JP7490297B2 - ダイコーター検査装置及び方法 - Google Patents

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Description

［関連出願との相互参照］
本出願は、２０２０年７月１４日付けの韓国特許出願第１０－２０２０－００８７１４７号に基づく優先権の利益を主張し、当該韓国特許出願の文献に開示された全ての内容が本明細書の一部として組み込まれる。
本発明は、ダイコーター検査装置及び方法に関し、より詳細には、ダイコーターのリップの位置を精密に測定してダイとシムの組立不良の有無を判断することができ、別途の検査ラインを設けることなく、ダイコーターが生産ラインに装着された状態で直ちに検査することができる、ダイコーター検査装置及び方法に関する。
一般に、二次電池の種類には、ニッケルカドミウム電池、ニッケル水素電池、リチウムイオン電池、リチウムイオンポリマー電池などがある。このような二次電池は、デジタルカメラ、ポータブルＤＶＤプレイヤー（Ｐ‐ＤＶＤ）、ＭＰ３プレイヤー（ＭＰ３Ｐ）、携帯電話、ＰＤＡ、携帯型ゲーム機（Ｐｏｒｔａｂｌｅ Ｇａｍｅ Ｄｅｖｉｃｅ）、電動工具（Ｐｏｗｅｒ Ｔｏｏｌ）、電動自転車（Ｅ‐ｂｉｋｅ）などの小型製品だけでなく、電気自動車やハイブリッド自動車などの高出力が要求される大型製品と、余剰発電電力や新再生可能エネルギーを貯蔵する電力貯蔵装置及びバックアップ用電力貯蔵装置にも適用されて用いられている。
このような二次電池を製造するために、まず、電極活物質スラリーを正極集電体及び負極集電体に塗布して正極及び負極を製造し、これを分離膜（Ｓｅｐａｒａｔｏｒ）の両側に積層することにより所定形状の電極組立体（Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ Ａｓｓｅｍｂｌｙ）を形成する。次に、電池ケースに電極組立体を収納し、電解質を注入した後にシールする。
正極及び負極などの電極は、電極集電体に電極活物質とバインダー及び可塑剤を混合したスラリーを正極集電体及び負極集電体などの電極集電体に塗布し、その後これを乾燥してプレスすることにより製造することができる。このようなスラリーを電極集電体に塗布するために、ダイコーター（Ｄｉｅ Ｃｏａｔｅｒ）を用いる。
一般に、ダイコーターは、第１ダイ、シム及び第２ダイを含み、第１ダイと第２ダイとの間にシムを介在した状態で、第１ダイと第２ダイとを組み立てて形成することができる。ここで、第１ダイと第２ダイとの間に第３ダイがさらに含まれてもよく、このような場合は、第１ダイと第３ダイとの間に第１シムが介在し、第２ダイと第３ダイとの間に第２シムが介在するようにしてもよい。すなわち、ダイコーターには様々な数のダイ及びシムを含めることができる。
このようなダイコーターは、前記スラリーなどが吐出される吐出口の間隔が非常に狭い。よって、組立公差などによりこのような間隔が設計された間隔とは異なる間隔になると、電極集電体などに塗布されるスラリーなどの量も設計値と大きく異なる量になる。そうなると、生産された電極の品質が設計された品質とは異なる品質になることがある。
あるいは、ダイコーターは、一度組み立てられた後も、長期的に使用すると内部洗浄などのためにダイとシムとを分解してから再び再組立することができる。ところで、このような過程で、第１ダイの第１リップ、シムのガイド及び第２ダイの第２リップの位置が定位置から外れることもある。そうなると、同一のダイコーターを用いて電極を製造しても、再組立前後の電極の品質が異なることもある。
よって、このような組立公差などを低減するために、従来は、使用者が直接マイクロメーターをダイコーターのリップに接触させて第１リップ、シム及び第２リップの高さやこれらの間隔などを測定していた。しかし、このようなリップ間の吐出口の間隔が非常に狭いので、使用者がこれを直接接触させて測定することが容易でなく、測定する使用者毎に測定される結果も異なり、誤差がさらに大きくなるという問題もあった。
韓国公開特許第１０－２０１３－０１２８９１２号公報
本発明が解決しようとする課題は、ダイコーターのリップの位置を精密に測定してダイとシムの組立不良の有無を判断することができ、別途の検査ラインを設けることなく、ダイコーターが生産ラインに装着された状態で直ちに検査することができる、ダイコーター検査装置及び方法を提供することにある。
本発明の課題は、上記で言及されている課題に限定されるものではなく、言及されていない他の課題は、以下の記載から当業者に明確に理解されるであろう。
上記課題を解決するための本発明の実施形態によるダイコーター検査装置は、第１ダイ、第２ダイ、及び前記第１ダイと前記第２ダイとの間に形成されたシムを含むダイコーターを検査する装置において、前記ダイコーターの厚さ方向に移動しながら前記ダイコーターのリップ又は前記シムを検査するセンサモジュールと、前記センサモジュールの動作を制御する制御部と、前記リップ又は前記シムの厚さに関する基準データが保存されている保存部とを含み、前記センサモジュールは、前記リップの位置を検知する位置検知センサと、前記リップ又は前記シムの高さを測定する距離検知センサとを含み、前記制御部は、前記センサモジュールが前記ダイコーターの厚さ方向に移動する毎に前記センサモジュールの座標値を認識する第１エンコーダと、前記位置検知センサが送信する信号を受信する受信部と、前記受信部が受信する信号に基づいて、前記リップ又は前記シムの位置を判断する判断部と、前記リップ又は前記シムの位置及び前記座標値に基づいて演算して前記リップの座標値又は前記シムの座標値を導出する演算部とを含む。
また、前記位置検知センサは、前記リップのエッジを検知すると、前記受信部に送信する信号を第１信号から第２信号に変更するようにしてもよい。
さらに、前記第１エンコーダは、前記第１信号が前記第２信号に変更されると、前記センサモジュールの座標値を前記エッジの座標値として認識するようにしてもよい。
さらに、前記保存部は、前記第１エンコーダが認識した前記エッジの座標値を保存するようにしてもよい。
さらに、前記判断部は、前記受信部が前記第２信号を受信すると、前記エッジを境にして前記リップ又は前記シムの位置を判断するようにしてもよい。
さらに、前記演算部は、前記リップ又は前記シムの厚さに関する基準データを前記保存部からロードし、前記リップ又は前記シムの位置を反映して前記エッジの座標値と前記リップ又は前記シムの厚さに関する基準データを演算することにより、前記リップ又は前記シムの座標値を導出するようにしてもよい。
さらに、前記演算部は、前記エッジの座標値に、前記リップ又は前記シムの厚さの半分を演算し、前記リップ又は前記シムの座標値を導出するようにしてもよい。
さらに、前記保存部は、導出された前記リップ又は前記シムの座標値を保存するようにしてもよい。
さらに、前記センサモジュールは、導出された前記リップ又は前記シムの座標値に対応する位置に移動するようにしてもよい。
さらに、前記距離検知センサは、前記リップ又は前記シムの座標値に対応する位置で、前記リップ又は前記シムの高さを測定するようにしてもよい。
さらに、前記保存部は、前記リップ又は前記シムの高さの測定データを保存するようにしてもよい。
さらに、前記保存部は、前記リップ又は前記シムの高さに関する基準データが保存されているようにしてもよい。
さらに、前記判断部は、前記リップ又は前記シムの高さの測定データと、前記リップ又は前記シムの高さに関する基準データとを比較し、不良の有無を判断するようにしてもよい。
