JP7490184B2 - 電子顕微観察用試料の作製システム、プラズマ処理装置、及び電子顕微観察用試料の作製方法 - Google Patents

電子顕微観察用試料の作製システム、プラズマ処理装置、及び電子顕微観察用試料の作製方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7490184B2
JP7490184B2 JP2020562414A JP2020562414A JP7490184B2 JP 7490184 B2 JP7490184 B2 JP 7490184B2 JP 2020562414 A JP2020562414 A JP 2020562414A JP 2020562414 A JP2020562414 A JP 2020562414A JP 7490184 B2 JP7490184 B2 JP 7490184B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tape
resin tape
sputtering
plasma
electron microscope
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2020562414A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2020138297A1 (ja
Inventor
晋介 芝田
知子 信藤
栄之 岡野
修一 後藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Keio University
Sanyu Denshi Co Ltd
Original Assignee
Keio University
Sanyu Denshi Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Keio University, Sanyu Denshi Co Ltd filed Critical Keio University
Publication of JPWO2020138297A1 publication Critical patent/JPWO2020138297A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7490184B2 publication Critical patent/JP7490184B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/28Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N35/00Automatic analysis not limited to methods or materials provided for in any single one of groups G01N1/00 - G01N33/00; Handling materials therefor
    • G01N35/00009Automatic analysis not limited to methods or materials provided for in any single one of groups G01N1/00 - G01N33/00; Handling materials therefor provided with a sample supporting tape, e.g. with absorbent zones
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N1/00Sampling; Preparing specimens for investigation
    • G01N1/28Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N1/00Sampling; Preparing specimens for investigation
    • G01N1/28Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
    • G01N1/2813Producing thin layers of samples on a substrate, e.g. smearing, spinning-on
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532Electrodes
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N1/00Sampling; Preparing specimens for investigation
    • G01N1/02Devices for withdrawing samples
    • G01N1/04Devices for withdrawing samples in the solid state, e.g. by cutting
    • G01N1/06Devices for withdrawing samples in the solid state, e.g. by cutting providing a thin slice, e.g. microtome
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N1/00Sampling; Preparing specimens for investigation
    • G01N1/28Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
    • G01N1/36Embedding or analogous mounting of samples
    • G01N2001/362Embedding or analogous mounting of samples using continuous plastic film to mount sample
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
    • G01N23/2202Preparing specimens therefor
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
    • G01N23/2204Specimen supports therefor; Sample conveying means therefore
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/26Electron or ion microscopes
    • H01J2237/2602Details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/26Electron or ion microscopes
    • H01J2237/28Scanning microscopes
    • H01J2237/2813Scanning microscopes characterised by the application

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Sampling And Sample Adjustment (AREA)

