる。セラミック基板１１が複数のセラミックグリーンシートから形成される場合には、セラミック基板１１は、積層された複数のセラミック層を有している。図２および図３には、セラミック基板１１が、１つのセラミックグリーンシートで形成されている構成例を示している。

導電性パターンは、セラミック基板１１の表面１１ａ、裏面１１ｂ、および内部などに設けられている。各導電性パターンは、それぞれ所定の形状に形成されており、例えば、配線部、接続パッド、導電性ビア、および電極などとして機能する。

導電性パターンは、例えば、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、銀（Ａｇ）、またはモリブデン（Ｍｏ）などの金属材料、あるいはこれらの金属材料を主成分とする合金材料によって形成することができる。セラミック基板１１が高温焼成セラミックで形成されている場合には、導電性パターンは、例えば、タングステン（Ｗ）、またはモリブデン（Ｍｏ）を主成分とすることが好ましい。セラミック基板１１が中温焼成セラミックまたは低温焼成セラミックで形成されている場合には、導電性パターンは、例えば、銅（Ｃｕ）、または銀（Ａｇ）を主成分とすることが好ましい。

例えば、図１に示す例では、セラミック基板１１の表面１１ａ側に、導電性パターンの一例であるビア３１が設けられている。ビア３１は、上面視で略円形状となっている。ビア３１の一部はセラミック基板１１の表面１１ａにおいて露出しており、その露出面上には、例えば、接続パッド（図示せず）が形成される。接続パッドは、ビア３１と電気的に接続される。

図２に示すように、ビア３１は、セラミック基板１１の内部に埋め込まれている。ビア３１は、セラミック基板１１の内部において、導電性パターンの一例である配線部２１と接合している。これにより、ビア３１と配線部２１とは電気的に接続している。配線部２１は、ビア３１を介して、セラミック基板１１の表面１１ａに形成される接続パッドなどとの間で電気信号を伝達することができる。

配線部２１は、セラミック基板１１の表面１１ａ、裏面１１ｂ、および内部などに張り巡らされている。図１では、セラミック基板１１の内部に延びている複数の配線部２１を破線で示している。

図２には、図１に示す配線基板１のＡ－Ａ線部分の断面構成を示す。図３には、図１に示す配線基板１のＢ－Ｂ線部分の断面構成を示す。図４には、図１に示す配線基板１のＣ－Ｃ線部分の断面構成を示す。

配線部２１は、セラミック基板１１の裏面１１ｂ側に設けられている。本実施形態では、配線部２１の表面２１ｓは、セラミック基板１１の裏面１１ｂと面一になっている。図２および図３に示すように、配線部２１は、セラミック基板１１の内部に埋め込まれている。

図１に示すように、配線部２１におけるビア３１との接合部２０は、上面視で略円形状となっている。また、接合部２０は、上面視でビア３１と重なるように配置されている。上面視で略円形状の接合部２０の径Ｄ１は、上面視で略円形状のビア３１の径Ｄ２よりも大きくなっている。また、接合部２０の径Ｄ１は、配線部２１における接合部２０以外の部分（延伸部）の幅Ｗよりも大きくなっている。

図２に示すように、ビア３１は、主として、柱状部３２と、窄み部３３とで構成されている。柱状部３２は、セラミック基板１１の表面（図２では、表面１１ａ）側に位置している。柱状部３２は、Ｘ方向の断面積がＹ方向にわたって略一定となっている部分である。窄み部３３は、セラミック基板１１の内部側に位置している。図２に示すように、窄み部３３は、セラミック基板１１のＹ方向における配線部２１との接続部に位置している。窄み部３３は、Ｘ方向の断面積が配線部２１の方へ向かうにつれて小さくなっている。

このように、ビア３１は、セラミック基板１１に埋まった状態となっており、セラミック基板１１のＹ方向における配線部２１との接続部には、窄み部３３が設けられている。これにより、ビア３１がセラミック基板１１から抜けにくい構成とすることができる。

さらに、本実施形態にかかる配線基板１では、ビア３１の全体がセラミック基板１１に埋まった状態となっていることが好ましい。これにより、セラミック基板１１からより抜けにくいビア３１を得ることができる。また、ビア３１の表面３１ｓが、セラミック基板１１の表面（図２などに示す例では、表面１１ａ）と面一になっていてもよい。

