JP7490297B2 - ダイコーター検査装置及び方法 - Google Patents

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Description

[関連出願との相互参照]
本出願は、2020年7月14日付けの韓国特許出願第10-2020-0087147号に基づく優先権の利益を主張し、当該韓国特許出願の文献に開示された全ての内容が本明細書の一部として組み込まれる。
本発明は、ダイコーター検査装置及び方法に関し、より詳細には、ダイコーターのリップの位置を精密に測定してダイとシムの組立不良の有無を判断することができ、別途の検査ラインを設けることなく、ダイコーターが生産ラインに装着された状態で直ちに検査することができる、ダイコーター検査装置及び方法に関する。
一般に、二次電池の種類には、ニッケルカドミウム電池、ニッケル水素電池、リチウムイオン電池、リチウムイオンポリマー電池などがある。このような二次電池は、デジタルカメラ、ポータブルDVDプレイヤー(P‐DVD)、MP3プレイヤー(MP3P)、携帯電話、PDA、携帯型ゲーム機(Portable Game Device)、電動工具(Power Tool)、電動自転車(E‐bike)などの小型製品だけでなく、電気自動車やハイブリッド自動車などの高出力が要求される大型製品と、余剰発電電力や新再生可能エネルギーを貯蔵する電力貯蔵装置及びバックアップ用電力貯蔵装置にも適用されて用いられている。
このような二次電池を製造するために、まず、電極活物質スラリーを正極集電体及び負極集電体に塗布して正極及び負極を製造し、これを分離膜(Separator)の両側に積層することにより所定形状の電極組立体(Electrode Assembly)を形成する。次に、電池ケースに電極組立体を収納し、電解質を注入した後にシールする。
正極及び負極などの電極は、電極集電体に電極活物質とバインダー及び可塑剤を混合したスラリーを正極集電体及び負極集電体などの電極集電体に塗布し、その後これを乾燥してプレスすることにより製造することができる。このようなスラリーを電極集電体に塗布するために、ダイコーター(Die Coater)を用いる。
一般に、ダイコーターは、第1ダイ、シム及び第2ダイを含み、第1ダイと第2ダイとの間にシムを介在した状態で、第1ダイと第2ダイとを組み立てて形成することができる。ここで、第1ダイと第2ダイとの間に第3ダイがさらに含まれてもよく、このような場合は、第1ダイと第3ダイとの間に第1シムが介在し、第2ダイと第3ダイとの間に第2シムが介在するようにしてもよい。すなわち、ダイコーターには様々な数のダイ及びシムを含めることができる。
このようなダイコーターは、前記スラリーなどが吐出される吐出口の間隔が非常に狭い。よって、組立公差などによりこのような間隔が設計された間隔とは異なる間隔になると、電極集電体などに塗布されるスラリーなどの量も設計値と大きく異なる量になる。そうなると、生産された電極の品質が設計された品質とは異なる品質になることがある。
あるいは、ダイコーターは、一度組み立てられた後も、長期的に使用すると内部洗浄などのためにダイとシムとを分解してから再び再組立することができる。ところで、このような過程で、第1ダイの第1リップ、シムのガイド及び第2ダイの第2リップの位置が定位置から外れることもある。そうなると、同一のダイコーターを用いて電極を製造しても、再組立前後の電極の品質が異なることもある。
よって、このような組立公差などを低減するために、従来は、使用者が直接マイクロメーターをダイコーターのリップに接触させて第1リップ、シム及び第2リップの高さやこれらの間隔などを測定していた。しかし、このようなリップ間の吐出口の間隔が非常に狭いので、使用者がこれを直接接触させて測定することが容易でなく、測定する使用者毎に測定される結果も異なり、誤差がさらに大きくなるという問題もあった。
韓国公開特許第10-2013-0128912号公報
本発明が解決しようとする課題は、ダイコーターのリップの位置を精密に測定してダイとシムの組立不良の有無を判断することができ、別途の検査ラインを設けることなく、ダイコーターが生産ラインに装着された状態で直ちに検査することができる、ダイコーター検査装置及び方法を提供することにある。
本発明の課題は、上記で言及されている課題に限定されるものではなく、言及されていない他の課題は、以下の記載から当業者に明確に理解されるであろう。
上記課題を解決するための本発明の実施形態によるダイコーター検査装置は、第1ダイ、第2ダイ、及び前記第1ダイと前記第2ダイとの間に形成されたシムを含むダイコーターを検査する装置において、前記ダイコーターの厚さ方向に移動しながら前記ダイコーターのリップ又は前記シムを検査するセンサモジュールと、前記センサモジュールの動作を制御する制御部と、前記リップ又は前記シムの厚さに関する基準データが保存されている保存部とを含み、前記センサモジュールは、前記リップの位置を検知する位置検知センサと、前記リップ又は前記シムの高さを測定する距離検知センサとを含み、前記制御部は、前記センサモジュールが前記ダイコーターの厚さ方向に移動する毎に前記センサモジュールの座標値を認識する第1エンコーダと、前記位置検知センサが送信する信号を受信する受信部と、前記受信部が受信する信号に基づいて、前記リップ又は前記シムの位置を判断する判断部と、前記リップ又は前記シムの位置及び前記座標値に基づいて演算して前記リップの座標値又は前記シムの座標値を導出する演算部とを含む。
また、前記位置検知センサは、前記リップのエッジを検知すると、前記受信部に送信する信号を第1信号から第2信号に変更するようにしてもよい。
さらに、前記第1エンコーダは、前記第1信号が前記第2信号に変更されると、前記センサモジュールの座標値を前記エッジの座標値として認識するようにしてもよい。
さらに、前記保存部は、前記第1エンコーダが認識した前記エッジの座標値を保存するようにしてもよい。
さらに、前記判断部は、前記受信部が前記第2信号を受信すると、前記エッジを境にして前記リップ又は前記シムの位置を判断するようにしてもよい。
さらに、前記演算部は、前記リップ又は前記シムの厚さに関する基準データを前記保存部からロードし、前記リップ又は前記シムの位置を反映して前記エッジの座標値と前記リップ又は前記シムの厚さに関する基準データを演算することにより、前記リップ又は前記シムの座標値を導出するようにしてもよい。
さらに、前記演算部は、前記エッジの座標値に、前記リップ又は前記シムの厚さの半分を演算し、前記リップ又は前記シムの座標値を導出するようにしてもよい。
さらに、前記保存部は、導出された前記リップ又は前記シムの座標値を保存するようにしてもよい。
さらに、前記センサモジュールは、導出された前記リップ又は前記シムの座標値に対応する位置に移動するようにしてもよい。
さらに、前記距離検知センサは、前記リップ又は前記シムの座標値に対応する位置で、前記リップ又は前記シムの高さを測定するようにしてもよい。
さらに、前記保存部は、前記リップ又は前記シムの高さの測定データを保存するようにしてもよい。
さらに、前記保存部は、前記リップ又は前記シムの高さに関する基準データが保存されているようにしてもよい。
さらに、前記判断部は、前記リップ又は前記シムの高さの測定データと、前記リップ又は前記シムの高さに関する基準データとを比較し、不良の有無を判断するようにしてもよい。