Description

本発明は、電子顕微観察用試料の作製に関し、特に、親水化処理と導電化処理の少なくとも一方を施した樹脂テープ上に生体組織の切片を配置した電子顕微観察用試料の作製システム、電子顕微観察用試料の作製方法、及びこれに用いられるプラズマ処理装置とスパッタ装置とテープ搬送機構に関するものである。
従来、生体組織を走査電子顕微鏡観察する場合、樹脂包埋した生体組織をミクロトームなどで薄切りして得られた切片をプラスチックテープ上に搭載し、このプラスチックテープをシリコンウェハーなどの平坦な板の上に、1枚ずつ順次配置して試料を作製していた。
近年、連続的かつ自動的に電子顕微鏡観察用の切片を薄切りにして回収する装置が開発され、これを用いてプラスチックテープの上に切片を回収する研究室が増えてきた。
この方法では、樹脂包埋した試料をダイヤモンドナイフで順次切削し、切削した切片を水などの上に浮上させ、この浮上させた切片に同期して移動させたテープ上に切片を切削順に回収する(例えば非特許文献1参照)。
しかし、プラスチックテープは静電気の発生や、撥水性があるため、プラスチックテープ上に回収した切片にしわがよったり、切片が弾き飛ばされたりなどのトラブルが発生していた。
プラスチックテープに搭載した切片をそのまま走査電子顕微鏡で観察すると、チャージアップして観察し難い。そのため、切片の上から、カーボンなどの導電性コーティングを薄く施し、プラスチックテープに導電性を付与して走査電子顕微鏡で観察する(非特許文献1参照)。テープ自体が導電性を有する材質(例えば、金属など)で形成されているのが理想的であるものの、導電性を有する材質は一般的に表面の平坦性が不十分であることから、切片を搭載するテープとしては使えないためである。
一方、磁気テープの表面をプラズマ処理する装置(例えば特許文献1参照)や長尺フィルムにスパッタリングを施す装置(例えば特許文献2参照)が知られていた。しかしながら、これらのプラズマ処理装置やスパッタリング装置は、工業用であり、装置の構造が精密であったり、装置が大型であったりして、電子顕微鏡観察用の試料作製には適さないという問題があった。
特開平07-256087号公報 特開2018-9247号公報
超薄連続切片自動回収機ATUMを用いた試料作製方法、日本顕微鏡学会 P176-180,Vol.49,No.3,(2014)
本発明は上記した課題を解決するためになされたものであって、従来よりも簡単な構成と手法で、生体組織からなる切片を用いた電子顕微観察用試料の作製を実現することを目的とする。
特に、テープ表面の静電気または撥水性を低減するためのプラズマ処理と、テープに導電性を付与するためのスパッタ処理の少なくとも一方を行うことで、簡易な装置を用いた簡易な手法で生体組織からなる切片の電子顕微観察を可能とする電子顕微観察用の試料作製方法とシステムを提供する。
本発明者らは、樹脂テープの表面を予め親水化処理することにより、当該テープの上に連続的に切片を回収して容易かつ確実に平坦に固定できることを知見した。また、樹脂テープの表面を予め導電化処理することで、樹脂テープ上に搭載した切片の上からカーボンコーティングなどの導電性膜を形成しなくても、走査電子顕微鏡でチャージアップすることなく、高コントラストかつ高分解能で切片の観察等ができることを知見した。
本発明は上記した知見に基づいてなされたものである。本発明の一つの態様では、電子顕微観察用試料の作製システムは、
樹脂テープをプラズマ照射領域内で走行させてプラズマ照射して連続的に親水化するプラズマ処理装置と、前記樹脂テープをスパッタリング領域内で走行させて連続的にスパッタリングして導電化するスパッタ装置の少なくとも一方と、
前記プラズマ処理装置またはスパッタ装置で処理された前記樹脂テープの被処理面上に、連続的に切削された前記試料の切片を順次回収する回収装置と、
を備えている。
この電子顕微観察用試料の作製システムによれば、プラズマ処理装置によって樹脂製のテープ表面を親水化することで、撥水性や静電気を有するテープの上にも、はじかれたりすることなく切片を平坦に搭載することができる。また、スパッタ装置によって導電化された樹脂テープを用いるので、例えば走査電子顕微鏡観察においても、チャージアップすることなく、高コントラストかつ高解像度の画像を取得することができる。
電子顕微観察用試料の作製システムで用いられるプラズマ装置によれば、生体組織からなる切片を平坦に搭載可能にするために、プラスチック等の撥水性のテープや、静電気を生じるテープの表面を簡易な装置および方法で親水化することができる。
電子顕微観察用試料の作製システムで用いられるスパッタ装置によれば、生体組織からなる切片の電子顕微鏡観察を可能にするために、簡易な装置および方法でプラスチックなどの導電性を有しないテープの表面処理を行って導電性を付与することができる。
従来よりも簡単な構成と手法で、生体組織からなる切片を用いた電子顕微観察用試料の作製が実現される。本発明の電子顕微観察用の試料作製方法および装置は、生体組織からなる切片の、高コントラストかつ高解像度での連続電子顕微観察を可能とする。
実施形態の電子顕微観察用試料の作製システムの模式図である。 本実施形態の電子顕微鏡観察の全体工程図である。 本実施形態のプラズマ処理装置の構成図(その1:親水化処理)である。 本実施形態のプラズマ処理装置のガイド軸にテープがガイドされた状態の一例を示す模式図である。 本実施形態のプラズマ処理工程の動作説明フローチャートである。 本実施形態のスパッタ装置の構成図(その2:導電化処理)である。 本実施形態のスパッタ装置のテープがガイドされる機構(ガイド軸)の一例を示す模式図である。 本実施形態のスパッタ装置のガイド軸にテープがガイドされた状態の一例を示す模式図である。 本実施形態のスパッタ装置に備えるセンサの一例を表す模式図である。 本実施形態のスパッタリング工程の動作説明フローチャートである。 図5のスパッタ装置でのテープ巻き取りの外観図である。 本実施形態の切片作製(S4)・切片回収(S5)の詳細工程図である。 本実施形態の切断したテープのウェハーへの整列(S8)を示す図である。 本実施形態の電子顕微観察(S9)の例を示す図である。 本実施形態の電子顕微観察による画像分析(S9)の例を示す図である。 本実施形態の電子顕微観察における観察、及び画像分析(S9)の説明図である。 本実施形態の電子顕微鏡観察で得られる画像の例(S9)である。 本実施形態の電子顕微鏡観察で得られる画像の別の例である。
実施形態の電子顕微観察用試料の作製システムは、試料搭載用のテープ表面に連続的に親水化処理と、導電化処理の少なくとも一方を施し、処理後のテープ上に試料の切片を連続的に回収する。試料搭載用のテープは、たとえば樹脂テープである。本実施形態の試料作製システムにより、試料の切片を搭載した樹脂テープを、シリコンウェハー、ガラス基材等の基板上に固定して、例えば走査電子顕微鏡観察することができる。切片搭載後に導電性コーティングをしなくても、チャージアップなしに高コントラストかつ高分解能で切片を観察し、または、画像の取得をすることができる(以下、特に断らない限り電子顕微鏡観察は、観察画像の取得を含むものとして記載する)。
図1Aは、実施形態の電子顕微観察用の試料作製システム100の模式図である。電子顕微観察用の試料作製システム100は、プラズマ処理装置110とスパッタ装置120の少なくとも一方と、回収装置120を含む。前処理が施されたテープが、プラズマ処理装置110、またはスパッタ装置120に導入される。プラズマ処理とスパッタ処理の両方を行う場合は、いずれを先に行ってもよいが、プラズマ処理が表面浄化作用を有することから、一例としてプラズマ処理の後に、導電性を付与するスパッタ処理を行う。
導入されるテープは、生体試料等の切片を搭載するために用いられるテープであり、テープの幅は、一例として1mm以上、10mm以下であり、好ましくは、数ミリ程度、あるいはそれ以下である。プラズマ処理装置110とスパッタ装置120は、このような幅の狭いテープに効率的にプラズマ処理またはスパッタリングを施すために、コンパクトで効率的なテープ送り機構を有する。
プラズマ処理装置110は、プラズマ処理装置110の全体動作と個々の部品の動作を制御する制御装置115を有する。スパッタ装置120は、スパッタ装置120の全体動作と個々の部品の動作を制御する制御装置125を有する。制御装置は、必ずしもプラズマ処理装置110とスパッタ装置120の内部に個別に配置されていなくてもよく、パーソナルコンピュータ等の外部の情報処理装置が制御装置として接続されていてもよい。
プラズマ処理またはスパッタリングが施された樹脂テープは、回収装置130のリールに設置され、試料の切片が連続してテープ上に搭載される。あらかじめ、樹脂テープの表面にプラズマ処理と、導電性を付与するスパッタ処理の少なくとも一方が施されているので、切片はテープ上の所定の位置に順次、正しく配置される。また、帯電が抑制される。
試料の切片が搭載された樹脂テープは、テープ配列ステージで、電子顕微観察及びライブラリ用に適した形態で基板上に配列されてもよい。装置間のテープの搬送は、オペレータが手動で行ってもよいし、ロボットアームや搬送装置によって自動搬送されてもよい。
図1Bは、本実施形態の電子顕微鏡用試料の作製方法及びこれを用いた電子顕微鏡観察の全体の工程を説明する図である。以下順次詳細に説明する。
工程S1は、テープの前処理を行う工程である。
(1)樹脂テープ
樹脂テープとしては、耐進展性(伸びない)、表面平坦性、耐薬品性、耐熱性を有する樹脂製のテープを使用することができる。樹脂テープは、耐薬品性を有することで、後述するウランや鉛を用いた電子染色に際しても、変形や変質を抑えられる。また、耐熱性を有することで、樹脂テープにプラズマ処理やスパッタリングを施した際にも変形や変質が抑えられる。
上記のような特性を有する樹脂テープの材質としては、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエーテル・エーテルケトン(PEEK)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)などが使用可能である。用いる樹脂材料は、電子顕微観察の手法に応じて選択可能である。たとえば、電子顕微鏡観察と蛍光観察を同じ切片で同時に行う場合は、テープ自身が自家蛍光を持たない材料が良い。自家蛍光は樹脂材料自体から生じる自発的な蛍光であり、人為的に添加されたマーカー由来の光を観測する蛍光観察のノイズとなるからである。自家蛍光を持たないテープの一例として、ポリカーボネートを使用することができる。PETやポリイミドは特定の波長に蛍光があり、PEEKはほぼ全波長に色があるが、これらの材料も電子顕微鏡観察には適切に使用される。
なお、テープ自体が導電性を備えるのが理想的であるが、導電性を備える材質(例えば金属など)は平坦性や耐薬品性が十分ではないことが多い。例えばアルミニウムは、平坦性は高いが耐薬品性が低いので電子顕微鏡観察での使用は困難である。このため、本実施形態では、樹脂テープを使用することとした。
樹脂テープの幅は、例えば生体組織から切片を切り出す回収装置130の水ボート付ダイヤモンドナイフの構成に合わせて設計することができる。樹脂テープの幅は、通常幅が2.5mm以上10mm以下であり、7.5~8.0mm程度であれば十分である。樹脂テープの厚みについても上記同様に、水ボート付ダイヤモンドナイフの構成に合わせて設計することができ、好ましくは30~70μmである。厚みが30μm以上であれば、取り扱いがしやすく、70μm以下であれば、一般的な水ボート付ダイヤモンドナイフを用いて切片を円滑に回収することができる。
