JP7512444B2 - 画素回路、表示装置、および、その駆動方法 - Google Patents

Description

本開示は、有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子等の電流で駆動される表示素子を備えた電流駆動型の表示装置に関するものであり、特に、当該表示装置で使用される画素回路に関する。

近年、有機ＥＬ素子（有機発光ダイオード（Organic Light Emitting Diode: ＯＬＥＤ）とも呼ばれる）を含む画素回路を備えた有機ＥＬ表示装置が実用化されている。有機ＥＬ表示装置の画素回路は、有機ＥＬ素子に加えて、駆動トランジスタや、書込制御トランジスタ、保持キャパシタ等を含んでいる。駆動トランジスタや書込制御トランジスタには、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor）が使用され、駆動トランジスタの制御端子としてのゲート端子に保持キャパシタが接続され、この保持キャパシタには、駆動回路からデータ信号線を介して、表示すべき画像を表す映像信号に応じた電圧（より詳しくは、当該画素回路で形成すべき画素の階調値を示す電圧）がデータ電圧として与えられる。有機ＥＬ素子は、それに流れる電流に応じた輝度で発光する自発光型表示素子である。駆動トランジスタは、有機ＥＬ素子と直列に設けられ、保持キャパシタに保持される電圧にしたがって、有機ＥＬ素子に流れる電流を制御する。

一方、低消費電力の表示装置として、休止駆動を行う表示装置が知られている。休止駆動とは、同じ画像を続けて表示するときに駆動期間（リフレッシュ期間）と休止期間（非リフレッシュ期間）を設け、駆動期間では駆動回路を動作させ、休止期間では駆動回路の動作を停止させる駆動方法であり、「間欠駆動」または「低周波駆動」とも呼ばれる。休止駆動は、画素回路に含まれるスイッチング素子としてのトランジスタのオフリーク電流が小さい場合に適用できる。オフリーク電流が小さいトランジスタとして、チャネル層が酸化物半導体で形成された薄膜トランジスタ（以下「酸化物ＴＦＴ」という）が知られており、典型的には、酸化物半導体として酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩｎＧａＺｎＯ）を採用した酸化物ＴＦＴ（以下「ＩＧＺＯ－ＴＦＴ」という。）が使用されている。このことから、画素回路において、移動度の高い低温ポリシリコンでチャネル層が形成された薄膜トランジスタ（以下「ＬＴＰＳ－ＴＦＴ」という）を駆動トランジスタとして使用しつつ、オフリーク電流が小さいＩＧＺＯ－ＴＦＴをスイッチング素子として使用し、そのような画素回路により構成される表示部に対して休止駆動を行う有機ＥＬ表示装置が提案されている（例えば米国特許出願公開第２０２０／０１１８４８７号明細書参照）。

米国特許出願公開第２０１９／００５７６４６号明細書 米国特許出願公開第２０２０／０１１８４８７号明細書 日本国特開２０２０－１１２７９５号公報

有機ＥＬ表示装置において休止駆動を行う場合、駆動期間では、各画素回路の有機ＥＬ素子は、フレーム期間毎に設けられる非発光期間に発光制御トランジスタにより消灯状態とされるが、休止期間では、駆動回路の動作が停止し、各画素回路の有機ＥＬ素子は、その前の駆動期間において書き込まれたデータ電圧に応じた輝度で発光を続ける。一般に、休止期間は駆動期間に比べ格段に長く（例えば、駆動期間は１または数フレーム期間から構成され、休止期間は数十フレーム期間から構成される）、休止駆動方式の有機ＥＬ表示装置では動作中に、そのような駆動期間と休止期間とが交互に現れる。このため、このような休止駆動を行うと、駆動期間における有機ＥＬ素子の消灯がフリッカとして視認されることになる。

これに対し米国特許出願公開第２０１９／００５７６４６号明細書には、休止駆動（低周波駆動）を行う場合に視認されるフリッカを解消すべく、駆動期間（データリフレッシュ期間Ｔ＿ｒｅｆｒｅｓｈ）での有機ＥＬ素子（発光ダイオード304）の消灯による輝度低下に加えて、休止期間（拡張ブランキング期間Ｔ＿ｂｌａｎｋ）においても適切な頻度での消灯により輝度低下が生じるように構成された画素回路とその駆動方法が記載されている（段落［００４９］～［００５２］、図８Ａ，８Ｂ，９Ａ，９Ｂ参照）。

しかし、休止期間においても適切な頻度での消灯により輝度低下が生じるように構成されていても（以下このような構成を「周期的消灯構成」という）、画素回路における駆動トランジスタとしての薄膜トランジスタはヒステリシス特性を有することから、低周波駆動（休止駆動）において依然としてフリッカが視認される。すなわち、この周期的消灯構成では、駆動トランジスタとしての薄膜トランジスタに加わる電圧ストレスが駆動期間と休止期間とで異なることから、その駆動トランジスタのヒステリシス特性のために駆動期間と休止期間とで消灯波形が若干異なり、これによりフリッカが視認される。

このような駆動トランジスタのヒステリシス特性に起因するフリッカの発生を抑制するために、休止期間において駆動トランジスタに意図的にバイアスストレス電圧（以下「オンバイアス電圧」または単に「バイアス電圧」という）を印加することが提案されている（例えば米国特許出願公開第２０２０／０１１８４８７号明細書、日本国特開２０２０－１１２７９５号公報参照）。しかし、このように休止期間において意図的にバイアス電圧を印加しても、必ずしも表示画像の全領域においてフリッカを抑制できず、フリッカが依然として視認されうることが本願発明者により確認されている。

そこで、有機ＥＬ表示装置のような電流駆動型の表示装置において休止駆動を行っても表示画像の全領域においてフリッカの視認されない良好な表示を行えるようにすることが望まれる。

本発明の幾つかの実施形態に係る画素回路は、複数のデータ信号線と複数の第１走査信号線と複数の発光制御線と第１および第２電源線と複数の画素回路とを含む表示部を有し、前記複数の画素回路に前記複数のデータ信号線を介して複数のデータ信号の電圧をデータ電圧として書き込むリフレッシュフレーム期間からなる駆動期間と前記複数の画素回路へのデータ電圧の書き込みを停止する非リフレッシュフレーム期間からなる休止期間とが交互に現れるように前記複数のデータ信号線および前記複数の第１走査信号線が駆動される表示装置において、前記複数のデータ信号線のいずれか１つに対応し、かつ、前記複数の第１走査信号線のいずれか１つに対応し、かつ、前記複数の発光制御線のいずれか１つに対応するように、前記複数の画素回路の１つとして設けられた画素回路であって、
電流によって駆動される表示素子と、
制御端子と第１導通端子と第２導通端子とを有し前記表示素子と直列に設けられた駆動トランジスタと、
データ保持キャパシタと、
対応する第１走査信号線に接続された制御端子を有し、対応するデータ信号線の電圧の前記データ保持キャパシタへの書き込みを制御するデータ書込制御スイッチング素子と、
対応する発光制御線に接続された制御端子を有する第１発光制御スイッチング素子と、
バイアス供給回路とを備え、
前記表示部は、複数のバイアス制御線を更に含み、
当該画素回路は、複数のバイアス制御線のいずれか１つに対応し、
前記バイアス供給回路は、
前記対応するデータ信号線の電圧に応じた電圧を保持するためのバイアス保持キャパシタと、
対応するバイアス制御線に接続された制御端子を有し前記バイアス保持キャパシタに直列に接続されたバイアス制御スイッチング素子とを含み、
前記駆動トランジスタの前記制御端子は、前記データ保持キャパシタを介して固定電圧線に接続されており、
前記駆動トランジスタの前記第１導通端子は、前記第１発光制御スイッチング素子を介して前記第１電源線に接続されるとともに、前記バイアス制御スイッチング素子および前記バイアス保持キャパシタを介して固定電圧線に接続されている。

本発明の幾つかの実施形態に係る表示装置は、
複数のデータ信号線、複数の第１走査信号線、複数の発光制御線、複数のバイアス制御線、第１電源線、第２電源線、および、複数の画素回路を含む表示部と、
複数のデータ信号を生成して前記複数のデータ信号線に印加するデータ側駆動回路と、
前記複数の第１走査信号線を選択的に駆動し、前記複数の発光制御線を選択的に駆動し、前記複数のバイアス制御線を選択的に駆動する走査側駆動回路と、
前記複数の画素回路に前記複数のデータ信号の電圧をデータ電圧として書き込むリフレッシュフレーム期間からなる駆動期間と前記複数の画素回路へのデータ電圧の書き込みを停止する非リフレッシュフレーム期間からなる休止期間とが交互に現れるように、前記データ側駆動回路および前記走査側駆動回路を制御する表示制御回路とを備え、
前記複数の画素回路のそれぞれは、
前記複数のデータ信号線のいずれか１つに対応し、かつ、前記複数の第１走査信号線のいずれか１つに対応し、かつ、前記複数の発光制御線のいずれか１つに対応し、かつ、複数のバイアス制御線のいずれか１つに対応し、
電流によって駆動される表示素子と、制御端子と第１導通端子と第２導通端子とを有し前記表示素子と直列に設けられた駆動トランジスタと、データ保持キャパシタと、対応する第１走査信号線に接続された制御端子を有し対応するデータ信号線の電圧の前記データ保持キャパシタへの書き込みを制御するデータ書込制御スイッチング素子と、対応する発光制御線に接続された制御端子を有する第１発光制御スイッチング素子と、バイアス供給回路とを含み、
前記複数の画素回路のそれぞれにおいて、
前記バイアス供給回路は、前記対応するデータ信号線の電圧に応じた電圧を保持するためのバイアス保持キャパシタと、対応するバイアス制御線に接続された制御端子を有し前記バイアス保持キャパシタに直列に接続されたバイアス制御スイッチング素子とを含み、
前記駆動トランジスタの前記制御端子は、前記データ保持キャパシタを介して固定電圧線に接続されており、
前記駆動トランジスタの前記第１導通端子は、前記第１発光制御スイッチング素子を介して前記第１電源線に接続されるとともに、前記バイアス制御スイッチング素子および前記バイアス保持キャパシタを介して固定電圧線に接続されており、
前記表示制御回路は、
前記駆動期間では、前記第１発光制御スイッチング素子がオフ状態のときに前記対応するデータ信号線の電圧がデータ電圧として前記データ保持キャパシタに書き込まれて保持されるとともに当該データ電圧に応じた電圧が前記バイアス保持キャパシタに書き込まれて保持され、前記第１発光制御スイッチング素子がオン状態のときに前記データ保持キャパシタの保持電圧に応じた電流が前記表示素子に流れるように、前記データ側駆動回路および前記走査側駆動回路を制御し、
前記休止期間では、前記第１発光制御スイッチング素子がオフ状態のときに前記バイアス保持キャパシタの保持電圧が前記バイアス制御スイッチング素子を介して前記駆動トランジスタの前記第１導通端子に印加され、前記第１発光制御スイッチング素子がオン状態のときに前記データ保持キャパシタの保持電圧に応じた電流が前記表示素子に流れるように、前記走査側駆動回路を制御する。

本発明の幾つかの実施形態に係る駆動方法は、複数のデータ信号線と複数の第１走査信号線と複数の発光制御線と第１および第２電源線と複数の画素回路とを含む表示部を有する表示装置の駆動方法であって、
前記表示部は、複数のバイアス制御線を更に含み、
前記複数の画素回路のそれぞれは、
前記複数のデータ信号線のいずれか１つに対応し、かつ、前記複数の第１走査信号線のいずれか１つに対応し、かつ、前記複数の発光制御線のいずれか１つに対応し、かつ、複数のバイアス制御線のいずれか１つに対応し、
電流によって駆動される表示素子と、制御端子と第１導通端子と第２導通端子とを有し前記表示素子と直列に設けられた駆動トランジスタと、データ保持キャパシタと、対応する第１走査信号線に接続された制御端子を有し対応するデータ信号線の電圧の前記データ保持キャパシタへの書き込みを制御するデータ書込制御スイッチング素子と、対応する発光制御線に接続された制御端子を有する第１発光制御スイッチング素子と、バイアス供給回路とを含み、
前記複数の画素回路のそれぞれにおいて、
前記バイアス供給回路は、前記対応するデータ信号線の電圧に応じた電圧を保持するためのバイアス保持キャパシタと、対応するバイアス制御線に接続された制御端子を有し前記バイアス保持キャパシタに直列に接続されたバイアス制御スイッチング素子とを含み、
前記駆動トランジスタの前記制御端子は、前記データ保持キャパシタを介して固定電圧線に接続されており、
前記駆動トランジスタの前記第１導通端子は、前記第１発光制御スイッチング素子を介して前記第１電源線に接続されるとともに、前記バイアス制御スイッチング素子および前記バイアス保持キャパシタを介して固定電圧線に接続されており、
前記駆動方法は、前記複数の画素回路に複数のデータ信号の電圧をデータ電圧として書き込むリフレッシュフレーム期間からなる駆動期間と前記複数の画素回路へのデータ電圧の書き込みを停止する非リフレッシュフレーム期間からなる休止期間とが交互に現れるように、前記複数のデータ信号線および前記複数の第１走査信号線を駆動する休止駆動ステップを備え、
前記休止駆動ステップは、
前記駆動期間において、前記第１発光制御スイッチング素子がオフ状態のときに前記対応するデータ信号線の電圧がデータ電圧として前記データ保持キャパシタに書き込まれて保持されるとともに当該データ電圧に応じた電圧が前記バイアス保持キャパシタに書き込まれて保持され、前記第１発光制御スイッチング素子がオン状態のときに前記データ保持キャパシタの保持電圧に応じた電流が前記表示素子に流れるように、前記複数のデータ信号を前記複数のデータ信号線に印加し、かつ、前記複数の第１走査信号線および前記複数のバイアス制御線を選択的に駆動するとともに前記複数の発光制御線を選択的に非活性化する駆動期間ステップと、
前記休止期間において、前記第１発光制御スイッチング素子がオフ状態のときに前記バイアス保持キャパシタの保持電圧が前記バイアス制御スイッチング素子を介して前記駆動トランジスタの前記第１導通端子に印加され、前記第１発光制御スイッチング素子がオン状態のときに前記データ保持キャパシタの保持電圧に応じた電流が前記表示素子に流れるように、前記複数の第１走査信号線の駆動を停止して前記複数のバイアス制御線を選択的に駆動するとともに前記複数の発光制御線を選択的に非活性化する休止期間ステップとを含む。

本発明の上記幾つかの実施形態によれば、電流によって駆動される表示素子、駆動トランジスタ、データ書込制御スイッチング素子、第１発光制御スイッチング素子、および、データ保持キャパシタに加えて、バイアス保持キャパシタおよびバイアス制御スイッチング素子を有するバイアス供給回路を含む画素回路を用いた表示装置において、リフレッシュフレーム期間からなる駆動期間と非リフレッシュフレーム期間からなる休止期間とが交互に現れる休止駆動が行われる場合に、駆動期間と休止期間のいずれにおいても発光制御線とバイアス制御線が駆動される。このような発光制御線とバイアス制御線の駆動により、各画素回路において、駆動期間では、データ信号線の電圧がデータ保持キャパシタに書き込まれるときにバイアス保持キャパシタにも当該データ信号線の電圧に応じた電圧が書き込まれて保持され、休止期間では、バイアス保持キャパシタの保持電圧が非発光期間内に駆動トランジスタの第１導通端子に印加される。すなわち、休止期間における非発光期間内に駆動トランジスタの第１導通端子に当該画素回路の表示階調に応じたバイアスストレス電圧が印加される。これにより、各画素回路において、駆動トランジスタにつき駆動期間内の非発光期間に加わる電圧ストレスと休止期間内の非発光期間に加わる電圧ストレスとの差が解消または低減され、フリッカが視認され難くなる。このようにして、低消費電力化を図るべく休止駆動を行った場合においても、表示画像の全領域においてフリッカの視認されない良好な表示が得られる。