上記課題を解決するための本発明の実施形態によるダイコーターは、第１ダイ、第２ダイ、及び前記第１ダイと前記第２ダイとの間に形成されたシムを含むダイコーターを検査する方法において、位置検知センサを含むセンサモジュールが移動するステップと、前記位置検知センサが前記ダイコーターのリップのエッジを検知するステップと、前記エッジの座標値を認識するステップと、前記エッジの座標値と前記リップ又は前記シムの厚さに関する基準データを演算し、前記リップ又は前記シムの座標値を導出するステップと、前記センサモジュールが前記リップ又は前記シムの座標値に対応する位置に移動するステップと、前記センサモジュールに含まれる距離検知センサが前記リップ又は前記シムの高さを測定するステップと、前記リップ又は前記シムの高さの測定データを保存部に保存するステップと、前記リップ又は前記シムの高さの測定データに基づいて前記ダイコーターの不良の有無を判断するステップとを含む。
また、前記センサモジュールは、前記位置検知センサ及び前記距離検知センサが互いに前記ダイコーターの長さ方向に並んで配置されるようにしてもよい。
さらに、前記位置検知センサは、光ファイバセンサ、フォトセンサ、近接センサ及びビジョンセンサのうち少なくとも１つを含み、前記距離検知センサは、レーザ変位センサ及び超音波変位センサのうち少なくとも一方を含むようにしてもよい。
さらに、前記シムは、前記第１ダイと前記第２ダイとの間の内部空間を複数に分離する少なくとも１つのガイドと、前記ガイドの端部を連結し、前記ダイコーターの長さ方向に延設されるベースとを含むようにしてもよい。
さらに、前記センサモジュールが移動するステップにおいて、前記位置検知センサは、前記ガイドが存在しない第１経路を移動し、前記距離検知センサは、前記ガイドが存在する第２経路を移動するようにしてもよい。
さらに、前記センサモジュールは、前記第１ダイから前記第２ダイに向かう方向に移動するようにしてもよい。
さらに、前記センサモジュールが移動するステップにおいて、前記センサモジュールが移動する毎に第１エンコーダが前記センサモジュールの座標値を認識するようにしてもよい。
さらに、前記エッジの座標値を認識するステップの前に、前記位置検知センサが送信する信号を第１信号から第２信号に変更するステップをさらに含むようにしてもよい。
さらに、前記エッジの座標値を認識するステップは、前記第２信号を受信すると、前記第１エンコーダが前記センサモジュールの座標値を前記エッジの座標値として認識するようにしてもよい。
さらに、前記エッジの座標値を認識するステップにおいて、前記エッジの座標値を前記保存部に保存するようにしてもよい。
さらに、前記リップ又は前記シムの厚さに関する基準データが前記保存部に保存されているようにしてもよい。
さらに、前記リップ又は前記シムの座標値を導出するステップは、前記リップ又は前記シムの厚さに関する基準データをロードするステップと、前記エッジの座標値に、前記リップ又は前記シムの厚さの半分を演算し、前記リップ又は前記シムの座標値を導出するステップとを含むようにしてもよい。
さらに、前記リップ又は前記シムの座標値を導出するステップにおいて、前記リップ又は前記シムの座標値を前記保存部に保存するようにしてもよい。
さらに、前記リップ又は前記シムの高さに関する基準データが前記保存部に保存されているようにしてもよい。
さらに、前記ダイコーターの不良の有無を判断するステップは、前記リップ又は前記シムの高さに関する基準データをロードするステップと、前記リップ又は前記シムの高さの測定データと、前記リップ又は前記シムの高さに関する基準データとを比較し、不良の有無を判断するようにしてもよい。
本発明のその他の具体的な事項は詳細な説明及び図面に含まれている。
本発明の実施形態によれば、少なくとも次のような効果がある。
ダイコーター検査装置がリップ及びシムの位置及び高さを自動で検知することができるので、検査が容易であり、使用者毎に測定される結果が異なって誤差が大きくなる問題を防止することができる。
本発明による効果は、以上で例示された内容に限定されるものではなく、さらに様々な効果が本明細書に含まれている。
本発明の一実施形態によるダイコーター２及びダイコーター検査装置１の斜視図である。 本発明の一実施形態によるダイコーター２の組立図である。 本発明の一実施形態によるダイコーター検査方法のフローチャートである。 本発明の一実施形態によるダイコーター２のリップ２２を拡大した側面拡大図である。 本発明の一実施形態によるダイコーター検査装置１のブロック図である。 本発明の一実施形態によるダイコーター２のリップ２２を拡大した上面拡大図である。 本発明の他の実施形態によるダイコーター２ａ及びダイコーター検査装置１ａの斜視図である。 本発明のさらに他の実施形態によるダイコーター２ｂ及びダイコーター検査装置１の斜視図である。 本発明のさらに他の実施形態によるダイコーター２及びダイコーター検査装置１ｃの斜視図である。 本発明のさらに他の実施形態によるダイコーター２及びダイコーター検査装置１ｄの斜視図である。 本発明のさらに他の実施形態によるダイコーター２及びダイコーター検査装置１ｅの斜視図である。
本発明の利点及び特徴、並びにそれらを達成する方法は、添付の図面と共に詳細に後述する実施形態を参照すれば明らかになるものである。しかし、本発明は、以下に開示される実施形態に限定されるものではなく、異なる様々な形態で実現することができ、本実施形態は、単に本発明の開示を完全にし、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者に発明のカテゴリーを完全に理解させるために提供されるものであり、本発明は、特許請求の範囲によってのみ定義されるものである。明細書全体にわたって、同一の参照符号は同一の構成要素を示す。
他の定義がなければ、本明細書において用いられる全ての用語（技術的用語及び科学的用語を含む）は、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者に共通に理解される意味で用いられるものである。また、一般的に用いられる辞書に定義されている用語は、明らかに特に定義されていない限り、理想的に又は過度に解釈されない。
本明細書において用いられる用語は、実施形態を説明するためのものであり、本発明を限定するものではない。本明細書において、単数型には、特に断らない限り複数型も含まれる。本明細書において用いられる「含む」は、言及された構成要素の他に１つ以上の他の構成要素の存在又は追加を排除しない。
以下、添付図面を参照して、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。
図１は本発明の一実施形態によるダイコーター２及びダイコーター検査装置１の斜視図である。
本発明の一実施形態によれば、ダイコーター検査装置１がダイコーター２の第１ダイ２１１の一面に形成されるので、使用者が直接測定したり別途セッティングする必要がなく、リップ２２（図４に示す）の高さや間隔などの測定が容易であり、誤差を低減してダイ２１とシム２３（図２に示す）との組立不良の有無を正確に判断することができる。また、ダイコーター２を別途の検査ラインに移動させる必要がなく、ダイコーター２が生産ラインに装着された状態で直ちにダイコーター２を検査することができるので、検査時間を短縮して生産効率を向上させることもできる。さらに、ダイコーター検査装置１がリップ２２及びシム２３の位置及び高さを自動で検知することができるので、検査が容易であり、使用者毎に測定される結果が異なって誤差が大きくなる問題を防止することができる。
このために、本発明の一実施形態によるダイコーター検査装置１は、第１ダイ２１１（図２に示す）、第２ダイ２１２（図２に示す）、及び第１ダイ２１１と第２ダイ２１２との間に形成されたシム２３を含むダイコーター２を検査する装置において、第１ダイ２１１の一面に、ダイコーター２の長さ方向に長く固定されて形成されるレール１１と、レール１１に沿って移動しながらダイコーター２のリップ２２又はシム２３を検査する少なくとも１つのセンサアセンブリ１２とを含み、センサアセンブリ１２は、レール１１に沿ってダイコーター２の長さ方向に移動する移動部１２１と、移動部１２１に連結され、ダイコーター２の厚さ方向に移動しながらダイ２１のリップ２２又はシム２３を検査するセンサモジュール１２２とを含む。