(2)テープ前処理(S1)
まず、テープ前処理工程(S1)で、樹脂テープ表面を清浄化する。このテープの前処理工程では、エタノール等で樹脂テープ表面をふき取り、主に樹脂テープ表面に付着した大きなゴミや汚れを除去する。
テープ前処理工程で清浄化された樹脂テープは、プラズマ処理装置で用いられるリールに巻き取られ、次の工程のS2に移送される。
(3)プラズマ処理(S2)
図1Bにおいて、工程S2は、プラズマ処理工程である。プラズマ処理工程では、樹脂テープ表面にプラズマを照射して、樹脂テープ表面を親水化する。また、プラズマ処理によって樹脂テープ表面の微細な汚染物を除去することができる。
プラズマ処理工程では、まず、樹脂テープを巻取りしたリールをプラズマ処理装置110にセットする。その後、リールを回転させて、樹脂テープをプラズマ処理装置110のチャンバ内のプラズマ電極の間(プラズマ照射領域)に搬送し、プラズマ照射領域内を走行させる。これによりテープ表面にプラズマを照射する。
図2は、本実施形態のプラズマ処理に使用されるプラズマ処理装置110の構成一例を表す図である。図2の(a)は平面図を示し、図2の(b)は正面図を示し、図2の(c)は側面図を示す。テープの送り方向をX方向、装置の高さ方向をZ方向、X方向及びZ方向と直交する方向をY方向とする。
図2に示すプラズマ処理装置110は、プラズマ電極2として対向する陽極および陰極を備えている。プラズマ電極2は、例えば、上下に対向して配置した金属製の円板からなり、4、5、6、7、8インチなどのウェハーにプラズマを照射可能なサイズを有する。プラズマ電極2の配置は互いに対向していれば上下の関係に限定されず、プラズマ処理装置110の設置状態によっては、左右(たとえばX-Z面と平行)に対向していても構わない。プラズマ電極2は、図2では、ステンレスを用いたが、それ以外に放電により金属が放出されないような他の材料でもよい。テープ3は、上述した樹脂テープであり、一対のプラズマ電極2の間で、テープ面を電極面に対して垂直にした状態で張られている。
プラズマ処理装置110は、テープ3を巻き取るリール5-1(第1のリール),および送り側のリール5-2(第2のリール)と、リール5-1,5-2を固定する回転軸8-1,8-2を備えている。リール5-1,5-2の、例えば、テープ3を巻き取る巻き取り軸の外周に凹凸部を設け、回転軸8-1,8-2の外周に凹凸部を設け、これらを嵌合させることでリール5-1,5-2を回転軸8-1,8-2に固定することができる。
筐体6は、プラズマ処理装置110の全体を収納する。筐体6は、図2に示すように、対向したプラズマ電極2、リール5-1、5-2とこれに巻いたテープ3などを収納する真空排気可能な容器(チャンバ)である。筐体6には、図示しない、減圧ポンプ等の真空排気機構が付設されており、これにより筐体6内を真空排気可能である。筐体6の上面、すなわち、スパッタ電極2の上方には、窓付のドアが設けられていて、ドアの開閉により筐体6にテープ3を出し入れすることができる。窓は透明基板等を用いて内部を視認可能に構成されている。耐熱性や耐薬品性の点から、透明基板としては、アクリル樹脂やポリカーボネートなどの樹脂基板やガラス板を使用することができる。
上述したように、プラズマ処理装置110では、プラズマ電極2の間(プラズマ照射領域内)において、テープ3の両表面に同時にプラズマ照射されるようにテープ3の表面を両スパッタ電極2の対向面に垂直に配置する。このため、リール5-1,5-2は、いずれも、その側面が、プラズマ電極2を構成する円板の平面と平行になるように筐体6内に収容されている。図2では、1本のテープ3を用いた例を示したが、例えば、複数のリールを互いに離間させて重なるように配置して、複数本のテープ3を配置してもよい。複数本のテープ3を配置する場合、テープ3を送り出す側のリール5-2は、そのうち1つを回転軸8-2に固定して、その他のテープは回転軸8-2の周上を自由回転するように設置することが好ましい。このような構成により、複数本のテープ3の巻き数が異なる場合でも、最も走行速度が速くなる、巻き数の多いテープを、上記回転軸8-2に固定したリール5-2に設置することで、これ以外のテープのたるみを防いで、安定的に連続プラズマ処理を行うことができる。
プラズマ処理装置110は、プラズマ電極2の間に、電圧を印加する電源装置(図示せず)と、プラズマ電極2間に所定の大きさの電流(プラズマ電流)が流れるように電気回路によって電流値を制御する図示しない電流調整器を備えている。電源装置が印加する電圧は、直流電圧または交流電圧のいずれであってもよく、高周波電圧であってもよいが、装置を小型化する点では直流電圧であることが好ましい。
駆動装置7は、回転軸8-1を駆動して回転させ、その回転速度を電気回路により自動制御する。これにより回転軸8-1に固定されたリール5-1が回転され、テープ3を所定速度で巻き取る。リール5-2を固定する回転軸8-2は、リール5-1により巻き取られるテープ3の張力によって回転する。駆動装置7を駆動させることで、回転軸8-1が回転され、これにより、テープ3が所定の搬送速度でリール5-2からリール5-1に巻き取られる。駆動装置7は例えば減速機付モーターである。この場合、ブレーキは実験で予め適切な条件を求めて設定することができる。モーターの回転数は、例えば、5~30秒/回転程度の範囲で、6段階(26.5秒/回転、16.5秒/回転、10.0秒/回転、6.0秒/回転、5.6秒/回転)などと、段階的に変更可能に設計される。
プラズマ処理装置110は、回転軸8-2に摩擦力を付与してその回転速度を制御するブレーキ機構9を備えている。ブレーキ機構9は、例えば筐体6内に固定され、回転軸8-2の周上の特定位置で接する長尺板で構成することができる。この長尺板の一端が筐体6内に固定され、その他端が回転軸8-2の周上に接することで、回転軸8-2と長尺板の間に摩擦力が生じ、これにより回転軸8-2の回転速度を制御する。長尺板の材質としては、プラズマ処理装置内で変質等を生じない材料であり、弾性のある材料、例えばSUSなどのステンレス鋼を使用することができる。また、長尺板をステンレス鋼などの金属板で構成する場合、回転軸8-2の周上の、金属板が摺接される部分には樹脂製のシートを回転軸の外周方向に沿って設けてもよい。樹脂の種類に応じて、回転軸8-2に生じる摩擦力を調節し、回転速度を調節することができる。樹脂として具体的には、プラズマ処理装置内において反応性の低い材料、例えば、テフロン(登録商標)などが使用可能である。本実施形態のプラズマ処理装置では、回転軸8-1も同様のブレーキ機構を備えているが、これらは必要に応じて一方のみ備えていてもよい。
プラズマ処理装置110は、リール5-2から送り出されたテープをガイドするガイド軸11を備えている。図3はガイド軸11にテープ3がガイドされた状態の一例を示す模式図であり、プラズマ電極2の電極面と平面なX-Y面内での平面図である。ガイド軸11は、プラズマ電極2のリール5-1側とリール5-2側にそれぞれ設けられ、ガイド軸11にガイドされるテープ3がプラズマ電極2の略中心を通るように配置される。ガイド軸11は、円筒状軸11aと、この円筒状軸11aの外周面を自由回転可能に配置された内空の円筒板11bと、ガイド軸両端に配設され、ガイド軸11からのテープ3の離脱を防ぐ止め板11cを有する。止め板11cは、例えばガイド軸11の内径よりも径の大きい円板で形成されている。ガイド軸11の円筒板11bにテープ3が接触することで、テープ3を、プラズマ照射領域の略中心を通過するように走行させて、テープ3の表面の親水化を均一化する。なお、テープ表面に一滴の水滴を落としたときに水滴がテープ表面に残らず、表面に広がっていけば、親水化が十分に行えたと判断してよい。
プラズマ処理装置110は、テープ3がプラズマ照射領域内を走行しているか否かを検出するセンサ12を備えている。センサ12は、例えば光を出射する光源と、光源から出射されて、テープ3に反射された光を検出する光検出器とを有する。光源は、テープ3により反射可能な波長の光を出射する。センサ12は、光源からの光をテープ3の表面に垂直に照射するように配置される。テープ3として上記の樹脂テープを用いる本実施形態では、光源は例えば赤外線を出射する素子である。プラズマ処理装置110は、図1Aを参照して説明したように、制御装置115を備えており、センサ12の光検出器によりテープ3からの反射光が検出されない場合には、制御装置115は、テープ3がプラズマ照射領域を走行中していないと判断し、駆動装置7及び電源装置を停止する。
本実施形態のプラズマ処理装置110は、リール5-1,5-2、回転軸8-1,8-2、ガイド軸11、駆動装置7及びブレーキ機構9からなるテープ搬送手段と、テープの走行状態を検出する、センサ12を有する点に特徴の一つがあり、これらの構成により、プラズマ処理装置を小型かつ簡易に構成することができる。
図4は、図1Bのプラズマ処理の工程S2の動作を説明するフローチャートである。図4のフローチャートに沿って、プラズマ処理の動作を詳細に説明する。
図4において、S101は、テープ3をプラズマ処理装置110にセットする工程である。図2の筐体6の前面の窓付きのドアを開け、予め親水化処理の対象となるテープ3を巻き取ったリールを、図2のプラズマ処理装置110の送り側のリール5-2の場所にセットする。テープ3の一端を引き出し、このテープ3の一端を、筐体6の中央を通過させるためのガイド軸11に接触させ、次いで、受け側のリール5ー1に入れ、リール5-1を少し回して巻き取らせる。その後、駆動装置7を駆動させて、テープ3が送り方向(X方向)に搬送されるのを確認する。
S102は、プラズマ処理装置のチャンバ内を真空排気する工程である。S101でテープ3をリール5-2とリール5-1の間にセットした後に、上面のドアを閉め、真空排気する。真空排気後の真空度は最大6~8Pa程度である。
S103は、チャンバ内にガスを導入する工程である。S102で真空排気した後、必要に応じて所望のガスを導入し、所定圧力に調整する。プラズマ処理の雰囲気として、酸素あるいは空気(体積比で窒素:酸素=3:1)を使用することができる。このうち、酸素を用いる方が、プラズマ電流値が安定するため、好ましい。圧力は実験で予め求めておき、例えば、ガスとして酸素を用いる場合、6~20Paの範囲であれば十分である。
S104は、プラズマ電極2間に電圧を印加し、プラズマ電極11間を流れる電流値を調整する工程である。S103で所定雰囲気に調整された筐体6の内部で、プラズマ電圧を印加し、上述の大きさのプラズマ電流が流れるように調整する。
プラズマ電流値としては、25mA程度であれば、十分な親水化が可能である。なお、上記の条件で親水化した場合、プラズマ処理後は1~2週間程度は問題なく親水化された状態が持続できる。例えば、長期保存により親水化状態が劣化した場合には再度、プラズマ照射すればよい。なお、最適なプラズマ電流値、テープ搬送速度、ガス雰囲気、ガス圧力、ガス種類などは、電子顕微鏡観察試料などの種類や大きさに応じて、実験により予め求めて設定することが好ましい。
