JP7502120B2 - 成膜装置及び成膜方法 - Google Patents
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Description
上記第1真空容器は、Al含有率が化学量論組成CuAl2のAl含有率よりも多い第1CuAl合金層を基板に成膜する。
上記第2真空容器は、Cu含有率が化学量論組成CuAl2のCu含有率よりも多い第2CuAl合金層を上記基板に成膜する。
ターゲット投入電力:0.48W/cm2
成膜時圧力:0.03Pa
基板温度:300℃
ターゲット投入電力:4.0W/cm2
成膜時圧力:0.03Pa
基板温度:20℃以上200℃以下
10、11…層間絶縁層
12…金属配線層
20…金属配線
20A、20C…CuAl合金層
25…η相
26…ピット
101…表面
102…開口
104…内壁
500…成膜装置
510…搬送室
511…搬送ロボット
520、521、522、523、524、525…真空容器
520s、521s、522s、523s…支持台
521t、522t…スパッタリングターゲット
530…ゲートバルブ
540…制御装置
Claims (10)
- Al含有率が化学量論組成CuAl2のAl含有率よりも多い第1CuAl合金層を基板に成膜する第1真空容器と、
Cu含有率が化学量論組成CuAl2のCu含有率よりも多い第2CuAl合金層を前記基板に成膜する第2真空容器と
を具備する成膜装置。 - 請求項1に記載された成膜装置であって、
前記第1真空容器には、前記基板を支持する第1支持台が設けられ、
前記第2真空容器には、前記基板を支持し、設定温度を前記第1支持台の設定温度よりも低く設定できる第2支持台が設けられた
成膜装置。 - 請求項1または2に記載された成膜装置であって、
前記第1真空容器及び前記第2真空容器で成膜処理された前記基板を加熱処理できるアニール室をさらに具備する
成膜装置。 - 請求項2に記載された成膜装置であって、
前記第1真空容器には、前記第1支持台に対向し、Al含有率が化学量論組成CuAl2のAl含有率よりも多い第1CuAl合金で形成された第1スパッタリングターゲットが設けられ、
前記第2真空容器には、前記第2支持台に対向し、Cu含有率が化学量論組成CuAl2のCu含有率よりも多い第2CuAl合金で形成された第2スパッタリングターゲットが設けられ、
前記第1スパッタリングターゲットと前記第1支持台との間の距離は、前記第2スパッタリングターゲットと前記第2支持台との間の距離よりも長く調整できる
成膜装置。 - Al含有率が化学量論組成CuAl2のAl含有率よりも多い第1CuAl合金層と、Cu含有率が化学量論組成CuAl2のCu含有率よりも多い第2CuAl合金層とを基板に成膜する際に、
前記第2CuAl合金層の成膜温度を前記第1CuAl合金層の成膜温度よりも低く設定して前記第1CuAl合金層及び前記第2CuAl合金層を前記基板に形成する
成膜方法。 - 請求項5に記載された成膜方法であって、
前記基板は、Low-k材を含み、前記第1CuAl合金層を前記基板に形成した後に、前記第2CuAl合金層を前記基板に形成する
成膜方法。 - 請求項5または6に記載された成膜方法であって、
前記基板を加熱しながら前記第1CuAl合金層を前記基板に形成し、
前記基板の温度が室温状態で前記第2CuAl合金層を前記基板に形成し、
前記基板に形成された、前記第1CuAl合金層及び前記第2CuAl合金層を加熱処理する
成膜方法。 - 請求項5~7のいずれか1つに記載された成膜方法であって、
前記基板は、複数の孔または複数のトレンチを有し、
前記複数の孔または前記複数のトレンチを前記第1CuAl合金層によって埋め、
前記第1CuAl合金層の上に前記第2CuAl合金層を形成する
成膜方法。 - 請求項5~8のいずれか1つに記載された成膜方法であって、
前記第1CuAl合金層の成膜源として、Al含有率が化学量論組成CuAl2のAl含有率よりも多い第1CuAl合金で形成された第1スパッタリングターゲットを用い、
前記第2CuAl合金層の成膜源として、Cu含有率が化学量論組成CuAl2のCu含有率よりも多い第2CuAl合金で形成された第2スパッタリングターゲットを用い、
前記第1スパッタリングターゲットと前記基板との間の距離を前記第2スパッタリングターゲットと前記基板との間の距離よりも長く設定して前記第1CuAl合金層及び前記第2CuAl合金層を前記基板に形成する
成膜方法。 - 請求項5~9のいずれか1つに記載された成膜方法であって、
前記第1CuAl合金層の少なくとも一部と前記第2CuAl合金層の少なくとも一部とを互いに拡散させた合金層を前記基板に形成した後に、
前記合金層の表面から前記合金層の少なくとも一部を化学的機械研磨で取り除く
成膜方法。
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