なお、本発明の一実施形態によるダイコーター２は、外部にスラリーを供給する第１ダイ２１１及び第２ダイ２１２と、第１ダイ２１１と第２ダイ２１２との間に形成されたシム２３とを含み、第１ダイ２１１の一面には、レール１１が長さ方向に長く固定されて形成される。また、レール１１に沿って移動しながらリップ２２又はシム２３を検査する少なくとも１つのセンサアセンブリ１２と、センサアセンブリ１２の動作を制御する制御部１３とをさらに含み、センサアセンブリ１２は、レール１１に沿って長さ方向に移動する移動部１２１と、移動部１２１に連結され、厚さ方向に移動しながらリップ２２を検査するセンサモジュール１２２とを含んでもよい。
レール１１は、ダイコーター２の長さ方向に長く形成される。また、センサアセンブリ１２の移動部１２１がレール１１に沿って移動する。このようなレール１１は、第１ダイ２１１の一面に固定されて形成されるので、ダイコーター２とレール１１とが分離したり互いに対して位置がずれたりしにくくなる。よって、使用者がダイコーター２のリップ２２を直接測定したり、センサを別途セッティングする必要がないので、センサアセンブリ１２がダイコーター２の吐出口側に形成されたリップ２２又はシム２３を容易に検査することができる。さらに、使用者毎に測定される結果が異なることがないので、誤差を低減してダイ２１とシム２３との組立不良の有無を正確に判断することができる。本発明の一実施形態によれば、レール１１がボルトやリベットなどの別途の結合部（図示せず）により第１ダイ２１１の一面に結合されて形成されてもよいが、これに限定されるものではなく、様々な方法で第１ダイ２１１の一面に結合することができる。
センサアセンブリ１２は、レール１１に沿ってダイコーター２の長さ方向に移動する移動部１２１と、移動部１２１に連結されてダイ２１のリップ２２又はシム２３を検査するセンサモジュール１２２とを含む。
移動部１２１は、レール１１に沿ってダイコーター２の長さ方向に移動し、特にレール１１に沿ってスライド移動するようにしてもよい。このために、レール１１と移動部１２１とは、スライド結合されてもよく、さらには、レール１１と移動部１２１との少なくとも一方に車輪又はローラが形成されてもよい。
センサモジュール１２２は、ダイコーター２の厚さ方向に移動しながらリップ２２又はシム２３を検査するようにしてもよい。前述したように、組立公差などによりリップ２２又はシム２３の高さや位置が設計値とは異なる値になると、生産された電極の品質が設計された品質とは異なる品質になることがある。このため、センサモジュール１２２は、リップ２２又はシム２３の高さを測定し、その組立公差の大きさに基づいてダイコーター２の不良の有無を検査することができる。センサモジュール１２２は、移動部１２１に連結され、移動部１２１がレール１１に沿って移動すると共にダイコーター２の長さ方向にも移動する。よって、ダイ２１のリップ２２又はシム２３の直進度を検査することもできる。また、センサモジュール１２２がダイコーター２のリップ２２又はシム２３を検査する際に、移動部１２１がレール１１に沿って移動しながら複数の位置でリップ２２又はシム２３を検査することができる。
本発明の一実施形態によれば、センサモジュール１２２は、非接触式センサを含み、リップ２２又はシム２３の高さを測定する。よって、使用者が直接リップ２２に接触させる必要がなく、誤差が生じる問題を防止することができる。また、センサモジュール１２２が含まれるセンサアセンブリ１２はレール１１に沿って移動し、レール１１は第１ダイ２１１の一面に固定されて形成されるので、センサモジュール１２２がダイコーター２から分離されない。よって、ダイコーター２を別途の検査ラインに移して測定した後に再び生産ラインに移す過程を行う必要がなく、ダイコーター２が生産ラインに装着された状態で直ちにダイコーター２を検査することができるので、検査時間を短縮して生産効率を向上させることもできる。このようなセンサモジュール１２２の詳細については後述する。
図２は本発明の一実施形態によるダイコーター２の組立図である。
ダイコーター２は、外部からスラリーの提供を受けて前記スラリーを外部に供給し、電極集電体などの基材に所定方向に長く連続的に塗布する。このために、本発明の一実施形態によるダイコーター２は、図２に示すように、外部にスラリーを供給する第１ダイ２１１及び第２ダイ２１２と、第１ダイ２１１と第２ダイ２１２との間に形成されたシム２３とを含み、第１ダイ２１１の一面には、レール１１が長さ方向に長く固定されて形成される。よって、ダイコーター２とレール１１とが分離したり互いに対して位置がずれたりしにくくなる。
ダイ２１は、外部から提供されるスラリーを電極集電体などの基材の少なくとも一面に塗布する。ここで、図２に示すように、ダイ２１は、２つからなり、ダイコーター２は、第１ダイ２１１と第２ダイ２１２との間に１つのシム２３を介在した状態で、第１ダイ２１１と第２ダイ２１２とを組み立てて形成することができる。ただし、これに限定されるものではなく、ダイコーター２は、第１ダイ２１１と第２ダイ２１２との間に第３ダイ２１３（図４に示す）をさらに含んでもよく、このような場合は、第１ダイ２１１と第３ダイ２１３との間に第１シム２３３（図４に示す））が介在し、第２ダイ２１２と第３ダイ２１３との間に第２シム２３４（図４に示す）が介在するようにしてもよい。すなわち、ダイコーター２に含まれるダイ２１及びシム２３は、個数に制限がなく、様々にすることができる。
第１ダイ２１１及び第２ダイ２１２は、図２に示すように、互いに対称となるエッジ錐台形状を有し、エッジ錐台の底面に対応する第１ダイ２１１及び第２ダイ２１２の一面が互いに対向して組み立てられる。また、第１ダイ２１１及び第２ダイ２１２の少なくとも一方には、外部からスラリーが供給される供給孔（図示せず）が形成される。このような供給孔を介して外部から供給されたスラリーは、第１ダイ２１１及び第２ダイ２１２の内部に形成された内部空間（図示せず）に貯蔵される。
ダイコーター２が第３ダイ２１３をさらに含む場合、第３ダイ２１３は、薄い矩形プレート形状を有するようにしてもよい。また、シム２３も、２つからなり、第１ダイ２１１と第３ダイ２１３との間に第１シム２３３が介在し、第２ダイ２１２と第３ダイ２１３との間に第２シム２３４が介在する。このような場合は、第１ダイ２１１と第２ダイ２１２の両方に供給孔（図示せず）が形成されてもよく、また、第１ダイ２１１及び第３ダイ２１３の内部には第１内部空間（図示せず）が形成され、第２ダイ２１２及び第３ダイ２１３の内部には第２内部空間（図示せず）が形成されてもよい。よって、それぞれの供給孔を介して外部から供給されたスラリーは、第１内部空間及び第２内部空間にそれぞれ貯蔵される。
ダイコーター用シム（Ｓｈｉｍ）２３は、第１ダイ２１１と第２ダイ２１２との間の内部空間を複数に分離する少なくとも１つのガイド２３１と、ガイド２３１の端部を連結するベース２３２とを含む。ベース２３２は、少なくとも１つのガイド２３１の端部を連結することにより、複数のガイド２３１を支持する。また、このような少なくとも１つのガイド２３１の端部から一側方、特にダイコーター２の長さ方向に延設される。よって、ベース２３２は、単純な矩形形状に形成されてもよいが、これに限定されるものではなく、スラリーの塗布量を調節するために様々な形状を有することができる。
少なくとも１つのガイド２３１は、それぞれ所定の幅を有し、互いに平行に形成される。また、ダイ２１の内部には、スラリーを貯蔵する内部空間が形成され、ガイド２３１は、このような内部空間を複数に分離する。前記内部空間に貯蔵されたスラリーは、ガイド２３１に沿ってダイコーター２の内部で流動し、吐出口を介して外部に吐出される。このような吐出口は、薄く長く形成され、ダイコーター２と基材とが一定の速度で相対的に移動することにより、スラリーが基材に広く均一に塗布される。