第１の実施形態に係る表示装置の全体構成を示すブロック図である。 上記第１の実施形態に係る表示装置の通常駆動モードにおける概略動作を説明するためのタイミングチャートである。 上記第１の実施形態に対する比較例における画素回路の構成を示す回路図である。 上記比較例における画素回路の動作を説明するためのタイミングチャートである。 上記比較例における画素回路の初期化動作、データ書込動作、および、点灯動作をそれぞれ説明するための回路図である。 上記比較例における画素回路の消灯動作（オンバイアス印加なし）およびオンバイアス印加動作をそれぞれ説明するための回路図である。 上記第１の実施形態における画素回路の構成を示す回路図である。 上記第１の実施形態における画素回路の動作を説明するためのタイミングチャートである。 上記第１の実施形態における画素回路の初期化動作、データ書込動作、および、点灯動作をそれぞれ説明するための回路図である。 上記第１の実施形態における画素回路の消灯動作（オンバイアス印加なし）およびオンバイアス印加動作をそれぞれ説明するための回路図である。 上記比較例に係る表示装置の駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。 上記第１の実施形態に係る表示装置の駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。 上記第１の実施形態および上記比較例における消灯動作を説明するための波形図である。 上記第１の実施形態と上記比較例の間での消灯波形の相違を説明するための波形図である。 第２の実施形態に係る表示装置における画素回路の構成を示す回路図である。 上記第２の実施形態における画素回路の動作を説明するためのタイミングチャートである。 上記第２の実施形態における画素回路の初期化動作、データ書込動作、および、点灯動作をそれぞれ説明するための回路図である。 上記第２の実施形態における画素回路の消灯動作（オンバイアス印加なし）およびオンバイアス印加動作をそれぞれ説明するための回路図である。 上記第１の実施形態の変形例に係る表示装置における画素回路の構成を示す回路図である。 図１９に示す画素回路の動作を説明するためのタイミングチャートである。 ダイオード接続による閾値補償を行わない画素回路にバイアス供給回路を設けた場合の構成例を示す回路図である。 図２１に示す画素回路の動作を説明するためのタイミングチャートである。

以下、添付図面を参照しつつ実施形態について説明する。なお、以下で言及する各トランジスタにおいて、ゲート端子は制御端子に相当し、ドレイン端子およびソース端子の一方は第１導通端子に相当し、他方は第２導通端子に相当する。また、以下の各実施形態におけるトランジスタは例えば薄膜トランジスタであるが、本発明はこれに限定されない。さらにまた、本明細書における「接続」とは、特に断らない限り「電気的接続」を意味し、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、直接的な接続を意味する場合のみならず、他の素子を介した間接的な接続を意味する場合も含むものとする。

＜１．第１の実施形態＞
＜１．１ 全体構成＞
図１は、第１の実施形態に係る表示装置１０の全体構成を示すブロック図である。この表示装置１０は、内部補償を行う有機ＥＬ表示装置である。すなわち、この表示装置１０において、各画素回路１５は、その内部の駆動トランジスタの閾値電圧のばらつきや変動を補償する機能を有している。また、この表示装置１０は、通常駆動モードと休止駆動モードとの２つの動作モードを有している。すなわち表示装置１０は、通常駆動モードでは、表示部の画像データ（各画素回路内のデータ電圧）を書き換えるリフレッシュフレーム期間Ｔｒｆが連続するように動作し、休止駆動モードでは、リフレッシュフレーム期間Ｔｒｆのみからなる駆動期間ＴＤと表示部の画像データの書き換えを停止する複数の非リフレッシュフレーム期間Ｔｎｒｆからなる休止期間ＴＰとが交互に現れるように動作する（後述の図１２参照）。

図１に示すように、この表示装置１０は、表示部１１、表示制御回路２０、データ側駆動回路３０、走査側駆動回路４０、および、電源回路５０を備えている。データ側駆動回路３０はデータ信号線駆動回路（「データドライバ」とも呼ばれる）として機能する。走査側駆動回路４０は、走査信号線駆動回路（「ゲートドライバ」とも呼ばれる）、発光制御回路（「エミッションドライバ」とも呼ばれる）、および、バイアス制御回路として機能する。図１に示す構成ではこれら走査側の３つの回路が１つの走査側駆動回路４０として実現されているが、これら３つの回路が適宜分離された構成であってもよく、また、これら３つの回路が表示部１１の一方側と他方側に分離されて配置される構成であってもよい。また、データ側駆動回路および走査側駆動回路の少なくとも一部が表示部１１と一体的に形成されていてもよい。これらの点は、後述の他の実施形態や変形例においても同様である。電源回路５０は、表示部１１に供給すべき後述のハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤ、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳ、および初期化電圧Ｖｉｎｉと、表示制御回路２０、データ側駆動回路３０、および走査側駆動回路４０に供給すべき電源電圧（不図示）とを生成する。

表示部１１には、ｍ本（ｍは２以上の整数）のデータ信号線Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｍと、これらに交差するｎ本の第１走査信号線ＰＳ１，ＰＳ２，…，ＰＳｎおよびｎ＋２本（ｎは２以上の整数）の第２走査信号線ＮＳ-1，ＮＳ０，ＮＳ１，…，ＮＳｎとが配設されている。また、ｎ本の第１走査信号線ＰＳ１～ＰＳｎにそれぞれ沿ってｎ本の発光制御線（エミッションライン）ＥＭ１～ＥＭｎが配設され、さらに、ｎ本の第１走査信号線ＰＳ１～ＰＳｎにそれぞれ沿ってｎ本のバイアス制御線ＢＳ１～ＢＳｎが配設されている。また表示部１１には、ｍ本のデータ信号線Ｄ１～Ｄｍおよびｎ本の第１走査信号線ＰＳ１～ＰＳｎに沿ってマトリクス状に配置されたｍ×ｎ個の画素回路１５が設けられている。各画素回路１５は、ｍ本のデータ信号線Ｄ１～Ｄｍのいずれか１つに対応するとともにｎ本の第１走査信号線ＰＳ１～ＰＳｎのいずれか１つに対応する（以下、各画素回路１５を区別する場合には、ｉ番目の第１走査信号線ＰＳｉおよびｊ番目のデータ信号線Ｄｊに対応する画素回路を「ｉ行ｊ列目の画素回路」ともいい、符号“Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）”で示す）。また各画素回路１５は、ｎ本の第２走査信号線ＮＳ１～ＮＳｎのいずれか１つに対応するとともに、ｎ本の発光制御線ＥＭ１～ＥＭｎのいずれか１つに対応する。さらに各画素回路１５は、ｎ本のバイアス制御線ＢＳ１～ＢＳｎのいずれか１つにも対応する。

また表示部１１には、各画素回路１５に共通の図示しない電源線が配設されている。すなわち、後述の有機ＥＬ素子を駆動するためのハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤを供給するための固定電圧線としての第１電源線（以下「ハイレベル電源線」といい、ハイレベル電源電圧と同じく符号“ＥＬＶＤＤ”で示す）、および、有機ＥＬ素子を駆動するためのローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳを供給するための固定電圧線としての第２電源線（以下「ローレベル電源線」といい、ローレベル電源電圧と同じく符号“ＥＬＶＳＳ”で示す）が配設されている。さらに表示部１１には、各画素回路１５の初期化のためのリセット動作（「初期化動作」ともいう）に使用する初期化電圧Ｖｉｎｉを供給するための図示しない固定電圧線としての初期化電圧線（初期化電圧と同じく符号“Ｖｉｎｉ”で示す）も配設されている。ハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤ、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳ、および初期化電圧Ｖｉｎｉは、電源回路５０から供給される。

表示制御回路２０は、表示すべき画像を表す画像情報および画像表示のためのタイミング制御情報を含む入力信号Ｓｉｎを表示装置１０の外部から受け取り、この入力信号Ｓｉｎに基づきデータ側制御信号Ｓｃｄおよび走査側制御信号Ｓｃｓを生成し、データ側制御信号Ｓｃｄをデータ側駆動回路３０に、走査側制御信号Ｓｃｓを走査側駆動回路４０にそれぞれ出力する。

データ側駆動回路３０は、表示制御回路２０からのデータ側制御信号Ｓｃｄに基づきデータ信号線Ｄ１～Ｄｍを駆動する。すなわちデータ側駆動回路３０は、データ側制御信号Ｓｃｄに基づき、表示すべき画像を表すｍ個のデータ信号Ｄ（１）～Ｄ（ｍ）を生成してデータ信号線Ｄ１～Ｄｍにそれぞれ印加する。

走査側駆動回路４０は、表示制御回路２０からの走査側制御信号Ｓｃｓに基づき、ｎ本の第１走査信号線ＰＳ１～ＰＳｎおよびｎ＋２本の第２走査信号線ＮＳ-1～ＮＳｎを駆動する走査信号線駆動回路、発光制御線ＥＭ１～ＥＭｎを駆動する発光制御回路、および、バイアス制御線ＢＳ１～ＢＳｎを駆動するバイアス制御回路として機能する。

より詳細には、走査側駆動回路４０は、リフレッシュフレーム期間Ｔｒｆでは、走査信号線駆動回路として、走査側制御信号Ｓｃｓに基づき、ｎ本の第１走査信号線ＰＳ１～ＰＳｎを１水平期間に対応する所定期間ずつ順次に選択するとともにｎ＋２本の第２走査信号線ＮＳ-1～ＮＳｎを１水平期間に対応する所定期間ずつ順次に選択し、選択した第１走査信号線ＰＳｋに対してアクティブな信号を印加するとともに（ｋは１≦ｋ≦ｎなる整数）、選択した第２走査信号線ＮＳｓに対してアクティブな信号を印加し（ｓは－１≦ｓ≦ｎなる整数）、かつ、非選択の第１走査信号線には非アクティブな信号を印加するとともに、非選択の第２走査信号線には非アクティブな信号を印加する。これにより、選択された第１走査信号線ＰＳｋに対応したｍ個の画素回路Ｐｉｘ（ｋ，１）～Ｐｉｘ（ｋ，ｍ）が一括して選択される。その結果、当該第１走査信号線ＰＳｋの選択期間（以下「第ｋ走査選択期間」という）において、データ側駆動回路３０からデータ信号線Ｄ１～Ｄｍに印加されたｍ個のデータ信号Ｄ（１）～Ｄ（ｍ）の電圧（以下では、これらの電圧を区別せずに単に「データ電圧」と呼ぶことがある）が画素データとして、画素回路Ｐｉｘ（ｋ，１）～Ｐｉｘ（ｋ，ｍ）にそれぞれ書き込まれる。なお、後述の図７に示すように本実施形態では、第１走査信号線ＰＳi1は画素回路１５内のＰチャネル型（以下「Ｐ型」ともいう）トランジスタのゲート端子に接続され（ｉ１＝１～ｎ）、第２走査信号線ＮＳi2は画素回路１５内のＮチャネル型（以下「Ｎ型」ともいう）トランジスタのゲート端子に接続される（ｉ２＝－１～ｎ）。このため、選択した第１走査信号線ＰＳi1にはアクティブな信号としてローレベル電圧が印加され、選択した第２走査信号線ＮＳi2にはアクティブな信号としてハイレベル電圧が印加される。

また走査側駆動回路４０は、リフレッシュフレーム期間Ｔｒｆにおいて、発光制御線ＥＭ１～ＥＭｎを、それらが第１および第２走査信号線ＰＳ１～ＰＳｎ，ＮＳ-1～ＮＳｎの上記駆動に連動して選択的に非活性化されるように駆動する。すなわち、走査側駆動回路４０は、発光制御回路として、走査側制御信号Ｓｃｓに基づき、ｉ番目の発光制御線ＥＭｉに対し、第ｉ水平期間を含む所定期間では非発光を示す発光制御信号（ハイレベル電圧）を印加し、それ以外の期間では発光を示す発光制御信号（ローレベル電圧）を印加する（ｉ＝１～ｎ）。ｉ番目の第１走査信号線ＰＳｉに対応する画素回路（以下「ｉ行目の画素回路」ともいう）Ｐｉｘ（ｉ，１）～Ｐｉｘ（ｉ，ｍ）内の有機ＥＬ素子は、発光制御線ＥＭｉの電圧がローレベル（活性化状態）である間、ｉ行目の画素回路Ｐｉｘ（ｉ，１）～Ｐｉｘ（ｉ，ｍ）にそれぞれ書き込まれたデータ電圧に応じた輝度で発光する。なお、走査側駆動回路４０は、非リフレッシュフレーム期間Ｔｎｒｆにおいても、発光制御線ＥＭ１～ＥＭｎをリフレッシュフレーム期間Ｔｒｆでの駆動と同様に駆動する（後述の図１２参照）。

さらに走査側駆動回路４０は、バイアス制御回路として、休止駆動モードでは、リフレッシュフレーム期間Ｔｒｆおよび非リフレッシュフレーム期間Ｔｎｒｆのいずれにおいても、バイアス制御線ＢＳ１～ＢＳｎをそれらが順次に選択されるように駆動する（後述の図１２参照）。この動作の詳細は後述する。なお通常駆動モードでは、バイアス制御線ＢＳ１～ＢＳｎの駆動は停止され、バイアス制御線ＢＳ１～ＢＳｎは全て非選択状態に維持される。

＜１．２ 概略動作＞
既述のように、本実施形態に係る表示装置１０は、通常駆動モードと休止駆動モードとの２つの動作モードを有している。まず、通常駆動モードにおける表示装置１０の概略動作を説明する。

図２は、通常駆動モードにおける表示装置１０の概略動作を説明するためのタイミングチャートである。表示制御回路２０から走査側駆動回路４０に与えられる走査側制御信号Ｓｃｓには、第１および第２ゲートクロック信号ＣＫ１，ＣＫ２からなる２相クロック信号が含まれている。通常駆動モードにおいて走査側駆動回路４０は、この２相クロック信号に基づき、図２に示すような第１走査信号ＰＳ（１）～ＰＳ（ｎ）および第２走査信号ＮＳ（－１），ＮＳ（０），ＮＳ（１），…，ＮＳ（ｎ）を生成し、第１走査信号ＰＳ（１）～ＰＳ（ｎ）を第１走査信号線ＰＳ１～ＰＳｎにそれぞれ印加し、第２走査信号ＮＳ（－１）～ＮＳ（ｎ）を第２走査信号線ＮＳ-1～ＮＳｎにそれぞれ印加する。また、走査側駆動回路４０は、上記２相クロック信号（第１および第２ゲートクロック信号ＣＫ１，ＣＫ２）に基づき、図２に示すような発光制御信号ＥＭ（１）～ＥＭ（ｎ）を生成して発光制御線ＥＭ１～ＥＭｎにそれぞれ印加する。一方、データ側駆動回路３０は、表示制御回路２０からのデータ側制御信号Ｓｃｄに基づき、図２に示すように第１走査信号ＰＳ（１）～ＰＳ（ｎ）に連動して変化するデータ信号Ｄ（１）～Ｄ（ｍ）を生成し、データ信号線Ｄ１～Ｄｍにそれぞれ印加する。このようにして表示部１１における第１走査信号線ＰＳ１～ＰＳｎ、第２走査信号線ＮＳ-1～ＮＳｎ、発光制御線ＥＭ１～ＥＭｎ、および、データ信号線Ｄ１～Ｄｍが駆動されることで、非発光期間において、各画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）に対し初期化およびデータ電圧の書き込みが行われ、発光期間において、各画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）は書き込まれたデータ電圧に応じた輝度で発光する。