S105は、テープ3をプラズマ電極11間のプラズマ照射領域に一定速度で走行させ、テープ3表面にプラズマ照射する工程である。S104でプラズマ電圧およびプラズマ電流を親水化処理のための適切な値に調整された後、駆動装置7を駆動させて、回転軸8-1を所定の回転速度で回転させる。これにより、テープ3が所定速度で走行し、連続的にテープ3の両面に同時に親水化処理が施される。テープ搬送速度は、十分に親水化する観点から、例えばプラズマ電流値が25mA程度のとき好ましくは30秒~1分程度/200mmであり、必要に応じてこれ以上の滞在時間としてもよい。
S106は、テープの走行が終了した(終端が検出された)か判別する工程である。制御装置115は、S105で駆動装置7が駆動されると、センサ12の光源から赤外光をテープ3に照射し、光検出器によりテープ3からの反射光が検出されているときは、テープ3がプラズマ照射領域内を走行中であると判別する。一方、制御装置115は、反射光が検出されなくなったときに、テープ3がプラズマ照射領域内を走行しておらず、リール5-1に巻かれたテープ3の親水化処理が終了したと判別する。また、センサでの判別がYES(終端検出あり)の場合には、駆動装置7と電源装置を停止させることでテープ3の走行を停止させ、一連の処理を終了する。NO(終端検出なし)の場合には、S105を繰り返す。
以上によって、プラズマ処理装置110を用い、テープ3を、その表面がプラズマ電極2の電極面に対して垂直方向になるように、所定の搬送速度で走行させる。これにより、テープ3の両表面に、同時かつ均一にプラズマ照射して連続的に親水化処理することが可能となり、両表面が親水化された樹脂テープが作製される。
(4)スパッタリング
図1Bに戻って、工程S3は、スパッタリング工程であり、スパッリングにより樹脂テープ表面に導電性の重金属を付着させて導電化する。工程S3では、まず、工程S2において親水化された樹脂テープを巻き取ったリールを、スパッタ装置120にセットする。リールを回転させて、スパッタ装置120のチャンバ内のスパッタ電極の間(スパッタリング領域)に樹脂テープを搬送し、スパッタリングを行う。
図5は、本発明の実施形態のスパッタ装置120の一例の構成を示す図である。図5の(a)はスパッタ装置の平面図であり、図5の(b)は正面図である。テープの送り方向がX方向、装置の高さ方向がZ方向、Z方向及びZ方向と直交する方向がY方向である。
図5に示すスパッタ装置120は、スパッタ電極41、42を備えている。スパッタ電極41、42は、例えば装置の高さ方向で互いに対向して配置した円板状の電極であって、4、5、6、7、8インチなどのウェハーにスパッタ可能なサイズを有する。テープ13は、上述した樹脂テープである。なお、スパッタ電極41、42の配置はこれらが対向していれば上下の関係に限定されず、スパッタ装置120の設置状態に応じて左右などでも構わない。
スパッタ電極41は、スパッタリングターゲットで構成されている。スパッタリングターゲットとしては、導電性の重金属を用いることができる。導電性の重金属からなるスパッタリングターゲットとしては、Au,Ag,Pt,Pdなどからなるターゲットや、これらの任意の合金からなるターゲットを使用することができる。電子顕微鏡観察において良好なイメージングを行いやすい点で、スパッタリングターゲットとしては、金ターゲット、Pt-Pd合金ターゲットが好ましく、金ターゲットがより好ましい。Pt-Pd合金ターゲットのPtとPdの比率は例えば、質量比でPt/Pdが90/10程度であれ
ばよい。
スパッタ電極42は、対向するスパッタ電極41との間で放電するため、その材質はステンレスのほか、放電により金属が放出されないような他の材料を用いることができる。
スパッタ装置120は、テープ3を巻き取るリール15-1(第3のリール)、および送り側のリール15-2(第4のリール)と、リール15-1,15-2を固定する回転軸18-1,18-2とを備えている。リール15-1,15-2の、例えば、樹脂テープを巻き取る巻き取り軸の内周に凹凸部を設け、回転軸18-1,18-2の外周上に凹凸部を設けて、これらを嵌合させることでリール15-1,15-2を、回転軸18-1,18-2に固定することができる。なお、本実施形態では、3本のテープ13を同時に走行させており、この場合、テープ13を送り出す側のリール15-2は、そのうち1つ(例えば筐体16のドアより最も奥側)を回転軸18-2に固定して、その他の2本は回転軸18-2の周上を自由回転するように設置することが好ましい。このような構成により、3本のテープ13の巻き数が異なる場合でも、最も走行速度が速くなる、巻き数の多いテープ13を、上記回転軸18-2に固定したリール15-2に設置することで、これ以外の2本のテープのたるみを防いで、安定的に連続スパッタが可能である。
本実施形態では、スパッタ電極41、42の円板の対向する面とテープ13の表面が平行になるようにテープ13を配置する。そのため、リール15-1、リール15-2はその側面がスパッタ電極41、42の円板の対向する面と垂直に配置される。これによりテープ13の一方の表面にスパッタリングにより導電性膜が付着されて導電化される。
筐体16は、スパッタ装置120の全体を収納する。筐体16は、図示のように、対向したスパッタ電極41,42、リール15-1、15-2とこれに巻いたテープ13などを収納する。筐体16には、減圧ポンプ等の真空排気機構19が付設されており、これにより、筐体16内を真空排気可能である。筐体16の前面には、内部を視認可能な窓付のドアが設けられていて、ドアの開閉により筐体16にテープ13を出し入れすることができる。窓は透明基板により形成されている。透明基板としては、耐熱性や耐薬品性の点から、アクリルやポリカーボネートなどの樹脂基板やガラス板を使用することができる。
スパッタ装置120は、スパッタ電極41、42の間に、電圧を印加する電源装置(図示せず)と、スパッタ電極41,42間に所定の大きさの電流(スパッタ電流)が流れるように電気回路によって電流値を制御する図示しない電流調整器を備えている。電源装置が印加する電圧は、直流電圧または交流電圧のいずれであってもよく、高周波電圧であってもよいが、装置を小型化する点では直流電圧であることが好ましい。
電源装置によりスパッタ電極41と、これに対向するスパッタ電極42との間に電圧が印加されると、両電極41、42間に放電が生じ、これによりイオン化した雰囲気中のガスイオンが、スパッタ電極41に衝突してスパッタ電極41を構成するスパッタリングターゲットの材料が放出されてスパッタリングされる。放出されたスパッタリングターゲット材料は、スパッタ電極41に対向して配置されたテープ13の表面に付着してテープ13の表面が導電化処理される。
駆動装置17は、回転軸18-1を駆動して回転させ、その回転速度を電気回路により自動制御する。これにより回転軸18-1に固定されたリール15-1が回転され、テープ13を所定速度で巻き取る。リール15-2を固定する回転軸18-2は、リール15-1により巻き取られるテープ13の張力によって回転する。このように、駆動装置7を駆動させることで、回転軸18-1が回転され、これにより、テープ13が所定の搬送速度でリール15-2からリール15-1に巻き取られる。駆動装置17は例えば減速機付モーターであり、この場合、ブレーキは実験で予め適切な条件を求めて設定することができる。
スパッタ装置120は、回転軸18-1,18-2に摩擦力を付与してその回転速度を制御するブレーキ機構20を備えている。ブレーキ機構20は、例えば筐体16内に固定され、回転軸18-2の周上の特定位置で接する長尺板で構成することができる。この長尺板の一端が筐体16内に固定され、その他端が回転軸18-2の周上に接することで、回転軸18-2と長尺板の間に摩擦力が生じ、回転軸18-2の回転速度を制御することができる。長尺板の材質としては、スパッタ装置120内で変質等を生じない材料であり、弾性のある材料、例えばSUSなどのステンレス鋼を使用することができる。また、長尺板をステンレス鋼などの金属板で構成する場合、回転軸18-2の周上の、金属板が摺接される部分に樹脂製のシートを設けることで、樹脂の種類などにより回転軸18-2に生じる摩擦力を調節することができる。樹脂としては、例えば、テフロン(登録商標)を使用することができる。本実施形態のスパッタ装置120では、回転軸18-1も同様のブレーキ機構を備えているが、これらは必要に応じて一方のみ備えていてもよい。
スパッタ装置120は、リール15-2から送り出されたテープをガイドするガイド軸31,32を備えている。図6はガイド軸31を模式的に示す図であり、図6(a)は平面図、図6(b)は正面図である。図7は、テープ13がガイド軸31、32にガイドされた状態の一例を示す模式図であり、リール15-1、15-2の平面方向(X-Z面内)で見た図である。ガイド軸31は、スパッタ電極41のリール15-1側とリール15-2側にそれぞれ設けられ、ガイド軸31にガイドされるテープ13がスパッタ電極42の平面の略中心を通るように配置される。図6に示されるように、ガイド軸31は、円筒状軸31aと、この円筒状軸31aの周を自由回転可能に配置された内空の円筒板31bと、複数のテープ13のガイド領域を仕切る仕切り板31cと、ガイド軸31の両端に設けられ、テープ13がガイド軸31から脱離しないようにする円盤状の止め板31dからなる。仕切り板31cおよび止め板31dは例えばガイド軸31の内径よりも径の大きい円板からなる。なお、テープ13は、導電化される表面がガイド軸31に接触しないようにガイドされることが好ましい。
ガイド軸32の構成は図2,3に示すガイド軸11と同様であり、ガイド軸31とは、仕切り板31bを有しない点で異なる。ガイド軸31,32の内空円筒板31bにテープ13が接触することで、テープ13を、スパッタ領域内でたるませずに走行させることができる。また、仕切り板31cにより、テープ13同士の接触を防ぐことができる。これらによれば、テープ13表面の導電化が均一に実現し易い。
スパッタ装置120は、テープ13がスパッタ領域内を走行しているか否かを検出するセンサ33を備えている。図8は、スパッタ装置120に備えられるセンサ33を表す模式図であり、図8(a)は、センサ33が配置された図であり、図8(b)はセンサ33に備えられるフランジ付円板を表す。図8に示すように、センサ33は、例えば光を出射する光源33aと、光源から出射された光を検出する光検出器33bと、フランジ付円板33cとを備えている。センサ33は、光源からの光を、光源に対向して配設された光検出器で検出する。光源33aは光検出器33bと組み合わせて適宜選択することができ、例えば光の直進性の高いLED(Light emitting diode)などを使用することができる。
フランジ付円板33cは、その円周にフランジ331を形成する切り欠きを有し、円周に沿ったフランジ331が光源33aと光検出器33bの間を通過するように、かつ、フランジ付円板33cが回転軸18-12と一体となって回転するように回転軸18-2に固定されている。光源33aから出射された光は、隣接するフランジ331間の切り欠きを通って光検出器33bに入射する。回転軸18-12が回転しているときは、フランジ331と切り欠き部分に光が交互に照射されるため、光検出器33bは断続的に光を検出することになる。プラズマ処理装置110は、図1Aを参照して説明したように、制御装置125を備えており、センサ33の検出器によりテープ13からの反射光が断続的に検出される場合には、テープ13がスパッタ領域を走行中であると判別する。またセンサ33の光検出器によりテープ13からの反射光が所定期間検出されないか、連続して検出される場合には、制御装置125は、テープ13がスパッタ領域を走行しておらず、リール15-2に巻かれていたテープ13の導電化処理が終了したと判別し、駆動装置7及び電源装置を停止する。