スラリーが吐出口を介して吐出されて基材に塗布されると、ガイド２３１により、基材の一部分にスラリーが塗布されていない未塗布部が形成されるようになる。よって、基材には、スラリーの塗布部及び未塗布部がどちらも所定の幅を有して一方向に長く形成されるストライプ（Ｓｔｒｉｐｅ）パターンで形成されるようになる。塗布部及び未塗布部をこのようなストライプパターンで形成することにより、追って使用者が電極を適当な大きさに切断する際に未塗布部が電極タブになるので、電極タブを製造することが容易である。また、塗布部及び未塗布部の幅を調節することにより、電極を切断する際に電極及び電極タブの大きさも調節することができる。
以下、本発明の一実施形態によるダイコーター２として、ダイ２１が３つ、シム２３が２つであるものを説明する。ただし、これは説明の便宜のためのものであり、権利範囲を制限するためのものではない。
図３は本発明の一実施形態によるダイコーター検査方法のフローチャートである。
前述したダイコーター検査装置１を用いる本発明の一実施形態によるダイコーター検査方法は、第１ダイ２１１、第２ダイ２１２、及び第１ダイ２１１と第２ダイ２１２との間に形成されたシム２３を含むダイコーター２を検査する方法において、位置検知センサ１２２１を含むセンサモジュール１２２が移動するステップと、位置検知センサ１２２１がダイコーター２のリップ２２のエッジを検知するステップと、前記エッジの座標値を認識するステップと、前記エッジの座標値とリップ２２又はシム２３の厚さｌ１～ｌ５（図６に示す）に関する基準データを演算し、リップ２２又はシム２３の座標値を導出するステップと、センサモジュール１２２がリップ２２又はシム２３の座標値に対応する位置に移動するステップと、センサモジュール１２２に含まれる距離検知センサ１２２２がリップ２２又はシム２３の高さを測定するステップと、リップ２２又はシム２３の高さの測定データを保存部１４に保存するステップと、リップ２２又はシム２３の高さの測定データに基づいてダイコーター２の不良の有無を判断するステップとを含む。
以下、図３のフローチャートに示す各ステップについて図４～図６を参照して具体的に説明する。
図４は本発明の一実施形態によるダイコーター２のリップ２２を拡大した側面拡大図である。
前述したように、センサモジュール１２２は、ダイコーター２の厚さ方向に移動しながらリップ２２又はシム２３を検査することができる。本発明の一実施形態によれば、このようなセンサモジュール１２２は、リップ２２の位置を検知する位置検知センサ１２２１と、リップ２２又はシム２３の高さを測定する距離検知センサ１２２２とを含む。
位置検知センサ１２２１は、センサモジュール１２２がダイコーター２の厚さ方向に移動する際に、リップ２２の位置を検知し、特にリップ２２のエッジを検知することにより、リップ２２の位置を検知することができる。このような位置検知センサ１２２１は、光ファイバセンサ、フォトセンサ、近接センサ及びビジョンセンサのうち少なくとも１つを含むようにしてもよい。
特に、光ファイバセンサ（Ｆｉｂｅｒ Ｏｐｔｉｃ Ｓｅｎｓｏｒ）は、ガラス繊維を用いて製作され、近接した物体を非接触で検知するセンサである。このような光ファイバセンサは、ガラス繊維自体が光を検知することもでき、別途の素子が光を取り入れるとそれに対する信号をガラス繊維ケーブルが伝達することもできる。光ファイバセンサは、一般的なフォトセンサとは異なり、レンズを除去することができるので、超小型に製作することができ、狭い場所にも容易に設置することができる。このような光ファイバセンサとしては、ＯＴＤＲ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｔｉｍｅ Ｄｏｍａｉｎ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｍｅｔｒｙ）、ＯＦＤＲ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｄｏｍａｉｎ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｍｅｔｒｙ）、ＢＯＴＤＡ（Ｂｒｉｌｌｏｕｉｎ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｔｉｍｅ Ｄｏｍａｉｎ Ａｎａｌｙｓｉｓ）、ＢＯＣＤＡ（Ｂｒｉｌｌｏｕｉｎ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｏｒｅｌａｔｉｏｎ Ｄｏｍａｉｎ Ａｎａｌｙｓｉｓ）などの方式のものがある。
図４に示すように、一般に、ダイコーター２がスラリーを塗布するコーティングの対象となる基材（図示せず）は、平面に取り付けられてもよいが、図４に示すように、ローラ３に取り付けられて通過するようにしてもよい。ここで、基材自体の厚さを無視できれば、ダイ２１のリップ２２と前記基材との間隔ｇが約１０ｃｍである。センサモジュール１２２の高さｈがこのようなリップ２２と前記基材との間隔ｇより小さい場合、ダイコーター２が生産ラインに装着された状態でもセンサモジュール１２２がダイコーター２の厚さ方向に移動することができる。これにより、ダイコーター２を別途の検査ラインに移して測定した後に再び生産ラインに移す過程を行う必要がなく、ダイコーター２が生産ラインに装着された状態で直ちにダイコーター２を検査することができる。よって、本発明の一実施形態によれば、センサモジュール１２２の高さｈは、リップ２２とコーティングの対象となる基材との間隔ｇより小さく、約８ｃｍより小さくしてもよい。また、センサモジュール１２２は、リップ２２とコーティングの対象となる基材との間で、他の構成に接触したり干渉されたりすることなく移動することが好ましい。よって、これを調節するために、本発明の一実施形態による移動部１２１は、センサアセンブリ１２をダイコーター２の幅方向に移動させるロッドを含んでもよい。
本発明の一実施形態による位置検知センサ１２２１は、超小型に製作することができ、非接触式でリップ２２の位置を検知し、センサモジュール１２２が移動する途中でもリップ２２の位置を迅速かつ正確に検知しなければならない。このために、本発明の一実施形態による位置検知センサ１２２１は、光ファイバセンサであることが好ましい。特に、ダイ２１の内部にはセンサを別途設置することができないので、投光部と受光部が別途形成されるのではなく、どちらも１つのセンサ本体に形成された反射型センサであることが好ましい。
距離検知センサ１２２２は、追ってリップ２２又はシム２３の座標値を導出すると、リップ２２又はシム２３の座標値に対応する位置で、リップ２２又はシム２３の高さを測定する。このような距離検知センサ１２２２としては、一般的な反射型変位センサを用いてもよく、レーザ変位センサ及び超音波変位センサの少なくとも一方を含むようにしてもよい。
特に、レーザ変位センサは、レーザ送信部がレーザを送信すると、該当物体に反射して戻って受信するまでの所要時間を用いて特定の距離を測定する。本発明の一実施形態による距離検知センサ１２２２は、レーザ変位センサであることが好ましい。
図５は本発明の一実施形態によるダイコーター検査装置１のブロック図である。
本発明の一実施形態によるダイコーター検査装置１は、第１ダイ２１１、第２ダイ２１２、及び第１ダイ２１１と第２ダイ２１２との間に形成されたシム２３を含むダイコーター２を検査する装置において、ダイコーター２の厚さ方向に移動しながらダイコーター２のリップ２２又はシム２３を検査するセンサモジュール１２２と、センサモジュール１２２の動作を制御する制御部１３と、リップ２２又はシム２３の厚さｌ１～ｌ５（図６に示す）に関する基準データが保存されている保存部１４とを含み、センサモジュール１２２は、リップ２２の位置を検知する位置検知センサ１２２１と、リップ２２又はシム２３の高さを測定する距離検知センサ１２２２とを含み、制御部１３は、センサモジュール１２２がダイコーター２の厚さ方向に移動する毎にセンサモジュール１２２の座標値を認識する第１エンコーダ１３１と、位置検知センサ１２２１が送信する信号を受信する受信部１３２と、リップ２２又はシム２３の位置を判断する判断部１３３と、前記座標値に基づいて演算してリップ２２の座標値又はシム２３の座標値を導出する演算部１３４とを含む。