通常駆動モードでは、図２に示した上記各種信号により第１走査信号線ＰＳ１～ＰＳｎ、第２走査信号線ＮＳ-1～ＮＳｎ、発光制御線ＥＭ１～ＥＭｎ、および、データ信号線Ｄ１～Ｄｍが上記のように駆動されることで、１フレーム期間において第１走査信号線ＰＳ１～ＰＳｎおよび第２走査信号線ＮＳ-1～ＮＳｎを順次選択して表示部１１（の画素回路Ｐｉｘ（１，１）～Ｐｉｘ（ｎ，ｍ））に画像データを書き込むリフレッシュフレーム期間Ｔｒｆが繰り返される。なお既述のように、通常駆動モードでは、バイアス制御線ＢＳ１～ＢＳｎは、その駆動が停止され、非選択状態（ローレベル電圧）に維持される。

これに対し、休止駆動モードでは、後述の図１２に示すように、そのようなリフレッシュフレーム期間（以下「ＲＦフレーム期間」ともいう）Ｔｒｆのみからなる駆動期間ＴＤと、複数の非リフレッシュフレーム期間（以下「ＮＲＦフレーム」期間ともいう）Ｔｎｒｆからなる休止期間ＴＰとが交互に繰り返される。休止期間ＴＰ（ＮＲＦフレーム期間Ｔｎｒｆ）では、走査側駆動回路４０による第１走査信号線ＰＳ１～ＰＳｎおよび第２走査信号線ＮＳ-1～ＮＳｎの駆動とデータ側駆動回路３０によるデータ信号線Ｄ１～Ｄｍの駆動とが停止し、直前の駆動期間ＴＤ（ＲＦフレーム期間Ｔｒｆ）に書き込まれた画像データによる表示が継続する。このため休止駆動モードは、静止画を表示する場合において表示装置の消費電力の削減に有効である。バイアス制御線ＢＳ１～ＢＳｎは、図１２に示すように休止駆動モードでは、ＲＦフレーム期間ＴｒｆおよびＮＲＦフレーム期間Ｔｎｒｆのいずれにおいても、順次に選択されるように駆動される。これにより、ＮＲＦフレーム期間Ｔｎｒｆにおいて、各画素回路１５に対し、直前のＲＦフレーム期間Ｔｒｆに当該画素回路１５に書き込まれたデータ電圧に応じたオンバイアス電圧が印加される（詳細は後述）。なお図１２の例では、駆動期間ＴＤは１つのＲＦフレーム期間Ｔｒｆのみから構成されるが、２つ以上のＲＦフレーム期間Ｔｒｆから構成されていてもよい。

外部からの入力信号Ｓｉｎには、上記のような通常駆動モードと休止駆動モードのうちいずれの動作モードで表示部１１を駆動するかを示す動作モード信号Ｓｍが含まれている。この動作モード信号Ｓｍは、走査側制御信号Ｓｃｓの一部として走査側駆動回路４０に与えられるともに、データ側制御信号Ｓｃｄの一部としてデータ側駆動回路３０に与えられる。走査側駆動回路４０は、この動作モード信号Ｓｍで示される動作モードに応じて第１走査信号線ＰＳ１～ＰＳｎおよび第２走査信号線ＮＳ-1～ＮＳｎを駆動し、発光制御線ＥＭ１～ＥＭｎを通常駆動モードか休止駆動モードかに拘わらず同様の形態（同一の周期および同一のデューティ比）で駆動する。また走査側駆動回路４０は、バイアス制御線ＢＳ１～ＢＳｎを休止駆動モードで駆動し、通常駆動モードでそれらの駆動を停止する。データ側駆動回路３０は、この動作モード信号Ｓｍで示される動作モードに応じてデータ信号線Ｄ１～Ｄｎを駆動する。なお、本願の課題は通常駆動モードとは関係しないので、以下において、表示装置１０またはその画素回路の動作については、休止駆動モードにおける動作を中心に説明する（後述の他の実施形態においても同様）。

本実施形態では、駆動期間ＴＤ（ＲＦフレーム期間Ｔｒｆ）において、各画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）に対し、それに対応する第１および第２走査信号線ＰＳｉ，ＮＳｉが選択状態のときにデータ書込動作が行われ、その第２走査信号線ＮＳｉの２つ前の第２走査信号線ＮＳi-2が選択状態のとき初期化動作が行われる。各画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）がそのデータ書込動作および初期化動作が行われる期間において消灯状態となるように発光制御線ＥＭｉが駆動される（ｉ＝１～ｎ）（後述の図８参照）。後述のように、本実施形態における画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）では、第１および第２発光制御トランジスタＴ５，Ｔ６としてＰチャネル型トランジスタが使用されているので、各発光制御線ＥＭｉは、ローレベル（Ｌレベル）の電圧を与えられると活性化状態となり、ハイレベル（Ｈレベル）の電圧を与えられると非活性化状態となる。

＜１．３ 画素回路の構成および動作＞
以下では、まず、本実施形態の比較例としての表示装置における画素回路（以下「比較例における画素回路」ともいう）の構成および動作を説明し、その後、本実施形態における画素回路１５の構成および動作を、比較例における画素回路の構成および動作と比較しつつ説明する。なお、当該比較例としての表示装置の表示部には、バイアス制御線ＢＳ１～ＢＳｎが配設されておらず、したがって、走査側駆動回路４０は、バイアス制御回路としての機能を有していない。しかし、当該比較例としての表示装置の構成は、バイアス制御線ＢＳ１～ＢＳｎに関連する構成要素以外については本実施形態に係る表示装置と同様であるので、同一または対応する部分に同一の参照符号を付して説明を省略する。

＜１．３．１ 比較例における画素回路の構成および動作＞
既述のように、休止駆動を行う有機ＥＬ表示装置において画素回路内の駆動トランジスタのヒステリシス特性に起因して発生するフリッカを抑制するために、休止期間において駆動トランジスタに意図的に電圧ストレスを与えるべくオンバイアス電圧を印加することが提案されている。この提案に基づき、例えば、休止期間において適切な頻度で非発光期間を設け、その非発光期間内においてデータ側駆動回路からデータ信号線を介して各画素回路にオンバイアス電圧を印加するという構成が考えられる。そこで、このような構成に対応した画素回路を比較例における画素回路として説明する。なお既述のように、このような構成を採用しても、必ずしも表示画像の全領域においてフリッカを抑制できず、フリッカが依然として視認されうることが本願発明者により確認されている。そこで以下では、この不具合の生じるメカニズムに言及しつつ、比較例における画素回路の構成および動作を説明する。

図３は、比較例における画素回路１５ａの構成を示す回路図であり、より詳しくは、ｉ番目の第１走査信号線ＰＳｉおよびｊ番目のデータ信号線Ｄｊに対応する画素回路１５ａすなわちｉ行ｊ列目の画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）の構成を示す回路図である（１≦ｉ≦ｎ、１≦ｊ≦ｍ）。この画素回路１５ａは、表示素子としての１個の有機ＥＬ素子ＯＬと、７個のトランジスタＴ１～Ｔ７（以下、これらを「第１初期化トランジスタＴ１」、「閾値補償トランジスタＴ２」、「データ書込制御トランジスタＴ３」、「駆動トランジスタＴ４」、「第１発光制御トランジスタＴ５」、「第２発光制御トランジスタＴ６」、「第２初期化トランジスタＴ７」という）と、１個のデータ保持キャパシタＣｓｔとを含んでいる。トランジスタＴ１，Ｔ２，Ｔ７はＮ型トランジスタ（より詳しくはＮ型のＩＧＺＯ－ＴＦＴ）である。トランジスタＴ３～Ｔ６はＰ型トランジスタ（より詳しくはＰ型のＬＴＰＳ－ＴＦＴ）である。データ保持キャパシタＣｓｔは、第１電極および第２電極からなる２つの電極を有する容量素子である。なお、画素回路１５において、駆動トランジスタＴ４以外のトランジスタＴ１～Ｔ３，Ｔ５～Ｔ７はスイッチング素子として機能する。

画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）には、それに対応する第１走査信号線（以下、画素回路に注目した説明において「対応第１走査信号線」ともいう）ＰＳｉ、それに対応する第２走査信号線（以下、画素回路に注目した説明において「対応第２走査信号線」ともいう）ＮＳｉ、対応第２走査信号線ＮＳｉの２つ前の第２走査信号線（第２走査信号線ＮＳ-1～ＮＳｎの走査順における２つ前の走査信号線）すなわちｉ－２番目の第２走査信号線（以下、画素回路に注目した説明において単に「先行第２走査信号線」ともいう）ＮＳi-2、それに対応する発光制御線（以下、画素回路に注目した説明において「対応発光制御線」ともいう）ＥＭｉ、それに対応するデータ信号線（以下、画素回路に注目した説明において「対応データ信号線」ともいう）Ｄｊ、初期化電圧線Ｖｉｎｉ、ハイレベル電源線ＥＬＶＤＤ、および、ローレベル電源線ＥＬＶＳＳが接続されている。

図３に示すように、比較例における画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）では、駆動トランジスタＴ４の制御端子としてのゲート端子は、データ保持キャパシタＣｓｔを介してハイレベル電源線ＥＬＶＤＤに接続されるとともに、第１初期化トランジスタＴ１を介して初期化電圧線Ｖｉｎｉに接続されている。駆動トランジスタＴ４の第１導通端子としてのソース端子は、第１発光制御トランジスタＴ５を介してハイレベル電源線ＥＬＶＤＤに接続されるとともに、データ書込制御トランジスタＴ３を介して対応データ信号線Ｄｊに接続されている。駆動トランジスタＴ４の第２導通端子としてのドレイン端子は、第２発光制御トランジスタＴ６を介して有機ＥＬ素子ＯＬの第１端子としてのアノード電極に接続されるとともに、閾値補償トランジスタＴ２を介して当該駆動トランジスタＴ４のゲート端子に接続されている。有機ＥＬ素子ＯＬのアノード電極は、第２初期化トランジスタＴ７を介して初期化電圧線Ｖｉｎｉに接続され、有機ＥＬ素子ＯＬの第２端子としてのカソード電極は、ローレベル電源線ＥＬＶＳＳに接続されている。データ書込制御トランジスタＴ３のゲート端子は第１走査信号線ＰＳｉに、閾値補償トランジスタＴ２のゲート端子は第２走査信号線ＮＳｉに、第１初期化トランジスタＴ１のゲート端子は先行第２走査信号線ＮＳi-2に、それぞれ接続されている。第１発光制御トランジスタＴ５、第２発光制御トランジスタＴ６、および第２初期化トランジスタＴ７のゲート端子は、いずれも、対応発光制御線ＥＭｉに接続されている。

次に、図３に示した画素回路１５ａすなわち比較例におけるｉ行ｊ列目の画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）における動作を、図３とともに図４を参照して説明する。図４は、各フレーム期間に含まれる非発光期間での画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）の動作を説明するためのタイミングチャートである。このタイミングチャートにおいて、時刻ｔ１～ｔ８は、駆動期間ＴＤを構成するＲＦフレーム期間Ｔｒｆに含まれ、時刻ｔ９で駆動期間ＴＤから休止期間ＴＰへと切り替わり、時刻ｔ１０～ｔ１２は休止期間ＴＰにおける最初のＮＲＦフレーム期間Ｔｎｒｆに含まれる。

図３の画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）に対応発光制御線ＥＭｉを介して与えられる発光制御信号（以下「対応発光制御信号」という）ＥＭ（ｉ）が、時刻ｔ１でＬレベルからＨレベルに変化すると、Ｐ型の第１および第２発光制御トランジスタＴ５，Ｔ６がオン状態からオフ状態へと変化し、発光制御信号ＥＭ（ｉ）がＨレベルの間、オフ状態を維持する。したがって、発光制御信号ＥＭ（ｉ）がＨレベルである期間ｔ１～ｔ８は、有機ＥＬ素子ＯＬに電流が流れず画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）は消灯状態である。なお、この期間ｔ１～ｔ８では、Ｎ型の第２初期化トランジスタＴ７がオン状態となることで、有機ＥＬ素子ＯＬのアノード電極の電圧（以下「アノード電圧」という）Ｖａが初期化される。このようなアノード電圧Ｖａの初期化により、過去の表示履歴の影響が遮断されて表示品質の低下が抑えられる。また、この第２初期化トランジスタＴ７のゲート端子に与えられる発光制御信号ＥＭ（ｉ）は、休止期間ＴＰにおいても駆動期間ＴＤと同様に駆動される（図４参照）。このため、この第２初期化トランジスタＴ７によるアノード電圧Ｖａの初期化は、駆動期間ＴＤと休止期間ＴＰとで消灯期間を同じ長さとして休止駆動におけるフリッカをより抑制する方向に働く。

画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）が消灯状態である期間すなわち非発光期間ｔ１～ｔ８において、先行第２走査信号線ＮＳi-2を介して画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）に与えられる第２走査信号（以下「先行第２走査信号」ともいう）ＮＳ（ｉ－２）が、時刻ｔ２にＬレベルからＨレベルに変化する。これによりＮ型の第１初期化トランジスタＴ１がオフ状態からオン状態に変化し、第２走査信号ＮＳ（ｉ－２）がＨレベルの間、オン状態を維持する。第１初期化トランジスタＴ１がオン状態である期間（以下「初期化期間」という）ｔ２～ｔ３では、データ保持キャパシタＣｓｔが初期化され、駆動トランジスタＴ４のゲート端子とデータ保持キャパシタＣｓｔの第１電極とを含むノードＮ２の電圧が初期化電圧Ｖｉｎｉとなる。すなわち、駆動トランジスタＴ４のゲート端子の電圧（以下「ゲート電圧」という）Ｖｇが初期化電圧Ｖｉｎｉとなる。

図５において画素回路１５ａ（ＩＮＩ）は、このときの画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）の状態すなわち初期化動作時の回路状態を模式的に示している。この図５の画素回路１５ａ（ＩＮＩ）において、点線の円は、その中のスイッチング素子としてのトランジスタがオフ状態であることを示し、点線の矩形は、その中のスイッチング素子としてのトランジスタがオン状態であることを示している。このような表現方法は、図５における画素回路１５ａ（ＷＲ）および１５ａ（ＥＭ）においても採用されており、さらに後述の図６、図９、図１０、図１７、および、図１８においても採用されている。

図３の画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）の非発光期間ｔ１～ｔ８において、先行第２走査信号ＮＳ（ｉ－２）が時刻ｔ３にＬレベルに変化し、対応第２走査信号線ＮＳｉを介して与えられる第２走査信号（以下「対応第２走査信号」ともいう）ＮＳ（ｉ）が時刻ｔ４にＬレベルからＨレベルに変化する。これによりＮ型の閾値補償トランジスタＴ２は、オフ状態からオン状態へと変化し、対応第２走査信号ＮＳ（ｉ）がＨレベルの間、オン状態を維持し、駆動トランジスタＴ４は、そのゲート端子とそのドレイン端子とが短絡された状態すなわちダイオード接続状態となっている。

閾値補償トランジスタＴ２がオン状態である期間ｔ４～ｔ７において、対応第１走査信号線ＰＳｉを介して画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）に与えられる第１走査信号（以下「対応第１走査信号」ともいう）ＰＳ（ｉ）が、時刻ｔ５にＨレベルからＬレベルに変化する。これによりＰ型のデータ書込制御トランジスタＴ３は、オフ状態からオン状態に変化し、対応第１走査信号ＰＳ（ｉ）がＬレベルの間、オン状態を維持する。データ書込制御トランジスタＴ３がオン状態である期間（以下「データ書込期間」という）ｔ５～ｔ６において、対応データ信号線Ｄｊを介して画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）に与えられるデータ信号Ｄ（ｊ）の電圧がデータ電圧Ｖｄａｔａとして、ダイオード接続状態の駆動トランジスタＴ４を介してデータ保持キャパシタＣｓｔに与えられる。これにより、閾値補償の施されたデータ電圧がデータ保持キャパシタＣｓｔに書き込まれて保持され、駆動トランジスタＴ４のゲート電圧Ｖｇは、データ保持キャパシタＣｓｔの第１電極の電圧（以下「データ保持キャパシタＣｓｔの保持電圧」ともいう）に維持される。このときゲート電圧Ｖｇは、駆動トランジスタＴ４の閾値電圧をＶｔｈ（＜０）とすると、次式で与えられる値となる。
Ｖｇ＝Ｖｄａｔａ＋Ｖｔｈ …（１）
このようにしてデータ書込期間ｔ５～ｔ６では、内部補償を行いつつデータ電圧の書込が行われる。図５において画素回路１５ａ（ＷＲ）は、このときの画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）の状態すなわちデータ書込動作時の回路状態を模式的に示している。