なお、スパッタ装置120は、電流(又は電圧)を調整する電流調整器を有しており、例えば、電流調整器により印加電圧は0.8KVまたは1.4KVDCで、電流は0から50mAの間で任意に調整可能である。また、筐体16は排気機構を備えており、これにより内部の真空は8Paまで真空排気可能である。さらに、筐体16は、ニードルバルブ23を備えており、これにより任意のガス(例えば空気、酸素等)を導入可能である。
本実施形態のスパッタ装置120においては、リール15-1,15-2、回転軸18-1,18-2、ガイド軸31,32、駆動装置17及びブレーキ機構20からなるテープ搬送手段と、テープの走行状態を検出するセンサ33を有する点に特徴の一つがあり、これらの構成により、スパッタ装置を小型かつ簡易に構成することができる。
図9は、スパッタ装置120の動作を説明するフローチャートである。図9のフローチャートに沿って、図1Bのスパッタリング工程(S3)の動作を詳細に説明する。
図9において、S111は、テープをセットする工程である。これは、図5のスパッタ装置120の筐体16の前面の窓付きのドアを開け、予め導電化処理の対象となるテープ13を巻き取ったリールを、送り側のリール15-2の場所にセットする。テープ13の一端を引き出し、筐体16の中央を通過させするためのガイド軸31,32に接触させ、巻き取側のリール15ー1に入れ、リール15ー1を少し回して巻き取らせる。その後、駆動装置17を駆動させて、テープ13が送り方向(X方向)に搬送されるのを確認する。
S112は、真空排気する工程である。S111で、リール15-2、及びリール15-1をセットした後に、前面のドアを閉め、チャンバ内を真空排気する。
S113は、チャンバ内にガスを導入する工程である。S112でチャンバ内を真空排気した後、所望のガスを導入し、所定圧力に調整する。この圧力は実験で予め求めたておく。導入ガスは、アルゴン、窒素、乾燥空気などを用いることができる。チャンバ内を真空排気して、スパッタリング圧力を3MPa(ゲージ圧、以下同じ)程度に調節する。チャンバ内の圧力は、スパッタ電流が適切に流れる程度であればよく、3MPaであれば十分なスパッタリングが行える。
S114は、スパッタ電極41、42の間に電圧を印加し、スパッタ電極間に流れる電流値を調整する工程である。S113で、図2の筐体6の内部が所定の雰囲気に調整された状態で、スパッタ電圧(例えば0.8KV~1.4KVの所定の大きさのスパッタ電圧)を印加し、所定の大きさのスパッタ電流が流れるように調整する。
スパッタ電流は、10mA~50mAが好ましい。スパッタ電流が50mA以下であれば、樹脂テープの過熱による、変形や変質を抑制することができる。また、樹脂テープ上のスパッタリングされた重金属の粒状性が悪くなりにくく、また、樹脂テープ上に切片を回収する場合に、切片にシワやキズがつきにくくなる。スパッタリング電流が10mA以上であれば、樹脂テープを十分に導電化できるので、電子顕微鏡観察において良好なイメージングが行いやすい。スパッタ電流は、10mA~40mAが好ましく、10mA程度でも構わない。スパッタ電流は、テープの種類、スパッタ雰囲気(ガス)の種類、スパッタ圧力、スパッタリングターゲットの種類などに依存するので、あらかじめ実験で最適な電流を求めておき、設定することが好ましい。
S115は、テープを一定速度で走行させ、スパッタする工程である。S114でスパッタ電圧とスパッタ電流をテープ13のスパッタ(導電化)処理のために適切な値に調整した後、図5に示す駆動装置17を駆動させてテープ13を所定速度で走行させ、連続的にテープ13の一方の表面に導電化処理を施す。
スパッタリングにおける、テープ13の搬送速度は、10-20分程度/200mmが好ましく、必要に応じて(200mmの樹脂テープに対して)これ以上の滞在時間としてもよい。樹脂テープの搬送速度が速すぎると、チャンバ内での樹脂テープの積算滞在時間が短くなるため、十分な導電性膜の形成ができないことがある。なお、テープを巻き取るリールの回転数が一定の場合には樹脂テープの巻き数が多くなればなるほど、ターゲット下を通過している時間が短くなっていく。このため、樹脂テープをスパッタリング領域に1回しか通さない場合、樹脂テープの最初と最後で導電性膜の厚さが異なることがある。樹脂テープがチャンバ内のターゲット下(スパッタリング領域)に存在する積算滞在時間を十分に長くするために、繰り返し処理を行ってもよい。これにより、樹脂テープ表面に均一にスパッタリングすることができ、十分な導電性を簡易に確保することができる。この場合には、導電化処理したテープ13を巻き取ったリールを、再度スパッタ装置120のテープ送り出し側の回転軸18-2にセットして再度スパッタリングする。複数回のスパッタリング行う場合、一方向に複数回走行させてもよいが、回転軸18-1、及び18-2の回転方向を逆向きに切り替えてチャンバ内を往復させてもよい。なお、テープ13の搬送速度は、樹脂テープの材質、スパッタ電流の大きさ、スパッタリングターゲットの種類、スパッタ圧力などに依存するので、予めの実験により最適な値を求めておき、設定することが好ましい。
S116は、テープの走行が終了した(終端が検出された)か判別する工程である。S115で駆動装置7がオンになると、スパッタ(導電化処理)するべきテープ3が終了したか、していないかをセンサ33で判別する。センサ33での判別がYESの場合には、駆動装置7を停止させることでテープ13の走行を停止させ、一連の処理を終了する。NOの場合には、S115を繰り返す。
以上によって、図5のスパッタ装置120を用い、スパッタ電極41、42間をテープ13の表面が電極面と平行になるように、テープ13を、所定の搬送速度で走行させることで、テープ13の一方の表面に、均一にスパッタリングして導電化処理することが可能となる。
なお、スパッタリング装置では、樹脂テープを1本で搬送するか又は2本以上並行して搬送することができる。2本以上搬送する場合、本数が多くなると外側の樹脂テープの、導電性膜の膜厚が薄くなり、また、厚さのばらつきが出易いため、スパッタリングターゲットの大きさにもよるが、3本以下が好ましい。
樹脂テープ表面に形成される導電性膜は、厚くなり過ぎると凹凸ができて樹脂テープの平坦性が損なわれる場合があるため、小さい粒子性の重金属をできる限り薄く、平坦にコートすることが好ましい。また、導電性膜を形成した樹脂テープ表面の表面抵抗は、10の14乗Ω/cm以下であればイメージングが可能であり、好ましくは10の12乗Ω/cm以下程度、より好ましくは10の10乗Ω/cm以下である。10の10乗Ω/cm以下であれば良好なイメージングが可能である。尚、導電性膜は、樹脂テープ上に固定した切片を電子顕微鏡で観察したときにチャージアップしなければよいので、これを目安にしてもよい。
図10は、本実施形態のスパッタ装置120のリール15-1、15-2で3本のテープ13が巻き取られた状態を示す外観写真である。図10において、テープ13の一方の表面にはスパッタリングにより形成された導電膜が形成されている。図10では、導電膜は金を材質として示している。
(5)切片作製
図1Bに戻って、工程S4では、切片を作製する工程である。本実施形態では、樹脂に包埋させた生体組織を薄く連続的に切り出して、切片を連続的に作製する。生体組織としては、動物の組織であれば特に限定されず、一例として実験動物であるマウスやマーモセットなどの脳を用いる。
図11に、本実施形態の切片作製(S4)と切片回収(S5)の詳細工程図を示す。
図1Bの切片作製の工程(S4)は、図11のS4-1の切片作製(試料準備)と、これに続くS4-2の切片作製(樹脂包埋)により行われる。図11のS4-1の試料準備では生体組織を採取する。図11のS4-2の樹脂包埋においては、S4-1で取得した生体組織を樹脂包埋させ、樹脂包埋ブロック(組織ブロック51)を作製する。組織ブロック51から試料用の切片が切り出される。
樹脂包埋は、公知の手法で行うことができる。本実施形態では、グルタルアルデヒド(2.5wt%)とオスミニウム酸(1wt%)とで順に固定化した後、エポキシ樹脂で包埋して重合を行い、樹脂包埋ブロックを作製した。この方法のほか、例えば、TEM(透過電子顕微鏡)、SEM(走査電子顕微鏡)、更にimmuno-EM(免疫電子顕微鏡という染色したサンプルの観察方法)などで用いられる樹脂包埋の手法であってもよい。
工程S5は切片を回収する工程である。図11のS5の切片回収(連続)において、S4-2で作製した樹脂包埋ブロック(組織ブロック51)からダイヤモンドナイフ52などの切削具で切片54を順次、連続的に切り出し、処理済みのテープ63の上に回収する。
切り出された切片54は水ポート59に収容した水の表面に順次浮上して、処理済みのテープ63上にすくい取られて連続的に搬送される。水ポート59の水面に浮上した切片54は、処理済みのテープ63を移動(図11では紙面の左方向に移動)させることで、テープ63の導電化処理された表面に連続して自動的に回収される。
切片54は、通常、厚さ25nmから90nm、好ましくは30nmから60nmの範囲内の厚さで切り出される。切片54の厚さはより好ましくは50nmである。切片54は薄すぎると切り出しが困難になり、厚すぎると、電子顕微鏡観察時にチャージアップして観察が困難になるおそれがある。
図1Bに戻って、工程S6では、工程S5で個々の切片54を搭載した樹脂テープを所定の長さに切断して、切片54付きのストリップにする。テープストリップ上には、順次固定された1以上の切片54が配置されている。
工程S7は、テープストリップ上に固定された切片54を、電子染色する工程である。電子染色としては、例えば、飽和酢酸ウラン溶液などを用いたウラン染色と、レイノルド鉛溶液を用いた鉛染色とを行うことができる。
本実施形態では、導電化処理したテープ63の表面に生体組織から切り出した切片54を固定した後に電子染色することができる。膜厚が25nmから90nmの薄い切片に直接に電子染色が可能である。またテープ63に搭載した複数の切片54を同じ濃度で電子染色することができ、極めてコントラストが高く、高分解能の電子染色が可能である。これに対し、切片を切り出す前の組織ブロックの段階で電子染色する従来の方法では、厚く大きいブロックに電子染色するために、表面と内部とでは電子染色の度合が異なり、本実施形態のように均一かつ完全な電子染色はできない。
工程S8では、工程S6で切断、工程S7で電子染色した後のテープを電子顕微鏡観察用のウェハー上に整列する。テープをウェハー上に整列し、その後電子顕微鏡観察用の、導電性ペースト(銀ペースト等)を用いて固定する。
図12は、ウェハー上に切断したテープストリップを整列した状態(S8)を説明する図である。
図12のS8-1で、1以上の切片が固定されたテープストリップ63sを準備する。テープストリップ63sは、所望の数の切片54を含む長さにカットしたものである。テープストリップ63sの長さは、テープストリップ63sが固定されるウェハーの大きさに合わせればよい。テープストリップ63sには、既述した図1のS2,S3の工程により両表面に親水化処理がなされるか、一方の表面に導電化処理がなされるか、又は必要に応じて両方の処理が施されている。また、テープストリップ63s上の切片54には、電子染色がなされている。