上記課題を解決するための本発明の実施形態によるダイコーターは、第1ダイ、第2ダイ、及び前記第1ダイと前記第2ダイとの間に形成されたシムを含むダイコーターを検査する方法において、位置検知センサを含むセンサモジュールが移動するステップと、前記位置検知センサが前記ダイコーターのリップのエッジを検知するステップと、前記エッジの座標値を認識するステップと、前記エッジの座標値と前記リップ又は前記シムの厚さに関する基準データを演算し、前記リップ又は前記シムの座標値を導出するステップと、前記センサモジュールが前記リップ又は前記シムの座標値に対応する位置に移動するステップと、前記センサモジュールに含まれる距離検知センサが前記リップ又は前記シムの高さを測定するステップと、前記リップ又は前記シムの高さの測定データを保存部に保存するステップと、前記リップ又は前記シムの高さの測定データに基づいて前記ダイコーターの不良の有無を判断するステップとを含む。
また、前記センサモジュールは、前記位置検知センサ及び前記距離検知センサが互いに前記ダイコーターの長さ方向に並んで配置されるようにしてもよい。
さらに、前記位置検知センサは、光ファイバセンサ、フォトセンサ、近接センサ及びビジョンセンサのうち少なくとも1つを含み、前記距離検知センサは、レーザ変位センサ及び超音波変位センサのうち少なくとも一方を含むようにしてもよい。
さらに、前記シムは、前記第1ダイと前記第2ダイとの間の内部空間を複数に分離する少なくとも1つのガイドと、前記ガイドの端部を連結し、前記ダイコーターの長さ方向に延設されるベースとを含むようにしてもよい。
さらに、前記センサモジュールが移動するステップにおいて、前記位置検知センサは、前記ガイドが存在しない第1経路を移動し、前記距離検知センサは、前記ガイドが存在する第2経路を移動するようにしてもよい。
さらに、前記センサモジュールは、前記第1ダイから前記第2ダイに向かう方向に移動するようにしてもよい。
さらに、前記センサモジュールが移動するステップにおいて、前記センサモジュールが移動する毎に第1エンコーダが前記センサモジュールの座標値を認識するようにしてもよい。
さらに、前記エッジの座標値を認識するステップの前に、前記位置検知センサが送信する信号を第1信号から第2信号に変更するステップをさらに含むようにしてもよい。
さらに、前記エッジの座標値を認識するステップは、前記第2信号を受信すると、前記第1エンコーダが前記センサモジュールの座標値を前記エッジの座標値として認識するようにしてもよい。
さらに、前記エッジの座標値を認識するステップにおいて、前記エッジの座標値を前記保存部に保存するようにしてもよい。
さらに、前記リップ又は前記シムの厚さに関する基準データが前記保存部に保存されているようにしてもよい。
さらに、前記リップ又は前記シムの座標値を導出するステップは、前記リップ又は前記シムの厚さに関する基準データをロードするステップと、前記エッジの座標値に、前記リップ又は前記シムの厚さの半分を演算し、前記リップ又は前記シムの座標値を導出するステップとを含むようにしてもよい。
さらに、前記リップ又は前記シムの座標値を導出するステップにおいて、前記リップ又は前記シムの座標値を前記保存部に保存するようにしてもよい。
さらに、前記リップ又は前記シムの高さに関する基準データが前記保存部に保存されているようにしてもよい。
さらに、前記ダイコーターの不良の有無を判断するステップは、前記リップ又は前記シムの高さに関する基準データをロードするステップと、前記リップ又は前記シムの高さの測定データと、前記リップ又は前記シムの高さに関する基準データとを比較し、不良の有無を判断するようにしてもよい。
本発明のその他の具体的な事項は詳細な説明及び図面に含まれている。
本発明の実施形態によれば、少なくとも次のような効果がある。
ダイコーター検査装置がリップ及びシムの位置及び高さを自動で検知することができるので、検査が容易であり、使用者毎に測定される結果が異なって誤差が大きくなる問題を防止することができる。
本発明による効果は、以上で例示された内容に限定されるものではなく、さらに様々な効果が本明細書に含まれている。
本発明の一実施形態によるダイコーター2及びダイコーター検査装置1の斜視図である。 本発明の一実施形態によるダイコーター2の組立図である。 本発明の一実施形態によるダイコーター検査方法のフローチャートである。 本発明の一実施形態によるダイコーター2のリップ22を拡大した側面拡大図である。 本発明の一実施形態によるダイコーター検査装置1のブロック図である。 本発明の一実施形態によるダイコーター2のリップ22を拡大した上面拡大図である。 本発明の他の実施形態によるダイコーター2a及びダイコーター検査装置1aの斜視図である。 本発明のさらに他の実施形態によるダイコーター2b及びダイコーター検査装置1の斜視図である。 本発明のさらに他の実施形態によるダイコーター2及びダイコーター検査装置1cの斜視図である。 本発明のさらに他の実施形態によるダイコーター2及びダイコーター検査装置1dの斜視図である。 本発明のさらに他の実施形態によるダイコーター2及びダイコーター検査装置1eの斜視図である。
本発明の利点及び特徴、並びにそれらを達成する方法は、添付の図面と共に詳細に後述する実施形態を参照すれば明らかになるものである。しかし、本発明は、以下に開示される実施形態に限定されるものではなく、異なる様々な形態で実現することができ、本実施形態は、単に本発明の開示を完全にし、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者に発明のカテゴリーを完全に理解させるために提供されるものであり、本発明は、特許請求の範囲によってのみ定義されるものである。明細書全体にわたって、同一の参照符号は同一の構成要素を示す。
他の定義がなければ、本明細書において用いられる全ての用語(技術的用語及び科学的用語を含む)は、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者に共通に理解される意味で用いられるものである。また、一般的に用いられる辞書に定義されている用語は、明らかに特に定義されていない限り、理想的に又は過度に解釈されない。
本明細書において用いられる用語は、実施形態を説明するためのものであり、本発明を限定するものではない。本明細書において、単数型には、特に断らない限り複数型も含まれる。本明細書において用いられる「含む」は、言及された構成要素の他に1つ以上の他の構成要素の存在又は追加を排除しない。
以下、添付図面を参照して、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。
図1は本発明の一実施形態によるダイコーター2及びダイコーター検査装置1の斜視図である。
本発明の一実施形態によれば、ダイコーター検査装置1がダイコーター2の第1ダイ211の一面に形成されるので、使用者が直接測定したり別途セッティングする必要がなく、リップ22(図4に示す)の高さや間隔などの測定が容易であり、誤差を低減してダイ21とシム23(図2に示す)との組立不良の有無を正確に判断することができる。また、ダイコーター2を別途の検査ラインに移動させる必要がなく、ダイコーター2が生産ラインに装着された状態で直ちにダイコーター2を検査することができるので、検査時間を短縮して生産効率を向上させることもできる。さらに、ダイコーター検査装置1がリップ22及びシム23の位置及び高さを自動で検知することができるので、検査が容易であり、使用者毎に測定される結果が異なって誤差が大きくなる問題を防止することができる。
このために、本発明の一実施形態によるダイコーター検査装置1は、第1ダイ211(図2に示す)、第2ダイ212(図2に示す)、及び第1ダイ211と第2ダイ212との間に形成されたシム23を含むダイコーター2を検査する装置において、第1ダイ211の一面に、ダイコーター2の長さ方向に長く固定されて形成されるレール11と、レール11に沿って移動しながらダイコーター2のリップ22又はシム23を検査する少なくとも1つのセンサアセンブリ12とを含み、センサアセンブリ12は、レール11に沿ってダイコーター2の長さ方向に移動する移動部121と、移動部121に連結され、ダイコーター2の厚さ方向に移動しながらダイ21のリップ22又はシム23を検査するセンサモジュール122とを含む。