データ書込期間ｔ５～ｔ６後の時刻ｔ７に、対応第２走査信号ＮＳ（ｉ）がＨレベルからＬレベルへと変化し、閾値補償トランジスタＴ２がオフ状態となる。その後、時刻ｔ８に、対応発光制御信号ＥＭ（ｉ）がＨレベルからＬレベルへと変化し、これにより第１および第２発光制御トランジスタＴ５，Ｔ６がオン状態となって、発光期間が開始する。この発光期間では、データ保持キャパシタＣｓｔに保持された電圧すなわち駆動トランジスタＴ４のゲート・ソース間の電圧（絶対値）｜Ｖｇｓ｜に応じた量の電流Ｉ１が、ハイレベル電源線ＥＬＶＤＤから第１発光制御トランジスタＴ５、駆動トランジスタＴ４、第２発光制御トランジスタＴ６、および、有機ＥＬ素子ＯＬを経由してローレベル電源線ＥＬＶＳＳに流れる。これにより有機ＥＬ素子ＯＬは、この電流Ｉ１に応じた輝度で発光する。図５において画素回路１５ａ（ＥＭ）は、このときの画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）の状態すなわち点灯動作時の回路状態を模式的に示している。

上記の発光期間は、対応発光制御信号ＥＭ（ｉ）がＬレベルからＨレベルへと変化する時刻ｔ９まで継続する。時刻ｔ９で対応発光制御信号ＥＭ（ｉ）がＨレベルに変化すると、第１および第２発光制御トランジスタＴ５，Ｔ６がオン状態からオフ状態へと変化し、発光制御信号ＥＭ（ｉ）がＨレベルの間、オフ状態を維持する。したがって、発光制御信号ＥＭ（ｉ）がＨレベルである期間ｔ９～ｔ１２は、有機ＥＬ素子ＯＬに電流が流れず、画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）は消灯状態である。

既述のように、時刻ｔ９で駆動期間ＴＤから休止期間ＴＰへと切り替わる。本比較例では、休止期間ＴＰにおいて、第２走査信号線ＮＳ-1～ＮＳｎの駆動が停止して第２走査信号ＮＳ（－１）～ＮＳ（ｎ）はＬレベルに維持されるが、第１走査信号線ＰＳ１～ＰＳｎおよび発光制御線ＥＭ１～ＥＭｎの駆動は継続する（図４および後述の図１１参照）。

このため、休止期間ＴＰ（ＮＲＦフレーム期間Ｔｎｒｆ）内の非発光期間ｔ９～ｔ１２において、対応第１走査信号ＰＳ（ｉ）が時刻ｔ１０にＨレベルからＬレベルに変化する。これによりデータ書込制御トランジスタＴ３は、オフ状態からオン状態に変化し、対応第１走査信号ＰＳ（ｉ）がＬレベルの間、オン状態を維持する。休止期間ＴＰ内の非発光期間ｔ９～ｔ１２においてデータ書込制御トランジスタＴ３がオン状態である期間（以下「オンバイアス印加期間」という）ｔ１０～ｔ１１は、データ側駆動回路３０から対応データ信号線Ｄｊに出力される電圧がオンバイアス電圧Ｖｏｂとしてデータ書込制御トランジスタＴ３を介して駆動トランジスタＴ４のソース端子に印加される。図６において画素回路１５ａ（ＯＢ）は、このときの画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）の状態すなわちオンバイアス印加動作時の回路状態を模式的に示している。なお、図６において画素回路１５ａ（ＮＥＭ）は、休止期間ＴＰ内の非発光期間ｔ９～ｔ１２のうちオンバイアス印加期間ｔ１０～ｔ１１以外の期間での画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）の状態を模式的に示している。

ここで、オンバイアス印加期間ｔ１０～ｔ１１においてデータ側駆動回路３０から出力されるオンバイアス電圧Ｖｏｂの値を適切に設定することにより、駆動期間ＴＤ内の非発光期間に駆動トランジスタＴ４に加わる電圧ストレスと休止期間ＴＰ内の非発光期間に駆動トランジスタＴ４に加わる電圧ストレスとの差を低減することができる。これにより、駆動期間ＴＤにおける点灯動作の開始時ｔ８と休止期間ＴＰにおける点灯動作の開始時ｔ１２との間での駆動トランジスタＴ４の閾値電圧Ｖｔｈの相違が抑えられる。その結果、駆動期間ＴＤと休止期間ＴＰとで、輝度波形のうち消灯動作を示す波形部分（より詳しくは、消灯状態から点灯状態へと変化する立ち上がり波形）の差が小さくなり、休止駆動においてフリッカが視認され難くなる。

しかし、オンバイアス電圧Ｖｏｂを固定値とすると、休止期間ＴＰ内のオンバイアス印加期間ｔ１０～ｔ１１における駆動トランジスタＴ４のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは、データ保持キャパシタＣｓｔの保持電圧が示す表示階調に依存する。例えば図３に示す回路構成では、表示階調が低いほど、書き込むべきデータ電圧Ｖｄａｔａは高くなるので、駆動トランジスタＴ４において固定値としてのオンバイアス電圧Ｖｏｂがソース端子に印加されたときのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓの絶対値が小さくなる。これに対し、駆動期間ＴＤ内のデータ書込期間ｔ５～ｔ６では、オン状態の閾値補償トランジスタＴ２により駆動トランジスタＴ４がダイオード接続状態となっていることから、駆動トランジスタＴ４のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは、データ保持キャパシタＣｓｔの保持電圧に拘わらず駆動トランジスタＴ４の閾値電圧Ｖｔｈの絶対値となる。このため、各画素回路１５において、駆動トランジスタＴ４につき駆動期間ＴＤ内の非発光期間に加わる電圧ストレスと休止期間ＴＰ内の非発光期間に加わる電圧ストレスとの差が当該画素回路の表示階調に応じて異なる。

したがって、オンバイアス電圧Ｖｏｂが固定値である場合には、全ての画素回路１５すなわち表示画像の全領域において同時にフリッカを抑制することができず、フリッカに影響する他の要因によってフリッカが視認される可能性も高くなる。そこで、本実施形態に係る表示装置は、休止駆動を行いつつ表示画像の全領域において確実にフリッカの視認されない良好な表示を行うために、画素回路ごとに表示階調に応じ適切なオンバイアス電圧が印加されるように構成されている。以下、このような本実施形態における画素回路について説明する。

＜１．３．２ 第１の実施形態における画素回路の構成および動作＞
図７は、本実施形態における画素回路１５の構成を示す回路図であり、より詳しくは、ｉ番目の第１走査信号線ＰＳｉおよびｊ番目のデータ信号線Ｄｊに対応する画素回路１５すなわちｉ行ｊ列目の画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）の構成を示す回路図である（１≦ｉ≦ｎ、１≦ｊ≦ｍ）。この画素回路１５は、図３に示した比較例における画素回路１５ａと同様、表示素子としての１個の有機ＥＬ素子ＯＬと、７個のトランジスタＴ１～Ｔ７（比較例と同様、これらを「第１初期化トランジスタＴ１」、「閾値補償トランジスタＴ２」、「データ書込制御トランジスタＴ３」、「駆動トランジスタＴ４」、「第１発光制御トランジスタＴ５」、「第２発光制御トランジスタＴ６」、「第２初期化トランジスタＴ７」という）と、１個のデータ保持キャパシタＣｓｔとを含んでいる。トランジスタＴ１，Ｔ２，Ｔ７はＮ型トランジスタである。トランジスタＴ３～Ｔ６はＰ型トランジスタである。本実施形態では、Ｎ型トランジスタＴ１，Ｔ２，Ｔ７はＩＧＺＯ－ＴＦＴであり、Ｐ型のトランジスタＴ３～Ｔ６はＬＴＰＳ－ＴＦＴであるが、これには限定されない。データ保持キャパシタＣｓｔは、第１電極および第２電極からなる２つの電極を有する容量素子である。また、図７を図３と比較すればわかるように、本実施形態における画素回路１５には、比較例における画素回路１５ａとは異なり、バイアス制御トランジスタＴ８およびバイアス保持キャパシタＣｂｓを含むバイアス供給回路１５１が設けられている。なお、画素回路１５において、駆動トランジスタＴ４以外のトランジスタＴ１～Ｔ３，Ｔ５～Ｔ８はスイッチング素子として機能する。

本実施形態における図７の画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）においても、図３の比較例における画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）と同様、それに対応する第２走査信号線（対応第２走査信号線）ＮＳｉ、対応第２走査信号線ＮＳｉの２つ前の第２走査信号線すなわちｉ－２番目の第２走査信号線（先行第２走査信号線）ＮＳi-2、それに対応する第１走査信号線（対応第１走査信号線）ＰＳｉ、それに対応する発光制御線（対応発光制御線）ＥＭｉ、それに対応するデータ信号線（対応データ信号線）Ｄｊ、初期化電圧線Ｖｉｎｉ、ハイレベル電源線ＥＬＶＤＤ、および、ローレベル電源線ＥＬＶＳＳが接続されている。これに加えて、本実施形態における画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）では、それに対応するバイアス制御線ＢＳｉも接続されている。なお、画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）に、先行第２走査信号線ＮＳi-2に代えて対応第２走査信号線ＮＳｉの１つ前の第２走査信号線が接続されていてもよい。

本実施形態における画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）内における構成要素Ｔ１～Ｔ７，Ｃｓｔ，ＯＬの間の接続関係、および、当該画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）に接続される上記の信号線ＮＳｉ，ＮＳi-2，ＰＳｉ，ＥＭｉ，Ｄｊ、電源線ＥＬＶＤＤ，ＥＬＶＳＳ、初期化電圧線Ｖｉｎｉと当該構成要素Ｔ１～Ｔ７，Ｃｓｔ，ＯＬとの接続関係は、図７に示す通りであって、比較例における画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）の接続構成（図３参照）と同様である。

本実施形態における画素回路１５に設けられたバイアス供給回路１５１では、バイアス制御トランジスタＴ８とバイアス保持キャパシタＣｂｓとは互いに直列に接続されている。バイアス制御トランジスタＴ８は、対応バイアス制御線ＢＳｉに接続されたゲート端子、および、データ書込制御トランジスタＴ３と第１発光制御トランジスタＴ５と駆動トランジスタＴ４との接続点を含むノード（以下「第１ノード」という）Ｎ１に接続されたドレイン端子を有している。駆動トランジスタＴ４のソース端子は、バイアス制御トランジスタＴ８およびバイアス保持キャパシタＣｂｓを介してハイレベル電源線ＥＬＶＤＤに接続されている。バイアス保持キャパシタＣｂｓの容量値は、第１ノードＮ１と他のノードとの間に形成される寄生容量の容量値に比べ十分に大きい値に設定されている。

次に、図７に示した画素回路１５すなわち本実施形態におけるｉ行ｊ列目の画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）における動作を、図７とともに図８を参照して説明する。図８は、各フレーム期間に含まれる非発光期間での画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）の動作を説明するためのタイミングチャートである。

図８を図４と比較すればわかるように、駆動期間ＴＤ（ＲＦフレーム期間Ｔｒｆ）において、本実施形態における画素回路１５を駆動するための第１走査信号ＰＳ（ｉ）、第２走査信号ＮＳ（ｉ），ＮＳ（ｉ－２）、発光制御信号ＥＭ（ｉ）、および、データ信号Ｄ（ｊ）は、比較例における画素回路１５ａを駆動するための第１走査信号ＰＳ（ｉ）、第２走査信号ＮＳ（ｉ），ＮＳ（ｉ－２）、発光制御信号ＥＭ（ｉ）、および、データ信号Ｄ（ｊ）と同様に変化する。これにより、本実施形態における画素回路１５に含まれるスイッチング素子としてのトランジスタＴ１～Ｔ３，Ｔ５～Ｔ７は、比較例における画素回路１５ａに含まれるスイッチング素子としてのトランジスタＴ１～Ｔ３，Ｔ５～Ｔ７と同様に動作し、これにより同様の初期化動作およびデータ書込動作が行われる。なお、休止期間ＴＰ（ＮＲＦフレーム期間Ｔｎｒｆ）では、比較例における画素回路１５ａに与えられる第１走査信号ＰＳ（ｉ）は、図４に示すように駆動期間ＴＤ（ＲＦフレーム期間Ｔｒｆ）と同様に変化するが、本実施形態に係る画素回路１５に与えられる第１走査信号ＰＳ（ｉ）は、図８に示すようにＨレベルに維持される。

また既述のように、本実施形態における画素回路１５は、バイアス制御トランジスタＴ８およびバイアス保持キャパシタＣｂｓを含むバイアス供給回路１５１が比較例における画素回路に追加された構成となっており（図７参照）、バイアス制御トランジスタＴ８のゲート端子には、対応バイアス制御線ＢＳｉを介してバイアス制御信号ＢＳ（ｉ）（以下「対応バイアス制御信号ＢＳ（ｉ）」という）が与えられる。図８に示すように、このバイアス制御信号ＢＳ（ｉ）は、駆動期間ＴＤ（ＲＦフレーム期間Ｔｒｆ）では、時刻ｔ５にＬレベルからＨレベルへと変化し、時刻ｔ８にＨレベルからＬレベルへと変化する。また、このバイアス制御信号ＢＳ（ｉ）は、休止期間ＴＰ（ＮＲＦフレーム期間Ｔｎｒｆ）においても、駆動期間ＴＤ（ＲＦフレーム期間Ｔｒｆ）と同様に変化する。すなわち、このバイアス制御信号ＢＳ（ｉ）は、ＮＲＦフレーム期間Ｔｎｒｆ内の非発光期間ｔ１１～ｔ１４において、時刻ｔ１２にＬレベルからＨレベルへと変化し、時刻ｔ１３にＨレベルからＬレベルへと変化する。

図９は、本実施形態における画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）について駆動期間ＴＤにおける各動作時の回路状態を示す図である。図９において、画素回路１５（ＩＮＩ）は、初期化期間ｔ２～ｔ３における画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）の状態すなわち初期化動作時の回路状態を模式的に示し、画素回路１５（ＷＲ）は、データ書込期間ｔ６～ｔ７における画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）の状態すなわちデータ書込動作時の回路状態を模式的に示し、画素回路１５（ＥＭ）は、発光期間における画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）の状態すなわち点灯動作時の回路状態を模式的に示している。

本実施形態では、データ書込期間ｔ６～ｔ７を含む期間ｔ５～ｔ８はバイアス制御信号ＢＳ（ｉ）がＨレベルであるので、バイアス制御トランジスタＴ８はデータ書込期間ｔ６～ｔ７の間、オン状態である。このため、図９に示すデータ書込動作時の画素回路１５（ＷＲ）からわかるように、データ書込期間ｔ６～ｔ７では、対応データ信号線Ｄｊの電圧（データ信号Ｄ（ｊ）の電圧）が、オン状態のデータ書込制御トランジスタＴ３およびダイオード接続状態の駆動トランジスタＴ４を介してデータ電圧としてデータ保持キャパシタＣｓｔに書き込まれるとともに、オン状態のデータ書込制御トランジスタＴ３およびオン状態のバイアス制御トランジスタＴ８を介してバイアス保持キャパシタＣｂｓにも与えられる。したがって、データ書込期間ｔ６～ｔ７において、その時点の対応データ信号線Ｄｊの電圧すなわちデータ電圧Ｖｄａｔａがバイアス保持キャパシタＣｂｓにも書き込まれて保持される。