図12のS8-2で、テープストリップ63sを順次ウェハーに載置した状態を示す。ウェハーは、円形ウェハー601を用いてもよいし、矩形ウェハー602を用いてもよい。ウェハーの表面に導電性カーボン両面テープを貼り、この上に電子染色されたテープストリップ63sを順次並べる。配置後に、切片54の上から電子顕微鏡用の導電性の銀ペースト、カーボンペースト等で接着する。円形のウェハー601は、4インチの他に、5、6、7、8インチ等があるが、必要に応じて選択すればよい。
矩形のウェハー602を用いる場合は、円形のウェハー601がそのまま利用可能であるのに比べて、ウェハーを所定の形状に切り出す作業を要するが、一定の長さのテープストリップ63sに切り出すことができる。カットの長さを一定に保ち、一枚のカットしたテープストリップ63sに搭載される切片54の数を一定化し、マルチビーム走査電子顕微鏡にて一回で観察可能な枚数を最大化することができる。
図12のS8-3で、ライブラリを作成する。切片54を搭載したテープストリップ63sが配列されたウェハーを多数、保存し管理する。多数のウェハーを整列させたライブラリを構成することにより、樹脂包埋された生体の組織ブロック51から連続して切り出した切片64を整列させて保存できると共に、任意の場所の切片54の電子顕微鏡画像を観察し分析できる。また、後日に何回でも、所望の場所の切片54を追加で観察できる。
図1Bに戻って、工程S9では、上記実施形態の方法で得た電子顕微観察用の試料を用いて、切片の観察や、画像の取得・分析を行う。実施形態の方法で得た電子顕微観察用の試料を用いることで、電子顕微鏡などを用い、ウェハー上に整列して固定された切片54を、チャージアップなしに高コントラストかつ高分解能で観察することができる。
図13Aは、電子顕微観察の例を示す図である。(a)は蛍光顕微鏡による試料S-aの観察、(b)は透過電子顕微鏡による試料S-bの観察、(c)は走査電子顕微鏡による試料S-cの観察を示す。(a)の蛍光顕微鏡では、図12のライブラリに収容されたウェハー上の切片54からの蛍光を観察することができる。最大分解能は約200nm、倍率は10~40倍程度が得られる。
(b)の透過電子顕微鏡では、切片54を透過した電子線の情報から切片54の拡大画像を高分解能で生成することができる。最大分解能は約0.1nm、倍率は50から150万倍程度が得られる。
(c)の走査電子顕微鏡では、切片54を走査した電子線の情報から切片54の拡大画像を高解像で生成することができる。最大分解能は約0.5nm、倍率は100万倍程度が得られる。
図13Bは、連続的な画像取得の例を示す。これは、図13Aの走査電子顕微鏡で、ウェハー上に固定された複数の連続した切片54について、順次観察データを取得して生成された連続的な画像である。
図14は、図1Bの観察及び画像分析(S9)の別の例を示す。S9-aで、連続的に取得された画像を、サーバコンピュータに蓄積する。サーバコンピュータに蓄積された画像は、ネットワークあるいはクラウドを介して共同研究者によって共有され、画像観察が可能になる。
図14のS9-bは、サーバコンピュータに蓄積した切片の連続画像を、サーバコンピュータ内で重ね合わせて得た画像である。
図14のS9-cは、S9-bで重ね合わせた画像をもとに、解析対象を色づけした画像の一例を示す。このように、解析対象の部位を明瞭となるようにすることができる。
図14のS9-dは、三次元解析図の一例を示す。S9-bで解析対象の連続した多数の画像を取得し、これらのうち適切なもの選択して重ね合わせ、解析しようとする所望の「神経回路」の部位の三次元構造を明瞭化する。更に、厚さ方向の連続した多数の画像をもとに三次元構造を再現(復元)してもよい。
図15は、本実施形態で作製された試料から得られる具体的な電子顕微画像の例である。図15の(A)で、切片のサイズ2mm×3mmの領域の連続画像を1枚の画像に合成したものの中から、画像中の一部を拡大した拡大画像の1例を示す。
図15の(B)に、比較例で取得した参考画像例を示す。比較例では、樹脂テープの導電化処理をせず、テープ上に搭載した切片の上から導電性コートした試料の走査顕微鏡画像である。走査型電子顕微鏡で観察する際のチャージアップを防ぐために、切片の上から薄く導電性(金やカーボン)コーティングを施して、この上から電子ビームを照射しつつ平面走査したものである。この方法では、切片の上に導電性コートされているために、当該導電性コートされた面からしか2次電子が放出されない。導電性コートした下の試料切片からの2次電子の放出がほとんどなく、コントラストが極めて低くなったものである。
本実施形態の電子顕微鏡観察方法では、切片の上から導電性コーティングをしなくても、導電化処理したテープ上に固定し、電子染色した切片から直接に2次電子放出を検出することができる。図15の(A)のような高コントラスかつ高分解能の画像を取得することが可能である。
次に実施例について説明する。本発明は以下の実施例に限定されない。
図1Bに示す工程によって、マーモセットの脳から採取した切片の透過電子顕微鏡連続画像を取得した。
(樹脂テープの親水化)
樹脂テープとしてカプトン(登録商標)テープ(ポリイミド製、厚み40μm、幅約8mm)を用い、樹脂テープの両表面をエタノールでふき取り清浄化した。
図2に示すのと同様のプラズマ処理装置110を用い、樹脂テープをチャンバ内で走行させて、両表面を親水化した。プラズマ処理は、プラズマ処理装置のチャンバ内を真空排気した後、酸素ガス雰囲気にした。プラズマ電流値を25mAに調整し、回転軸の回転速度を調節することで、テープ搬送速度を、30秒~1分程度/200mmの範囲の値にして行った。このようにして両面が親水化された樹脂テープを作製した。親水化された樹脂テープは、プラズマ処理装置110の出口に設置したリールに巻き取った。プラズマ処理装置110においては入口側のリールと出口側のリールをそれぞれ1つずつ配置し、プラズマ電極2の対向面に対してテープ表面が垂直となるように搬送して1本のテープをプラズマ処理した。リールの内径は40mm、外径は75mmであって、テープの巻かれた状態では、テープの巻き径はテープの厚みの分だけ増加し、テープの搬送速度も、巻き径が大きい分速くなる。
(樹脂テープの導電化)
上記で親水化した樹脂テープ表面に、次のように導電性膜を形成した。図5に示すのと同様のスパッタ装置120を用い、樹脂テープをチャンバ内で走行させて、樹脂テープの一方の面に導電性膜を形成した。処理条件は装置の設定として、電流値が10mA、テープ搬送速度が10-20分程度/200mmの範囲の所定の値で、樹脂テープをチャンバ内に2回走行させた。これは、いったんリールに巻き取ったテープをスパッタ装置120に再度セットして、2回目は1回目とはテープの反対の端からチャンバ内に走行させて行った。チャンバ内は真空排気した。スパッタリングターゲットとしては、金ターゲットを用いた。スパッタ装置においては入口側のリールと出口側のリールをそれぞれ3つずつ配置し、スパッタ電極の対向面に対してテープ表面が平行となるように3本のテープを搬送してスパッタリングした。スパッタ装置のリールの内径は40mm、外径は75mmであって、テープの巻かれた状態では、テープの巻き径はテープの厚みの分だけ増加し、テープの搬送速度も、巻き径が大きい分速くなる。
(切片の作製)
マーモセットから採取した脳を、適当なサイズに切り出し、2.5wt%グルタルアルデヒドと1wt%オスミニウム酸とで順に固定化した後、エポキシ樹脂で包埋して72時間以上の重合を行った。このようにして、樹脂包埋ブロックを作製した。
(切片の回収)
水ボート付ダイヤモンドナイフを用いて、上記で得た樹脂包埋ブロックから厚さ50nmの組織切片を連続的に切り出し、切り出された組織切片を、水ボートの水の浮力によって上記で形成された樹脂テープの導電化された表面上に順に採取した。
表面に組織切片の配置された樹脂テープを、走査電子顕微鏡観察用のシリコーンウェハー(直径4インチ)の大きさに合わせて所定の長さに切断し、ウラン(飽和酢酸ウラン溶液)と、その後、鉛(レイノルド鉛溶液)とで電子染色した。電子染色した樹脂テープを、シリコンウェハー上に組織切片が表面になるように順に並べ、その表面から走査電子顕微鏡観察用の導電性銀ペーストを塗布して固定した。
このように、樹脂包埋ブロックから切り出した組織切片が切り出し順に固定されたウェハーからなる観測用ウェハーを得た。この観測用ウェハー用い、マルチビーム走査電子顕微鏡によって、マルチビーム連続観察、および連続撮影を行った。図15の(A)に示す画像は、観察結果の中の一枚である。図15の(A)で使用した切片搭載前の樹脂テープの導電性コートされた面の表面抵抗を測定したところ、10の10乗Ω/cm以下であった。表面抵抗は、ハイレスターUX(三菱ケミカルアナリティック社製)を用いて測定した。
なお、スパッタリング装置で使用したターゲットをPt-Pd合金ターゲット(Pt90wt%-Pd10wt%)に変更した場合には、上記実施例よりはやや劣るものの、解析に十分なコントラストの画像が得られた。
また、スパッタリング装置の電流値を装置の設定でそれぞれ20mA、40mAにして、上記同様に走査電子顕微鏡観察した。いずれも上記実施例と同様の鮮明なコントラストを得ることができた。40mAを採用した例では、一部に、樹脂テープ上に採取した組織薄片表面に微細なしわや傷が観察されたものがあった。これは、樹脂テープ表面にスパッタリングされたターゲット粒子の影響であると推測される。
上記ではマーモセットの脳を用いて走査電子顕微鏡観察を行ったが、マウスの脳を用いた場合も図15の(A)と同様に、高コントラストかつ高解像度の画像が取得された。
(比較例)
図15の(B)を参照して述べたように、樹脂テープに導電性膜を付着させない以外は、上記実施例と同様に、マウスの脳を用いて組織切片付樹脂テープを作製し、ウェハー上に固定した。次いで、組織切片付樹脂テープを載置したウェハー表面に、組織切片上から重金属カーボンコーティングを施し、マルチビーム走査電子顕微鏡観察、撮影を行った。図15の(B)に示されたとおり、この撮影画像では解析に十分なコントラストが得られなかった。
(その他の実施例)
図16は、ポリカーボネート製のテープを使用して、搭載した切片の電子顕微鏡観察した結果を示す。テープの材料を除いて、テープの幅、厚さ、用いた組織切片は、図15の(A)のポリイミドのテープを用いた実施例と同じである。図13Bに示したように連続的に撮影された電子顕微観察画像を一枚の画像につなぎ合わせた中の一部分の拡大図である。図15の(A)と同様に、良好なコントラストが得られている。試料切片搭載用のテープとして、ポリカーボネートだけではなく、上述したPEN、PET、PEEKを用いるときも、図15の(A)、及び、図16と同様に良好なコントラストが得られた。
この国際出願は、2018年12月28日に日本国特許庁に出願された特願2018-248067号を優先権の基礎とし、その全内容を含むものである。
2、41、42:スパッタ電極
3、13:テープ
5-1、5-2、15-1、15-2:リール
6、16:筐体
7、17:駆動装置
11、31、32:ガイド軸
12、33:センサ
14:導電性膜
18-1,18-2:回転軸
19:排気機構
20:ブレーキ機構
23:ニードルバルブ
51:組織ブロック
52:ダイヤモンドナイフ
53:回収される切片
54:連続切片
100 試料作製システム
110 プラズマ処理装置
115 制御装置
120 スパッタ装置
125 制御装置
130 回収装置