図２に示すように、配線部２１は、主として、本体部２２と、第２窄み部２３とで構成されている。本体部２２は、セラミック基板１１の表面（図２では、裏面１１ｂ）側に位置している。本体部２２は、Ｘ方向の断面積がＹ方向にわたって略一定となっている部分である。

第２窄み部２３は、本体部２２の上層に設けられている。言い換えると、第２窄み部２３は、本体部２２よりもセラミック基板１１の内部側に位置している。図２に示すように、第２窄み部２３は、セラミック基板１１のＹ方向におけるビア３１との接続部において、ビア３１に近づくにしたがってＸ方向の断面積が小さくなるような形状を有している。また、図４に示すように、第２窄み部２３は、ビア３１と隣接する部位だけではなく、配線部２１の延伸方向と交差する方向の両端部にも設けられている。これにより、セラミック基板１１から剥がれにくい配線部２１を得ることができる。

配線部２１は、第２窄み部２３の部分が少なくともセラミック基板１１に埋まった状態となっていることが好ましい。これにより、配線部２１がセラミック基板１１からより剥がれにくい構成とすることができる。

さらに、本実施形態にかかる配線基板１では、配線部２１の全体がセラミック基板１１に埋まった状態となっていることが好ましい。すなわち、配線部２１の表面２１ｓが、セラミック基板１１の表面（図２などに示す例では、裏面１１ｂ）と面一になっていることが好ましい。これにより、セラミック基板１１からより剥がれにくい配線部２１を得ることができる。

また、配線基板１が、複数のセラミック層を積層して形成される場合には、配線部２１の表面２１ｓが、セラミック層の表面と面一になっていることが好ましい。これにより、各セラミック層を積層したときの各セラミック層間の隙間を小さくすることができる。

（配線基板の製造方法）
続いて、配線基板１の製造方法について説明する。ここでは、ビア３１および配線部２１などの導電性パターンを形成する工程を中心に説明する。この工程以外の配線基板１の製造方法については、従来公知の配線基板の製造方法が適用できる。

図５には、配線基板１の製造工程の一部を工程順に示す。図５では、主に、導電性パターン形成工程（Ｓ１０）から焼成工程（Ｓ３０）までの各工程を示している。図６には、導電性パターン形成工程（Ｓ１０）が行われる様子を工程順に模式的に示す。図７には、転写工程（Ｓ２０）が行われる様子を工程順に模式的に示す。

図５に示す各工程を行うにあたって、先ず、セラミックシート１０を準備する。セラミックシート１０は、例えば、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）などを含有するセラミック材料の粉末を、有機溶剤およびバインダなどとともに混練してスラリーを作製した後、シート状に成形することで得られる。

セラミックシートを準備した後、導電性パターン形成工程（Ｓ１０）を行う。図５に示すように、この導電性パターン形成工程（Ｓ１０）には、準備工程（Ｓ１１）、フィルム体形成工程（Ｓ１２）、第１露光工程（Ｓ１３）、第２露光工程（Ｓ１４）、および現像工程（Ｓ１５）などが含まれる。

準備工程（Ｓ１１）では、キャリアフィルム６１と、感光性の導電性ペースト６２を準備する。キャリアフィルム６１としては、例えば、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）などの樹脂製の透明フィルムを用いることができる。キャリアフィルム６１は、その両端部がフィルム支持機構５０によって支持され、水平状態に固定される（図６の工程Ａ参照）。

導電性ペースト６２は、例えば、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、銀（Ａｇ）、またはモリブデン（Ｍｏ）などを含有する金属粉末と、感光性樹脂とを含む。感光性樹脂としては、紫外光が照射されると光硬化するネガ型感光材が用いられる。本実施形態では、例えば、ビスアジド化合物が用いられる。導電性ペーストに感光性樹脂が含まれることで、フォトリソグラフィによって所定形状の導電性パターンを形成することができる。そのため、より精細なパターン形状を有する導電性パターンを形成することができる。

フィルム体形成工程（Ｓ１２）では、準備したキャリアフィルム６１上に、導電性ペースト６２を塗布する。導電性ペースト６２の塗布は、従来公知のスクリーン印刷装置５１を用いて行うことができる。これにより、導電性ペースト付着フィルム体（以下、フィルム体と呼ぶ）が得られる。

続いて、第１露光工程（Ｓ１３）および第２露光工程（Ｓ１４）を順に行う。図６の工程Ｂには、第１露光工程（Ｓ１３）が行われる様子を示す。第１露光工程（Ｓ１３）では、キャリアフィルム６１側からフィルム体に対して露光を行う。