図１０は、本実施形態における画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）につき休止期間ＴＰにおける各動作時の回路状態を示す図である。図１０において、画素回路１５（ＯＢ）は、非発光期間ｔ１１～ｔ１４のうちバイアス制御信号ＢＳ（ｉ）がＨレベルである期間であるオンバイアス印加期間ｔ１２～ｔ１３の画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）の状態、すなわちオンバイアス印加動作時の回路状態を模式的に示し、画素回路１５（ＮＥＭ）は、非発光期間ｔ１１～ｔ１４のうちオンバイアス印加期間ｔ１２～ｔ１３以外の期間の画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）の状態を模式的に示している。

休止期間ＴＰ（ＮＲＦフレーム期間Ｔｎｒｆ）においてバイアス制御信号ＢＳ（ｉ）がＨレベルであるオンバイアス印加期間ｔ１２～ｔ１３では、図１０に示すオンバイアス印加動作時の画素回路１５（ＯＢ）からわかるように、データ書込制御トランジスタＴ３および第１発光制御トランジスタＴ５はオフ状態であってバイアス制御トランジスタＴ８がオン状態である。これにより、直前の駆動期間ＴＤ（ＲＦフレーム期間Ｔｒｆ）内のデータ書込期間ｔ６～ｔ７にバイアス保持キャパシタＣｂｓに保持されたデータ電圧Ｖｄａｔａが、オンバイアス電圧Ｖｏｂとして駆動トランジスタＴ４のソース端子に印加される。一方、当該データ書込期間ｔ６～ｔ７においてデータ保持キャパシタＣｓｔには、既述のように、内部補償を行いつつデータ電圧の書込が行われ、これにより、駆動トランジスタＴ４のゲート端子の電圧（ゲート電圧Ｖｇ）は、上記式（１）で与えられる値となる。このゲート電圧Ｖｇは、バイアス保持キャパシタＣｂｓの保持電圧に相当し、直後の休止期間ＴＰの間、維持される。したがって、オンバイアス印加期間ｔ１２～ｔ１３では、駆動トランジスタＴ４のゲート・ソース間に、データ保持キャパシタＣｓｔの保持電圧が示す表示階調に拘わらず、閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧が印加されることになる。本実施形態では、発光制御信号ＥＭ（ｉ）およびバイアス制御信号ＢＳ（ｉ）は、図８に示すように、駆動期間ＴＤか休止期間ＴＰかに拘わらず同様に変化するので、休止期間ＴＰ内のいずれのＮＲＦフレーム期間Ｔｎｒｆにおいても、上記のようなオンバイアス電圧Ｖｏｂが駆動トランジスタＴ４のソース端子に印加される。なお、既述のように、バイアス保持キャパシタＣｂｓの容量値は、第１ノードＮ１と他のノードとの間に形成される寄生容量の容量値に比べ十分に大きいので、バイアス保持キャパシタＣｂｓへのデータ電圧の１回の書込に対して休止期間ＴＰで複数回のオンバイアス印加が繰り返されても、バイアス保持キャパシタＣｂｓの保持電圧はほぼ変化しない。

＜１．４ 効果＞
以下、休止駆動モードでの本実施形態における消灯動作を上記比較例における消灯動作と比較しつつ本実施形態の効果を説明する。

比較例では、図２および図４からわかるように、表示部１１の画素回路Ｐｉｘ（１，１）～Ｐｉｘ（ｎ，ｍ）は、図１１に示すような第１走査信号ＰＳ（１）～ＰＳ（ｎ）、第２走査信号ＮＳ（－１）～ＮＳ（ｎ）、発光制御信号ＥＭ（１）～ＥＭ（ｎ）、データ信号Ｄ（１）～Ｄ（ｍ）により駆動される。これに対し本実施形態では、図２および図８からわかるように、表示部１１の画素回路Ｐｉｘ（１，１）～Ｐｉｘ（ｎ，ｍ）は、図１２に示すような第１走査信号ＰＳ（１）～ＰＳ（ｎ）、第２走査信号ＮＳ（－１）～ＮＳ（ｎ）、バイアス制御信号ＢＳ（１）～ＢＳ（ｎ）、発光制御信号ＥＭ（１）～ＥＭ（ｎ）、データ信号Ｄ（１）～Ｄ（ｍ）により駆動される。

図１３は、図１１に示す駆動方法に基づく比較例における画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）の輝度波形（以下「比較例の輝度波形」という）Ｌａ（ｉ、ｊ）、および、図１２に示す駆動方法に基づく本実施形態における画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）の輝度波形（以下「本実施形態の輝度波形」という）Ｌ（ｉ、ｊ）を示している。図１４は、比較例の輝度波形Ｌａ（ｉ，ｊ）と本実施形態の輝度波形Ｌ（ｉ，ｊ）との相違を見やすくするために両輝度波形を重ねて示しており、本実施形態の輝度波形Ｌ（ｉ，ｊ）は実線で示され、比較例の輝度波形Ｌａ（ｉ，ｊ）は点線で示されている。

図１３および図１４からわかるように、比較例の輝度波形Ｌａ（ｉ，ｊ）では、駆動期間ＴＤ（ＲＦフレーム期間Ｔｒｆ）での消灯動作を示す波形（消灯波形）と、休止期間ＴＰ（ＮＲＦフレーム期間Ｔｎｒｆ）での消灯動作を示す波形（消灯波形）との間に相違がある。より詳しくは、発光制御信号ＥＭ（ｉ）がＨレベルからＬレベルへと変化することで画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）が消灯状態から点灯状態へ変化するときの輝度波形の立ち上がりに相違がある。図１３および図１４に示す例では、ＮＲＦフレーム期間Ｔｎｒｆでの輝度波形の立ち上がりは、ＲＦフレーム期間Ｔｒｆでの輝度波形の立ち上がりよりも急峻となっている。これは、駆動トランジスタＴ４のヒステリシス特性によるものと考えられる。ＲＦフレーム期間ＴｒｆとＮＲＦフレーム期間Ｔｎｒｆの間でのこのような輝度波形の立ち上がりの相違は、オンバイアス印加期間ｔ１０～ｔ１１（図４参照）にデータ側駆動回路３０から対応データ信号線Ｄｊおよびデータ書込制御トランジスタＴ３を介して駆動トランジスタＴ４のソース端子に印加されるオンバイアス電圧Ｖｏｂを変更することで低減することが可能である（図６に示すオンバイアス印加動作時の画素回路１５ａ（ＯＢ）参照）。しかし、オンバイアス印加期間ｔ１０～ｔ１１における駆動トランジスタＴ４のゲート電圧Ｖｇは、データ保持キャパシタＣｓｔの保持電圧が示す表示階調に依存する。このため、このような輝度波形の立ち上がり波形の相違を十分に低減するには、画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）に与えるべきオンバイアス電圧Ｖｏｂの値を、画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）毎にその表示階調に応じて調整する必要がある。しかし、このようなオンバイアス電圧Ｖｏｂの調整は比較例としての表示装置では実現困難である。このため、比較例としての表示装置では、通常、オンバイアス電圧Ｖｏｂは固定値として設定される。この場合、このような輝度波形の立ち上がり波形の相違を全画素回路１５ａにつき十分に低減することができない。その結果、表示画像の全領域において同時にフリッカを抑制することは困難であり、フリッカに影響する他の要因によってフリッカが視認される可能性も高くなる。

これに対し本実施形態によれば、各画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）において（図７参照）、駆動期間ＴＤ（ＲＦフレーム期間Ｔｒｆ）内のデータ書込期間ｔ６～ｔ７に（図８参照）、対応データ信号線Ｄｊの電圧であるデータ電圧Ｖｄａｔａが、オン状態のデータ書込制御トランジスタＴ３およびオン状態のバイアス制御トランジスタＴ８を介してバイアス保持キャパシタＣｂｓにも与えられ、バイアス保持キャパシタＣｂｓに保持される（図９に示すデータ書込動作時の画素回路１５（ＷＲ）参照）。その駆動期間ＴＤに続く休止期間ＴＰにおける各ＮＲＦフレーム期間Ｔｎｒｆでは、バイアス保持キャパシタＣｂｓに保持された当該データ電圧Ｖｄａｔａが、オンバイアス印加期間ｔ１２～ｔ１３において、オン状態のバイアス制御トランジスタＴ８を介して、駆動トランジスタＴ４のソース端子にオンバイアス電圧Ｖｏｂとして印加される（図１０に示すオンバイアス印加動作時の画素回路１５（ＯＢ）参照）。このようにして、各画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）においてその表示階調を示すデータ電圧Ｖｄａｔａが駆動トランジスタＴ４のソース端子に印加されることで、オンバイアス印加期間ｔ１２～ｔ１３における駆動トランジスタＴ４のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは、その表示階調に依存せず、直前の駆動期間ＴＤ内のデータ書込期間ｔ６～ｔ７における駆動トランジスタＴ４のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓにほぼ等しい値となる。これにより、ＲＦフレーム期間ＴｒｆとＮＲＦフレーム期間Ｔｎｒｆの間での輝度波形の立ち上がり波形の相違が、全画素回路１５において同時に十分に低減される。その結果、表示画像の全領域において同時にフリッカが抑制され、フリッカに影響する他の要因によってオンバイアス電圧Ｖｏｂの最適値がずれた場合でもフリッカが視認され難くなる。

＜２．第２の実施形態＞
次に、図１５から図１８を参照して、第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置について説明する。この有機ＥＬ表示装置は、上記第１の実施形態に係る表示装置におけるバイアス制御線ＢＳ１～ＢＳｎに代えて、バイアス書込制御線としての第１バイアス制御線ＢＳ１１～ＢＳ１ｎおよびバイアス印加制御線としての第２バイアス制御線ＢＳ２１～ＢＳ２ｎが設けられており、本実施形態における各画素回路は、ｎ本の第１バイアス制御線ＢＳ１１～ＢＳ１ｎのいずれか１つに対応するとともに、ｎ本の第２バイアス制御線ＢＳ２１～ＢＳ２ｎのいずれか１つに対応する。走査側駆動回路は、第１バイアス制御線ＢＳ１１～ＢＳ１ｎに第１バイアス制御信号ＢＳ１（１）～ＢＳ１（ｎ）をそれぞれ印加し、第２バイアス制御線ＢＳ２１～ＢＳ２ｎに第２バイアス制御信号ＢＳ２（１）～ＢＳ２（ｎ）をそれぞれ印加するように構成されている。また、本実施形態における画素回路には、上記第１の実施形態における画素回路と同様、バイアス供給回路が設けられているが、本実施形態におけるバイアス供給回路の構成は、上記第１の実施形態におけるバイアス供給回路の構成と相違する。本実施形態に係る表示装置における他の構成は、上記第１の実施形態に係る表示装置の構成と基本的に同様であるので、同一または対応する部分には同一の参照符号を付して詳しい説明を省略する（図１～図２参照）。

図１５は、本実施形態における画素回路１６の構成を示す回路図であり、より詳しくは、ｉ番目の第１走査信号線ＰＳｉおよびｊ番目のデータ信号線Ｄｊに対応する画素回路１６すなわちｉ行ｊ列目の画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）の構成を示す回路図である（１≦ｉ≦ｎ、１≦ｊ≦ｍ）。この画素回路１６は、バイアス供給回路１５２の構成を除き、上記第１の実施形態における画素回路１５（図７）と同様の構成を有している。このため、この画素回路１６の構成のうちバイアス供給回路１５２以外の部分については、上記第１の実施形態における画素回路１５に含まれる構成要素と同一の構成要素に同一の参照符号を付して詳しい説明を省略する。

図１５に示すように、本実施形態における画素回路１６であるｉ行ｊ列目の画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）には、対応第１走査信号線ＰＳｉ、対応第２走査信号線ＮＳｉ、先行第２走査信号線ＮＳi-2、対応発光制御線ＥＭｉ、対応データ信号線Ｄｊ、初期化電圧線Ｖｉｎｉ、ハイレベル電源線ＥＬＶＤＤ、および、ローレベル電源線ＥＬＶＳＳに加えて、その画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）に対応する第１および第２バイアス制御線ＢＳ１ｉ，ＢＳ２ｉが接続されている。また、この画素回路１６に設けられたバイアス供給回路１５２は、バイアス印加制御トランジスタＴ８、バイアス書込制御トランジスタＴ９、バイアス保持キャパシタＣｂｓ１、および、分圧用キャパシタＣｂｓ２を含んでいる。バイアス書込制御トランジスタＴ９は、当該画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）に対応する第１バイアス制御線（以下「対応第１バイアス制御線」という）ＢＳ１ｉに接続されたゲート端子を有し、スイッチング素子として機能する。また、バイアス印加制御トランジスタＴ８は、当該画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）に対応する第２バイアス制御線（以下「対応第２バイアス制御線」という）ＢＳ２ｉに接続されたゲート端子を有し、上記第１の実施形態におけるバイアス制御トランジスタＴ８に対応するスイッチング素子として機能する。駆動トランジスタＴ４のソース端子は、バイアス印加制御トランジスタＴ８およびバイアス保持キャパシタＣｂｓ１を順に介してハイレベル電源線ＥＬＶＤＤに接続されるとともに、バイアス書込制御トランジスタＴ９および分圧用キャパシタＣｂｓ２を介して、バイアス保持キャパシタＣｂｓ１とバイアス印加制御トランジスタＴ８との接続点に接続されている。本実施形態においても駆動トランジスタＴ４のソース端子はデータ書込制御トランジスタＴ３を介して対応データ信号線Ｄｊに接続されているので、当該対応データ信号線Ｄｊは、バイアス書込制御トランジスタＴ９および分圧用キャパシタＣｂｓ２を介して、バイアス印加制御トランジスタＴ８とバイアス保持キャパシタＣｂｓ１との接続点に接続されることになる。なお、バイアス保持キャパシタＣｂｓ１および分圧用キャパシタＣｂｓ２とは、互いに直列に接続されて分圧回路を構成する。

次に、図１５に示した画素回路１６すなわち本実施形態におけるｉ行ｊ列目の画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）における動作を、図１５とともに図１６を参照して説明する。図１６は、各フレーム期間に含まれる非発光期間での画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）の動作を説明するためのタイミングチャートである。

図１６を図８と比較すればわかるように、駆動期間ＴＤ（ＲＦフレーム期間Ｔｒｆ）において、本実施形態における画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）を駆動するための第１走査信号ＰＳ（ｉ）、第２走査信号ＮＳ（ｉ），ＮＳ（ｉ－２）、発光制御信号ＥＭ（ｉ）、および、データ信号Ｄ（ｊ）は、上記第１の実施形態における画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）を駆動するための第１走査信号ＰＳ（ｉ）、第２走査信号ＮＳ（ｉ），ＮＳ（ｉ－２）、発光制御信号ＥＭ（ｉ）、および、データ信号Ｄ（ｊ）と同様に変化する。これにより、本実施形態における画素回路１５に含まれるスイッチング素子としてのトランジスタＴ１～Ｔ３，Ｔ５～Ｔ７が、上記第１の実施形態における画素回路１５に含まれるスイッチング素子としてのトランジスタＴ１～Ｔ３，Ｔ５～Ｔ７と同様に動作することで、同様の初期化動作およびデータ書込動作が行われる。