Claims (12)

  1. テープ上に試料の切片を配置した電子顕微観察用の試料作製システムであって、
    樹脂テープをプラズマ照射領域内で走行させてプラズマ照射して連続的に親水化するプラズマ処理装置と
    記プラズマ処理装置で処理された前記樹脂テープの被処理面上に、連続的に切削された前記試料の切片を順次回収する回収装置と、
    を備え
    前記プラズマ処理装置は、互いに対向する一対のプラズマ電極を有し、前記樹脂テープは、前記樹脂テープの表面が前記一対のプラズマ電極の対向する電極面に対して垂直となるように搬送されることを特徴とする電子顕微観察用の試料作製システム。
  2. 前記樹脂テープをスパッタリング領域内で走行させて連続的にスパッタリングして導電化するスパッタ装置
    をさらに備え、前記樹脂テープの上に順次回収された前記切片は、当該切片の上から導電性コーティングなしに電子顕微鏡観察が可能であることを特徴とする請求項1に記載の電子顕微観察用の試料作製システム。
  3. 前記樹脂テープは、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエーテル・エーテルケトン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートから選択されることを特徴とする請求項1または2に記載の電子顕微観察用の試料作製システム。
  4. 記スパッタ装置は、
    スパッタリングチャンバと、
    前記スパッタリングチャンバ内に対向して配置された一対のスパッタ電極と、
    前記樹脂テープをその長手方向に、前記スパッタリングチャンバ内の前記一対のスパッタ電極の間の前記スパッタリング領域内で搬送する第2の搬送手段と、
    前記第2の搬送手段によるテープ搬送速度を調整する第2の駆動装置と、
    を備え、
    前記第2の搬送手段は、前記樹脂テープを前記スパッタリング領域に送り出す第3のリールと、前記スパッタリング領域から前記樹脂テープを巻きとる第4のリールとを備え、
    前記第3のリールおよび前記第4のリールは前記スパッタリングチャンバ内に設置され、前記第2の駆動装置は前記第4のリールに回転力を与え、所定の回転速度で回転させることを特徴とする、請求項2に記載の電子顕微観察用の試料作製システム
  5. 前記第2の搬送手段は、前記一対のスパッタ電極の対向面に対して、前記樹脂テープの表面が水平方向となるように前記樹脂テープを搬送させることを特徴とする請求項に記載の電子顕微観察用の試料作製システム
  6. 前記一対のスパッタ電極の陰極にスパッタリングターゲットが配置され、
    前記スパッタリングターゲットは、Au、Ag,Pt,Pdのうち1種又はこれらの2種以上の合金としたことを特徴とする請求項に記載の電子顕微観察用の試料作製システム
  7. 記樹脂テープを、前記プラズマ処理装置又は前記スパッタ装置内に走行させるテープ搬送機構
    をさらに有し、前記テープ搬送機構は、
    前記樹脂テープを送り出す送り出しリールと、前記樹脂テープを巻き取る巻き取りリールと、
    前記巻き取りリールを固定することで前記巻き取りリールと一体となって回転する回転軸と、
    前記回転軸を回転させるモーターと、
    前記回転軸に摺接する長尺板からなり、前記回転軸が回転することで前記回転軸に摩擦力を与えて前記回転軸の回転速度を制御するブレーキ機構と
    を有することを特徴とする請求項2に記載の電子顕微観察用の試料作製システム
  8. ラズマ処理チャンバと、
    前記プラズマ処理チャンバ内に対向して配置された一対のプラズマ電極と、
    前記一対のプラズマ電極の間に電流を印加する第1の電源装置と、
    脂テープをその長手方向に、前記一対のプラズマ電極の間のプラズマ照射領域内に搬送する第1の搬送手段と、
    前記第1の搬送手段によるテープ搬送速度を調整する第1の駆動装置と、
    を備え、
    前記第1の搬送手段は、前記樹脂テープを前記プラズマ照射領域に送り出す第1のリールと、前記プラズマ照射領域から前記樹脂テープを搬巻き取る第2のリールとを備え、前記樹脂テープの表面が前記一対のプラズマ電極の対向面に対して垂直となるように前記樹脂テープを搬送させることを特徴とするプラズマ処理装置。
  9. 前記第1のリール及び前記第2のリールは、前記一対のプラズマ電極の前記対向面と平行になるように前記プラズマ処理チャンバ内に配置され、前記樹脂テープの前記表面が前記一対のプラズマ電極の対向面に対して垂直となるように前記樹脂テープを搬送させることを特徴とする請求項8に記載のプラズマ処理装置
  10. テープ上に試料の切片を配置した電子顕微観察用の試料作製方法であって、
    樹脂テープをプラズマ照射領域内で走行させて前記樹脂テープの表面にプラズマ照射して親水化処理するステップと
    記親水化処理を施した前記樹脂テープの上に、連続的に切削された切片を順次回収する回収ステップと、
    を有し、前記親水化処理するステップでは、前記樹脂テープの前記表面が互いに対向する一対のプラズマ電極の対向面に対して垂直となるように前記樹脂テープを搬送することを特徴とする電子顕微観察用の試料作製方法。
  11. 前記樹脂テープをスパッタリング領域内で走行させて前記樹脂テープの前記表面に導電性材料をスパッタリングして導電化処理するステップ、
    をさらに有し、
    前記親水化処理と前記導電化処理を施した前記樹脂テープの上に、前記切片を順次回収する、請求項10に記載の電子顕微観察用の試料作製方法
  12. 前記切片が配置された前記樹脂テープを1以上の前記切片を含む長さにカットして得られるテープストリップを基板上に固定し、
    該基板上に固定された各切片への導電性コーティングなしに電子顕微鏡観察、または画像を取得することを特徴とする請求項11に記載の電子顕微観察用の試料作製方法。
JP2020562414A 2018-12-28 2019-12-26 電子顕微観察用試料の作製システム、プラズマ処理装置、及び電子顕微観察用試料の作製方法 Active JP7490184B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018248067 2018-12-28
JP2018248067 2018-12-28
PCT/JP2019/051141 WO2020138297A1 (ja) 2018-12-28 2019-12-26 電子顕微観察用試料の作製システム、電子顕微観察用試料の作製方法、およびこれに用いられるプラズマ処理装置、スパッタ装置、並びにテープ搬送機構