制御部１３は、センサアセンブリ１２から信号を受信すると、それに応じてセンサアセンブリ１２の動作、すなわちセンサモジュール１２２及び移動部１２１の動作を制御し、リップ２２又はシム２３の座標値を演算し、リップ２２又はシム２３の高さに基づいてダイコーター２の不良の有無を判断する。このような制御部１３は、第１エンコーダ１３１、受信部１３２、判断部１３３及び演算部１３４を含む。制御部１３としては、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、ＭＣＵ（Ｍｉｃｒｏ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ Ｕｎｉｔ）又はＤＳＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｉｇｎａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）などを使用することが好ましいが、これらに限定されるものではなく、様々な論理演算プロセッサを使用することができる。
保存部１４は、ダイコーター検査装置１の動作を処理及び制御するためのプログラムと、各プログラムの実行中に発生する各種データ又は受信された信号などを保存する。このような保存部１４には、リップ２２又はシム２３の厚さｌ１～ｌ５に関する基準データが保存されており、リップ２２又はシム２３の高さに関する基準データも保存されている。また、保存部１４は、第１エンコーダ１３１がエッジの座標値を認識すると、認識したエッジの座標値を保存し、追って演算部１３４がリップ２２又はシム２３の座標値を導出すると、そのリップ２２又はシム２３の座標値を保存し、距離検知センサ１２２２がリップ２２又はシム２３の高さを測定すると、そのリップ２２又はシム２３の高さの測定データも保存する。このような保存部１４は、ダイコーター検査装置１に内蔵されてもよいが、別途の保存サーバとして設けられてもよい。保存部１４は、不揮発性メモリ装置及び揮発性メモリ装置を含む。不揮発性メモリ装置は、体積が小さく、軽く、外部の衝撃に強いＮＡＮＤフラッシュメモリであり、揮発性メモリ装置は、ＤＤＲ ＳＤＲＡＭであることが好ましい。
第１エンコーダ１３１は、センサモジュール１２２がダイコーター２の厚さ方向に移動する毎にセンサモジュール１２２の座標値を認識する。第１エンコーダ１３１は、センサモジュール１２２の座標値をリアルタイムで認識することが好ましく、このとき、センサモジュール１２２の移動量を検知して座標に換算することにより認識することができる。このような座標値は、任意に選定された基準から測定された相対的な座標であってもよい。そして、追って、位置検知センサ１２２１が受信部１３２に送信する第１信号が第２信号に変更されると、位置検知センサ１２２１がリップ２２のエッジを検知したものであるので、そのときのセンサモジュール１２２の座標値を前記エッジの座標値として認識することができる。
受信部１３２は、位置検知センサ１２２１が送信する信号を受信する。位置検知センサ１２２１は、リップ２２のエッジを検知すると、受信部１３２に送信する第１信号を第２信号に変更する。よって、リップ２２のエッジを検知したか否かを制御部１３に通知することができる。
判断部１３３は、受信部１３２が受信する信号に基づいて、前記エッジを境にしてリップ２２又はシム２３の位置を判断する。すなわち、エッジを基準として、センサモジュール１２２の前方にリップ２２が位置するか、又はシム２３が位置するか、また、センサモジュール１２２の後方にリップ２２が位置するか、又はシム２３が位置するかを判断する。ここで、前方とは、センサモジュール１２２が移動する方向を示し、後方とは、センサモジュール１２２が移動する方向とは反対方向を示す。また、追って距離検知センサ１２２２がリップ２２又はシム２３の高さを測定すると、リップ２２又はシム２３の高さの測定データと、リップ２２又はシム２３の高さに関する基準データとを比較し、不良の有無を判断する。
演算部１３４は、リップ２２又はシム２３の位置及び前記座標値に基づいて演算してリップ２２の座標値又はシム２３の座標値を導出する。具体的には、リップ２２又はシム２３の厚さｌ１～ｌ５に関する基準データを保存部１４からロードし、リップ２２又はシム２３の位置を反映して前記エッジの座標値とリップ２２又はシム２３の厚さｌ１～ｌ５に関する基準データを演算することにより、リップ２２又はシム２３の座標値を導出する。特に、演算部１３４は、エッジの座標値に、リップ２２又はシム２３の厚さｌ１～ｌ５の半分を演算することにより、リップ２２又はシム２３の座標値を導出することができる。ここで、リップ２２又はシム２３の位置に応じて前記演算が異なる。もし、エッジを基準として、リップ２２がセンサモジュール１２２の前方に、シム２３がセンサモジュール１２２の後方に位置する場合、演算部１３４は、エッジの座標値にリップ２２の厚さｌ１～ｌ３の半分を加えてリップ２２の座標値を導出する。そして、エッジの座標値からシム２３の厚さｌ４～ｌ５の半分を引いてシム２３の座標値を導出する。
制御部１３は、第２エンコーダ１３５をさらに含んでもよい。第２エンコーダ１３５は、移動部１２１がレール１１に沿ってダイコーター２の長さ方向に移動する毎に移動部１２１の座標値を認識する。前述したように、センサモジュール１２２は、移動部１２１に連結され、移動部１２１がレール１１に沿って移動すると共にダイコーター２の長さ方向にも移動する。よって、ダイ２１のリップ２２又はシム２３の直進度を検査することもできる。このとき、第２エンコーダ１３５が移動部１２１の座標値を認識し、直進度の不良が発生した位置の座標値を認識することもできる。あるいは、シム２３のガイド２３１が存在する部分の座標値及び存在しない部分の座標値に関するデータをロードし、自動で該当座標に移動してセンサモジュール１２２がリップ２２又はシム２３の組立公差などを検査することができる。このような第２エンコーダ１３５は、移動部１２１の座標値をリアルタイムで認識することが好ましく、このとき、移動部１２１の移動量を検知して座標に換算することにより認識することができる。このような座標値は、任意の基準から測定された相対的な座標であってもよい。
これまで述べたセンサアセンブリ１２、制御部１３及び保存部１４の各構成要素は、メモリ上の所定領域で実行されるタスク、クラス、サブルーチン、プロセス、オブジェクト、実行スレッド、プログラムなどのソフトウェア（ｓｏｆｔｗａｒｅ）や、ＦＰＧＡ（ｆｉｅｌｄ‐ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ｇａｔｅ ａｒｒａｙ）、ＡＳＩＣ（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ‐ｓｐｅｃｉｆｉｃ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）などのハードウェア（ｈａｒｄｗａｒｅ）として実現されるようにしてもよく、また、前記ソフトウェア及びハードウェアの組み合わせからなるようにしてもよい。上記構成要素は、コンピュータ可読記憶媒体に含まれてもよく、複数のコンピュータにその一部が分散して分布してもよい。
なお、各ブロックは、特定された論理的機能を実行するための１つ以上の実行可能なインストラクションを含む、モジュール、セグメント又はコードの一部を示すことができる。また、幾つかの代替実行例においては、ブロックに示す機能が順序から外れて発生することも可能である。例えば、連続して示す２つのブロックは、実際には実質的に同時に実行されることも可能であり、それらのブロックが時として該当機能に応じて逆順で実行されることも可能である。