なお、本発明の一実施形態によるダイコーター2は、外部にスラリーを供給する第1ダイ211及び第2ダイ212と、第1ダイ211と第2ダイ212との間に形成されたシム23とを含み、第1ダイ211の一面には、レール11が長さ方向に長く固定されて形成される。また、レール11に沿って移動しながらリップ22又はシム23を検査する少なくとも1つのセンサアセンブリ12と、センサアセンブリ12の動作を制御する制御部13とをさらに含み、センサアセンブリ12は、レール11に沿って長さ方向に移動する移動部121と、移動部121に連結され、厚さ方向に移動しながらリップ22を検査するセンサモジュール122とを含んでもよい。
レール11は、ダイコーター2の長さ方向に長く形成される。また、センサアセンブリ12の移動部121がレール11に沿って移動する。このようなレール11は、第1ダイ211の一面に固定されて形成されるので、ダイコーター2とレール11とが分離したり互いに対して位置がずれたりしにくくなる。よって、使用者がダイコーター2のリップ22を直接測定したり、センサを別途セッティングする必要がないので、センサアセンブリ12がダイコーター2の吐出口側に形成されたリップ22又はシム23を容易に検査することができる。さらに、使用者毎に測定される結果が異なることがないので、誤差を低減してダイ21とシム23との組立不良の有無を正確に判断することができる。本発明の一実施形態によれば、レール11がボルトやリベットなどの別途の結合部(図示せず)により第1ダイ211の一面に結合されて形成されてもよいが、これに限定されるものではなく、様々な方法で第1ダイ211の一面に結合することができる。
センサアセンブリ12は、レール11に沿ってダイコーター2の長さ方向に移動する移動部121と、移動部121に連結されてダイ21のリップ22又はシム23を検査するセンサモジュール122とを含む。
移動部121は、レール11に沿ってダイコーター2の長さ方向に移動し、特にレール11に沿ってスライド移動するようにしてもよい。このために、レール11と移動部121とは、スライド結合されてもよく、さらには、レール11と移動部121との少なくとも一方に車輪又はローラが形成されてもよい。
センサモジュール122は、ダイコーター2の厚さ方向に移動しながらリップ22又はシム23を検査するようにしてもよい。前述したように、組立公差などによりリップ22又はシム23の高さや位置が設計値とは異なる値になると、生産された電極の品質が設計された品質とは異なる品質になることがある。このため、センサモジュール122は、リップ22又はシム23の高さを測定し、その組立公差の大きさに基づいてダイコーター2の不良の有無を検査することができる。センサモジュール122は、移動部121に連結され、移動部121がレール11に沿って移動すると共にダイコーター2の長さ方向にも移動する。よって、ダイ21のリップ22又はシム23の直進度を検査することもできる。また、センサモジュール122がダイコーター2のリップ22又はシム23を検査する際に、移動部121がレール11に沿って移動しながら複数の位置でリップ22又はシム23を検査することができる。
本発明の一実施形態によれば、センサモジュール122は、非接触式センサを含み、リップ22又はシム23の高さを測定する。よって、使用者が直接リップ22に接触させる必要がなく、誤差が生じる問題を防止することができる。また、センサモジュール122が含まれるセンサアセンブリ12はレール11に沿って移動し、レール11は第1ダイ211の一面に固定されて形成されるので、センサモジュール122がダイコーター2から分離されない。よって、ダイコーター2を別途の検査ラインに移して測定した後に再び生産ラインに移す過程を行う必要がなく、ダイコーター2が生産ラインに装着された状態で直ちにダイコーター2を検査することができるので、検査時間を短縮して生産効率を向上させることもできる。このようなセンサモジュール122の詳細については後述する。
図2は本発明の一実施形態によるダイコーター2の組立図である。
ダイコーター2は、外部からスラリーの提供を受けて前記スラリーを外部に供給し、電極集電体などの基材に所定方向に長く連続的に塗布する。このために、本発明の一実施形態によるダイコーター2は、図2に示すように、外部にスラリーを供給する第1ダイ211及び第2ダイ212と、第1ダイ211と第2ダイ212との間に形成されたシム23とを含み、第1ダイ211の一面には、レール11が長さ方向に長く固定されて形成される。よって、ダイコーター2とレール11とが分離したり互いに対して位置がずれたりしにくくなる。
ダイ21は、外部から提供されるスラリーを電極集電体などの基材の少なくとも一面に塗布する。ここで、図2に示すように、ダイ21は、2つからなり、ダイコーター2は、第1ダイ211と第2ダイ212との間に1つのシム23を介在した状態で、第1ダイ211と第2ダイ212とを組み立てて形成することができる。ただし、これに限定されるものではなく、ダイコーター2は、第1ダイ211と第2ダイ212との間に第3ダイ213(図4に示す)をさらに含んでもよく、このような場合は、第1ダイ211と第3ダイ213との間に第1シム233(図4に示す))が介在し、第2ダイ212と第3ダイ213との間に第2シム234(図4に示す)が介在するようにしてもよい。すなわち、ダイコーター2に含まれるダイ21及びシム23は、個数に制限がなく、様々にすることができる。
第1ダイ211及び第2ダイ212は、図2に示すように、互いに対称となるエッジ錐台形状を有し、エッジ錐台の底面に対応する第1ダイ211及び第2ダイ212の一面が互いに対向して組み立てられる。また、第1ダイ211及び第2ダイ212の少なくとも一方には、外部からスラリーが供給される供給孔(図示せず)が形成される。このような供給孔を介して外部から供給されたスラリーは、第1ダイ211及び第2ダイ212の内部に形成された内部空間(図示せず)に貯蔵される。
ダイコーター2が第3ダイ213をさらに含む場合、第3ダイ213は、薄い矩形プレート形状を有するようにしてもよい。また、シム23も、2つからなり、第1ダイ211と第3ダイ213との間に第1シム233が介在し、第2ダイ212と第3ダイ213との間に第2シム234が介在する。このような場合は、第1ダイ211と第2ダイ212の両方に供給孔(図示せず)が形成されてもよく、また、第1ダイ211及び第3ダイ213の内部には第1内部空間(図示せず)が形成され、第2ダイ212及び第3ダイ213の内部には第2内部空間(図示せず)が形成されてもよい。よって、それぞれの供給孔を介して外部から供給されたスラリーは、第1内部空間及び第2内部空間にそれぞれ貯蔵される。
ダイコーター用シム(Shim)23は、第1ダイ211と第2ダイ212との間の内部空間を複数に分離する少なくとも1つのガイド231と、ガイド231の端部を連結するベース232とを含む。ベース232は、少なくとも1つのガイド231の端部を連結することにより、複数のガイド231を支持する。また、このような少なくとも1つのガイド231の端部から一側方、特にダイコーター2の長さ方向に延設される。よって、ベース232は、単純な矩形形状に形成されてもよいが、これに限定されるものではなく、スラリーの塗布量を調節するために様々な形状を有することができる。