第１露光工程（Ｓ１３）の後、第２露光工程（Ｓ１４）を行う。図６の工程Ｃには、第２露光工程（Ｓ１４）が行われる様子を示す。第２露光工程（Ｓ１４）では、導電性ペースト６２側からフィルム体に対して露光を行う。

第１露光工程（Ｓ１３）および第２露光工程（Ｓ１４）では、ＤＩ露光装置５２を用いてキャリアフィルム６１上に塗布された導電性ペースト６２に光を照射する。ＤＩ露光装置５２は、ＵＶ光源５２ａを備えている。

各露光工程では、ガラスマスク７０（図６では、図示を省略）を用いてキャリアフィルム６１上の導電性ペースト６２に光を照射し、配線基板１に形成される各導電性パターンの形状に合わせて、導電性ペースト６２内の感光性樹脂を光硬化させる。

図８には、第１露光工程（Ｓ１３）が行われる様子を模式的に示す。図８では、導電性ペースト６２のキャリアフィルム６１から遠い側の面を第１面６２ａとし、キャリアフィルム６１に接している面を第２面６２ｂとする。また、図９には、導電パターン形成工程（Ｓ１０）によって形成される導電性パターン４０の断面形状を模式的に示す。図９では、第１露光工程（Ｓ１３）で使用されるガラスマスク７０をガラスマスク７０ａとし、第２露光工程（Ｓ１４）で使用されるガラスマスク７０をガラスマスク７０ｂとする。

第１露光工程（Ｓ１３）では、図８の「１」に示すように、導電性ペースト６２の上方に、ガラスマスク７０（具体的には、ガラスマスク７０ａ）が配置される。ガラスマスク７０には、平板状のガラス７１に、形成予定の導電性パターン４０の形状にあわせて遮光膜７２が設けられている。露光工程では、キャリアフィルム６１上の導電性ペースト６２に対して、ガラスマスク７０を介して、導電性ペースト６２に含まれる感光性樹脂が光硬化する紫外光Ｌが照射される。上述したように、第１露光工程（Ｓ１３）では、キャリアフィルム６１側（すなわち、第２面６２ｂ側）からフィルム体に対して紫外光Ｌを照射する。

これにより、遮光膜７２が設けられていない領域の導電性ペースト６２には紫外光Ｌが照射される一方、遮光膜７２が設けられている領域の導電性ペースト６２には紫外光Ｌが照射されない。その結果、キャリアフィルム６１上の導電性ペースト６２では、紫外光Ｌが照射された領域に存在する感光性樹脂のみが光硬化し、遮光膜７２によって紫外光が遮られる領域に存在する感光性樹脂は光硬化することなくキャリアフィルム６１上に残る。

なお、このようにして紫外光Ｌを照射すると、導電性ペースト６２内に含まれる金属粉末によって紫外光が散乱されるため、照射された紫外光Ｌの一部は、キャリアフィルム６１から遠い側（すなわち、第１面６２ａ側）の導電性ペースト６２にまで到達しない。そのため、キャリアフィルム６１から遠い側（すなわち、第１面６２ａ側）の導電性ペースト６２内の感光性樹脂は光硬化が阻害される傾向にある。

すなわち、導電性ペースト６２において光硬化される領域は、紫外光Ｌが入射する側（すなわち、第２面６２ｂ側）から離れるにしたがって狭くなる。図８の「２」では、導電性ペースト６２において光硬化する領域を４０Ａとして示す。図８に示すように、光硬化する領域４０Ａは、紫外光Ｌが入射する側から離れるにしたがって面方向の面積が小さくなる形状となる。この部分の一部が、後の工程で配線部２１の第２窄み部２３となる。

第１露光工程（Ｓ１３）の終了後に行われる第２露光工程（Ｓ１４）では、ガラスマスク７０ｂを使用して、キャリアフィルム６１とは反対側（すなわち、第１面６２ａ側）からフィルム体に対して紫外光Ｌを照射する。

このようにして紫外光Ｌを照射すると、第１露光工程（Ｓ１３）のときと同様の理由で、導電性ペースト６２において光硬化される領域は、紫外光Ｌが入射する側（すなわち、第１面６２ａ側）から離れるにしたがって狭くなる。これにより、光硬化する領域４０Ａは、紫外光Ｌが入射する側から離れるにしたがって面方向の面積が小さくなる形状となる。この部分が、後の工程でビア３１の窄み部３３となる（図９参照）。

