JP7485532B2 - メモリデバイスへの書き込み及びメモリデバイスからの読み取り方法及びシステム - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 87
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 230000004044 response Effects 0.000 description 12
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 229920005570 flexible polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
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- G11C11/225—Auxiliary circuits
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- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/56—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
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- G06F21/00—Security arrangements for protecting computers, components thereof, programs or data against unauthorised activity
- G06F21/70—Protecting specific internal or peripheral components, in which the protection of a component leads to protection of the entire computer
- G06F21/71—Protecting specific internal or peripheral components, in which the protection of a component leads to protection of the entire computer to assure secure computing or processing of information
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- G06F21/00—Security arrangements for protecting computers, components thereof, programs or data against unauthorised activity
- G06F21/70—Protecting specific internal or peripheral components, in which the protection of a component leads to protection of the entire computer
- G06F21/78—Protecting specific internal or peripheral components, in which the protection of a component leads to protection of the entire computer to assure secure storage of data
- G06F21/79—Protecting specific internal or peripheral components, in which the protection of a component leads to protection of the entire computer to assure secure storage of data in semiconductor storage media, e.g. directly-addressable memories
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- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/22—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using ferroelectric elements
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- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/22—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using ferroelectric elements
- G11C11/225—Auxiliary circuits
- G11C11/2253—Address circuits or decoders
- G11C11/2255—Bit-line or column circuits
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- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/22—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using ferroelectric elements
- G11C11/225—Auxiliary circuits
- G11C11/2253—Address circuits or decoders
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- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/22—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using ferroelectric elements
- G11C11/225—Auxiliary circuits
- G11C11/2273—Reading or sensing circuits or methods
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- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/56—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
- G11C11/5657—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency using ferroelectric storage elements
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- G11C2211/00—Indexing scheme relating to digital stores characterized by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
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- G—PHYSICS
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- G11C2211/00—Indexing scheme relating to digital stores characterized by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C2211/56—Indexing scheme relating to G11C11/56 and sub-groups for features not covered by these groups
- G11C2211/562—Multilevel memory programming aspects
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- G11—INFORMATION STORAGE
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Claims (20)
- プリントメモリデバイスに書き込むためのコンピュータ実施方法であって、前記コンピュータ実施方法は、
マイクロコントローラで、前記プリントメモリデバイスに書き込むデータを取得することと、
前記マイクロコントローラによって、前記データを複数のデータ部分に分割することと、
前記マイクロコントローラによって、前記複数のデータ部分のそれぞれのための複数の符号化スキームを決定することであって、前記複数の符号化スキームのそれぞれが、前記複数のデータ部分の各々を書き込むために使用される電圧及びパルス幅を含む、ことと、
前記マイクロコントローラによって、前記符号化スキームのうちの1つ以上を特定用途向け集積回路(ASIC)に提供することと、
前記ASICによって、書き込む前記複数のデータ部分の前記第1のデータ部分のための第1のワード線及び第1のビット線に対応する前記プリントメモリデバイスの第1のターゲットメモリセルを選択することと、
前記ASICによって、アドレス指定されていないワード線及びビット線を高インピーダンスに設定することと、