少なくとも1つのガイド231は、それぞれ所定の幅を有し、互いに平行に形成される。また、ダイ21の内部には、スラリーを貯蔵する内部空間が形成され、ガイド231は、このような内部空間を複数に分離する。前記内部空間に貯蔵されたスラリーは、ガイド231に沿ってダイコーター2の内部で流動し、吐出口を介して外部に吐出される。このような吐出口は、薄く長く形成され、ダイコーター2と基材とが一定の速度で相対的に移動することにより、スラリーが基材に広く均一に塗布される。
スラリーが吐出口を介して吐出されて基材に塗布されると、ガイド231により、基材の一部分にスラリーが塗布されていない未塗布部が形成されるようになる。よって、基材には、スラリーの塗布部及び未塗布部がどちらも所定の幅を有して一方向に長く形成されるストライプ(Stripe)パターンで形成されるようになる。塗布部及び未塗布部をこのようなストライプパターンで形成することにより、追って使用者が電極を適当な大きさに切断する際に未塗布部が電極タブになるので、電極タブを製造することが容易である。また、塗布部及び未塗布部の幅を調節することにより、電極を切断する際に電極及び電極タブの大きさも調節することができる。
以下、本発明の一実施形態によるダイコーター2として、ダイ21が3つ、シム23が2つであるものを説明する。ただし、これは説明の便宜のためのものであり、権利範囲を制限するためのものではない。
図3は本発明の一実施形態によるダイコーター検査方法のフローチャートである。
前述したダイコーター検査装置1を用いる本発明の一実施形態によるダイコーター検査方法は、第1ダイ211、第2ダイ212、及び第1ダイ211と第2ダイ212との間に形成されたシム23を含むダイコーター2を検査する方法において、位置検知センサ1221を含むセンサモジュール122が移動するステップと、位置検知センサ1221がダイコーター2のリップ22のエッジを検知するステップと、前記エッジの座標値を認識するステップと、前記エッジの座標値とリップ22又はシム23の厚さl1~l5(図6に示す)に関する基準データを演算し、リップ22又はシム23の座標値を導出するステップと、センサモジュール122がリップ22又はシム23の座標値に対応する位置に移動するステップと、センサモジュール122に含まれる距離検知センサ1222がリップ22又はシム23の高さを測定するステップと、リップ22又はシム23の高さの測定データを保存部14に保存するステップと、リップ22又はシム23の高さの測定データに基づいてダイコーター2の不良の有無を判断するステップとを含む。
以下、図3のフローチャートに示す各ステップについて図4~図6を参照して具体的に説明する。
図4は本発明の一実施形態によるダイコーター2のリップ22を拡大した側面拡大図である。
前述したように、センサモジュール122は、ダイコーター2の厚さ方向に移動しながらリップ22又はシム23を検査することができる。本発明の一実施形態によれば、このようなセンサモジュール122は、リップ22の位置を検知する位置検知センサ1221と、リップ22又はシム23の高さを測定する距離検知センサ1222とを含む。
位置検知センサ1221は、センサモジュール122がダイコーター2の厚さ方向に移動する際に、リップ22の位置を検知し、特にリップ22のエッジを検知することにより、リップ22の位置を検知することができる。このような位置検知センサ1221は、光ファイバセンサ、フォトセンサ、近接センサ及びビジョンセンサのうち少なくとも1つを含むようにしてもよい。
特に、光ファイバセンサ(Fiber Optic Sensor)は、ガラス繊維を用いて製作され、近接した物体を非接触で検知するセンサである。このような光ファイバセンサは、ガラス繊維自体が光を検知することもでき、別途の素子が光を取り入れるとそれに対する信号をガラス繊維ケーブルが伝達することもできる。光ファイバセンサは、一般的なフォトセンサとは異なり、レンズを除去することができるので、超小型に製作することができ、狭い場所にも容易に設置することができる。このような光ファイバセンサとしては、OTDR(Optical Time Domain Reflectometry)、OFDR(Optical Frequency Domain Reflectometry)、BOTDA(Brillouin Optical Time Domain Analysis)、BOCDA(Brillouin Optical Corelation Domain Analysis)などの方式のものがある。
図4に示すように、一般に、ダイコーター2がスラリーを塗布するコーティングの対象となる基材(図示せず)は、平面に取り付けられてもよいが、図4に示すように、ローラ3に取り付けられて通過するようにしてもよい。ここで、基材自体の厚さを無視できれば、ダイ21のリップ22と前記基材との間隔gが約10cmである。センサモジュール122の高さhがこのようなリップ22と前記基材との間隔gより小さい場合、ダイコーター2が生産ラインに装着された状態でもセンサモジュール122がダイコーター2の厚さ方向に移動することができる。これにより、ダイコーター2を別途の検査ラインに移して測定した後に再び生産ラインに移す過程を行う必要がなく、ダイコーター2が生産ラインに装着された状態で直ちにダイコーター2を検査することができる。よって、本発明の一実施形態によれば、センサモジュール122の高さhは、リップ22とコーティングの対象となる基材との間隔gより小さく、約8cmより小さくしてもよい。また、センサモジュール122は、リップ22とコーティングの対象となる基材との間で、他の構成に接触したり干渉されたりすることなく移動することが好ましい。よって、これを調節するために、本発明の一実施形態による移動部121は、センサアセンブリ12をダイコーター2の幅方向に移動させるロッドを含んでもよい。
本発明の一実施形態による位置検知センサ1221は、超小型に製作することができ、非接触式でリップ22の位置を検知し、センサモジュール122が移動する途中でもリップ22の位置を迅速かつ正確に検知しなければならない。このために、本発明の一実施形態による位置検知センサ1221は、光ファイバセンサであることが好ましい。特に、ダイ21の内部にはセンサを別途設置することができないので、投光部と受光部が別途形成されるのではなく、どちらも1つのセンサ本体に形成された反射型センサであることが好ましい。
距離検知センサ1222は、追ってリップ22又はシム23の座標値を導出すると、リップ22又はシム23の座標値に対応する位置で、リップ22又はシム23の高さを測定する。このような距離検知センサ1222としては、一般的な反射型変位センサを用いてもよく、レーザ変位センサ及び超音波変位センサの少なくとも一方を含むようにしてもよい。
特に、レーザ変位センサは、レーザ送信部がレーザを送信すると、該当物体に反射して戻って受信するまでの所要時間を用いて特定の距離を測定する。本発明の一実施形態による距離検知センサ1222は、レーザ変位センサであることが好ましい。
図5は本発明の一実施形態によるダイコーター検査装置1のブロック図である。
本発明の一実施形態によるダイコーター検査装置1は、第1ダイ211、第2ダイ212、及び第1ダイ211と第2ダイ212との間に形成されたシム23を含むダイコーター2を検査する装置において、ダイコーター2の厚さ方向に移動しながらダイコーター2のリップ22又はシム23を検査するセンサモジュール122と、センサモジュール122の動作を制御する制御部13と、リップ22又はシム23の厚さl1~l5(図6に示す)に関する基準データが保存されている保存部14とを含み、センサモジュール122は、リップ22の位置を検知する位置検知センサ1221と、リップ22又はシム23の高さを測定する距離検知センサ1222とを含み、制御部13は、センサモジュール122がダイコーター2の厚さ方向に移動する毎にセンサモジュール122の座標値を認識する第1エンコーダ131と、位置検知センサ1221が送信する信号を受信する受信部132と、リップ22又はシム23の位置を判断する判断部133と、前記座標値に基づいて演算してリップ22の座標値又はシム23の座標値を導出する演算部134とを含む。