第２露光工程（Ｓ１４）では、第１露光工程（Ｓ１３）のときよりも露光量を大きくすることが好ましい。なお、第１露光工程（Ｓ１３）では、キャリアフィルム６１を通して導電性ペースト６２に光が照射されるため、各露光工程の露光量を同じにした場合には、第１露光工程（Ｓ１３）において導電性ペースト６２が受ける光エネルギーの方が小さくなる。また、第２露光工程（Ｓ１４）で光硬化される感光性の導電性ペースト６２の領域は、第１露光工程（Ｓ１３）で光硬化される感光性の導電性ペースト６２の領域よりも狭くなる。

その後、現像工程（Ｓ１５）を行う。現像工程（Ｓ１５）では、キャリアフィルム６１上に、導電性パターン４０を形成する。具体的には、導電性ペースト６２の未感光部分（領域４０Ａ以外の部分）を現像液によって除去する。

これにより、光硬化した感光性樹脂を含む導電性ペースト６２の領域４０Ａの部分が残り、キャリアフィルム６１上に導電性パターン４０が形成される（図６の工程Ｄ参照）。導電性パターン４０は、第２窄み部２３などを有する配線部２１と、窄み部３３などを有するビア３１とを有する（図６の破線枠内を参照）。

このように、現像工程（Ｓ１５）では、第１露光工程（Ｓ１３）および第２露光工程（Ｓ１４）を経たフィルム体を現像することによって、キャリアフィルム６１に近い側の導電性ペースト６２から配線部２１となる部分を形成し、キャリアフィルム６１から遠い側の導電性ペースト６２がビア３１となる部分を形成する。

以上のようにして、導電パターン形成工程（Ｓ１０）が行われる。これにより、キャリアフィルム６１上に所定形状の導電性パターン４０が形成される。

続いて、転写工程（Ｓ２０）を行う。転写工程では、先ず、図７の工程Ｅに示すように、下型５４ａおよびピン５４ｂなどを備えるホール加工装置５４を用いて、セラミックシート１０の所定の箇所（配線基板１において配線部２１およびビア３１が配置される箇所）に穴１０ａを形成する。

その後、図７の工程Ｆに示すように、インクジェット装置５５などを用いて、セラミックシート１０の表面に接着溶剤（例えば、アルコール系溶剤）を塗布し、セラミックシート１０の一部をペースト化する。具体的には、セラミックシート１０の裏面（セラミック基板１１の裏面１１ｂに相当する）側から接着用材を塗布し、裏面と、穴１０ａの側面とに位置するセラミックをペースト化する。図７では、セラミックシート１０において、ペースト化されたセラミック部分を１０ｂで示す。

次に、図７の工程Ｇに示すように、フィルム体の導電性パターン４０が形成された面をセラミックシート１０側にして、キャリアフィルム６１をセラミックシート１０の裏面上に載せて、熱プレス装置５６を用いて加圧および加熱する。

その後、図７の工程Ｈに示すように、キャリアフィルム６１を剥がすことにより、導電性パターン４０がセラミックシート１０に転写される。ここで、導電性パターン４０の少なくとも一部は、セラミックシート１０に設けられた穴１０ａ内に埋め込まれた状態となっている。

このように、転写工程（Ｓ２０）では、所定の箇所に穴１０ａを有するセラミックシート１０に対して、現像工程（Ｓ１５）を経たフィルム体を押し当てて、配線部２１およびビア３１の導電性パターン４０をセラミックシート１０に転写する。これにより、セラミックシート１０に所定形状の導電性パターン４０が形成される。

複数のセラミック層を有する配線基板１の場合には、上記の方法で、複数のセラミックシート１０を形成した後、各シートを決められた順序で積層する。

その後、焼成工程（Ｓ３０）を行う。焼成工程（Ｓ３０）では、導電性パターン４０が転写されたセラミックシート１０、またはその積層体をコファイヤ焼成（同時焼成）する。これにより、セラミックシート１０はセラミック基板１１となる。なお、焼成工程（Ｓ３０）を行うことによって、導電性パターン４０内に含まれている感光性樹脂は焼失する。