図１５に示すように、本実施形態における画素回路１６に設けられたバイアス供給回路１５２では、バイアス書込制御トランジスタＴ９のゲート端子には、対応第１バイアス制御線ＢＳ１ｉを介して第１バイアス制御信号ＢＳ１（ｉ）（以下「対応第１バイアス制御信号ＢＳ１（ｉ）」という）がバイアス書込制御信号として与えられ、バイアス印加制御トランジスタＴ８のゲート端子には、対応第２バイアス制御線ＢＳ２ｉを介して第２バイアス制御信号ＢＳ２（ｉ）（以下「対応第２バイアス制御信号ＢＳ２（ｉ）」という）がバイアス印加制御信号として与えられる。図１６に示すように、対応第１バイアス制御信号ＢＳ１（ｉ）は、駆動期間ＴＤ（ＲＦフレーム期間Ｔｒｆ）では、時刻ｔ５にＬレベルからＨレベルへと変化し、時刻ｔ８にＨレベルからＬレベルへと変化する。この第１バイアス制御信号ＢＳ１（ｉ）は、休止期間ＴＰ（ＮＲＦフレーム期間Ｔｎｒｆ）ではローレベルに維持される。一方、対応第２バイアス制御信号ＢＳ２（ｉ）は、駆動期間ＴＤ（ＲＦフレーム期間Ｔｒｆ）ではローレベルに維持され、休止期間ＴＰ（ＮＲＦフレーム期間Ｔｎｒｆ）では、非発光期間ｔ１１～ｔ１４において時刻ｔ１２にＬレベルからＨレベルへと変化し、時刻ｔ１３にＨレベルからＬレベルへと変化する。このように、対応第１バイアス制御信号ＢＳ１（ｉ）は、駆動期間ＴＤにおいて上記第１の実施形態における対応バイアス制御信号ＢＳ（ｉ）と同様に変化し、対応第２バイアス制御信号ＢＳ２（ｉ）は、休止期間ＴＰにおいて上記第１の実施形態における対応バイアス制御信号ＢＳ（ｉ）と同様に変化する（図８、図１６参照）。なお、上記第１の実施形態と同様、休止期間ＴＰにおいて第２バイアス制御信号ＢＳ２（ｉ）がＨレベルである期間ｔ１２～ｔ１３を「オンバイアス印加期間」という。

図１７は、本実施形態における画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）につき駆動期間ＴＤにおける各動作時の回路状態を示す図である。図１７において、画素回路１６（ＩＮＩ）は、初期化期間ｔ２～ｔ３における画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）の状態すなわち初期化動作時の回路状態を模式的に示し、画素回路１６（ＷＲ）は、データ書込期間ｔ６～ｔ７における画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）の状態すなわちデータ書込動作時の回路状態を模式的に示し、画素回路１６（ＥＭ）は、発光期間における画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）の状態すなわち点灯動作時の回路状態を模式的に示している。

本実施形態では、データ書込期間ｔ６～ｔ７を含む期間ｔ５～ｔ８は第１バイアス制御信号ＢＳ１（ｉ）がＨレベルであるので、画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）においてバイアス書込制御トランジスタＴ９はデータ書込期間ｔ６～ｔ７ではオン状態である。このため、図１７に示すデータ書込動作時の画素回路１６（ＷＲ）からわかるように、データ書込期間ｔ６～ｔ７では、対応データ信号線Ｄｊの電圧（データ信号Ｄ（ｊ）の電圧）が、オン状態のデータ書込制御トランジスタＴ３およびダイオード接続状態の駆動トランジスタＴ４を介してデータ電圧Ｖｄａｔａとしてデータ保持キャパシタＣｓｔに書き込まれるとともに、オン状態のデータ書込制御トランジスタＴ３およびオン状態のバイアス書込制御トランジスタＴ９を介して、バイアス保持キャパシタＣｂｓ１および分圧用キャパシタＣｂｓ２からなる分圧回路に与えられる。したがって、データ書込期間ｔ６～ｔ７において対応データ信号線Ｄｊの電圧すなわちデータ電圧Ｖｄａｔａが当該分圧回路にも与えられて保持される。

図１８は、本実施形態における画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）につき休止期間ＴＰにおける各動作時の回路状態を示す図である。図１８において、画素回路１６（ＮＥＭ）は、非発光期間ｔ１１～ｔ１４のうち対応第２バイアス制御信号ＢＳ２（ｉ）がＨレベルであるオンバイアス印加期間ｔ１２～ｔ１３以外の期間の画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）の状態を模式的に示し、画素回路１６（ＯＢ）は、非発光期間ｔ１１～ｔ１４のうち対応第２バイアス制御信号ＢＳ２（ｉ）がＨレベルであるオンバイアス印加期間ｔ１２～ｔ１３の画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）の状態、すなわちオンバイアス印加動作時の回路状態を模式的に示している。

休止期間ＴＰ（ＮＲＦフレーム期間Ｔｎｒｆ）において対応第２バイアス制御信号ＢＳ２（ｉ）がＨレベルであるオンバイアス印加期間ｔ１２～ｔ１３では、データ書込制御トランジスタＴ３、第１発光制御トランジスタＴ５、およびバイアス書込制御トランジスタＴ９はオフ状態であってバイアス印加制御トランジスタＴ８がオン状態である（図１８に示すオンバイアス印加動作時の画素回路１６（ＯＢ）参照）。これにより、直前の駆動期間ＴＤ内のデータ書込期間ｔ６～ｔ７において当該分圧回路に保持されたデータ電圧Ｖｄａｔａとハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤとの電圧差をバイアス保持キャパシタＣｂｓ１と分圧用キャパシタＣｂｓ２とによって分圧することにより得られる電圧、すなわち次式で表される電圧Ｖｏｂがオンバイアス電圧として駆動トランジスタＴ４のソース端子に印加される。ここで、符号“Ｃｂｓ１”および“Ｃｂｓ２”は、それぞれ、バイアス保持キャパシタＣｂｓ１および分圧用キャパシタＣｂｓ２の容量値を示すものとする。
Vob＝ELVDD+(Vdata-ELVDD)｛Cbs2/(Cbs1+Cbs2)｝ …（２）

このようにして、本実施形態においても、上記第１の実施形態と同様、休止期間ＴＰにおける各ＮＲＦフレーム期間Ｔｎｒｆ内のオンバイアス印加期間ｔ１２～ｔ１３に、駆動トランジスタＴ４のソース端子に対し、データ保持キャパシタＣｓｔに保持されている電圧が示す表示階調に応じた電圧がオンバイアス電圧Ｖｏｂとして印加される。しかし、上記第１の実施形態では、直前の駆動期間ＴＤ内のデータ書込期間におけるデータ電圧Ｖｄａｔａがそのままオンバイアス電圧Ｖｏｂとして駆動トランジスタＴ４のソース端子に印加されるのに対し、本実施形態では、上記式（２）で表されるオンバイアス電圧Ｖｏｂが駆動トランジスタＴ４のソース端子に印加される。上記式（２）からわかるように、本実施形態では、駆動トランジスタＴ４のソース端子に印加されるオンバイアス電圧Ｖｏｂの値をバイアス保持キャパシタＣｂｓ１と分圧用キャパシタＣｂｓ２との容量比によって調整することができる。

以上のように本実施形態によれば、各画素回路１６において、休止期間ＴＰ内の各ＮＲＦフレーム期間Ｔｎｒｆに設けられたオンバイアス印加期間ｔ１２～ｔ１３に、当該画素回路１６の表示階調に応じた電圧がオンバイアス電圧Ｖｏｂとして駆動トランジスタＴ４のソース端子に印加される。これにより、上記第１の実施形態と同様、表示画像の全領域において同時にフリッカが抑制され、フリッカに影響する他の要因によってオンバイアス電圧Ｖｏｂの最適値がずれた場合でもフリッカが視認され難くなる。しかも本実施形態は、各画素回路１６において駆動トランジスタＴ４のソース端子に印加されるオンバイアス電圧Ｖｏｂが上記式（２）に示すように容量比Ｃｂｓ１／Ｃｂｓ２によって調整可能な構成となっている。このため、本実施形態によれば、容量比Ｃｂｓ１／Ｃｂｓ２の設定によって、上記第１の実施形態の効果と同様の効果をより確実に得ることができる。

＜５．変形例＞
本発明は、上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲を逸脱しない限りにおいて種々の変形を施すことができる。例えば、下記のような変形例が考えられる。

上記各実施形態では、画素回路１５，１６は、Ｐ型トランジスタとＮ型トランジスタの双方を含み、典型的には、Ｐ型トランジスタについては移動度の高いＬＴＰＳ－ＴＦＴが使用され、Ｎ型トランジスタについてオフリーク特性が良いＩＧＺＯ－ＴＦＴ等の酸化物ＴＦＴが使用される。しかし、これらのＴＦＴに限定されるものではなく、また、使用すべきトランジスタのチャネル型をＰ型とＮ型の間で適宜に変更して同様に動作するように構成されていてもよい。例えば、各実施形態においてＰ型のＬＴＰＳ－ＴＦＴに代えてＮ型のＬＴＰＳ－ＴＦＴを使用した構成を採用してもよい。

図１９は、Ｎ型のＬＴＰＳ－ＴＦＴを駆動トランジスタＴ４として用いた画素回路（特開２０１９－２１１７７５号公報参照）に本発明を適用した場合の構成例を示す回路図である。図１９に示す画素回路１７は、表示素子としての１個の有機ＥＬ素子ＯＬと、初期化トランジスタＴ１と、閾値補償トランジスタＴ２と、データ書込制御トランジスタＴ３と、駆動トランジスタＴ４と、第１発光制御トランジスタＴ５と、第２発光制御トランジスタＴ６と、１個のデータ保持キャパシタＣｓｔとを含んでおり、これらの構成要素Ｔ１～Ｔ６，Ｃｓｔ，ＯＬは図１９に示すように接続されている。また、この画素回路１７には、互いに直列に接続されたバイアス制御トランジスタＴ８およびバイアス保持キャパシタＣｂｓを含むバイアス供給回路１５１が設けられている。駆動トランジスタＴ４のソース端子は、これらのバイアス制御トランジスタＴ８およびバイアス保持キャパシタＣｂｓを介してローレベル電源線ＥＬＶＳＳに接続されている。このような図１９に示す画素回路１７を使用した変形例に係る表示装置では、上記第１の実施形態における第１走査信号線ＰＳ１～ＰＳｎおよび第２走査信号線ＮＳ-1～ＮＳｎ（図１参照）に代えて、第１走査信号ＮＳ１（１）～ＮＳ１（ｎ）をそれぞれ伝達するための第１走査信号線ＮＳ１１～ＮＳ１ｎと、第２走査信号ＮＳ２（１）～ＮＳ２（ｎ）をそれぞれ伝達するための第２走査信号線ＮＳ２１～ＮＳ２ｎと、第３走査信号ＮＳ３（１）～ＮＳ３（ｎ）をそれぞれ伝達するための第３走査信号線ＮＳ３１～ＮＳ３ｎとが、表示部１１に配設されている。また、この変形例に係る表示装置では、上記第１の実施形態における発光制御線ＥＭ１～ＥＭｎ（図１参照）に代えて、第１発光制御信号ＥＭ１（１）～ＥＭ１（ｎ）をそれぞれ伝達するための第１発光制御線ＥＭ１１～ＥＭ１ｎ、および、第２発光制御信号ＥＭ２（１）～ＥＭ２（ｎ）をそれぞれ伝達するための第２発光制御線ＥＭ２１～ＥＭ２ｎが表示部１１に配設されている。この変形例における他の構成は、上記第１の実施形態と基本的に同様である。

図２０は、上記のように構成された変形例におけるｉ番目の第１走査信号線ＮＳ１ｉおよびｊ番目のデータ信号線Ｄｊに対応する画素回路１７すなわちｉ行ｊ列目の画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）の動作、より詳しくは、各フレーム期間に含まれる非発光期間での当該画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）の動作を説明するためのタイミングチャートである。この変形例における画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）には、図２０に示すように変化する第１走査信号ＮＳ１（ｉ）、第２走査信号ＮＳ２（ｉ）、第３走査信号ＮＳ３（ｉ）、第１発光制御信号ＥＭ１（ｉ）、第２発光制御信号ＥＭ２（ｉ）、バイアス制御信号ＢＳ（ｉ）が与えられる。これにより、画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）では、駆動期間ＴＤ（リフレッシュフレーム期間）における非発光期間ｔ１～ｔ８のうち、期間ｔ２～ｔ３で初期化動作が行われ、期間ｔ５～ｔ６でデータ保持キャパシタＣｓｔへの内部補償を伴うデータ電圧Ｖｄａｔａの書込が行われる。期間ｔ４～ｔ７においてバイアス制御トランジスタＴ８はオン状態であるので、期間ｔ５～ｔ６では、上記データ電圧Ｖｄａｔａはバイアス制御トランジスタＴ８を介してバイアス保持キャパシタＣｂｓにも書き込まれる。また、休止期間ＴＰを構成する各非リフレッシュフレーム期間における非発光期間ｔ９～ｔ１４のうち、期間ｔ１０～ｔ１３で、バイアス保持キャパシタＣｂｓに保持されたデータ電圧Ｖｄａｔａが駆動トランジスタＴ４のソース端子にオンバイアス電圧Ｖｏｂとして印加される。このように動作する本変形例によっても上記第１の実施形態と同様の効果が得られる。

上記各実施形態における画素回路１５または１６では、データ書込制御トランジスタＴ３はＰ型であり、閾値補償トランジスタＴ２および第１初期化トランジスタＴ１はＮ型であるが、これらのトランジスタＴ１～Ｔ３を同じ導電型としてもよい。例えば、これらのトランジスタＴ１～Ｔ３を全てＰ型としてもよい。この場合、第１走査信号線ＰＳ１～ＰＳｎと第２走査信号線ＮＳ-1～ＮＳｎとを兼ねるｎ＋２本の走査信号線を表示部１１に配設すればよい。このようにすれば、上記各実施形態に比べ、走査信号線の本数をほぼ１／２にすることができ、表示部１１および走査側駆動回路４０の構成が簡略化される。

上記第１の実施形態における画素回路１５（図７）では、バイアス制御トランジスタＴ８は、バイアス保持キャパシタＣｂｓへのデータ電圧の書き込みを制御するとともに、バイアス保持キャパシタＣｂｓにおける保持電圧（オンバイアス電圧Ｖｏｂ）の駆動トランジスタＴ４への印加を制御する。しかし、このようなバイアス制御トランジスタＴ８の機能を２つのトランジスタで実現する構成としてもよい。すなわち、バイアス制御トランジスタＴ８に代えて、バイアス保持キャパシタＣｂｓへのデータ電圧の書き込みを制御するバイアス書込制御トランジスタと、バイアス保持キャパシタＣｂｓにおける保持電圧（オンバイアス電圧Ｖｏｂ）の駆動トランジスタＴ４への印加を制御するバイアス印加制御トランジスタとを使用する構成としてもよい。この場合、画素回路は、例えば、図７に示す構成においてバイアス制御トランジスタＴ８とバイアス保持キャパシタＣｂｓとの接続点がバイアス書込制御トランジスタを介して対応データ信号線Ｄｊに接続され、バイアス制御トランジスタＴ８がバイアス印加制御トランジスタとして機能するように構成される。この構成において、バイアス書込制御トランジスタのゲート端子およびバイアス印加制御トランジスタのゲート端子には、例えば図１６に示すような第１および第２バイアス制御信号ＢＳ１（ｉ），ＢＳ２（ｉ）がそれぞれ与えられる。

上記第２の実施形態における画素回路１６（図１５）では、バイアス印加制御トランジスタＴ８とバイアス書込制御トランジスタＴ９とが設けられており、バイアス印加制御トランジスタＴ８とバイアス保持キャパシタＣｂｓ１との接続点が分圧用キャパシタＣｂｓ２およびバイアス書込制御トランジスタＴ９を介して駆動トランジスタＴ４のソース端子に接続されている。これに代えて、この画素回路１６においても、当該接続点が分圧用キャパシタＣｂｓ２およびバイアス書込制御トランジスタを介して対応データ信号線Ｄｊに接続されるようにしてもよい。

上記各実施形態では、図７に示すように構成された画素回路１５または図１５に示すように構成された画素回路１６が使用されているが、画素回路におけるバイアス供給回路１５１，１５２以外の構成についても、図７や図１５に示す構成に限定されない。上記各実施形態における画素回路（図７、図１５）では、駆動トランジスタＴ４のダイオード接続により閾値補償を行うように構成されているが、本発明は、このような閾値補償を行わない画素回路（閾値補償機能無しの画素回路）に対しても適用可能である。