制御部13は、センサアセンブリ12から信号を受信すると、それに応じてセンサアセンブリ12の動作、すなわちセンサモジュール122及び移動部121の動作を制御し、リップ22又はシム23の座標値を演算し、リップ22又はシム23の高さに基づいてダイコーター2の不良の有無を判断する。このような制御部13は、第1エンコーダ131、受信部132、判断部133及び演算部134を含む。制御部13としては、CPU(Central Processing Unit)、MCU(Micro Controller Unit)又はDSP(Digital Signal Processor)などを使用することが好ましいが、これらに限定されるものではなく、様々な論理演算プロセッサを使用することができる。
保存部14は、ダイコーター検査装置1の動作を処理及び制御するためのプログラムと、各プログラムの実行中に発生する各種データ又は受信された信号などを保存する。このような保存部14には、リップ22又はシム23の厚さl1~l5に関する基準データが保存されており、リップ22又はシム23の高さに関する基準データも保存されている。また、保存部14は、第1エンコーダ131がエッジの座標値を認識すると、認識したエッジの座標値を保存し、追って演算部134がリップ22又はシム23の座標値を導出すると、そのリップ22又はシム23の座標値を保存し、距離検知センサ1222がリップ22又はシム23の高さを測定すると、そのリップ22又はシム23の高さの測定データも保存する。このような保存部14は、ダイコーター検査装置1に内蔵されてもよいが、別途の保存サーバとして設けられてもよい。保存部14は、不揮発性メモリ装置及び揮発性メモリ装置を含む。不揮発性メモリ装置は、体積が小さく、軽く、外部の衝撃に強いNANDフラッシュメモリであり、揮発性メモリ装置は、DDR SDRAMであることが好ましい。
第1エンコーダ131は、センサモジュール122がダイコーター2の厚さ方向に移動する毎にセンサモジュール122の座標値を認識する。第1エンコーダ131は、センサモジュール122の座標値をリアルタイムで認識することが好ましく、このとき、センサモジュール122の移動量を検知して座標に換算することにより認識することができる。このような座標値は、任意に選定された基準から測定された相対的な座標であってもよい。そして、追って、位置検知センサ1221が受信部132に送信する第1信号が第2信号に変更されると、位置検知センサ1221がリップ22のエッジを検知したものであるので、そのときのセンサモジュール122の座標値を前記エッジの座標値として認識することができる。
受信部132は、位置検知センサ1221が送信する信号を受信する。位置検知センサ1221は、リップ22のエッジを検知すると、受信部132に送信する第1信号を第2信号に変更する。よって、リップ22のエッジを検知したか否かを制御部13に通知することができる。
判断部133は、受信部132が受信する信号に基づいて、前記エッジを境にしてリップ22又はシム23の位置を判断する。すなわち、エッジを基準として、センサモジュール122の前方にリップ22が位置するか、又はシム23が位置するか、また、センサモジュール122の後方にリップ22が位置するか、又はシム23が位置するかを判断する。ここで、前方とは、センサモジュール122が移動する方向を示し、後方とは、センサモジュール122が移動する方向とは反対方向を示す。また、追って距離検知センサ1222がリップ22又はシム23の高さを測定すると、リップ22又はシム23の高さの測定データと、リップ22又はシム23の高さに関する基準データとを比較し、不良の有無を判断する。
演算部134は、リップ22又はシム23の位置及び前記座標値に基づいて演算してリップ22の座標値又はシム23の座標値を導出する。具体的には、リップ22又はシム23の厚さl1~l5に関する基準データを保存部14からロードし、リップ22又はシム23の位置を反映して前記エッジの座標値とリップ22又はシム23の厚さl1~l5に関する基準データを演算することにより、リップ22又はシム23の座標値を導出する。特に、演算部134は、エッジの座標値に、リップ22又はシム23の厚さl1~l5の半分を演算することにより、リップ22又はシム23の座標値を導出することができる。ここで、リップ22又はシム23の位置に応じて前記演算が異なる。もし、エッジを基準として、リップ22がセンサモジュール122の前方に、シム23がセンサモジュール122の後方に位置する場合、演算部134は、エッジの座標値にリップ22の厚さl1~l3の半分を加えてリップ22の座標値を導出する。そして、エッジの座標値からシム23の厚さl4~l5の半分を引いてシム23の座標値を導出する。
制御部13は、第2エンコーダ135をさらに含んでもよい。第2エンコーダ135は、移動部121がレール11に沿ってダイコーター2の長さ方向に移動する毎に移動部121の座標値を認識する。前述したように、センサモジュール122は、移動部121に連結され、移動部121がレール11に沿って移動すると共にダイコーター2の長さ方向にも移動する。よって、ダイ21のリップ22又はシム23の直進度を検査することもできる。このとき、第2エンコーダ135が移動部121の座標値を認識し、直進度の不良が発生した位置の座標値を認識することもできる。あるいは、シム23のガイド231が存在する部分の座標値及び存在しない部分の座標値に関するデータをロードし、自動で該当座標に移動してセンサモジュール122がリップ22又はシム23の組立公差などを検査することができる。このような第2エンコーダ135は、移動部121の座標値をリアルタイムで認識することが好ましく、このとき、移動部121の移動量を検知して座標に換算することにより認識することができる。このような座標値は、任意の基準から測定された相対的な座標であってもよい。
これまで述べたセンサアセンブリ12、制御部13及び保存部14の各構成要素は、メモリ上の所定領域で実行されるタスク、クラス、サブルーチン、プロセス、オブジェクト、実行スレッド、プログラムなどのソフトウェア(software)や、FPGA(field‐programmable gate array)、ASIC(application‐specific integrated circuit)などのハードウェア(hardware)として実現されるようにしてもよく、また、前記ソフトウェア及びハードウェアの組み合わせからなるようにしてもよい。上記構成要素は、コンピュータ可読記憶媒体に含まれてもよく、複数のコンピュータにその一部が分散して分布してもよい。
なお、各ブロックは、特定された論理的機能を実行するための1つ以上の実行可能なインストラクションを含む、モジュール、セグメント又はコードの一部を示すことができる。また、幾つかの代替実行例においては、ブロックに示す機能が順序から外れて発生することも可能である。例えば、連続して示す2つのブロックは、実際には実質的に同時に実行されることも可能であり、それらのブロックが時として該当機能に応じて逆順で実行されることも可能である。
図6は本発明の一実施形態によるダイコーター2のリップ22を拡大した上面拡大図である。
前述したダイコーター検査装置1を用いてダイコーター検査方法を行うためには、まず、センサモジュール122がダイコーター2の厚さ方向に移動する(S301)。このようなセンサモジュール122は、図6に示すように、第1ダイ211から第2ダイ212に向かう方向に移動することができる。