焼成工程（Ｓ３０）が終了すると、メッキ工程などの後工程が行われる。メッキ工程は、従来公知の電解めっき法によって実施される。電解めっき法を行うことで、セラミック基板１１から露出している導電性パターンの表面にメッキ被膜を形成することができる。

以上のように、本実施形態にかかる配線基板の製造方法では、導電性ペースト６２が塗布されたキャリアフィルム６１に対して、導電性ペースト６２の第２面６２ｂ側からの第１露光工程（Ｓ１３）、および第１面６２ａ側からの第２露光工程（Ｓ１４）という２回の露光工程を行う。その後、現像工程（Ｓ１５）を行って、導電性ペースト６２の第１面６２ａ側にビア３１となる部分を有し、第２面６２ｂ側に配線部２１となる部分を有する導電性パターン４０を得る。

このような露光工程および現像工程を用いて導電性パターン４０を形成することで、より微細な導電性パターンを形成することができる。そのため、本実施形態にかかる製造方法によれば、例えば、ビアの径および配線部の幅が３０μｍ以下の高精細な導電性パターンを備えた配線基板１を得ることができる。

また、１枚のキャリアフィルム６１上に設けられた導電性ペースト６２から、ビア３１および配線部２１を形成することで、ビア３１と配線部２１との相対的な位置関係を容易に規定することができる。そのため、ビアと配線部とを、別々の導電性ペーストを用いて別々の現像工程によって形成する場合に起こり得るビアに対する配線パターンの位置ずれを抑制することができる。

また、上述の導電パターン形成工程（Ｓ１０）における各露光工程では、導電性ペースト６２の光硬化される領域が、紫外光Ｌが入射する側から離れるにしたがって狭くなるという特性を利用して、ビア３１と配線部２１との接続部において、窄み部３３および第２窄み部２３を形成することができる。この窄み部３３が形成されていることで、ビア３１をセラミック基板１１から抜けにくくすることができる。

なお、上述した本実施形態にかかる製造方法では、転写工程（Ｓ２０）を行ってセラミックシート１０に導電性パターン４０を形成している。しかし、本実施形態にかかる配線基板１は、転写工程とは別の方法を用いて製造することもできる。例えば、箱状体の中に導電性パターン４０を配置し、この箱状体内に液状のセラミック材料（スラリー）を流し込み、固めるという方法で、セラミックシート１０に導電性パターン４０を形成することもできる。

（実施形態のまとめ）
以上のように、本実施形態にかかる配線基板１は、セラミック基板１１と、少なくとも一つの導電性のビア３１と、ビア３１と電気的に接続される配線部２１とを備えている。ビア３１は、セラミック基板１１に埋め込まれている。配線部２１は、セラミック基板１１の内部および表面（具体的には、セラミック基板１１の表面１１ａまたは裏面１１ｂ）の少なくとも何れかに設けられている。ビア３１は、セラミック基板１１の厚み方向Ｙにおける配線部２１との接続部において、厚み方向Ｙと直交する面方向Ｘの面積が配線部２１に向かうにつれて小さくなっている窄み部３３を有している。

上記の構成によれば、配線部２１との接続部において、ビア３１が窄み部３３を有していることで、セラミック基板１１に対するビア３１の密着性が向上し、ビア３１がセラミック基板１１から抜けにくい構成とすることができる。

また、本実施形態にかかる配線基板１の製造方法は、フィルム体形成工程（Ｓ１２）と、第１露光工程（Ｓ１３）と、第２露光工程（Ｓ１４）と、現像工程（Ｓ１５）と、転写工程（Ｓ２０）と、焼成工程（Ｓ３０）とを含む。

フィルム体形成工程（Ｓ１２）では、キャリアフィルム６１上に感光性の導電性ペースト６２を塗布し、導電性ペースト付着フィルム体を形成する。第１露光工程（Ｓ１３）では、キャリアフィルム６１側からフィルム体に対して露光を行う。第２露光工程（Ｓ１４）では、第１露光工程（Ｓ１３）の後に、導電性ペースト６２側からフィルム体に対して露光を行う。

現像工程（Ｓ１５）では、第１露光工程（Ｓ１３）および第２露光工程（Ｓ１４）を経たフィルム体を現像する。これにより、キャリアフィルム６１に近い側に位置する導電性ペースト６２の一部が配線部２１の導電性パターン４０となり、キャリアフィルム６１から遠い側に位置する導電性ペースト６２の一部がビア３１の導電性パターン４０となる。