図６は本発明の一実施形態によるダイコーター２のリップ２２を拡大した上面拡大図である。
前述したダイコーター検査装置１を用いてダイコーター検査方法を行うためには、まず、センサモジュール１２２がダイコーター２の厚さ方向に移動する（Ｓ３０１）。このようなセンサモジュール１２２は、図６に示すように、第１ダイ２１１から第２ダイ２１２に向かう方向に移動することができる。
センサモジュール１２２は、位置検知センサ１２２１及び距離検知センサ１２２２を含み、このような位置検知センサ１２２１及び距離検知センサ１２２２は、図６に示すように、互いにダイコーター２の長さ方向に並んで配置されてもよい。また、前述したように、本発明の一実施形態によるダイコーター用シム２３は、少なくとも１つのガイド２３１を含む。さらに、センサモジュール１２２は、このようなガイド２３１を通過するように移動し、このとき、センサモジュール１２２の位置検知センサ１２２１は、ガイド２３１が存在しない第１経路Ｒ１に沿って移動し、センサモジュール１２２の距離検知センサ１２２２は、ガイド２３１が存在する第２経路Ｒ２に沿って移動することができる。よって、位置検知センサ１２２１は、リップ２２が存在するか否かによってリップ２２のエッジを認識することができ、距離検知センサ１２２２は、リップ２２の高さ又はシム２３の高さを測定することができる。ここで、シム２３の高さとは、シム２３のガイド２３１の高さであることが好ましい。
センサモジュール１２２がダイコーター２の厚さ方向に移動する途中で、位置検知センサ１２２１がリップ２２のエッジを検知する（Ｓ３０２）。すると、位置検知センサ１２２１は、制御部１３の受信部１３２に送信する信号を第１信号から第２信号に変更する。
光ファイバセンサ又はフォトセンサには反射型センサと投受光型センサがある。反射型センサは、投光部と受光部がどちらも１つのセンサ本体に形成され、物体を検知すると受光部に光が受信されるセンサである。また、投受光型センサは、投光部と受光部が別々に別途設けられて互いに対向して設置され、受光部が光を受信している状態で物体を検知すると受光部に受信していた光が遮断されるセンサである。前述したように、ダイ２１の内部にはセンサを別途設置することができないので、本発明の一実施形態による位置検知センサ１２２１は、反射型センサであることが好ましい。
一方、第１エンコーダ１３１は、センサモジュール１２２が移動する毎にセンサモジュール１２２の座標値を認識する。制御部１３の受信部１３２が位置検知センサ１２２１から前記第２信号を受信すると、そのとき、第１エンコーダ１３１は、センサモジュール１２２の座標値をエッジの座標値として認識する（Ｓ３０３）。そして、保存部１４は、前記エッジの座標値を保存する。
例えば、図６に示すように、センサモジュール１２２が第１ダイ２１１の第１リップ２２１の上方を通過して移動すると、位置検知センサ１２２１は、第１リップ２２１を検知しているので、受光部が光を受信するオン（Ｏｎ）信号を制御部１３の受信部１３２に送信する。ところで、センサモジュール１２２が第１リップ２２１を全て通過すると、第１リップ２２１がそれ以上存在しなくなり、第１ダイ２１１と第３ダイ２１３との間の第１シム２３３が介在する空間が現れる。ところで、前述したように、位置検知センサ１２２１は、シム２３のガイド２３１が存在しない第１経路Ｒ１に沿って移動するので、位置検知センサ１２２１は、何も検知することができなくなる。すなわち、位置検知センサ１２２１の受光部は、光を受信することができないので、オフ（Ｏｆｆ）信号を受信部１３２に送信する。よって、位置検知センサ１２２１の受光部が光を受信している状態でそれ以上光を受信できなくなった瞬間にセンサモジュール１２２が通過する地点が第１リップ２２１の第１エッジ２２１１である。そして、位置検知センサ１２２１が受信部１３２に送信する信号がオン信号からオフ信号に変更された瞬間、第１エンコーダ１３１は、センサモジュール１２２の座標値を第１エッジ２２１１の座標値として認識する。ここで、前記第１信号はオン信号であり、前記第２信号はオフ信号である。そして、保存部１４は、第１エッジ２２１１の座標値を保存する。
それに対して、センサモジュール１２２が第１シム２３３が介在する空間の上方を通過して移動すると、位置検知センサ１２２１は、何も検知していないので、受光部が光を受信できないオフ（Ｏｆｆ）信号を制御部１３の受信部１３２に送信する。ところで、センサモジュール１２２が第１シム２３３が介在する空間を全て通過すると、第３ダイ２１３の第３リップ２２３が現れる。すると、位置検知センサ１２２１は、第３リップ２２３を検知して受光部が光を受信するので、再びオン（Ｏｎ）信号を受信部１３２に送信する。よって、位置検知センサ１２２１の受光部が光を受信できていない状態で再び光を受信するようになった瞬間にセンサモジュール１２２が通過する地点が第３リップ２２３の第２エッジ２２３１である。そして、位置検知センサ１２２１が受信部１３２に送信する信号がオフ信号からオン信号に変更された瞬間、第１エンコーダ１３１は、センサモジュール１２２の座標値を第２エッジ２２３１の座標値として認識する。ここで、前記第１信号はオフ信号であり、前記第２信号はオン信号である。そして、保存部１４は、第２エッジ２２３１の座標値を保存する。
上記のような方法で、センサモジュール１２２の位置検知センサ１２２１は、ダイコーター２のリップ２２のエッジを検知し、保存部１４は、このようなエッジの座標値を保存することができる。
一方、制御部１３の受信部１３２が位置検知センサ１２２１から前記第２信号を受信すると、判断部１３３は、前記検知されたエッジを基準として、リップ２２又はシム２３の位置を判断する。例えば、受信部１３２が受信する信号がオン信号からオフ信号に変更されたら、それは位置検知センサ１２２１がリップ２２を検知している状態でシム２３が介在する空間が現れたものである。よって、前記エッジを基準として、センサモジュール１２２の前方にはシム２３が位置し、センサモジュール１２２の後方にはリップ２２が位置する。それに対して、受信部１３２が受信する信号がオフ信号からオン信号に変更されたら、それは位置検知センサ１２２１がシム２３が介在する空間を通過して何も検知できていない状態でリップ２２を検知したものである。よって、前記エッジを基準として、センサモジュール１２２の前方にはリップ２２が位置し、センサモジュール１２２の後方にはシム２３が位置する。
さらに、判断部１３３は、前記位置を判断したリップ２２が第１リップ２２１～第３リップ２２３のうちいずれのリップ２２であるかも判断し、シム２３が第１シム２３３及び第２シム２３４のうちいずれのシム２３であるかも判断する。前述したように、センサモジュール１２２は、第１ダイ２１１から第２ダイ２１２に向かう方向に移動し、それぞれのリップ２２のエッジの座標値が保存される。よって、受信部１３２が受信する信号が最初にオン信号からオフ信号に変更されたら、該当エッジは第１リップ２２１のエッジであり、第１リップ２２１のエッジを基準として、前方には第１シム２３３が位置し、後方には第１リップ２２１が位置する。
一方、保存部１４には、リップ２２又はシム２３の厚さｌ１～ｌ５に関する基準データも保存されている。よって、判断部１３３が上記のようにリップ２２又はシム２３の位置を判断した後、演算部１３４が前記保存されたリップ２２又はシム２３の厚さに関する基準データを用いて、リップ２２又はシム２３の座標値を導出する。リップ２２又はシム２３の厚さｌ１～ｌ５は、最初に製作するときから製作のための設計データが存在する。また、リップ２２又はシム２３が良品である場合は、このような設計データの誤差範囲内の厚さを有する。よって、リップ２２又はシム２３の厚さに関する基準データは、前記設計データであってもよい。
演算部１３４は、保存部１４からリップ２２又はシム２３の厚さｌ１～ｌ５に関する基準データをロードする。また、前記エッジの座標値に、リップ２２又はシム２３の厚さの半分を演算し、リップ２２又はシム２３の座標値を導出する（Ｓ３０４）。このとき、リップ２２又はシム２３の位置を反映して演算する。