センサモジュール122は、位置検知センサ1221及び距離検知センサ1222を含み、このような位置検知センサ1221及び距離検知センサ1222は、図6に示すように、互いにダイコーター2の長さ方向に並んで配置されてもよい。また、前述したように、本発明の一実施形態によるダイコーター用シム23は、少なくとも1つのガイド231を含む。さらに、センサモジュール122は、このようなガイド231を通過するように移動し、このとき、センサモジュール122の位置検知センサ1221は、ガイド231が存在しない第1経路R1に沿って移動し、センサモジュール122の距離検知センサ1222は、ガイド231が存在する第2経路R2に沿って移動することができる。よって、位置検知センサ1221は、リップ22が存在するか否かによってリップ22のエッジを認識することができ、距離検知センサ1222は、リップ22の高さ又はシム23の高さを測定することができる。ここで、シム23の高さとは、シム23のガイド231の高さであることが好ましい。
センサモジュール122がダイコーター2の厚さ方向に移動する途中で、位置検知センサ1221がリップ22のエッジを検知する(S302)。すると、位置検知センサ1221は、制御部13の受信部132に送信する信号を第1信号から第2信号に変更する。
光ファイバセンサ又はフォトセンサには反射型センサと投受光型センサがある。反射型センサは、投光部と受光部がどちらも1つのセンサ本体に形成され、物体を検知すると受光部に光が受信されるセンサである。また、投受光型センサは、投光部と受光部が別々に別途設けられて互いに対向して設置され、受光部が光を受信している状態で物体を検知すると受光部に受信していた光が遮断されるセンサである。前述したように、ダイ21の内部にはセンサを別途設置することができないので、本発明の一実施形態による位置検知センサ1221は、反射型センサであることが好ましい。
一方、第1エンコーダ131は、センサモジュール122が移動する毎にセンサモジュール122の座標値を認識する。制御部13の受信部132が位置検知センサ1221から前記第2信号を受信すると、そのとき、第1エンコーダ131は、センサモジュール122の座標値をエッジの座標値として認識する(S303)。そして、保存部14は、前記エッジの座標値を保存する。
例えば、図6に示すように、センサモジュール122が第1ダイ211の第1リップ221の上方を通過して移動すると、位置検知センサ1221は、第1リップ221を検知しているので、受光部が光を受信するオン(On)信号を制御部13の受信部132に送信する。ところで、センサモジュール122が第1リップ221を全て通過すると、第1リップ221がそれ以上存在しなくなり、第1ダイ211と第3ダイ213との間の第1シム233が介在する空間が現れる。ところで、前述したように、位置検知センサ1221は、シム23のガイド231が存在しない第1経路R1に沿って移動するので、位置検知センサ1221は、何も検知することができなくなる。すなわち、位置検知センサ1221の受光部は、光を受信することができないので、オフ(Off)信号を受信部132に送信する。よって、位置検知センサ1221の受光部が光を受信している状態でそれ以上光を受信できなくなった瞬間にセンサモジュール122が通過する地点が第1リップ221の第1エッジ2211である。そして、位置検知センサ1221が受信部132に送信する信号がオン信号からオフ信号に変更された瞬間、第1エンコーダ131は、センサモジュール122の座標値を第1エッジ2211の座標値として認識する。ここで、前記第1信号はオン信号であり、前記第2信号はオフ信号である。そして、保存部14は、第1エッジ2211の座標値を保存する。
それに対して、センサモジュール122が第1シム233が介在する空間の上方を通過して移動すると、位置検知センサ1221は、何も検知していないので、受光部が光を受信できないオフ(Off)信号を制御部13の受信部132に送信する。ところで、センサモジュール122が第1シム233が介在する空間を全て通過すると、第3ダイ213の第3リップ223が現れる。すると、位置検知センサ1221は、第3リップ223を検知して受光部が光を受信するので、再びオン(On)信号を受信部132に送信する。よって、位置検知センサ1221の受光部が光を受信できていない状態で再び光を受信するようになった瞬間にセンサモジュール122が通過する地点が第3リップ223の第2エッジ2231である。そして、位置検知センサ1221が受信部132に送信する信号がオフ信号からオン信号に変更された瞬間、第1エンコーダ131は、センサモジュール122の座標値を第2エッジ2231の座標値として認識する。ここで、前記第1信号はオフ信号であり、前記第2信号はオン信号である。そして、保存部14は、第2エッジ2231の座標値を保存する。
上記のような方法で、センサモジュール122の位置検知センサ1221は、ダイコーター2のリップ22のエッジを検知し、保存部14は、このようなエッジの座標値を保存することができる。
一方、制御部13の受信部132が位置検知センサ1221から前記第2信号を受信すると、判断部133は、前記検知されたエッジを基準として、リップ22又はシム23の位置を判断する。例えば、受信部132が受信する信号がオン信号からオフ信号に変更されたら、それは位置検知センサ1221がリップ22を検知している状態でシム23が介在する空間が現れたものである。よって、前記エッジを基準として、センサモジュール122の前方にはシム23が位置し、センサモジュール122の後方にはリップ22が位置する。それに対して、受信部132が受信する信号がオフ信号からオン信号に変更されたら、それは位置検知センサ1221がシム23が介在する空間を通過して何も検知できていない状態でリップ22を検知したものである。よって、前記エッジを基準として、センサモジュール122の前方にはリップ22が位置し、センサモジュール122の後方にはシム23が位置する。
さらに、判断部133は、前記位置を判断したリップ22が第1リップ221~第3リップ223のうちいずれのリップ22であるかも判断し、シム23が第1シム233及び第2シム234のうちいずれのシム23であるかも判断する。前述したように、センサモジュール122は、第1ダイ211から第2ダイ212に向かう方向に移動し、それぞれのリップ22のエッジの座標値が保存される。よって、受信部132が受信する信号が最初にオン信号からオフ信号に変更されたら、該当エッジは第1リップ221のエッジであり、第1リップ221のエッジを基準として、前方には第1シム233が位置し、後方には第1リップ221が位置する。
一方、保存部14には、リップ22又はシム23の厚さl1~l5に関する基準データも保存されている。よって、判断部133が上記のようにリップ22又はシム23の位置を判断した後、演算部134が前記保存されたリップ22又はシム23の厚さに関する基準データを用いて、リップ22又はシム23の座標値を導出する。リップ22又はシム23の厚さl1~l5は、最初に製作するときから製作のための設計データが存在する。また、リップ22又はシム23が良品である場合は、このような設計データの誤差範囲内の厚さを有する。よって、リップ22又はシム23の厚さに関する基準データは、前記設計データであってもよい。
演算部134は、保存部14からリップ22又はシム23の厚さl1~l5に関する基準データをロードする。また、前記エッジの座標値に、リップ22又はシム23の厚さの半分を演算し、リップ22又はシム23の座標値を導出する(S304)。このとき、リップ22又はシム23の位置を反映して演算する。