前記ASICによって、前記第1のデータ部分を、前記複数の符号化スキームの第1の符号化スキームを用いて前記第1のターゲットメモリセルに書き込むことであって、前記第1の符号化スキームは、第1の電圧及び第1のパルス幅を含む、ことと
を含む、コンピュータ実施方法。 - 前記マイクロコントローラによって、前記複数のデータ部分の第2のデータ部分が書き込まれることを決定することと、
前記ASICによって、書き込む前記複数のデータ部分の前記第2のデータ部分のための第2のワード線及び第2のビット線に対応する前記プリントメモリデバイスの第2のターゲットメモリセルを選択することと、
前記ASICによって、アドレス指定されていないワード線及びビット線を高インピーダンスに設定することと、
前記ASICによって、前記第2のデータ部分を、前記複数の符号化スキームの第2の符号化スキームを用いて前記第2のターゲットメモリセルに書き込むことであって、前記第2の符号化スキームは、第2の電圧及び第2のパルス幅を含む、ことと、を更に含む、請求項1に記載のコンピュータ実施方法。 - 前記マイクロコントローラによって、前記複数のデータ部分の第3のデータ部分が書き込まれることを決定することと、
前記ASICによって、書き込む前記複数のデータ部分の前記第3のデータ部分のための第3のワード線及び第3のビット線に対応する前記プリントメモリデバイスの第3のターゲットメモリセルを選択することと、
前記ASICによって、アドレス指定されていないワード線及びビット線を高インピーダンスに設定することと、
前記ASICによって、前記第3のデータ部分を、前記複数の符号化スキームのうちの第3の符号化スキームを用いて前記第3のターゲットメモリセルに書き込むことであって、前記第3の符号化スキームは、第3の電圧及び第3のパルス幅を含む、ことと、を更に含む、請求項2に記載のコンピュータ実施方法。 - 前記マイクロコントローラによって、前記複数のデータ部分の第4のデータ部分が書き込まれることを決定することと、
前記ASICによって、書き込む前記複数のデータ部分の前記第4のデータ部分のための第4のワード線及び第4のビット線に対応する前記プリントメモリデバイスの第4のターゲットメモリセルを選択することと、
前記ASICによって、アドレス指定されていないワード線及びビット線を高インピーダンスに設定することと、
前記ASICによって、前記第4のデータ部分を、前記複数の符号化スキームの第4の符号化スキームを用いて前記第4のターゲットメモリセルに書き込むことであって、前記第4の符号化スキームは、第4の電圧及び第4のパルス幅を含む、こととを更に含む、請求項3に記載のコンピュータ実施方法。 - 前記第1のワード線と前記第2のワード線が同じワード線である、請求項2に記載のコンピュータ実施方法。
- 前記第1のビット線と前記第2のビット線が同じビット線である、請求項2に記載のコンピュータ実施方法。
- 前記第1の電圧、前記第2の電圧、前記第3の電圧、及び前記第4の電圧が、前記プリントメモリデバイスの駆動電圧曲線に対して非線形領域ADC値内にある、請求項4に記載のコンピュータ実施方法。
- 前記第1の電圧、前記第2の電圧、前記第3の電圧、及び前記第4の電圧が、約1ボルト~約40ボルトである、請求項4に記載のコンピュータ実施方法。
- 前記第1の電圧、前記第2の電圧、前記第3の電圧、及び前記第4の電圧が、13ボルト~約22ボルトである、請求項4に記載のコンピュータ実施方法。
- 前記非線形領域が、約0.1nC~約10nCの電荷値に対応する、請求項7に記載のコンピュータ実施方法。
- 前記非線形領域が、約0.5nC~約7nCの電荷値に対応する、請求項7に記載のコンピュータ実施方法。
- 前記非線形領域が、1nC未満の第1の電荷値、3nC~5nCの第2の電荷値、5nC~6nCの第3の電荷値、及び6nC~9nCの第4の値に対応する4つの符号化レジームに分割される、請求項7に記載のコンピュータ実施方法。
- 前記第1の符号化スキーム及び前記第2の符号化スキームが、前記第1のデータ部分及び前記第2のデータ部分の同一のデータ値に対して同一である、請求項2に記載のコンピュータ実施方法。
- 前記データ部分の各々が、ビット値のタプルを含む、請求項1に記載のコンピュータ実施方法。
- プリントメモリデバイスから読み取るためのコンピュータ実施方法であって、前記コンピュータ実施方法は、
マイクロコントローラによって、特定用途向け集積回路(ASIC)に全電圧を設定するために第1の制御命令を提供することと、
前記マイクロコントローラによって、前記プリントメモリデバイスの第1のセルからデータの第1の部分を読み取るために、第1の読み取り命令を前記ASICに提供することと、
前記ASICによって、前記第1のセルを読み取ることであって、前記読み取ることが、第1の電荷測定値及び第2の電荷測定値を決定することを含む、ことと、
前記マイクロコントローラによって、前記第1の電荷測定値及び前記第2の電荷測定値を前記ASICから取得することと、
前記マイクロコントローラによって、前記第1の電荷測定値と前記第2の電荷測定値との間の差分を決定することと、
前記マイクロコントローラによって、前記差分を復号された1組のビット値に変換するために、ルックアップテーブルにアクセスすることと、
前記マイクロコントローラによって、前記復号されたビット値を提供することと
を含む、コンピュータ実施方法。 - 前記ルックアップテーブルが、前記第1の電荷測定値及び前記第2の電荷測定値に基づいたアナログデジタルカウント(ADC)値の差分と復号されたビット値との間の対応を提供する、請求項15に記載のコンピュータ実施方法。
- 前記ADC値が、複数の重複しないADC値レジームに分割される、請求項16に記載のコンピュータ実施方法。
- 複数の前記ADC値レジームが、4つのADC値レジームである、請求項16に記載のコンピュータ実施方法。
- 前記4つのADC値レジームが、10未満、10~70、70~110、及び110超を含む、請求項18に記載のコンピュータ実施方法。
- 前記第1の電荷測定値及び前記第2の電荷測定値が、それぞれ、アナログデジタル変換器によって第1のアナログデジタルカウント(ADC)値及び第2のADC値に変換される、請求項15に記載のコンピュータ実施方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16/389,535 | 2019-04-19 | ||
US16/389,535 US10748597B1 (en) | 2019-04-19 | 2019-04-19 | Method and system for writing to and reading from a memory device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020177721A JP2020177721A (ja) | 2020-10-29 |
JP7485532B2 true JP7485532B2 (ja) | 2024-05-16 |
Family
ID=70224234
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020059741A Active JP7485532B2 (ja) | 2019-04-19 | 2020-03-30 | メモリデバイスへの書き込み及びメモリデバイスからの読み取り方法及びシステム |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10748597B1 (ja) |
EP (1) | EP3726531A3 (ja) |
JP (1) | JP7485532B2 (ja) |
KR (1) | KR102650244B1 (ja) |
CN (1) | CN111833951B (ja) |
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2019
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-
2020
- 2020-03-20 CN CN202010204979.XA patent/CN111833951B/zh active Active
- 2020-03-30 JP JP2020059741A patent/JP7485532B2/ja active Active
- 2020-04-01 KR KR1020200040015A patent/KR102650244B1/ko active IP Right Grant
- 2020-04-02 EP EP20167847.1A patent/EP3726531A3/en active Pending
- 2020-05-22 US US16/881,745 patent/US10878875B2/en active Active
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EP3726531A2 (en) | 2020-10-21 |
US20200335149A1 (en) | 2020-10-22 |
JP2020177721A (ja) | 2020-10-29 |
KR102650244B1 (ko) | 2024-03-25 |
KR20200123003A (ko) | 2020-10-28 |
US10748597B1 (en) | 2020-08-18 |
US10878875B2 (en) | 2020-12-29 |
CN111833951B (zh) | 2022-11-29 |
EP3726531A3 (en) | 2021-02-17 |
CN111833951A (zh) | 2020-10-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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