例えば、第１エッジ２２１１を基準として、前方には第１シム２３３が位置し、後方には第１リップ２２１が位置するので、演算部１３４は、第１シム２３３の厚さｌ４及び第１リップ２２１の厚さｌ１に関する基準データを保存部１４からロードする。そして、第１エッジ２２１１の座標値に、第１シム２３３の厚さｌ４の半分を加えると、第１シム２３３の中心点の座標値が導出され、これを第１シム２３３の座標値として決定する。また、第１エッジ２２１１の座標値から、第１リップ２２１の厚さｌ１の半分を引くと、第１リップ２２１の中心点の座標値が導出され、これを第１リップ２２１の座標値として決定する。
上記のような方法で、演算部１３４は、ダイコーター２の全てのリップ２２及びシム２３の座標値を導出することができる。そして、保存部１４は、このようなリップ２２及びシム２３の座標値を保存することができる。
リップ２２及びシム２３の座標値が導出されたので、センサモジュール１２２は、このような座標値に対応する位置に移動する（Ｓ３０５）。そして、センサモジュール１２２に含まれる距離検知センサ１２２２が前記位置でリップ２２又はシム２３の高さを測定する（Ｓ３０６）。距離検知センサ１２２２は、それぞれのリップ２２又はシム２３が距離検知センサ１２２２から離隔した距離を測定する。よって、リップ２２又はシム２３の高さは、任意の基準から測定された相対的な高さであってもよい。ただし、これに限定されるものではなく、距離検知センサ１２２２の地表面からの高さが既に保存部１４に保存されている場合、リップ２２又はシム２３の高さは、地表面から測定された絶対的な高さであってもよい。このように距離検知センサ１２２２がそれぞれのリップ２２又はシム２３の高さを測定すると、このようなリップ２２又はシム２３の測定データが保存部１４に保存される。
判断部１３３は、リップ２２又はシム２３の測定データに基づいて、ダイコーター２の不良の有無を判断することができる（Ｓ３０６）。具体的には、保存部１４には、リップ２２又はシム２３の高さに関する基準データも保存されている。これも、ダイコーター２の製作のための設計データであってもよい。すると、判断部１３３が保存部１４からリップ２２又はシム２３の高さに関する基準データをロードする。そして、リップ２２又はシム２３の高さの測定データと、リップ２２又はシム２３の高さに関する基準データとを比較し、ダイコーター２の不良の有無を判断することができる。２つのデータを比較して測定データが誤差範囲内に含まれる場合、ダイコーター２の組立公差が大きくないので、判断部１３３は、当該ダイコーター２を良品と判断する。それに対して、２つのデータを比較して測定データが誤差範囲から外れた場合、ダイコーター２の組立公差が大きいものなので、判断部１３３は、当該ダイコーター２を不良と判断する。
図７は本発明の他の実施形態によるダイコーター２ａ及びダイコーター検査装置１ａの斜視図である。
本発明の他の実施形態によれば、図７に示すように、レール１１ａが第１ダイ２１１の一面に一体に形成される。これにより、別途の結合部により結合されて形成された場合よりも、レール１１ａとダイ２１とがより強固に固定される。よって、ダイコーター２ａとレール１１ａとが分離したり互いに対して位置がずれることをより確実に防止することができる。
図８は本発明のさらに他の実施形態によるダイコーター２ｂ及びダイコーター検査装置１の斜視図である。
本発明のさらに他の実施形態によれば、図８に示すように、レール１１ｂが第１ダイ２１１の一面に埋め立てられて形成される。よって、ダイコーター２ｂの厚さ方向の体積を減少させることができる。ここで、レール１１ｂが第１ダイ２１１と一体に形成されてもよいが、これに限定されるものではなく、レール１１ｂが第１ダイ２１１とは別に形成され、第１ダイ２１１の一面に凹んだ溝が形成され、レール１１ｂが前記溝に挿入された後に別体の結合部に結合されてもよい。
図９は本発明のさらに他の実施形態によるダイコーター２及びダイコーター検査装置１ｃの斜視図である。
本発明のさらに他の実施形態によれば、図９に示すように、センサアセンブリ１２ａ、１２ｂ、１２ｃが複数形成される。よって、複数のセンサモジュール１２２が複数の位置でより迅速にリップ２２又はシム２３を検査することができる。図９にはセンサアセンブリ１２ａ、１２ｂ、１２ｃが３つ形成されたものを示すが、これに限定されるものではなく、センサアセンブリ１２ａ、１２ｂ、１２ｃは様々な数で形成されることが可能である。
図１０は本発明のさらに他の実施形態によるダイコーター２及びダイコーター検査装置１ｄの斜視図である。
本発明のさらに他の実施形態によれば、図１０に示すように、移動部１２１がダイコーター２の長さ方向に平行な軸を中心に回転する回転部を含む。ダイコーター２が生産ラインに装着された状態でセンサアセンブリ１２ｄが直ちにダイコーター２を検査し、その後回転部が回転する。よって、センサアセンブリ１２ｄは、ダイコーター２の外側に位置するようになり、ダイコーター２のリップ２２とコーティングの対象となる基材との間に障害物が消える。すると、ダイコーター２が直ちに前記基材にスラリーをコーティングすることができるので、生産効率を向上させることもできる。また、追って再びダイコーター２を検査する際には、回転部が再び逆方向に回転し、センサアセンブリ１２ｄがダイコーター２のリップ２２を向いて位置することができる。
図１１は本発明のさらに他の実施形態によるダイコーター２及びダイコーター検査装置１ｅの斜視図である。
本発明のさらに他の実施形態によれば、図１１に示すように、センサアセンブリ１２ｅがレール１１に着脱自在になっている。ダイコーター２が生産ラインに装着された状態でセンサアセンブリ１２ｅがダイコーター２を検査し、その後センサアセンブリ１２ｅがレール１１から脱着される。よって、ダイコーター２のリップ２２とコーティングの対象となる基材との間に障害物が消え、ダイコーター２が直ちに前記基材にスラリーをコーティングすることができる。また、追って再びダイコーター２を検査する際には、センサアセンブリ１２ｅがレール１１に再び装着され、センサアセンブリ１２ｅがダイコーター２のリップ２２を向いて位置することができる。
ｖ本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、本発明をその技術的思想や必須の特徴を変更することなく他の具体的な形態で実施できることを理解するものである。よって、上記実施形態は、あらゆる面で例示的なものであり、限定的でないものと理解すべきである。本発明の範囲は、上記詳細な説明ではなくて添付の特許請求の範囲により示され、特許請求の範囲の意味及び範囲、並びにその均等概念から導出される多様な実施形態が本発明の範囲に含まれるものと解釈すべきである。
１ ダイコーター検査装置
２ ダイコーター
３ ローラ
１１ レール
１２ センサアセンブリ
１３ 制御部
１４ 保存部
２１ ダイ
２２ リップ
２３ シム
１２１ 移動部
１２２ センサモジュール
１２２１ 位置検知センサ
１２２２ 距離検知センサ
１３１ 第１エンコーダ
１３２ 受信部
１３３ 判断部
１３４ 演算部
１３５ 第２エンコーダ
２１１ 第１ダイ
２１２ 第２ダイ
２１３ 第３ダイ
２２１ 第１リップ
２２２ 第２リップ
２２３ 第３リップ
２３１ ガイド
２３２ ベース
２３３ 第１シム
２３４ 第２シム
２２１１ 第１エッジ
２２３１ 第２エッジ

Claims (27)

  1. 第１ダイ、第２ダイ、及び前記第１ダイと前記第２ダイとの間に形成されたシムを含むダイコーターを検査するダイコーター検査装置であって、
    前記ダイコーターの厚さ方向に移動しながら前記ダイコーターのリップ及び前記シムを検査するセンサモジュールと、
    前記センサモジュールの動作を制御する制御部と、
    前記リップ及び前記シムの厚さに関する基準データが保存されている保存部とを含み、