例えば、第1エッジ2211を基準として、前方には第1シム233が位置し、後方には第1リップ221が位置するので、演算部134は、第1シム233の厚さl4及び第1リップ221の厚さl1に関する基準データを保存部14からロードする。そして、第1エッジ2211の座標値に、第1シム233の厚さl4の半分を加えると、第1シム233の中心点の座標値が導出され、これを第1シム233の座標値として決定する。また、第1エッジ2211の座標値から、第1リップ221の厚さl1の半分を引くと、第1リップ221の中心点の座標値が導出され、これを第1リップ221の座標値として決定する。
上記のような方法で、演算部134は、ダイコーター2の全てのリップ22及びシム23の座標値を導出することができる。そして、保存部14は、このようなリップ22及びシム23の座標値を保存することができる。
リップ22及びシム23の座標値が導出されたので、センサモジュール122は、このような座標値に対応する位置に移動する(S305)。そして、センサモジュール122に含まれる距離検知センサ1222が前記位置でリップ22又はシム23の高さを測定する(S306)。距離検知センサ1222は、それぞれのリップ22又はシム23が距離検知センサ1222から離隔した距離を測定する。よって、リップ22又はシム23の高さは、任意の基準から測定された相対的な高さであってもよい。ただし、これに限定されるものではなく、距離検知センサ1222の地表面からの高さが既に保存部14に保存されている場合、リップ22又はシム23の高さは、地表面から測定された絶対的な高さであってもよい。このように距離検知センサ1222がそれぞれのリップ22又はシム23の高さを測定すると、このようなリップ22又はシム23の測定データが保存部14に保存される。
判断部133は、リップ22又はシム23の測定データに基づいて、ダイコーター2の不良の有無を判断することができる(S306)。具体的には、保存部14には、リップ22又はシム23の高さに関する基準データも保存されている。これも、ダイコーター2の製作のための設計データであってもよい。すると、判断部133が保存部14からリップ22又はシム23の高さに関する基準データをロードする。そして、リップ22又はシム23の高さの測定データと、リップ22又はシム23の高さに関する基準データとを比較し、ダイコーター2の不良の有無を判断することができる。2つのデータを比較して測定データが誤差範囲内に含まれる場合、ダイコーター2の組立公差が大きくないので、判断部133は、当該ダイコーター2を良品と判断する。それに対して、2つのデータを比較して測定データが誤差範囲から外れた場合、ダイコーター2の組立公差が大きいものなので、判断部133は、当該ダイコーター2を不良と判断する。
図7は本発明の他の実施形態によるダイコーター2a及びダイコーター検査装置1aの斜視図である。
本発明の他の実施形態によれば、図7に示すように、レール11aが第1ダイ211の一面に一体に形成される。これにより、別途の結合部により結合されて形成された場合よりも、レール11aとダイ21とがより強固に固定される。よって、ダイコーター2aとレール11aとが分離したり互いに対して位置がずれることをより確実に防止することができる。
図8は本発明のさらに他の実施形態によるダイコーター2b及びダイコーター検査装置1の斜視図である。
本発明のさらに他の実施形態によれば、図8に示すように、レール11bが第1ダイ211の一面に埋め立てられて形成される。よって、ダイコーター2bの厚さ方向の体積を減少させることができる。ここで、レール11bが第1ダイ211と一体に形成されてもよいが、これに限定されるものではなく、レール11bが第1ダイ211とは別に形成され、第1ダイ211の一面に凹んだ溝が形成され、レール11bが前記溝に挿入された後に別体の結合部に結合されてもよい。
図9は本発明のさらに他の実施形態によるダイコーター2及びダイコーター検査装置1cの斜視図である。
本発明のさらに他の実施形態によれば、図9に示すように、センサアセンブリ12a、12b、12cが複数形成される。よって、複数のセンサモジュール122が複数の位置でより迅速にリップ22又はシム23を検査することができる。図9にはセンサアセンブリ12a、12b、12cが3つ形成されたものを示すが、これに限定されるものではなく、センサアセンブリ12a、12b、12cは様々な数で形成されることが可能である。
図10は本発明のさらに他の実施形態によるダイコーター2及びダイコーター検査装置1dの斜視図である。
本発明のさらに他の実施形態によれば、図10に示すように、移動部121がダイコーター2の長さ方向に平行な軸を中心に回転する回転部を含む。ダイコーター2が生産ラインに装着された状態でセンサアセンブリ12dが直ちにダイコーター2を検査し、その後回転部が回転する。よって、センサアセンブリ12dは、ダイコーター2の外側に位置するようになり、ダイコーター2のリップ22とコーティングの対象となる基材との間に障害物が消える。すると、ダイコーター2が直ちに前記基材にスラリーをコーティングすることができるので、生産効率を向上させることもできる。また、追って再びダイコーター2を検査する際には、回転部が再び逆方向に回転し、センサアセンブリ12dがダイコーター2のリップ22を向いて位置することができる。
図11は本発明のさらに他の実施形態によるダイコーター2及びダイコーター検査装置1eの斜視図である。
本発明のさらに他の実施形態によれば、図11に示すように、センサアセンブリ12eがレール11に着脱自在になっている。ダイコーター2が生産ラインに装着された状態でセンサアセンブリ12eがダイコーター2を検査し、その後センサアセンブリ12eがレール11から脱着される。よって、ダイコーター2のリップ22とコーティングの対象となる基材との間に障害物が消え、ダイコーター2が直ちに前記基材にスラリーをコーティングすることができる。また、追って再びダイコーター2を検査する際には、センサアセンブリ12eがレール11に再び装着され、センサアセンブリ12eがダイコーター2のリップ22を向いて位置することができる。
v本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、本発明をその技術的思想や必須の特徴を変更することなく他の具体的な形態で実施できることを理解するものである。よって、上記実施形態は、あらゆる面で例示的なものであり、限定的でないものと理解すべきである。本発明の範囲は、上記詳細な説明ではなくて添付の特許請求の範囲により示され、特許請求の範囲の意味及び範囲、並びにその均等概念から導出される多様な実施形態が本発明の範囲に含まれるものと解釈すべきである。
1 ダイコーター検査装置
2 ダイコーター
3 ローラ
11 レール
12 センサアセンブリ
13 制御部
14 保存部
21 ダイ
22 リップ
23 シム
121 移動部
122 センサモジュール
1221 位置検知センサ
1222 距離検知センサ
131 第1エンコーダ
132 受信部
133 判断部
134 演算部
135 第2エンコーダ
211 第1ダイ
212 第2ダイ
213 第3ダイ
221 第1リップ
222 第2リップ
223 第3リップ
231 ガイド
232 ベース
233 第1シム
234 第2シム
2211 第1エッジ
2231 第2エッジ

Claims (27)

  1. 第1ダイ、第2ダイ、及び前記第1ダイと前記第2ダイとの間に形成されたシムを含むダイコーターを検査するダイコーター検査装置であって、
    前記ダイコーターの厚さ方向に移動しながら前記ダイコーターのリップ及び前記シムを検査するセンサモジュールと、
    前記センサモジュールの動作を制御する制御部と、
    前記リップ及び前記シムの厚さに関する基準データが保存されている保存部とを含み、
    前記センサモジュールは、
    前記ダイコーターの長さ方向及び厚さ方向に沿った前記リップの位置を検知する位置検知センサと、