転写工程（Ｓ２０）では、ビア３１が配置される箇所に少なくとも穴１０ａを有するセラミックシート１０に対して、現像工程（Ｓ１５）を経たフィルム体を押し当てて、配線部２１およびビア３１の導電性パターン４０をセラミックシート１０に転写する。焼成工程（Ｓ３０）では、導電性パターン４０が転写されたセラミックシート１０を焼成する。

この製造方法によれば、キャリアフィルム６１上に設けられた導電性ペースト６２から、ビア３１および配線部２１を同時に現像することで、ビア３１と配線部２１との相対的な位置関係を容易に規定することができる。そのため、ビアと配線部とを、別々の導電性ペーストを用いて別々の現像工程によって形成する場合に起こり得るビアに対する配線パターンの位置ずれを抑制することができる。

また、第１露光工程（Ｓ１３）および第２露光工程（Ｓ１４）では、導電性ペースト６２の光硬化される領域が、紫外光Ｌが入射する側から離れるにしたがって狭くなるという特性を利用して、少なくともビア３１と配線部２１との接続部において、窄み部３３および第２窄み部２３を形成することができる。窄み部３３および第２窄み部２３が形成されていることで、ビア３１および配線部２１をセラミック基板１１から剥がれにくい構成とすることができる。

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。また、本明細書で説明した各実施形態の構成を互いに組み合わせて得られる構成についても、本発明の範疇に含まれる。

１：配線基板
１０：セラミックシート
１１：セラミック基板
１１ａ：（セラミック基板の）表面（セラミック基板の表面）
１１ｂ：（セラミック基板の）裏面（セラミック基板の表面）
２０：接合部（ビアと配線部との接続部）
２１：配線部
２２：本体部
２３：第２窄み部
３１：ビア
３２：柱状部
３３：窄み部
４０：導電性パターン
６１：キャリアフィルム（フィルム）
６２：導電性ペースト

Claims

セラミック基板と、
少なくとも一つの導電性のビアであって、前記セラミック基板に埋め込まれているビアと、
前記セラミック基板の内部および表面の少なくとも何れかに設けられており、前記ビアと電気的に接続される配線部と
を備える配線基板であって、
前記ビアは、
前記セラミック基板の厚み方向における前記配線部との接続部において、前記厚み方向と直交する面方向の面積が前記配線部に向かうにつれて小さくなっている窄み部と、
前記窄み部よりも前記セラミック基板の表面側に配置され、前記厚み方向と直交する面方向の面積が略一定である柱状部と
を有しており、
前記配線部における前記ビアとの接合部は、厚み方向視で前記ビアと重なるように配置され、厚み方向視での前記接合部の径Ｄ１は、厚み方向視での前記ビアの径Ｄ２よりも大きくなっている、配線基板。
前記配線部は、前記セラミック基板の表面に形成され、少なくとも一部が前記セラミック基板に埋め込まれており、
前記配線部のうち、前記セラミック基板に埋め込まれている部位には、前記ビアに近づくにしたがって前記面方向の面積が小さくなる第２窄み部が設けられている、
請求項１に記載の配線基板。
前記第２窄み部は、前記セラミック基板の前記厚み方向における前記ビアと隣接する部位に設けられている、請求項２に記載の配線基板。
前記配線部の表面は、前記セラミック基板の前記表面と面一になっている、
請求項２または３に記載の配線基板。
フィルム上に感光性の導電性ペーストを塗布し、導電性ペースト付着フィルム体を形成する、フィルム体形成工程と、
前記フィルム側から前記フィルム体に対して露光を行う、第１露光工程と、
前記第１露光工程の後に、前記導電性ペースト側から前記フィルム体に対して露光を行う、第２露光工程と、
前記第１露光工程および前記第２露光工程を経た前記フィルム体を現像することによって、前記フィルムに近い側の前記導電性ペーストが配線部の導電性パターンとなり、前記フィルムから遠い側の前記導電性ペーストがビアの導電性パターンとなる、現像工程と、
前記ビアが配置される箇所に少なくとも穴を有するセラミックシートに対して、前記現像工程を経た前記フィルム体を押し当てて、前記配線部および前記ビアの前記導電性パターンを前記セラミックシートに転写する、転写工程と、
前記転写工程後の前記セラミックシートを焼成する、焼成工程と
を含む、配線基板の製造方法。