    前記センサモジュールは、
    前記ダイコーターの長さ方向及び厚さ方向に沿った前記リップの位置を検知する位置検知センサと、
    前記リップ及び前記シムの高さを測定する距離検知センサとを含み、
    前記センサモジュールにおいて、前記位置検知センサ及び前記距離検知センサが互いに前記ダイコーターの長さ方向に並んで配置され、
    前記制御部は、
    前記センサモジュールが前記ダイコーターの厚さ方向に移動する毎に前記センサモジュールの座標値を認識する第１エンコーダと、
    前記位置検知センサが送信する信号を受信する受信部と、
    前記受信部が受信する信号に基づいて、前記ダイコーターの長さ方向及び厚さ方向に沿った前記リップ及び前記シムの位置を判断する判断部と、
    前記ダイコーターの長さ方向及び厚さ方向に沿った前記リップ及び前記シムの位置及び前記座標値に基づいて演算して前記リップの座標値及び前記シムの座標値を導出する演算部とを含む、ダイコーター検査装置。
  2. 前記位置検知センサは、前記リップのエッジを検知すると、前記受信部に送信する信号を第１信号から第２信号に変更する、請求項１に記載のダイコーター検査装置。
  3. 前記第１エンコーダは、前記第１信号が前記第２信号に変更されると、前記センサモジュールの座標値を前記エッジの座標値として認識する、請求項２に記載のダイコーター検査装置。
  4. 前記保存部は、前記第１エンコーダが認識した前記エッジの座標値を保存する、請求項３に記載のダイコーター検査装置。
  5. 前記判断部は、前記受信部が前記第２信号を受信すると、前記エッジを境にして前記ダイコーターの長さ方向及び厚さ方向に沿った前記リップ及び前記シムの位置を判断する、請求項３又は４に記載のダイコーター検査装置。
  6. 前記演算部は、前記リップ及び前記シムの厚さに関する基準データを前記保存部からロードし、前記ダイコーターの長さ方向及び厚さ方向に沿った前記リップ及び前記シムの位置を反映して前記エッジの座標値と前記リップ及び前記シムの厚さに関する基準データを演算することにより、前記リップ及び前記シムの座標値を導出する、請求項３から５のいずれか一項に記載のダイコーター検査装置。
  7. 前記演算部は、前記エッジの座標値に、前記リップ及び前記シムの厚さの半分を演算し、前記リップ及び前記シムの座標値を導出する、請求項６に記載のダイコーター検査装置。
  8. 前記保存部は、導出された前記リップ及び前記シムの座標値を保存する、請求項６又は７に記載のダイコーター検査装置。
  9. 前記センサモジュールは、導出された前記リップ及び前記シムの座標値に対応する位置に移動する、請求項６から８のいずれか一項に記載のダイコーター検査装置。
  10. 前記距離検知センサは、前記リップ及び前記シムの座標値に対応する位置で、前記リップ及び前記シムの高さを測定する、請求項９に記載のダイコーター検査装置。
  11. 前記保存部は、前記リップ及び前記シムの高さの測定データを保存する、請求項１０に記載のダイコーター検査装置。
  12. 前記保存部には、前記リップ及び前記シムの高さに関する基準データが保存されている、請求項１０又は１１に記載のダイコーター検査装置。
  13. 前記判断部は、前記リップ及び前記シムの高さの測定データと、前記リップ及び前記シムの高さに関する基準データとを比較し、不良の有無を判断する、請求項１２に記載のダイコーター検査装置。
  14. 第１ダイ、第２ダイ、及び前記第１ダイと前記第２ダイとの間に形成されたシムを含むダイコーターを検査する方法であって、
    位置検知センサを含むセンサモジュールが移動するステップと、
    前記位置検知センサが前記ダイコーターのリップのエッジを検知するステップと、
    前記エッジの座標値を認識するステップと、
    前記エッジの座標値と前記リップ及び前記シムの厚さに関する基準データを演算し、前記リップ及び前記シムの座標値を導出するステップと、
    前記センサモジュールが前記リップ及び前記シムの座標値に対応する位置に移動するステップと、
    前記センサモジュールに含まれる距離検知センサが前記リップ及び前記シムの高さを測定するステップと、
    前記リップ及び前記シムの高さの測定データを保存部に保存するステップと、
    前記リップ及び前記シムの高さの測定データに基づいて前記ダイコーターの不良の有無を判断するステップとを含み、
    前記センサモジュールにおいて、前記位置検知センサ及び前記距離検知センサが互いに前記ダイコーターの長さ方向に並んで配置される、ダイコーター検査方法。
  15. 前記位置検知センサは、光ファイバセンサ、フォトセンサ、近接センサ及びビジョンセンサのうちの少なくとも１つを含み、
    前記距離検知センサは、レーザ変位センサ及び超音波変位センサのうちの少なくとも一方を含む、請求項１４に記載のダイコーター検査方法。
  16. 前記シムは、
    前記第１ダイと前記第２ダイとの間の内部空間を複数に分離する少なくとも１つのガイドと、
    前記ガイドの端部を連結し、前記ダイコーターの長さ方向に延設されるベースとを含む、請求項１４または１５に記載のダイコーター検査方法。
  17. 前記センサモジュールが移動するステップにおいて、
    前記位置検知センサは、前記ガイドが存在しない第１経路を移動し、
    前記距離検知センサは、前記ガイドが存在する第２経路を移動する、請求項１６に記載のダイコーター検査方法。
  18. 前記センサモジュールは、前記第１ダイから前記第２ダイに向かう方向に移動する、請求項１４から１７のいずれか一項に記載のダイコーター検査方法。
  19. 前記センサモジュールが移動するステップにおいて、前記センサモジュールが移動する毎に第１エンコーダが前記センサモジュールの座標値を認識する、請求項１４から１８のいずれか一項に記載のダイコーター検査方法。
  20. 前記エッジの座標値を認識するステップの前に、前記位置検知センサが送信する信号を第１信号から第２信号に変更するステップをさらに含む請求項１９に記載のダイコーター検査方法。
  21. 前記エッジの座標値を認識するステップにおいて、前記第２信号を受信すると、前記第１エンコーダが前記センサモジュールの座標値を前記エッジの座標値として認識する、請求項２０に記載のダイコーター検査方法。
  22. 前記エッジの座標値を認識するステップにおいて、前記エッジの座標値を前記保存部に保存する、請求項１４から２１のいずれか一項に記載のダイコーター検査方法。
  23. 前記リップ及び前記シムの厚さに関する基準データが前記保存部に保存されている、請求項１４から２２のいずれか一項に記載のダイコーター検査方法。
  24. 前記リップ及び前記シムの座標値を導出するステップは、
    前記リップ及び前記シムの厚さに関する基準データをロードするステップと、
    前記エッジの座標値に、前記リップ及び前記シムの厚さの半分を演算し、前記リップ及び前記シムの座標値を導出するステップとを含む、請求項２３に記載のダイコーター検査方法。
  25. 前記リップ及び前記シムの座標値を導出するステップにおいて、前記リップ及び前記シムの座標値を前記保存部に保存する、請求項２３又は２４に記載のダイコーター検査方法。
  26. 前記リップ及び前記シムの高さに関する基準データが前記保存部に保存されている、請求項１４から２５のいずれか一項に記載のダイコーター検査方法。
  27. 前記ダイコーターの不良の有無を判断するステップは、
    前記リップ及び前記シムの高さに関する基準データをロードするステップと、
    前記リップ及び前記シムの高さの測定データと、前記リップ及び前記シムの高さに関する基準データとを比較し、不良の有無を判断する、請求項２６に記載のダイコーター検査方法。
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