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2020138297A1 JPWO2020138297A1 (ja) 2021-11-04
JP7490184B2 true JP7490184B2 (ja) 2024-05-27

Family

ID=71127829

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020562414A Active JP7490184B2 (ja) 2018-12-28 2019-12-26 電子顕微観察用試料の作製システム、プラズマ処理装置、及び電子顕微観察用試料の作製方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11990314B2 (ja)
EP (1) EP3904858B1 (ja)
JP (1) JP7490184B2 (ja)
CN (1) CN113227756A (ja)
WO (1) WO2020138297A1 (ja)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001502430A (ja) 1996-10-24 2001-02-20 アドヴァンスド パソロジー システムズ,インコーポレイテッド サンプルブロックからカットされた組織サンプル切片の自動アーカイバル保存方法及び装置
JP2001153765A (ja) 1999-11-30 2001-06-08 Canon Inc 樹脂試料の電子顕微鏡観察方法
JP2001215181A (ja) 2000-02-01 2001-08-10 Fuji Photo Film Co Ltd 顕微鏡観察用の高分子支持体
JP2001235402A (ja) 2000-02-24 2001-08-31 Toshiba Mach Co Ltd 薄片試料作製方法
JP2012229997A (ja) 2011-04-26 2012-11-22 Kurabo Ind Ltd 薄切片試料作製装置
JP2014037985A (ja) 2012-08-10 2014-02-27 Sumitomo Metal Mining Co Ltd めっき被膜の異物採取方法
JP2016085119A (ja) 2014-10-27 2016-05-19 国立大学法人山口大学 電子顕微鏡観察試料の調製方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0797069B2 (ja) 1993-05-14 1995-10-18 財団法人東京都神経科学総合研究所 顕微鏡用連続薄切片の収拾保持方法とその装置
JP3175894B2 (ja) * 1994-03-25 2001-06-11 株式会社半導体エネルギー研究所 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
DE102016202379A1 (de) 2016-02-17 2017-08-17 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verfahren zur Präparation von Objekten für Untersuchungen mit geladenen Teilchenstrahlen
WO2018073443A1 (en) 2016-10-21 2018-04-26 Ruprecht-Karls-Universität Heidelberg Microtome, scanning electron microscope and method for preparing thin slices from a sample and method for analysing thin slices produced from a sample in a scanning electron microscope and use of a magnetic tape for the purpose of depositing and transporting of thin slices of samples in the field of scanning electron microscopy
JP6456439B2 (ja) 2017-07-31 2019-01-23 日東電工株式会社 スパッタ装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001502430A (ja) 1996-10-24 2001-02-20 アドヴァンスド パソロジー システムズ,インコーポレイテッド サンプルブロックからカットされた組織サンプル切片の自動アーカイバル保存方法及び装置
JP2001153765A (ja) 1999-11-30 2001-06-08 Canon Inc 樹脂試料の電子顕微鏡観察方法
JP2001215181A (ja) 2000-02-01 2001-08-10 Fuji Photo Film Co Ltd 顕微鏡観察用の高分子支持体
JP2001235402A (ja) 2000-02-24 2001-08-31 Toshiba Mach Co Ltd 薄片試料作製方法
JP2012229997A (ja) 2011-04-26 2012-11-22 Kurabo Ind Ltd 薄切片試料作製装置
JP2014037985A (ja) 2012-08-10 2014-02-27 Sumitomo Metal Mining Co Ltd めっき被膜の異物採取方法
JP2016085119A (ja) 2014-10-27 2016-05-19 国立大学法人山口大学 電子顕微鏡観察試料の調製方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2020138297A1 (ja) 2020-07-02
JPWO2020138297A1 (ja) 2021-11-04
EP3904858B1 (en) 2024-06-26
EP3904858A4 (en) 2022-03-09
CN113227756A (zh) 2021-08-06
US11990314B2 (en) 2024-05-21
EP3904858A1 (en) 2021-11-03
US20220068598A1 (en) 2022-03-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11073447B2 (en) Apparatus and methods for transferring a tissue section
KR101810437B1 (ko) 하전입자선 장치, 시료 화상 취득 방법, 및 프로그램 기록 매체
EP1292819A1 (en) Ion beam milling system and method for electron microscopy specimen preparation
US11982606B2 (en) Deparaffinization of tissue by electric field generation and ionization
US20140124367A1 (en) Sample preparation apparatus, sample preparation method, and charged particle beam apparatus using the same
CN112136032A (zh) 用于操纵生物切片的方法和装置
JP7490184B2 (ja) 電子顕微観察用試料の作製システム、プラズマ処理装置、及び電子顕微観察用試料の作製方法
US20030080292A1 (en) System and method for depth profiling
EP3618096A1 (en) Ion beam sample preparation and coating apparatus and methods
WO2005040778A1 (ja) 電子分光分析方法及び分析装置
EP3207555B1 (en) Apparatus for determining, using, and indicating ion beam working properties
BE1007675A3 (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van preparaten voor een elektronenmicroscoop.
EP3176569B1 (en) Arrangement for x-ray tomography
JP2009139109A (ja) 溶液中の異物の検査方法、及び溶液中の異物検査用ろ過膜
JP4939263B2 (ja) 高感度質量分析装置および分析方法
Cheng et al. Recent advances in contact imaging of biological materials
US11850620B1 (en) Coating of samples for microscopy
JP3688467B2 (ja) 不純物量測定方法および装置
JP3371442B2 (ja) レーザプラズマx線源及びx線の発生方法及びx線露光装置
JP2008145382A (ja) 薄切片作製装置及び薄切片作製方法
RU2234362C1 (ru) Способ и устройство изготовления ядерных фильтров
JP3369325B2 (ja) 半導体材料の固体表面の原子または分子の評価、分析方法
JPH1064694A (ja) X線発生装置
JP2010281710A (ja) 電子スペクトルの測定方法および測定装置
KR20150114146A (ko) 표면처리장치와 롤투롤 스퍼트 시스템 및 금속증착방법

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20210621

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20221220

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20231114

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240112

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240409

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240502

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7490184

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150