図２１は、駆動トランジスタＴ４のダイオード接続による閾値補償を行わない画素回路に本発明を適用した場合の構成例、すなわち閾値補償機能無しの画素回路にバイアス供給回路を設けた場合の構成例を示す回路図である。図２１に示す画素回路１８は、表示素子としての１個の有機ＥＬ素子ＯＬと、データ書込制御トランジスタＴ３と、駆動トランジスタＴ４と、第１発光制御トランジスタＴ５と、第２発光制御トランジスタＴ６と、初期化トランジスタＴ７と、１個のデータ保持キャパシタＣｓｔとを含んでおり、これらの構成要素Ｔ３～Ｔ７，Ｃｓｔ，ＯＬは図２１に示すように接続されている。また、この画素回路１８には、互いに直列に接続されたバイアス印加制御トランジスタＴ８およびバイアス保持キャパシタＣｂｓと、バイアス書込制御トランジスタＴ９とを含むバイアス供給回路１５２が設けられている。駆動トランジスタＴ４のソース端子は、これらのバイアス印加制御トランジスタＴ８およびバイアス保持キャパシタＣｂｓを介してハイレベル電源線ＥＬＶＤＤに接続されている。また、この画素回路１８に対応するデータ信号線Ｄｊは、バイアス書込制御トランジスタＴ９を介して、バイアス印加制御トランジスタＴ８とバイアス保持キャパシタＣｂｓとの接続点に接続されている。このような図２１に示す画素回路１８を使用した変形例に係る表示装置では、上記第１の実施形態におけるバイアス制御線ＢＳ１～ＢＳｎ（図１参照）に代えて、第１バイアス制御信号ＢＳ１（１）～ＢＳ１（ｎ）をそれぞれ伝達するための第１バイアス制御線ＢＳ１１～ＢＳ１ｎと、第２バイアス制御信号ＢＳ２（１）～ＢＳ２（ｎ）をそれぞれ伝達するための第２バイアス制御線ＢＳ２１～ＢＳ２ｎとが、表示部１１に配設されている。この変形例における他の構成は、上記第１の実施形態と基本的に同様である。

図２２は、上記のように構成された図２１の画素回路１８、すなわちｉ番目の走査信号線ＰＳｉおよびｊ番目のデータ信号線Ｄｊに対応する画素回路１８であるｉ行ｊ列目の画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）の動作を説明するためのタイミングチャートであり、より詳しくは、各フレーム期間に含まれる非発光期間での当該画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）の動作を説明するためのタイミングチャートである。この変形例における画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）には、図２２に示すように変化する第１走査信号ＰＳ（ｉ）、発光制御信号ＥＭ（ｉ）、第１バイアス制御信号ＢＳ１（ｉ）、第２バイアス制御信号ＢＳ２（ｉ）が与えられる。これにより、画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）では、駆動期間ＴＤ（リフレッシュフレーム期間）における非発光期間ｔ１～ｔ８のうち、期間ｔ４～ｔ５においてデータ保持キャパシタＣｓｔに対応データ信号線Ｄｊの電圧がデータ電圧Ｖｄａｔａとして書き込まれ、期間６～ｔ７においてバイアス保持キャパシタＣｂｓに対応データ信号線Ｄｊの電圧がバイアス書込制御トランジスタＴ９を介して書き込まれる。ここで、バイアス保持キャパシタＣｂｓに書き込まれる対応データ信号線Ｄｊの電圧は、データ保持キャパシタＣｓｔに書き込まれるデータ電圧Ｖｄａｔａに応じた電圧であるが、データ電圧Ｖｄａｔａと同じレベルの電圧ではなく、駆動トランジスタＴ４につき駆動期間ＴＤ内の非発光期間に加わる電圧ストレスと休止期間ＴＰ内の非発光期間に加わる電圧ストレスとの差が解消または低減されるように設定された電圧である。本構成例の画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）を使用する表示装置では、このような電圧が期間ｔ６～ｔ７に対応データ信号線Ｄｊから当該画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）内のバイアス保持キャパシタＣｂｓに与えられるようにデータ側駆動回路３０がデータ信号線Ｄ１～Ｄｍを駆動する。また、休止期間ＴＰを構成する各非リフレッシュフレーム期間における非発光期間ｔ９～ｔ１２のうち、期間ｔ１０～ｔ１１で、バイアス保持キャパシタＣｂｓに保持された上記電圧（データ電圧Ｖｄａｔａに応じた電圧）がバイアス印加制御トランジスタＴ８を介して駆動トランジスタＴ４のソース端子にオンバイアス電圧Ｖｏｂとして印加される。このように動作する本変形例によれば、駆動トランジスタのダイオード接続による閾値補償を行わない画素回路（閾値補償機能無しの画素回路）においても上記第１の実施形態と同様の効果が得られる。

上記各実施形態では、駆動期間ＴＤ（各ＲＦフレーム期間Ｔｒｆ）において対応バイアス制御信号ＢＳ（ｉ）または対応第１バイアス制御信号ＢＳ１（ｉ）がＨレベルである期間ｔ５～ｔ８は、対応第２走査信号ＮＳ（ｉ）がＨレベルである期間ｔ４～ｔ９よりも短くかつデータ書込期間ｔ６～ｔ７よりも長いが（図８、図１６参照）、対応バイアス制御信号ＢＳ（ｉ）または対応第１バイアス制御信号ＢＳ１（ｉ）がＨレベルである期間ｔ５～ｔ８を、対応第２走査信号ＮＳ（ｉ）がＨレベルである期間ｔ４～ｔ９またはデータ書込期間ｔ６～ｔ７と同じ長さとしてもよい。

上記各実施形態では、休止期間ＴＰ（各ＮＲＦフレーム期間Ｔｎｒｆ）におけるオンバイアス印加期間ｔ１２～ｔ１３は、データ書込期間ｔ６～ｔ７よりも長いが（図８、図１６）、オンバイアス印加期間ｔ１２～ｔ１３を、データ書込期間ｔ６～ｔ７と同じ長さまたはデータ書込期間ｔ６～ｔ７よりも短い長さとしてもよい。

なお、本発明の趣旨に反せず且つ技術的に矛盾しない範囲で上記第１および第２の実施形態およびそれらの変形例のいずれかを組み合わせてもよい。

以上においては、有機ＥＬ表示装置を例に挙げて各実施形態が説明されたが、本発明は、有機ＥＬ表示装置に限定されるものではなく、電流で駆動される表示素子を用い休止駆動を行う表示装置であれば適用可能である。ここで使用可能な表示素子は、例えば、有機ＥＬ素子すなわち有機発光ダイオード（Organic Light Emitting Diode（ＯＬＥＤ））の他、無機発光ダイオードや量子ドット発光ダイオード（Quantum dot Light Emitting Diode（ＱＬＥＤ））等である。

１０ …有機ＥＬ表示装置
１１ …表示部
１５，１６ …画素回路
２０ …表示制御回路
３０ …データ側駆動回路（データ信号線駆動回路）
４０ …走査側駆動回路（走査信号線駆動回路／発光制御回路／バイアス制御回路）
１５１，１５２ …バイアス供給回路
Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）…画素回路（ｉ＝１～ｎ、ｊ＝１～ｍ）
ＰＳｉ …第１走査信号線（ｉ＝１，２，…，ｎ）
ＮＳｉ …第２走査信号線（ｉ＝－１，０，１，…，ｎ）
ＥＭｉ …発光制御線（ｉ＝１～ｎ）
ＢＳｉ …バイアス制御線（ｉ＝１～ｎ）
ＢＳ１ｉ…第１バイアス制御線（ｉ＝１～ｎ）
ＢＳ２ｉ…第２バイアス制御線（ｉ＝１～ｎ）
Ｄｊ …データ信号線（ｊ＝１～ｍ）
ＥＬＶＤＤ…ハイレベル電源線（第１電源線）、ハイレベル電源電圧
ＥＬＶＳＳ…ローレベル電源線（第２電源線）、ローレベル電源電圧
ＯＬ …有機ＥＬ素子（表示素子）
Ｃｓｔ …データ保持キャパシタ
Ｃｂｓ …バイアス保持キャパシタ
Ｃｂｓ１…バイアス保持キャパシタ
Ｃｂｓ２…分圧用キャパシタ
Ｔ１ …第１初期化トランジスタ（第１初期化スイッチング素子）
Ｔ２ …閾値補償トランジスタ（閾値補償スイッチング素子）
Ｔ３ …データ書込制御トランジスタ（データ書込制御スイッチング素子）
Ｔ４ …駆動トランジスタ
Ｔ５ …第１発光制御トランジスタ（第１発光制御スイッチング素子）
Ｔ６ …第２発光制御トランジスタ（第２発光制御スイッチング素子）
Ｔ７ …第２初期化トランジスタ（第２初期化スイッチング素子）
Ｔ８ …バイアス制御トランジスタ（バイアス制御スイッチング素子）、
バイアス印加制御トランジスタ（バイアス印加制御スイッチング素子）
Ｔ９ …バイアス書込制御トランジスタ（バイアス書込制御スイッチング素子）
ＴＤ …駆動期間
ＴＰ …休止期間
Ｔｒｆ …リフレッシュフレーム期間（ＲＦフレーム期間）
Ｔｎｒｆ …非リフレッシュフレーム期間（ＮＲＦフレーム期間）
Ｖｏｂ …オンバイアス電圧

Claims (20)