    前記リップ及び前記シムの高さを測定する距離検知センサとを含み、
    前記センサモジュールにおいて、前記位置検知センサ及び前記距離検知センサが互いに前記ダイコーターの長さ方向に並んで配置され、
    前記制御部は、
    前記センサモジュールが前記ダイコーターの厚さ方向に移動する毎に前記センサモジュールの座標値を認識する第1エンコーダと、
    前記位置検知センサが送信する信号を受信する受信部と、
    前記受信部が受信する信号に基づいて、前記ダイコーターの長さ方向及び厚さ方向に沿った前記リップ及び前記シムの位置を判断する判断部と、
    前記ダイコーターの長さ方向及び厚さ方向に沿った前記リップ及び前記シムの位置及び前記座標値に基づいて演算して前記リップの座標値及び前記シムの座標値を導出する演算部とを含む、ダイコーター検査装置。
  2. 前記位置検知センサは、前記リップのエッジを検知すると、前記受信部に送信する信号を第1信号から第2信号に変更する、請求項1に記載のダイコーター検査装置。
  3. 前記第1エンコーダは、前記第1信号が前記第2信号に変更されると、前記センサモジュールの座標値を前記エッジの座標値として認識する、請求項2に記載のダイコーター検査装置。
  4. 前記保存部は、前記第1エンコーダが認識した前記エッジの座標値を保存する、請求項3に記載のダイコーター検査装置。
  5. 前記判断部は、前記受信部が前記第2信号を受信すると、前記エッジを境にして前記ダイコーターの長さ方向及び厚さ方向に沿った前記リップ及び前記シムの位置を判断する、請求項3又は4に記載のダイコーター検査装置。
  6. 前記演算部は、前記リップ及び前記シムの厚さに関する基準データを前記保存部からロードし、前記ダイコーターの長さ方向及び厚さ方向に沿った前記リップ及び前記シムの位置を反映して前記エッジの座標値と前記リップ及び前記シムの厚さに関する基準データを演算することにより、前記リップ及び前記シムの座標値を導出する、請求項3から5のいずれか一項に記載のダイコーター検査装置。
  7. 前記演算部は、前記エッジの座標値に、前記リップ及び前記シムの厚さの半分を演算し、前記リップ及び前記シムの座標値を導出する、請求項6に記載のダイコーター検査装置。
  8. 前記保存部は、導出された前記リップ及び前記シムの座標値を保存する、請求項6又は7に記載のダイコーター検査装置。
  9. 前記センサモジュールは、導出された前記リップ及び前記シムの座標値に対応する位置に移動する、請求項6から8のいずれか一項に記載のダイコーター検査装置。
  10. 前記距離検知センサは、前記リップ及び前記シムの座標値に対応する位置で、前記リップ及び前記シムの高さを測定する、請求項9に記載のダイコーター検査装置。
  11. 前記保存部は、前記リップ及び前記シムの高さの測定データを保存する、請求項10に記載のダイコーター検査装置。
  12. 前記保存部には、前記リップ及び前記シムの高さに関する基準データが保存されている、請求項10又は11に記載のダイコーター検査装置。
  13. 前記判断部は、前記リップ及び前記シムの高さの測定データと、前記リップ及び前記シムの高さに関する基準データとを比較し、不良の有無を判断する、請求項12に記載のダイコーター検査装置。
  14. 第1ダイ、第2ダイ、及び前記第1ダイと前記第2ダイとの間に形成されたシムを含むダイコーターを検査する方法であって、
    位置検知センサを含むセンサモジュールが移動するステップと、
    前記位置検知センサが前記ダイコーターのリップのエッジを検知するステップと、
    前記エッジの座標値を認識するステップと、
    前記エッジの座標値と前記リップ及び前記シムの厚さに関する基準データを演算し、前記リップ及び前記シムの座標値を導出するステップと、
    前記センサモジュールが前記リップ及び前記シムの座標値に対応する位置に移動するステップと、
    前記センサモジュールに含まれる距離検知センサが前記リップ及び前記シムの高さを測定するステップと、
    前記リップ及び前記シムの高さの測定データを保存部に保存するステップと、
    前記リップ及び前記シムの高さの測定データに基づいて前記ダイコーターの不良の有無を判断するステップとを含み、
    前記センサモジュールにおいて、前記位置検知センサ及び前記距離検知センサが互いに前記ダイコーターの長さ方向に並んで配置される、ダイコーター検査方法。
  15. 前記位置検知センサは、光ファイバセンサ、フォトセンサ、近接センサ及びビジョンセンサのうちの少なくとも1つを含み、
    前記距離検知センサは、レーザ変位センサ及び超音波変位センサのうちの少なくとも一方を含む、請求項14に記載のダイコーター検査方法。
  16. 前記シムは、
    前記第1ダイと前記第2ダイとの間の内部空間を複数に分離する少なくとも1つのガイドと、
    前記ガイドの端部を連結し、前記ダイコーターの長さ方向に延設されるベースとを含む、請求項14または15に記載のダイコーター検査方法。
  17. 前記センサモジュールが移動するステップにおいて、
    前記位置検知センサは、前記ガイドが存在しない第1経路を移動し、
    前記距離検知センサは、前記ガイドが存在する第2経路を移動する、請求項16に記載のダイコーター検査方法。
  18. 前記センサモジュールは、前記第1ダイから前記第2ダイに向かう方向に移動する、請求項14から17のいずれか一項に記載のダイコーター検査方法。
  19. 前記センサモジュールが移動するステップにおいて、前記センサモジュールが移動する毎に第1エンコーダが前記センサモジュールの座標値を認識する、請求項14から18のいずれか一項に記載のダイコーター検査方法。
  20. 前記エッジの座標値を認識するステップの前に、前記位置検知センサが送信する信号を第1信号から第2信号に変更するステップをさらに含む請求項19に記載のダイコーター検査方法。
  21. 前記エッジの座標値を認識するステップにおいて、前記第2信号を受信すると、前記第1エンコーダが前記センサモジュールの座標値を前記エッジの座標値として認識する、請求項20に記載のダイコーター検査方法。
  22. 前記エッジの座標値を認識するステップにおいて、前記エッジの座標値を前記保存部に保存する、請求項14から21のいずれか一項に記載のダイコーター検査方法。
  23. 前記リップ及び前記シムの厚さに関する基準データが前記保存部に保存されている、請求項14から22のいずれか一項に記載のダイコーター検査方法。
  24. 前記リップ及び前記シムの座標値を導出するステップは、
    前記リップ及び前記シムの厚さに関する基準データをロードするステップと、
    前記エッジの座標値に、前記リップ及び前記シムの厚さの半分を演算し、前記リップ及び前記シムの座標値を導出するステップとを含む、請求項23に記載のダイコーター検査方法。
  25. 前記リップ及び前記シムの座標値を導出するステップにおいて、前記リップ及び前記シムの座標値を前記保存部に保存する、請求項23又は24に記載のダイコーター検査方法。
  26. 前記リップ及び前記シムの高さに関する基準データが前記保存部に保存されている、請求項14から25のいずれか一項に記載のダイコーター検査方法。
  27. 前記ダイコーターの不良の有無を判断するステップは、
    前記リップ及び前記シムの高さに関する基準データをロードするステップと、
    前記リップ及び前記シムの高さの測定データと、前記リップ及び前記シムの高さに関する基準データとを比較し、不良の有無を判断する、請求項26に記載のダイコーター検査方法。
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