1. 複数のデータ信号線と複数の第１走査信号線と複数の発光制御線と第１および第２電源線と複数の画素回路とを含む表示部を有し、前記複数の画素回路に前記複数のデータ信号線を介して複数のデータ信号の電圧をデータ電圧として書き込むリフレッシュフレーム期間からなる駆動期間と前記複数の画素回路へのデータ電圧の書き込みを停止する非リフレッシュフレーム期間からなる休止期間とが交互に現れるように前記複数のデータ信号線および前記複数の第１走査信号線が駆動される表示装置において、前記複数のデータ信号線のいずれか１つに対応し、かつ、前記複数の第１走査信号線のいずれか１つに対応し、かつ、前記複数の発光制御線のいずれか１つに対応するように、前記複数の画素回路の１つとして設けられた画素回路であって、
   電流によって駆動される表示素子と、
   制御端子と第１導通端子と第２導通端子とを有し前記表示素子と直列に設けられた駆動トランジスタと、
   データ保持キャパシタと、
   対応する第１走査信号線に接続された制御端子を有し、対応するデータ信号線の電圧の前記データ保持キャパシタへの書き込みを制御するデータ書込制御スイッチング素子と、
   対応する発光制御線に接続された制御端子を有する第１発光制御スイッチング素子と、
   バイアス供給回路とを備え、
   前記表示部は、複数のバイアス制御線を更に含み、
   当該画素回路は、複数のバイアス制御線のいずれか１つに対応し、
   前記バイアス供給回路は、
   前記対応するデータ信号線の電圧に応じた電圧を保持するためのバイアス保持キャパシタと、
   対応するバイアス制御線に接続された制御端子を有し前記バイアス保持キャパシタに直列に接続されたバイアス制御スイッチング素子とを含み、
   前記駆動トランジスタの前記制御端子は、前記データ保持キャパシタを介して固定電圧線に接続されており、
   前記駆動トランジスタの前記第１導通端子は、前記第１発光制御スイッチング素子を介して前記第１電源線に接続されるとともに、前記バイアス制御スイッチング素子および前記バイアス保持キャパシタを介して固定電圧線に接続されている、画素回路。
2. 前記表示部は、複数のバイアス書込制御線を更に含み、
   当該画素回路は、前記複数のバイアス書込制御線のいずれか１つに対応し、
   前記バイアス供給回路は、対応するバイアス書込制御線に接続された制御端子を有するバイアス書込制御スイッチング素子を更に含み、
   前記対応するデータ信号線は、前記バイアス書込制御スイッチング素子を介して、前記バイアス制御スイッチング素子と前記バイアス保持キャパシタとの接続点に接続されている、請求項１に記載の画素回路。
3. 前記バイアス供給回路は、前記バイアス書込制御スイッチング素子に直列に接続された分圧用キャパシタを更に含み、
   前記対応するデータ信号線は、前記バイアス書込制御スイッチング素子および前記分圧用キャパシタを介して、前記バイアス制御スイッチング素子と前記バイアス保持キャパシタとの接続点に接続されており、
   前記駆動トランジスタの前記第１導通端子は、前記バイアス制御スイッチング素子を介して前記バイアス保持キャパシタと前記分圧用キャパシタとの接続点に接続されている、請求項２に記載の画素回路。
4. 閾値補償スイッチング素子と、
   第２発光制御スイッチング素子とを更に備え、
   前記表示部は、複数の第２走査信号線を更に含み、
   当該画素回路は、前記複数の第２走査信号線のいずれか１つに対応し、
   前記閾値補償スイッチング素子は、対応する第２走査信号線に接続された制御端子を有し、
   前記駆動トランジスタの前記第１導通端子は、前記データ書込制御スイッチング素子を介して前記対応するデータ信号線に接続されており、
   前記駆動トランジスタの前記第２導通端子は、前記閾値補償スイッチング素子を介して前記駆動トランジスタの前記制御端子に接続されるとともに、前記第２発光制御スイッチング素子を介して前記第２電源線に接続されている、請求項１から３のいずれか１項に記載の画素回路。
5. 前記駆動トランジスタと前記データ書込制御スイッチング素子と前記第１および第２発光制御スイッチング素子とは、低温ポリシリコンにより形成されたチャネル層を有する薄膜トランジスタであり、
   前記閾値補償スイッチング素子と前記バイアス制御スイッチング素子とは、酸化物半導体により形成されたチャネル層を有する薄膜トランジスタである、請求項４に記載の画素回路。
6. 前記駆動トランジスタは、Ｐ型トランジスタであり、
   前記第１電源線は、高圧側電源電圧を供給するための電源線であり、
   前記第２電源線は、低圧側電源電圧を供給するための電源線であり、
   前記駆動トランジスタの前記第２導通端子は、前記第２発光制御スイッチング素子および前記表示素子を介して前記第２電源線に接続されている、請求項４に記載の画素回路。
7. 前記駆動トランジスタは、Ｎ型トランジスタであり、
   前記第１電源線は、低圧側電源電圧を供給するための電源線であり、
   前記第２電源線は、高圧側電源電圧を供給するための電源線であり、
   前記駆動トランジスタの前記第１導通端子は、前記第１発光制御スイッチング素子および前記表示素子を介して前記第１電源線に接続されている、請求項４に記載の画素回路。
8. 前記データ書込制御スイッチング素子と前記閾値補償スイッチング素子とは、互いに同じ導電型のトランジスタであり、
   前記表示部は、前記複数の第１走査信号線と前記複数の第２走査信号線とを兼ねる複数の走査信号線を含む、請求項４に記載の画素回路。
9. 第１初期化スイッチング素子を更に備え、
   前記表示部は、初期化電圧線を更に含み、
   前記駆動トランジスタの前記制御端子は、前記第１初期化スイッチング素子を介して前記初期化電圧線に接続されている、請求項６から８のいずれか１項に記載の画素回路。
10. 第１および２初期化スイッチング素子を更に備え、
    前記表示部は、初期化電圧線を更に含み、
    前記駆動トランジスタの前記制御端子は、前記第１初期化スイッチング素子を介して前記初期化電圧線に接続されており、
    前記第２初期化スイッチング素子は、前記対応する発光制御線に接続された制御端子を有し、前記対応する発光制御線が非活化されているときにオン状態であり、
    前記表示素子の第１端子は、前記第２発光制御スイッチング素子を介して前記駆動トランジスタの前記第２導通端子に接続されるとともに、前記第２初期化スイッチング素子を介して前記初期化電圧線に接続されており、前記表示素子の第２端子は前記第２電源線に接続されている、請求項６に記載の画素回路。
11. 前記駆動トランジスタと前記データ書込制御スイッチング素子と前記第１および第２発光制御スイッチング素子とは、低温ポリシリコンにより形成されたチャネル層を有する薄膜トランジスタであり、
    前記閾値補償スイッチング素子と前記バイアス制御スイッチング素子と前記第１初期化スイッチング素子とは、酸化物半導体により形成されたチャネル層を有する薄膜トランジスタである、請求項９または１０に記載の画素回路。
12. 複数のデータ信号線、複数の第１走査信号線、複数の発光制御線、複数のバイアス制御線、第１電源線、第２電源線、および、複数の画素回路を含む表示部と、
    複数のデータ信号を生成して前記複数のデータ信号線に印加するデータ側駆動回路と、
    前記複数の第１走査信号線を選択的に駆動し、前記複数の発光制御線を選択的に駆動し、前記複数のバイアス制御線を選択的に駆動する走査側駆動回路と、
    前記複数の画素回路に前記複数のデータ信号の電圧をデータ電圧として書き込むリフレッシュフレーム期間からなる駆動期間と前記複数の画素回路へのデータ電圧の書き込みを停止する非リフレッシュフレーム期間からなる休止期間とが交互に現れるように、前記データ側駆動回路および前記走査側駆動回路を制御する表示制御回路と
    を備え、
    前記複数の画素回路のそれぞれは、
    前記複数のデータ信号線のいずれか１つに対応し、かつ、前記複数の第１走査信号線のいずれか１つに対応し、かつ、前記複数の発光制御線のいずれか１つに対応し、かつ、複数のバイアス制御線のいずれか１つに対応し、
    電流によって駆動される表示素子と、制御端子と第１導通端子と第２導通端子とを有し前記表示素子と直列に設けられた駆動トランジスタと、データ保持キャパシタと、対応する第１走査信号線に接続された制御端子を有し対応するデータ信号線の電圧の前記データ保持キャパシタへの書き込みを制御するデータ書込制御スイッチング素子と、対応する発光制御線に接続された制御端子を有する第１発光制御スイッチング素子と、バイアス供給回路とを含み、
    前記複数の画素回路のそれぞれにおいて、
    前記バイアス供給回路は、前記対応するデータ信号線の電圧に応じた電圧を保持するためのバイアス保持キャパシタと、対応するバイアス制御線に接続された制御端子を有し前記バイアス保持キャパシタに直列に接続されたバイアス制御スイッチング素子とを含み、
    前記駆動トランジスタの前記制御端子は、前記データ保持キャパシタを介して固定電圧線に接続されており、
    前記駆動トランジスタの前記第１導通端子は、前記第１発光制御スイッチング素子を介して前記第１電源線に接続されるとともに、前記バイアス制御スイッチング素子および前記バイアス保持キャパシタを介して固定電圧線に接続されており、
    前記表示制御回路は、
    前記駆動期間では、前記第１発光制御スイッチング素子がオフ状態のときに前記対応するデータ信号線の電圧がデータ電圧として前記データ保持キャパシタに書き込まれて保持されるとともに当該データ電圧に応じた電圧が前記バイアス保持キャパシタに書き込まれて保持され、前記第１発光制御スイッチング素子がオン状態のときに前記データ保持キャパシタの保持電圧に応じた電流が前記表示素子に流れるように、前記データ側駆動回路および前記走査側駆動回路を制御し、
    前記休止期間では、前記第１発光制御スイッチング素子がオフ状態のときに前記バイアス保持キャパシタの保持電圧が前記駆動トランジスタの前記第１導通端子に印加され、前記第１発光制御スイッチング素子がオン状態のときに前記データ保持キャパシタの保持電圧に応じた電流が前記表示素子に流れるように、前記走査側駆動回路を制御する、表示装置。
13. 前記表示部は、複数のバイアス書込制御線を更に含み、
    前記複数の画素回路のそれぞれは、前記複数のバイアス書込制御線のいずれか１つに対応し、
    前記複数の画素回路のそれぞれにおいて、
    前記バイアス供給回路は、前記対応するバイアス書込制御線に接続された制御端子を有するバイアス書込制御スイッチング素子を更に含み、
    前記対応するデータ信号線は、前記バイアス書込制御スイッチング素子を介して、前記バイアス制御スイッチング素子と前記バイアス保持キャパシタとの接続点に接続されており、
    前記表示制御回路は、前記駆動期間において前記第１発光制御スイッチング素子がオフ状態のときに、前記データ保持キャパシタに書き込まれるべき前記データ電圧に応じた電圧が前記バイアス書込制御スイッチング素子を介して前記バイアス保持キャパシタに書き込まれて保持され、前記休止期間において前記第１発光制御スイッチング素子がオフ状態のときに、前記バイアス保持キャパシタの保持電圧が前記バイアス制御スイッチング素子を介して前記駆動トランジスタの前記第１導通端子に印加されるように、前記データ側駆動回路および前記走査側駆動回路を制御する、請求項１２に記載の表示装置。
14. 前記複数の画素回路のそれぞれにおいて、
    前記バイアス供給回路は、前記バイアス書込制御スイッチング素子に直列に接続された分圧用キャパシタを更に含み、
    前記対応するデータ信号線は、前記バイアス書込制御スイッチング素子および前記分圧用キャパシタを介して、前記バイアス制御スイッチング素子と前記バイアス保持キャパシタとの接続点に接続されており、
    前記駆動トランジスタの前記第１導通端子は、前記バイアス制御スイッチング素子を介して前記バイアス保持キャパシタと前記分圧用キャパシタとの接続点に接続されており、
    前記表示制御回路は、前記駆動期間において前記第１発光制御スイッチング素子がオフ状態のときに、前記データ保持キャパシタに書き込まれるべき前記データ電圧に応じた電圧が前記バイアス書込制御スイッチング素子および前記分圧用キャパシタを介して前記バイアス保持キャパシタに書き込まれて保持され、前記休止期間において前記第１発光制御スイッチング素子がオフ状態のときに、前記バイアス保持キャパシタの保持電圧が前記バイアス制御スイッチング素子を介して前記駆動トランジスタの前記第１導通端子に印加されるように、前記データ側駆動回路および前記走査側駆動回路を制御する、請求項１３に記載の表示装置。
15. 前記表示部は、複数の第２走査信号線を更に含み、
    前記走査側駆動回路は、前記複数の第２走査信号線を選択的に駆動し、
    前記複数の画素回路のそれぞれは、
    前記複数の第２走査信号線のいずれか１つに対応し、
    対応する第２走査信号線に接続された制御端子を有する閾値補償スイッチング素子と、前記対応する発光制御線に接続された制御端子を有する第２発光制御スイッチング素子とを更に含み、
    前記複数の画素回路のそれぞれにおいて、
    前記駆動トランジスタの前記第１導通端子は、前記データ書込制御スイッチング素子を介して前記対応するデータ信号線に接続され、
    前記駆動トランジスタの前記第２導通端子は、前記閾値補償スイッチング素子を介して前記駆動トランジスタの前記制御端子に接続されるとともに、前記第２発光制御スイッチング素子を介して前記第２電源線に接続されており、
    前記表示制御回路は、前記駆動期間において前記第１および第２発光制御スイッチング素子がオフ状態のときに、前記対応するデータ信号線の電圧がデータ電圧として前記データ書込制御スイッチング素子と前記駆動トランジスタと前記閾値補償スイッチング素子とを介して前記データ保持キャパシタに書き込まれて保持されるように、前記データ側駆動回路および前記走査側駆動回路を制御する、請求項１２から１４のいずれか１項に記載の表示装置。
16. 前記駆動トランジスタと前記データ書込制御スイッチング素子と前記第１および第２発光制御スイッチング素子とは、低温ポリシリコンにより形成されたチャネル層を有する薄膜トランジスタであり、
    前記閾値補償スイッチング素子とバイアス制御スイッチング素子とは、酸化物半導体により形成されたチャネル層を有する薄膜トランジスタである、請求項１５に記載の表示装置。
17. 複数のデータ信号線と複数の第１走査信号線と複数の発光制御線と第１および第２電源線と複数の画素回路とを含む表示部を有する表示装置の駆動方法であって、
    前記表示部は、複数のバイアス制御線を更に含み、
    前記複数の画素回路のそれぞれは、
    前記複数のデータ信号線のいずれか１つに対応し、かつ、前記複数の第１走査信号線のいずれか１つに対応し、かつ、前記複数の発光制御線のいずれか１つに対応し、かつ、複数のバイアス制御線のいずれか１つに対応し、
    電流によって駆動される表示素子と、制御端子と第１導通端子と第２導通端子とを有し前記表示素子と直列に設けられた駆動トランジスタと、データ保持キャパシタと、対応する第１走査信号線に接続された制御端子を有し対応するデータ信号線の電圧の前記データ保持キャパシタへの書き込みを制御するデータ書込制御スイッチング素子と、対応する発光制御線に接続された制御端子を有する第１発光制御スイッチング素子と、バイアス供給回路とを含み、
    前記複数の画素回路のそれぞれにおいて、
    前記バイアス供給回路は、前記対応するデータ信号線の電圧に応じた電圧を保持するためのバイアス保持キャパシタと、対応するバイアス制御線に接続された制御端子を有し前記バイアス保持キャパシタに直列に接続されたバイアス制御スイッチング素子とを含み、
    前記駆動トランジスタの前記制御端子は、前記データ保持キャパシタを介して固定電圧線に接続されており、
    前記駆動トランジスタの前記第１導通端子は、前記第１発光制御スイッチング素子を介して前記第１電源線に接続されるとともに、前記バイアス制御スイッチング素子および前記バイアス保持キャパシタを介して固定電圧線に接続されており、
    前記駆動方法は、前記複数の画素回路に複数のデータ信号の電圧をデータ電圧として書き込むリフレッシュフレーム期間からなる駆動期間と前記複数の画素回路へのデータ電圧の書き込みを停止する非リフレッシュフレーム期間からなる休止期間とが交互に現れるように、前記複数のデータ信号線および前記複数の第１走査信号線を駆動する休止駆動ステップを備え、
    前記休止駆動ステップは、
    前記駆動期間において、前記第１発光制御スイッチング素子がオフ状態のときに前記対応するデータ信号線の電圧がデータ電圧として前記データ保持キャパシタに書き込まれて保持されるとともに当該データ電圧に応じた電圧が前記バイアス保持キャパシタに書き込まれて保持され、前記第１発光制御スイッチング素子がオン状態のときに前記データ保持キャパシタの保持電圧に応じた電流が前記表示素子に流れるように、前記複数のデータ信号を前記複数のデータ信号線に印加し、かつ、前記複数の第１走査信号線および前記複数のバイアス制御線を選択的に駆動するとともに前記複数の発光制御線を選択的に非活性化する駆動期間ステップと、
    前記休止期間において、前記第１発光制御スイッチング素子がオフ状態のときに前記バイアス保持キャパシタの保持電圧が前記駆動トランジスタの前記第１導通端子に印加され、前記第１発光制御スイッチング素子がオン状態のときに前記データ保持キャパシタの保持電圧に応じた電流が前記表示素子に流れるように、前記複数の第１走査信号線の駆動を停止して前記複数のバイアス制御線を選択的に駆動するとともに前記複数の発光制御線を選択的に非活性化する休止期間ステップとを含む、駆動方法。
18. 前記表示部は、複数のバイアス書込制御線を更に含み、
    前記複数の画素回路のそれぞれは、前記複数のバイアス書込制御線のいずれか１つに対応し、
    前記複数の画素回路のそれぞれにおいて、
    前記バイアス供給回路は、対応するバイアス書込制御線に接続された制御端子を有するバイアス書込制御スイッチング素子を更に含み、
    前記対応するデータ信号線は、前記バイアス書込制御スイッチング素子を介して、前記バイアス制御スイッチング素子と前記バイアス保持キャパシタとの接続点に接続されており、
    前記駆動期間ステップでは、前記駆動期間において前記第１発光制御スイッチング素子がオフ状態のときに、前記データ保持キャパシタに書き込まれるべき前記データ電圧に応じた電圧が前記バイアス書込制御スイッチング素子を介して前記バイアス保持キャパシタに書き込まれて保持されるように、前記複数のデータ信号が前記複数のデータ信号線に印加され、かつ、前記複数の第１走査信号線および前記複数のバイアス書込制御線が選択的に駆動されるとともに前記複数の発光制御線が選択的に非活性化され、
    前記休止期間ステップでは、前記休止期間において前記第１発光制御スイッチング素子がオフ状態のときに、前記バイアス保持キャパシタの保持電圧が前記バイアス制御スイッチング素子を介して前記駆動トランジスタの前記第１導通端子に印加されるように、前記複数の第１走査信号線の駆動が停止されて前記複数のバイアス制御線が選択的に駆動されるとともに前記複数の発光制御線が選択的に非活性化される、請求項１７記載の駆動方法。
19. 前記複数の画素回路のそれぞれにおいて、
    前記バイアス供給回路は、前記バイアス書込制御スイッチング素子に直列に接続された分圧用キャパシタを更に含み、
    前記対応するデータ信号線は、前記バイアス書込制御スイッチング素子および前記分圧用キャパシタを介して、前記バイアス制御スイッチング素子と前記バイアス保持キャパシタとの接続点に接続されており、
    前記駆動トランジスタの前記第１導通端子は、前記バイアス制御スイッチング素子を介して前記バイアス保持キャパシタと前記分圧用キャパシタとの接続点に接続されており、
    前記駆動期間ステップでは、前記駆動期間において前記第１発光制御スイッチング素子がオフ状態のときに、前記データ保持キャパシタに書き込まれるべき前記データ電圧に応じた電圧が前記バイアス書込制御スイッチング素子および前記分圧用キャパシタを介して前記バイアス保持キャパシタに書き込まれて保持されるように、前記複数のデータ信号が前記複数のデータ信号線に印加され、かつ、前記複数のバイアス制御線の駆動が停止されて前記複数の第１走査信号線および前記複数のバイアス書込制御線が選択的に駆動されるとともに前記複数の発光制御線が選択的に非活性化され
    前記休止期間ステップでは、前記休止期間において前記第１発光制御スイッチング素子がオフ状態のときに、前記バイアス保持キャパシタの保持電圧が前記バイアス制御スイッチング素子を介して前記駆動トランジスタの前記第１導通端子に印加されるように、前記複数の第１走査信号線および前記複数のバイアス書込制御線の駆動が停止されて前記複数のバイアス制御線が選択的に駆動されるとともに前記複数の発光制御線が選択的に非活性化される、請求項１８に記載の駆動方法。
20. 前記表示部は、複数の第２走査信号線を更に含み、
    前記複数の画素回路のそれぞれは、
    前記複数の第２走査信号線のいずれか１つに対応し、
    対応する第２走査信号線に接続された制御端子を有する閾値補償スイッチング素子と、前記対応する発光制御線に接続された制御端子を有する第２発光制御スイッチング素子とを更に含み、
    前記複数の画素回路のそれぞれにおいて、
    前記駆動トランジスタの前記第１導通端子は、前記データ書込制御スイッチング素子を介して前記対応するデータ信号線に接続され、
    前記駆動トランジスタの前記第２導通端子は、前記閾値補償スイッチング素子を介して前記駆動トランジスタの前記制御端子に接続されるとともに、前記第２発光制御スイッチング素子を介して前記第２電源線に接続されており、
    前記駆動期間ステップでは、前記駆動期間において前記第１および第２発光制御スイッチング素子がオフ状態のときに、前記対応するデータ信号線の電圧がデータ電圧として前記データ書込制御スイッチング素子と前記駆動トランジスタと前記閾値補償スイッチング素子とを介して前記データ保持キャパシタに書き込まれて保持されるように、前記複数のデータ信号が前記複数のデータ信号線に印加され、かつ、前記複数の第１走査信号線が選択的に駆動されるとともに前記複数の発光制御線が選択的に非活性化される、請求項１７から１９のいずれか１項に記載の駆動方法。

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